專利名稱：真空裝置、其顆粒監(jiān)控方法、程序以及顆粒監(jiān)控用窗口部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及設(shè)置有顆粒監(jiān)控的真空裝置及其顆粒監(jiān)控方法、程序和顆粒監(jiān)控用窗口部件。
背景技術(shù)：
為了對(duì)半導(dǎo)體晶片(以下稱為“晶片”)實(shí)施蝕刻處理等制品化處理，使用采用等離子體的半導(dǎo)體制造裝置(圖10)。在制品化處理時(shí)，由于產(chǎn)生的顆粒附著于已制品化的晶片上引起污染，成品率降低，因此，對(duì)于半導(dǎo)體制造裝置要求高度的清潔度。
圖10為概略地表示以往的半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)造示意圖。
圖10中，半導(dǎo)體制造裝置800具備由用于對(duì)晶片實(shí)施制品化處理的圓筒形容器制成的處理室810。在處理室810內(nèi)部，設(shè)置有埋設(shè)了可施加高電壓(HVHigh Voltage)的電極的晶片臺(tái)，晶片載置于該晶片臺(tái)上。在處理室800的上部，配置有設(shè)置了多個(gè)貫通孔的噴頭811a，噴頭811a通過(guò)這些貫通孔在制品化處理時(shí)將所使用的腐蝕性的處理用氣體(處理氣體)導(dǎo)入處理室810內(nèi)。
另外，處理室810上，其上部連接有由用于導(dǎo)入清洗氣體的管狀部件制成的吸氣管線，該吸氣管線上設(shè)置有限制要向處理室810供給的清洗氣體流量的閥門811。在下部連接有由細(xì)管狀部件制成的預(yù)抽管線820和由粗管狀部件制成的主抽真空管線830，預(yù)抽管線820和主抽真空管線830在排氣管線上合流。
預(yù)抽管線820上設(shè)置有通過(guò)排氣管線排出處理室810內(nèi)的氣體的干式泵(DPDry Pump)822和限制由干式泵822排出的氣體流量的閥門821。
主抽真空管線830上從處理室810一側(cè)依次設(shè)置有自動(dòng)壓力調(diào)整裝置(APCAuto Pressure Controller)831、作為閘閥的隔離閥(ISOIsolation Valve)832、排氣量比干式泵822還大的渦輪分子泵(TMPTurbo-Molecular Pump)833。
在半導(dǎo)體制造裝置800中，為了進(jìn)行制品化處理，在減小處理室810內(nèi)的壓力時(shí)，通過(guò)預(yù)抽管線820將處理室810內(nèi)的氣體排出，關(guān)閉閥門821之后，通過(guò)主抽真空管線830使處理室810達(dá)到所需的真空度。在進(jìn)行制品化處理時(shí)，如果進(jìn)行蝕刻處理，要求高真空。在進(jìn)行制品化處理中，為了維持真空度，通過(guò)主抽真空管線830繼續(xù)排氣。
在制品化處理結(jié)束之后，通過(guò)吸氣管線將清洗氣體供給處理室810，通過(guò)排氣管線進(jìn)行排氣，這樣，從處理室810與清洗氣體一起排出浮游在處理室810內(nèi)的顆粒，用清洗氣體洗凈處理室810(比如，參照專利文獻(xiàn)1)。
另外，為了評(píng)價(jià)處理室810的清潔度，設(shè)置市場(chǎng)上銷售的光學(xué)式顆粒監(jiān)控裝置(PMparticle monitoring device)(未圖示)，嘗試監(jiān)控顆粒。
為了在制品化處理時(shí)實(shí)時(shí)地監(jiān)控被排出的顆粒，顆粒監(jiān)控裝置多在主抽真空管線830上的自動(dòng)壓力調(diào)整裝置831和處理室810之間、在自動(dòng)壓力調(diào)整裝置831和隔離閥832之間、或者，在處理室810上設(shè)置。
另外，顆粒監(jiān)控裝置中，特別是玻璃制的透鏡等部件容易被腐蝕性的處理氣體蝕刻，例如，開(kāi)始使用一周后，玻璃制部件發(fā)生白化。因此，需要更換該部件或者進(jìn)行維修，不僅半導(dǎo)體制造裝置800的成本飛升，而且，使用時(shí)間減少。與此相反，通過(guò)將顆粒監(jiān)控裝置設(shè)置在預(yù)抽管線820上，可以防止顆粒監(jiān)控裝置的玻璃制部件發(fā)生腐蝕。
顆粒監(jiān)控裝置由于難以監(jiān)控在高真空下以比如20m/sec的高速移動(dòng)的顆粒，所以，為了提高顆粒檢測(cè)準(zhǔn)確率，提出這樣一種技術(shù)方案限制通過(guò)由粗管狀部件制成的主抽真空管線830等的排氣管線的氣體流量面積來(lái)監(jiān)控顆粒。(比如，參照專利文獻(xiàn)2)。
另外，圖10中的半導(dǎo)體制造裝置800具備與處理室810相對(duì)面設(shè)置的由石英玻璃(SiO2)制成的透明的窗口部件(未圖示)，該窗口部件比如作為用于向處理室810內(nèi)導(dǎo)入微波的窗口發(fā)揮作用。
如果構(gòu)成窗口部件的石英玻璃處于氟系等離子體的環(huán)境中，則石英玻璃中的硅(Si)原子與氟系等離子體所含有的氟自由基等的活性分子反應(yīng)，作為氟化硅(SiF4)揮發(fā)，從而污染晶片，或者窗口部件從表面被腐蝕，產(chǎn)生發(fā)毛(劣化)。
為了抑制該劣化，通常加熱石英玻璃。另外，為了抑制窗口部件的劣化，提出了氧化鋁(Al2O3)及石英制成的第二相中由分散有由石英制成的第一相的部件制成的窗口部件(比如，參照專利文獻(xiàn)3)。另外，雖然不是窗口部件，但處于如下?tīng)顟B(tài)的材料被提案出來(lái)作為玻璃鐘罩、聚焦環(huán)等的在處理室內(nèi)使用的部件，使二氧化硅(SiO2)中含有鋁(Al)并進(jìn)行熔融，成為二氧化硅及二氧化鋁的非晶態(tài)的材料(比如，參照專利文獻(xiàn)4)。無(wú)論哪種技術(shù)，通過(guò)使預(yù)定的部件中含有鋁，提高對(duì)于氟系等離子體或者活性分子的耐受性。
(專利文獻(xiàn)1)實(shí)開(kāi)平06-056999號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)特開(kāi)平11-304688號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)特開(kāi)2001-261364號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)4)特開(kāi)2003-292337號(hào)公報(bào)可是，根據(jù)上述專利文獻(xiàn)1、2記載的技術(shù)，僅僅監(jiān)控與從處理室810排出的氣體一起移動(dòng)的顆粒，因此，無(wú)法監(jiān)控到附著在處理室810的內(nèi)壁上的沉積物(堆積物)。
沉積物在制品化處理中從該內(nèi)壁剝離下來(lái)，成為污染晶片的原因，因此，要求通過(guò)將沉積物作為顆粒進(jìn)行積極地監(jiān)控，更加正確地評(píng)價(jià)處理室810的清潔度。
另外，如果為了抑制窗口部件的劣化進(jìn)行加熱，則設(shè)置在半導(dǎo)體制造裝置800的內(nèi)部的電路會(huì)發(fā)生不良情況，或者促進(jìn)了激光裝置的劣化。
再者，根據(jù)上述的使預(yù)定部件中含有鋁的技術(shù)，在二氧化硅或者石英中鋁原子處于分散的狀態(tài)，因此，在表面不能有效率地發(fā)揮耐等離子體性或者對(duì)于活性分子的耐受性，該預(yù)定部件的更換頻度增加。其結(jié)果，更換所需時(shí)間變長(zhǎng)，半導(dǎo)體制造裝置800的生產(chǎn)能力降低，同時(shí)，更換費(fèi)用上升，半導(dǎo)體制造裝置800的成本提高。另外，從防止半導(dǎo)體制造裝置800的生產(chǎn)能力降低或者抑制成本的觀點(diǎn)考慮，也要求降低半導(dǎo)體制造裝置800的比如具備連接主抽真空管線的顆粒監(jiān)控裝置的顆粒監(jiān)控用窗口部件的更換頻度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于提供一種可切實(shí)地監(jiān)控包含易剝離的沉積物的顆粒，正確地評(píng)價(jià)真空裝置的清潔度的真空裝置及其顆粒監(jiān)控方法、和程序。
本發(fā)明的第二目的在于提供一種能夠有效率地發(fā)揮對(duì)于活性分子的耐受性，使更換頻度降低的顆粒監(jiān)控用窗口部件。
為了實(shí)現(xiàn)上述第一目的，本發(fā)明第1方面的真空裝置具備形成預(yù)定空間的容器；通過(guò)預(yù)定排氣管排出所述容器內(nèi)氣體的排氣機(jī)構(gòu)；至少一個(gè)設(shè)置在所述排氣管上，限制所述被排出的氣體流量的排氣限制機(jī)構(gòu)；在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)和所述排氣機(jī)構(gòu)之間，設(shè)置在所述排氣管上，監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控機(jī)構(gòu)，其特征在于具有通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗機(jī)構(gòu)；和在所述清洗機(jī)構(gòu)和所述容器之間，設(shè)置在所述供給管上，限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制機(jī)構(gòu)；所述供給限制機(jī)構(gòu)在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而游離于所述容器內(nèi)的顆粒。
本發(fā)明第2方面的真空裝置是根據(jù)本發(fā)明第1方面所述的真空裝置，其特征在于具備向所述容器內(nèi)供給腐蝕性的處理用氣體的處理用氣體供給機(jī)構(gòu)、和排出所述處理用氣體的其他排氣機(jī)構(gòu)；所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)在通過(guò)所述其他排氣機(jī)構(gòu)排出所述處理用氣體時(shí)，禁止排出所述氣體。
本發(fā)明第3方面的真空裝置是根據(jù)本發(fā)明第1或2方面所述的真空裝置，其特征在于所述供給限制機(jī)構(gòu)限制所述被供給的清洗氣體的流量，使所述清洗氣體的壓力值達(dá)到所述容器內(nèi)的壓力值的2倍以上。
本發(fā)明第4方面的真空裝置是根據(jù)本發(fā)明第1～3方面中任一項(xiàng)所述的真空裝置，其特征在于具備在所述容器內(nèi)放電的電力供給機(jī)構(gòu)；
所述電力供給機(jī)構(gòu)在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
為了實(shí)現(xiàn)上述第一目的，本發(fā)明第5方面的真空裝置具備形成預(yù)定空間的容器；通過(guò)預(yù)定排氣管排出所述容器內(nèi)氣體的排氣機(jī)構(gòu)；設(shè)置在所述排氣管上，限制所述被排出的氣體流量的至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)；在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)和所述排氣機(jī)構(gòu)之間，設(shè)置在所述排氣管上，監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控機(jī)構(gòu)，其特征在于具備向所述容器內(nèi)放電的電力供給機(jī)構(gòu)；所述電力供給機(jī)構(gòu)在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
本發(fā)明第6方面所述的真空裝置是根據(jù)本發(fā)明第5方面所述的真空裝置，其特征在于所述電力供給機(jī)構(gòu)通過(guò)所述放電在所述容器內(nèi)產(chǎn)生電磁應(yīng)力。
本發(fā)明第7方面所述的真空裝置是根據(jù)本發(fā)明第5或6方面所述的真空裝置，其特征在于具備通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗機(jī)構(gòu)；在所述清洗機(jī)構(gòu)和所述容器之間設(shè)置在所述供給管上，限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制機(jī)構(gòu)；所述供給限制機(jī)構(gòu)在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
為了實(shí)現(xiàn)上述第一目的，本發(fā)明第8方面是一種具備形成預(yù)定空間的容器的真空容器的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于，具有通過(guò)預(yù)定的排氣管將所述容器內(nèi)的氣體排出的排氣步驟；監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控步驟；
限制所述被排出的氣體流量的排氣限制步驟；通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗步驟；和限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制步驟，在所述供給限制步驟中，在所述排氣限制步驟允許排出所述氣體時(shí)開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
本發(fā)明第9方面的顆粒監(jiān)控方法是根據(jù)本發(fā)明第8方面所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于具有向所述容器內(nèi)供給腐蝕性的處理用氣體的處理用氣體供給步驟和排出所述處理用氣體的其他排氣步驟，所述排氣限制步驟中，在所述其他排氣步驟排出所述處理用氣體時(shí)，禁止排出所述氣體。
本發(fā)明第10方面所述的顆粒監(jiān)控方法是根據(jù)本發(fā)明第8或9方面所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于在所述供給限制步驟中，限制所述被供給的清洗氣體的流量，使所述清洗氣體的壓力值達(dá)到所述容器內(nèi)的壓力值的2倍以上。
本發(fā)明第11方面所述的顆粒監(jiān)控方法是根據(jù)本發(fā)明第8～10方面中任一項(xiàng)所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于具有向所述容器內(nèi)放電的放電步驟；在所述放電步驟中，在所述排氣限制步驟允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
為了實(shí)現(xiàn)上述第一目的，本發(fā)明第12方面是一種具備形成預(yù)定空間的容器的真空容器的顆粒監(jiān)控方法，具有通過(guò)預(yù)定的排氣管將所述容器內(nèi)的氣體排出的排氣步驟；限制所述被排出的氣體流量的排氣限制步驟；監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控步驟；其特征在于，具有向所述容器內(nèi)放電的放電步驟；在所述放電步驟中，在所述排氣限制步驟允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
本發(fā)明第13方面所述的顆粒監(jiān)控方法是根據(jù)本發(fā)明第12方面所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于在所述放電步驟中，通過(guò)所述放電在所述容器內(nèi)產(chǎn)生電磁應(yīng)力。
本發(fā)明第14方面所述的顆粒監(jiān)控方法是根據(jù)本發(fā)明第12或13方面所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于具有通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗步驟和限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制步驟；在所述供給限制步驟中，在所述排氣限制步驟允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
為了實(shí)現(xiàn)上述第一目的，本發(fā)明第15方面一種使計(jì)算機(jī)運(yùn)行具備形成預(yù)定空間的容器的真空容器的顆粒監(jiān)控方法的程序，其特征在于具備通過(guò)預(yù)定的排氣管將所述容器內(nèi)的氣體排出的排氣程序單元、監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控程序單元、限制所述被排出的氣體流量的排氣限制程序單元、通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗程序單元和限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制程序單元，所述供給限制程序單元，在所述排氣限制程序單元允許排出所述氣體時(shí)開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
為了實(shí)現(xiàn)上述第一目的，本發(fā)明第16方面所述的是一種使計(jì)算機(jī)運(yùn)行具備形成預(yù)定空間的容器的真空容器的顆粒監(jiān)控方法的程序，其特征在于具備通過(guò)預(yù)定的排氣管將所述容器內(nèi)的氣體排出的排氣程序單元、限制所述被排出的氣體流量的排氣限制程序單元、監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控程序單元和向所述容器內(nèi)放電的放電程序單元；所述放電程序單元，在所述排氣限制程序單元允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
為了實(shí)現(xiàn)上述第二目的，本發(fā)明第17方面所述的是一種顆粒監(jiān)控用窗口部件，由在形成預(yù)定空間的框體和監(jiān)控該框體內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控裝置之間設(shè)置的透明基件制成，其特征在于所述基件由透明的基座和在與該基座上的所述框體內(nèi)的氣體相對(duì)面的面上實(shí)施預(yù)定處理的表面處理層構(gòu)成。
本發(fā)明第18方面所述的窗口部件是根據(jù)本發(fā)明第17方面所述的窗口部件，其特征在于所述表面處理層含有選自碳、釔、氧化釔及氟化鈣中的一種材料。
本發(fā)明第19方面所述的窗口部件是根據(jù)本發(fā)明第18方面所述的窗口部件，其特征在于所述碳由結(jié)晶狀金剛石或金剛石狀碳制成。
本發(fā)明第20方面所述的窗口部件是根據(jù)本發(fā)明第18或19方面所述的窗口部件，其特征在于所述一種材料，其含有量在所述表面處理層的整個(gè)質(zhì)量中，在10～100質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
本發(fā)明第21方面所述的窗口部件是根據(jù)本發(fā)明第17方面所述的窗口部件，其特征在于所述表面處理層含有鋁或者氧化鋁。
本發(fā)明第22方面所述的窗口部件是本發(fā)明第21方面所述的窗口部件，其特征在于所述鋁或者氧化鋁，其含有量在所述表面處理層的整個(gè)質(zhì)量中，在10～100質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
本發(fā)明第23方面所述的窗口部件是根據(jù)本發(fā)明第17～22方面中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述預(yù)定處理為涂敷處理。
本發(fā)明第24方面所述的窗口部件是根據(jù)本發(fā)明第17～22方面中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述預(yù)定處理為摻雜處理。
本發(fā)明第25方面所述的窗口部件是根據(jù)本發(fā)明第17～24方面中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述表面處理層，其厚度在100nm～10μm的范圍內(nèi)。
本發(fā)明第26方面所述的窗口部件是根據(jù)本發(fā)明第17～25方面中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述基座由以硅為主成分的玻璃制成；所述表面處理層處于所述框體內(nèi)的氣體所含有的活性分子中。
為了實(shí)現(xiàn)上述第二目的，本發(fā)明第27方面所述的是一種顆粒監(jiān)控用窗口部件，由在形成預(yù)定空間的框體和監(jiān)控該容器內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控裝置之間設(shè)置的透明基件制成，其特征在于所述基件由氟化鈣制成。
本發(fā)明第28方面所述的窗口部件是根據(jù)本發(fā)明第17～27方面中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述框體由容器或者配管制成。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明第1方面所述的真空裝置、本發(fā)明第8方面所述的真空裝置的顆粒監(jiān)控方法或者本發(fā)明第15方面所述的程序，由于在允許排出氣體時(shí)通過(guò)開(kāi)始供給清洗氣體，在所述容器內(nèi)游離的顆粒得到監(jiān)控，因此，能夠切實(shí)地監(jiān)控含有易剝離的沉積物的顆粒，正確地評(píng)價(jià)真空裝置的清潔度。
根據(jù)本發(fā)明第2方面所述的真空裝置或者本發(fā)明第9方面所述的真空裝置的顆粒監(jiān)控方法，能夠在通過(guò)其他排氣管排出處理用氣體時(shí)禁止通過(guò)排氣管的氣體的排出，防止顆粒監(jiān)控裝置被腐蝕，延長(zhǎng)其壽命。
根據(jù)本發(fā)明第3方面所述的真空裝置或者本發(fā)明第10方面所述的真空裝置的顆粒監(jiān)控方法，限制所述被供給的清洗氣體的流量，使清洗氣體的壓力值達(dá)到容器內(nèi)的壓力值的2倍以上，因此，能夠使容器內(nèi)切實(shí)產(chǎn)生沖擊波，切實(shí)地使沉積物剝離下來(lái)。
根據(jù)本發(fā)明第4方面所述的真空裝置或者本發(fā)明第11方面所述的真空裝置的顆粒監(jiān)控方法，除通過(guò)供給清洗氣體而游離的顆粒外，通過(guò)在允許排出氣體時(shí)開(kāi)始的放電而進(jìn)入容器內(nèi)的顆粒得到監(jiān)控，因此，能夠更加切實(shí)地監(jiān)控含有易剝離的沉積物的顆粒，更加正確地評(píng)價(jià)真空裝置的清潔度。
根據(jù)本發(fā)明第5方面所述的真空裝置、本發(fā)明第12方面所述的真空裝置的顆粒監(jiān)控方法或者本發(fā)明第16方面所述的程序，通過(guò)在允許排出氣體時(shí)開(kāi)始的放電而在容器內(nèi)游離的顆粒得到監(jiān)控，因此，能夠更加切實(shí)地監(jiān)控含有易剝離的沉積物的顆粒，更加正確地評(píng)價(jià)真空裝置的清潔度。
根據(jù)本發(fā)明第6方面所述的真空裝置或者本發(fā)明第13方面所述的真空裝置的顆粒監(jiān)控方法，由于通過(guò)放電在容器內(nèi)產(chǎn)生電磁應(yīng)力，因此，能夠切實(shí)地使沉積物剝離下來(lái)。
根據(jù)本發(fā)明第7方面所述的真空裝置或者本發(fā)明第14方面所述的真空裝置的顆粒監(jiān)控方法，除通過(guò)在允許排出氣體時(shí)開(kāi)始的放電而在容器內(nèi)游離的顆粒外，通過(guò)供給清洗氣體而游離的顆粒得到監(jiān)控，因此，能夠更加切實(shí)地監(jiān)控含有易剝離的沉積物的顆粒，更加正確地評(píng)價(jià)真空裝置的清潔度。
根據(jù)本發(fā)明第17方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，透明基件由透明的基座和在與該基座上的容器內(nèi)的氣體相對(duì)面的面上實(shí)施了預(yù)定處理的表面處理層構(gòu)成，因此，能夠有效率地發(fā)揮對(duì)于活性分子的耐受性，降低更換頻度。
根據(jù)本發(fā)明第18方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，所述表面處理層含有選自碳、釔、氧化釔及氟化鈣中的一種材料，因此，在表面處理層上能夠更加有效率地發(fā)揮對(duì)于活性分子的耐受性，切實(shí)地降低更換頻度。
根據(jù)本發(fā)明第20方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，構(gòu)成表面處理層的材料的含有量在表面處理層的整個(gè)質(zhì)量中，在10～100質(zhì)量％的范圍內(nèi)，因此，能夠提高對(duì)于活性分子的耐受性。
根據(jù)本發(fā)明第21方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，表面處理層含有鋁或者氧化鋁，因此，在表面處理層上能夠更加有效率地發(fā)揮對(duì)于活性分子的耐受性，切實(shí)地降低更換頻度。
根據(jù)本發(fā)明第22方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，鋁或者氧化鋁的含有量在表面處理層的整個(gè)質(zhì)量中，在10～100質(zhì)量％的范圍內(nèi)，因此，能夠提高對(duì)于活性分子的耐受性。
根據(jù)本發(fā)明第23方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，預(yù)定處理為涂敷處理，因此，能夠容易地在基座上設(shè)置表面處理層。
根據(jù)本發(fā)明第24方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，預(yù)定處理為摻雜處理，因此，能夠切實(shí)地在基座上設(shè)置表面處理層。
根據(jù)本發(fā)明第25方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，表面處理層的厚度在100nm～10μm的范圍內(nèi)，因此，能夠提高對(duì)于活性分子的耐受性。
根據(jù)本發(fā)明第26方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，基座由以硅為主成分的玻璃制成，表面處理層處于容器內(nèi)生成的等離子體環(huán)境中，因此，能夠防止硅處于等離子體環(huán)境中，同時(shí)，在表面處理層有效率地發(fā)揮對(duì)于活性分子的耐受性，切實(shí)地降低更換頻度。
根據(jù)本發(fā)明第27方面所述的顆粒監(jiān)控用窗口部件，透明的基件由氟化鈣制成，因此，能夠有效率地發(fā)揮對(duì)于活性分子的耐受性，降低更換頻度。


圖1為概略地表示具備涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的真空裝置的半導(dǎo)體制造裝置構(gòu)造的示意圖。
圖2為概略地表示圖1中顆粒監(jiān)控裝置構(gòu)造的示意圖。
圖3為表示由圖2中顆粒監(jiān)控裝置的受光元件測(cè)出的檢測(cè)信號(hào)的強(qiáng)度的曲線圖。
圖4為表示由圖1中半導(dǎo)體制造裝置執(zhí)行的顆粒監(jiān)控方法的順序的時(shí)間圖。
圖5為表示圖4的順序中，由顆粒監(jiān)控裝置測(cè)定的顆粒數(shù)量的曲線圖。
圖6為概略地表示具備涉及本發(fā)明的第三實(shí)施方式的真空裝置的半導(dǎo)體處理裝置構(gòu)造的示意圖。
圖7為表示由圖6的真空搬送裝置執(zhí)行的顆粒監(jiān)控方法的順序的時(shí)間圖。
圖8為詳細(xì)地表示涉及本發(fā)明第四實(shí)施方式的顆粒監(jiān)控用窗口部件的構(gòu)造的截面圖。
圖9為詳細(xì)地表示圖1中半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)造的部分截面圖。
圖10為概略地表示以往的半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)造示意圖。
符號(hào)說(shuō)明100處理室，110腔室壁，111晶片臺(tái)，112高壓電源，120閥門，200預(yù)抽管線，210顆粒監(jiān)控裝置(PM)，219、340顆粒監(jiān)控用窗口部件，219a基座，219b表面處理層，220干式泵(DP)，300主抽真空管線，310自動(dòng)壓力調(diào)整裝置(APC)，320隔離閥(ISO)，1000半導(dǎo)體制造裝置。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1為概略地表示具備涉及本發(fā)明第一實(shí)施方式的真空裝置的半導(dǎo)體制造裝置構(gòu)造的示意圖。
圖1中，半導(dǎo)體制造裝置1000具備由圓筒形容器制成的處理室100(真空裝置)，其用于對(duì)作為被處理體的半導(dǎo)體晶片(以下稱為“晶片”)實(shí)施了蝕刻或?yàn)R蝕、CVD(化學(xué)汽相沉積)等的采用了等離子體的產(chǎn)品化處理。處理室100連接在具備搬送晶片的搬送臂的負(fù)載鎖定室上，通過(guò)該負(fù)載鎖定室的搬送臂，晶片被搬入處理室100。
處理室100具備構(gòu)成制品化處理所需空間的腔室壁110和在處理室100的內(nèi)部，載置于腔室壁110的下部上面的晶片臺(tái)120。在處理室100的內(nèi)部，埋設(shè)有連接于高壓電源112的電極113，電極113通過(guò)從高壓電源112施加的高電壓HV，將由上述搬送臂載置于晶片臺(tái)120上面的晶片靜電吸附在晶片臺(tái)120上。在處理室100的上部，配置了設(shè)置有多個(gè)貫通孔的噴頭120a，噴頭120a通過(guò)這些貫通孔，在制品化處理時(shí)將所使用的腐蝕性處理用氣體(處理氣體)導(dǎo)入處理室內(nèi)。
另外，在處理室100上部，連接著用于導(dǎo)入清洗氣體的由管狀部件制成的吸氣管線，在吸氣管線上設(shè)置有限制向處理室100應(yīng)該供給清洗氣體的流量的閥門120。
作為清洗氣體，可以使用腐蝕性低、容易獲得且價(jià)格便宜的氣體，這種氣體有氮?dú)?N2)、氦氣(He)、氬氣(Ar)、干燥空氣、氧氣(O2)等。另外，鹵素氣體由于腐蝕后述顆粒監(jiān)控裝置的玻璃制的部件，所以，作為清洗氣體使用不合適。
在處理室100下部，連接有比如由直徑為25mm的細(xì)管狀部件制成的預(yù)抽管線200和比如由直徑為150mm的粗管狀部件制成的主抽真空管線300，預(yù)抽管線200和主抽真空管線300在排氣管線合流。排氣管線將從預(yù)抽管線200及/或主抽真空管線300來(lái)的氣體排出到半導(dǎo)體制造裝置1000的外部。
預(yù)抽管線200上設(shè)置有通過(guò)排氣管線排出處理室100內(nèi)的氣體的干式泵(DP)220、限制通過(guò)干式泵220排出的氣體流量即從處理室100向排氣管線流入的氣體流量的閥門a、b和在閥門a、b之間監(jiān)控顆粒的光學(xué)式顆粒監(jiān)控裝置(PM)210。
主抽真空管線300上從處理室100一側(cè)按順序設(shè)置有監(jiān)控處理室1 00內(nèi)的壓力的自動(dòng)壓力調(diào)整裝置(APC)310、作為閘閥的隔離閥(ISO)320、與上述干式泵220連接的渦輪分子泵(TMP)330。隔離閥320限制渦輪分子泵330所控制的處理室100的排氣。自動(dòng)壓力調(diào)整裝置310一邊監(jiān)控處理室100的壓力，一邊調(diào)整隔離閥320的限制程度。渦輪分子泵330比起干式泵220，排氣量更大。
半導(dǎo)體制造裝置1000中，為了進(jìn)行制品化處理，在減小處理室100的壓力時(shí)，通過(guò)預(yù)抽管線200，處理室100的壓力排氣至預(yù)定壓力，關(guān)閉閥門a、b之后，通過(guò)主抽真空管線300，一邊由自動(dòng)壓力調(diào)整裝置310監(jiān)控處理室100的壓力，一邊使之達(dá)到所需壓力或者真空。在制品化處理進(jìn)行時(shí)，由于通過(guò)上述噴頭120a腐蝕性的處理氣體被供給到處理室100內(nèi)，所以，通過(guò)主抽真空管線300進(jìn)行的排氣被繼續(xù)。
圖2為概略地表示圖1中顆粒監(jiān)控裝置構(gòu)造的示意圖。
圖2中，顆粒監(jiān)控裝置210具備包圍住預(yù)抽管線200的外周配置的框體211、照射比如可視光區(qū)域的波長(zhǎng)的激光的激光光源212、將從激光光源212照射的激光導(dǎo)光在框體211內(nèi)的預(yù)抽管線200上的反射鏡213、通過(guò)預(yù)抽管線200的光所入射的射束擋板(damper)214、通過(guò)設(shè)置在框體211上的由石英制成的顆粒監(jiān)控用窗口部件219接受被通過(guò)預(yù)抽管線200的顆粒散亂的激光的受光元件215、將入射在受光元件215上的散亂激光聚合的透鏡216。如以圖3后述那樣，將通過(guò)受光元件215接受的激光作為檢測(cè)信號(hào)測(cè)出。上述顆粒監(jiān)控用窗口部件219對(duì)于激光的入射方向以預(yù)定角度配置。
預(yù)抽管線200至少在激光所照射的部分，為通過(guò)由氟化鎂(MgF2)等制成的反射防止膜涂敷了其一部分表面或整個(gè)表面的石英玻璃制成。
反射鏡213這樣構(gòu)成采用從激光光源212照射的激光進(jìn)行光柵掃描排氣管線200的截面上內(nèi)徑的整個(gè)區(qū)域。作為射束擋板214，可以采用具有表面上有無(wú)數(shù)凹凸的黑色固體、光學(xué)性的曲折構(gòu)造的構(gòu)件。另外，作為受光元件215，可以使用光電倍增管(PMTphotomultipliertube)、CCD(charge coupled device)等。
圖3為表示由圖2中顆粒監(jiān)控裝置210的受光元件215測(cè)出的檢測(cè)信號(hào)的強(qiáng)度的曲線圖。
如圖3所示，在由受光元件215測(cè)出的信號(hào)中固定地含有因散散射產(chǎn)生的干擾信號(hào)。該干擾信號(hào)由于具有預(yù)定的干擾寬幅，所以在顆粒監(jiān)控裝置210中設(shè)定有在干擾寬幅的上限值上施加預(yù)定邊緣值的信號(hào)強(qiáng)度的閾值。
顆粒監(jiān)控裝置210這樣構(gòu)成將設(shè)定的閾值以上強(qiáng)度的檢測(cè)信號(hào)作為顆粒計(jì)數(shù)。通過(guò)被計(jì)數(shù)的顆粒數(shù)量，可以評(píng)價(jià)處理室100的洗凈度。
圖4為表示由圖1中半導(dǎo)體制造裝置1000執(zhí)行的顆粒監(jiān)控方法的指令順序的時(shí)間圖。
如圖4所示，結(jié)束制品化處理搬出晶片之后，在監(jiān)控顆粒時(shí)，首先，在接通顆粒監(jiān)控裝置210的電源的同時(shí)，打開(kāi)處理室100一側(cè)的閥門a、b，同時(shí)，在關(guān)閉自動(dòng)壓力調(diào)整裝置310的電源的同時(shí)關(guān)閉隔離閥320(未圖示)。這樣，處理室100的排氣，從主抽真空管線300切換到預(yù)抽管線200。
然后，打開(kāi)閥門120，通過(guò)吸氣管線將清洗氣體以比用于以往的清洗氣體洗凈的流量值更高的流量值比如70L/min(70000SCCM)供給處理室100。處理室100通常在比如10-1-10-4Pa的高真空環(huán)境下進(jìn)行制品化處理，所以，清洗氣體以比處理室100內(nèi)的壓力值更高的壓力值急速地流入處理室100內(nèi)，使處理室100內(nèi)的壓力值上升。通過(guò)該壓力值上升所達(dá)到的最終的穩(wěn)定到達(dá)壓力值優(yōu)選在133.3Pa(1Torr)以上。通過(guò)使穩(wěn)定到達(dá)壓力值在133.3Pa以上，賦予排出氣體以較大的粘性力，可以容易地與該氣體一起排出顆粒。
因此，清洗氣體的急速流入，賦予處理室100內(nèi)的全部物品，即腔室壁110及晶片臺(tái)120以因沖擊波產(chǎn)生的物理性振動(dòng)。
為了使清洗氣體的壓力值達(dá)到處理室100內(nèi)的壓力值的2倍以上，清洗氣體優(yōu)選由吸氣管線供給。這樣，能夠切實(shí)地賦予處理室100內(nèi)的物體以振動(dòng)。
其后，在閥門120打開(kāi)的狀態(tài)下，從高壓電源112向電極113施加3次高電壓HV。關(guān)于這些高電壓HV的施加，作為本發(fā)明的第二實(shí)施方式后述之。
在結(jié)束顆粒的監(jiān)控時(shí)，按順序關(guān)閉閥門120及閥門a、b，打開(kāi)隔離閥320，返回到制品化處理結(jié)束后的狀態(tài)。
本順序由于在結(jié)束制品化處理并搬出晶片之后執(zhí)行，所以，能夠防止晶片的污染。另外，優(yōu)選在不使用處理氣體時(shí)執(zhí)行。這樣，可以防止顆粒監(jiān)控裝置210的玻璃制部件發(fā)生腐蝕。
根據(jù)圖4，在監(jiān)控顆粒時(shí)，將由清洗氣體產(chǎn)生的物理性振動(dòng)(沖擊波)賦予處理室100內(nèi)的物體。
圖5為表示圖4的順序中，由顆粒監(jiān)控裝置210測(cè)定的顆粒數(shù)量的曲線圖。另外，圖5表示由基于清洗氣體的振動(dòng)產(chǎn)生的前后的測(cè)量結(jié)果之一例。
如圖5所示，在閥門120打開(kāi)后的數(shù)秒間，大量的比如總計(jì)9000個(gè)的顆粒被計(jì)數(shù)出。這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)基于清洗氣體的振動(dòng)而從腔室壁110及晶片臺(tái)111等剝離的沉積物也作為顆粒被計(jì)數(shù)出。這樣，能夠切實(shí)地監(jiān)控包括容易剝離的沉積物在內(nèi)的顆粒，從而正確地評(píng)價(jià)處理室100的潔凈度。另外，閥門120的打開(kāi)時(shí)間，如圖4所示，為1～5秒，優(yōu)選是2～5秒，即，優(yōu)選是能夠充分確保振動(dòng)在處理室100內(nèi)擴(kuò)散所需時(shí)間的時(shí)間。
根據(jù)圖4及圖5，打開(kāi)閥門120，通過(guò)將清洗氣體所進(jìn)行的物理性振動(dòng)賦予處理室100內(nèi)的物體至少一次，能夠使沉積物積極地剝離，切實(shí)地監(jiān)控顆粒，因此，可以正確地評(píng)價(jià)處理室100的清潔度。
另外，由于在制品化處理后監(jiān)控顆粒，所以通過(guò)在制品化處理時(shí)預(yù)先關(guān)閉閥門a，可以防止清洗氣體的流入，切實(shí)地防止顆粒監(jiān)控裝置210的玻璃制部件的腐蝕，延長(zhǎng)顆粒監(jiān)控裝置210的壽命，因而可以提高半導(dǎo)體制造裝置1000的生產(chǎn)能力。
上述實(shí)施方式中，是利用了通過(guò)清洗氣體的供給產(chǎn)生的物理性振動(dòng)，但要利用的振動(dòng)是什么形式的可以。比如，為了產(chǎn)生振動(dòng)，也可以向處理室100內(nèi)施加數(shù)十kHz的超聲波。另外，由于利用物理性振動(dòng)，吸氣管線優(yōu)選在和處理室100或者真空搬送腔室100’連接的地方?jīng)]有孔口(orifice)構(gòu)造。
另外，優(yōu)選產(chǎn)生數(shù)次物理性振動(dòng)。在此情況下，每次產(chǎn)生物理性振動(dòng)，沉積物的剝離得到抑制，因此，顆粒數(shù)存在減少的傾向。這樣，處理室100的清潔度在獲得更高的評(píng)價(jià)之后，可以進(jìn)行下一次的制品化處理。
上述實(shí)施方式，如圖4所示，優(yōu)選和以下要說(shuō)明的本發(fā)明的第二具備涉及本發(fā)明的第二實(shí)施方式的真空裝置的半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)造，由于與上述第一實(shí)施方式的相同，因此，省略其說(shuō)明，關(guān)于半導(dǎo)體制造裝置1000的顆粒監(jiān)控方法，僅說(shuō)明相異之處。
涉及本實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置1000，如圖4所示，在處于閥門a、b打開(kāi)的狀態(tài)時(shí)，從高壓電源112向電極113比如斷續(xù)地施加3次高電壓HV。施加的高電壓HV優(yōu)選在+1kV以上或者-1kV以下。另外，優(yōu)選交互地施加±1kV電壓。這樣，可以有效率地產(chǎn)生后述的電磁應(yīng)力(electromagnetic stress)。
在施加高電壓HV時(shí)，在處理室100內(nèi)瞬間地產(chǎn)生DC(DirectCurrent)放電，與之伴隨，在腔室壁110或晶片臺(tái)111上瞬間地形成電位傾斜，產(chǎn)生電磁應(yīng)力。電磁應(yīng)力從腔室壁110或晶片臺(tái)111等上剝離沉積物，剝離下的沉積物作為顆粒與清洗氣體一起被排出，為顆粒監(jiān)控裝置210所監(jiān)控。
在施加一次高電壓HV時(shí)的顆粒監(jiān)控裝置210的顆粒計(jì)數(shù)結(jié)果，與圖5所示結(jié)果相同。可是，在斷續(xù)地施加高電壓HV的次數(shù)增加時(shí)，由于由電磁應(yīng)力產(chǎn)生的沉積物剝離被抑制，所以，顆粒數(shù)量存在減少的傾向。因此，高電壓HV的施加，優(yōu)選進(jìn)行1～10次，更為理想的是在2～5次的次數(shù)范圍內(nèi)進(jìn)行。
根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)至少執(zhí)行一次高電壓HV的施加，可以積極地剝離沉積物，切實(shí)地監(jiān)控顆粒，因此，能夠正確地評(píng)價(jià)處理室100的清潔度。
另外，由于斷續(xù)地執(zhí)行多次高電壓HV的施加，因此，可以在處理室100的清潔度評(píng)價(jià)為更高之后，進(jìn)行下次的制品化處理。
另外，本實(shí)施方式中，如圖4所示，在閥門120打開(kāi)的狀態(tài)下執(zhí)行高電壓HV的施加，但也可以在閥門120關(guān)閉的狀態(tài)下執(zhí)行。這樣，可以通過(guò)從吸氣管線來(lái)的清洗氣體，防止晶片振動(dòng)。
另外，為了在腔室壁110或晶片臺(tái)111上瞬間地形成電位傾斜而施加高電壓HV，但也可以施加高頻RF(Radio Frequency)。通過(guò)施加RF產(chǎn)生RF放電，與施加高電壓HV同樣地可以產(chǎn)生電磁應(yīng)力。施加RF，優(yōu)選不長(zhǎng)時(shí)間地持續(xù)RF放電，比如執(zhí)行1秒左右即可。
上述實(shí)施方式如圖4所示，優(yōu)選和上述第一實(shí)施方式組合執(zhí)行。
上述第一及第二實(shí)施方式中，連接在處理室100上的排氣管線設(shè)置成預(yù)抽管線200及主抽真空管線300這樣的二系統(tǒng)，但設(shè)置成三系統(tǒng)以上也可以。另外，在為一系統(tǒng)的排氣管線的情況下，作為本發(fā)明的第三實(shí)施方式后述之。
圖6為概略地表示具備涉及本發(fā)明第三實(shí)施方式的真空裝置的半導(dǎo)體處理裝置構(gòu)造的示意圖。
圖6中，作為真空裝置的真空搬送裝置1000’具備具有一系統(tǒng)排氣管線的真空搬送腔室100’。真空搬送腔室100’適用于比如連接在圖1中半導(dǎo)體制造裝置1000的處理室100上的負(fù)載鎖定室，負(fù)載鎖定室具備搬送晶片的的搬送臂。真空搬送裝置1000’通過(guò)搬送臂向處理室1 00的晶片臺(tái)120搬送晶片。
真空搬送腔室100’和具備閥門120’的吸氣管線連接著，并和具備干式泵(DP)220’、閥門a’、b’以及在閥門a’、b’間設(shè)置的顆粒監(jiān)控裝置(PM)210’的排氣管線200’連接著。
即，本實(shí)施方式的構(gòu)造為上述第一實(shí)施方式的構(gòu)造中省略了主抽真空管線300的構(gòu)造，因此，關(guān)于賦予同樣符號(hào)的構(gòu)件，省略它們的說(shuō)明，僅就不同部分進(jìn)行說(shuō)明。
真空搬送腔室100’上省略了主抽真空管線300的渦輪分子泵330，因此，在監(jiān)控顆粒時(shí)真空搬送腔室100’不限于高真空。在那種情況下，通過(guò)干式泵220’預(yù)先達(dá)到某種程度的高真空，執(zhí)行圖7所示的順序。另外，圖7所示的順序如同用圖4說(shuō)明的第一實(shí)施方式，因此省略其說(shuō)明。
根據(jù)圖6及圖7，通過(guò)打開(kāi)閥門120’，將清洗氣體產(chǎn)生的物理性振動(dòng)賦予真空搬送腔室100’內(nèi)的物體，可以使沉積物積極地剝離，切實(shí)地監(jiān)控顆粒，因此，可以正確地評(píng)價(jià)真空搬送腔室100’的清潔度。
另外，上述第三實(shí)施方式中，真空搬送腔室1000’設(shè)置成具備一系統(tǒng)排氣管線，但也可以具備多系統(tǒng)的排氣管線。在具備多系統(tǒng)的排氣管線的情況下，作為表示被排出的氣體等流體的流動(dòng)難易度的系數(shù)的排氣管線的感應(yīng)系數(shù)通?；ハ嗖煌?，無(wú)論何種感應(yīng)系數(shù)的排氣管線，都可以適用本實(shí)施方式。
另外，上述實(shí)施方式優(yōu)選和上述第二實(shí)施方式組合起來(lái)執(zhí)行。在此情況下，真空搬送腔室100’內(nèi)的物體上連接與高壓電源112相同的高壓電源。
上述第一～三實(shí)施方式中，評(píng)價(jià)了不存在晶片時(shí)的處理室100或真空搬送腔室100’的清潔度，但也可以評(píng)價(jià)處理室100或真空搬送腔室100’以外的物體，比如晶片的清潔度。
比如，首先，評(píng)價(jià)為處理室100的清潔度非常高，沒(méi)有顆粒的剝離，接著，搬入晶片，評(píng)價(jià)存在晶片時(shí)的處理室100的清潔度。之后，比較被評(píng)價(jià)的兩個(gè)清潔度。據(jù)此，能夠評(píng)價(jià)晶片的清潔度。同樣地，通過(guò)晶片的背面密接晶片臺(tái)111的情況和未密接的情況，也能夠評(píng)價(jià)晶片背面的清潔度。
上述第一～三實(shí)施方式中，在制品化處理之后監(jiān)控顆粒，但也可以在制品化處理結(jié)束前或制品化處理中監(jiān)控顆粒。
另外，吸氣管線設(shè)置為優(yōu)選在和處理室100或者真空搬送腔室100’連接的地方?jīng)]有孔口構(gòu)造，但在處理室100或者真空搬送腔室100’內(nèi)存在晶片等的情況下，也可以有孔口構(gòu)造。這樣，通過(guò)清洗氣體賦予晶片等物理性振動(dòng)，可以抑制晶片等受到損傷。
上述實(shí)施方式中，圖2中的顆粒監(jiān)控用窗口部件219由石英制成，但如果是由透明的基體材料制成，什么都可以。
另外，本發(fā)明的目的，也可以這樣達(dá)到將記錄實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式功能的軟件的程序編碼(與圖4或圖7的順序?qū)?yīng)的程序編碼)的存儲(chǔ)媒體供給計(jì)算機(jī)比如后述的圖9中的PC600，該計(jì)算機(jī)(或者CPU、MPU等)讀出收入存儲(chǔ)媒體的程序編碼進(jìn)行運(yùn)行。
另外，通過(guò)計(jì)算機(jī)比如PC600運(yùn)行讀出的程序編碼，不僅前述實(shí)施方式功能得到實(shí)現(xiàn)，而且根據(jù)該程序編碼的指示，在PC600上工作的操作系統(tǒng)(OS)等進(jìn)行一部分或全部實(shí)際處理，不用說(shuō)也包括通過(guò)該處理實(shí)現(xiàn)前述實(shí)施方式的功能的情況。
另外，從存儲(chǔ)媒體讀出的程序編碼在寫(xiě)入插入PC600的功能擴(kuò)展卡或具有連接計(jì)算機(jī)的工作擴(kuò)展單元的儲(chǔ)存器之后，根據(jù)該程序編碼的指示，該功能擴(kuò)展卡或具有連接計(jì)算機(jī)的工作擴(kuò)展單元的CPU等進(jìn)行一部分或全部實(shí)際處理，不用說(shuō)也包括通過(guò)該處理實(shí)現(xiàn)前述實(shí)施方式的功能的情況。
另外，上述程序以PC600實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施方式的功能即可，其方式，也可以具有向通過(guò)目標(biāo)編碼、譯碼運(yùn)行的程序、供給OS的腳本(script)數(shù)據(jù)等方式。
作為提供程序的記錄媒體，是能夠存儲(chǔ)上述程序的即可，比如RAM、NV-RAM、軟(登記商標(biāo))盤、光盤、光磁盤、CD-ROM、MO、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)、磁帶、非易失性存儲(chǔ)卡、ROM等?；蛘撸鲜龀绦蛲ㄟ^(guò)連接于互聯(lián)網(wǎng)、商用網(wǎng)絡(luò)或局域網(wǎng)等的其他計(jì)算機(jī)或者資料庫(kù)等下載提供。
下面，關(guān)于涉及本發(fā)明的第四實(shí)施方式的顆粒監(jiān)控用窗口部件進(jìn)行說(shuō)明。
圖8為詳細(xì)地表示涉及本發(fā)明第四實(shí)施方式的顆粒監(jiān)控用窗口部件的構(gòu)造的截面圖。
涉及本發(fā)明第四實(shí)施方式的顆粒監(jiān)控用窗口部件，代替上述第一實(shí)施方式中由石英制成的顆粒監(jiān)控用窗口部件219使用。另外，在本第四實(shí)施方式中，對(duì)與涉及第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造裝置1000相同的構(gòu)造及元件賦予同一符號(hào)，省略其說(shuō)明。
圖8中，顆粒監(jiān)控用窗口部件219分別具有大致圓柱體形狀，設(shè)置在預(yù)抽管線200和顆粒監(jiān)控裝置210之間，更具體地說(shuō)，插嵌在具有在預(yù)抽管線200形成的相補(bǔ)形狀的孔部。另外，顆粒監(jiān)控用窗口部件219不限于插嵌在預(yù)抽管線200的孔部的大致圓柱體，比如，也可以具有與預(yù)抽管線200大致相同直徑的中空的大致圓筒體形狀，部分地構(gòu)成預(yù)抽管線200。
另外，顆粒監(jiān)控用窗口部件219由透明的基座2 19a和設(shè)置在基座219a上的表面處理層219b構(gòu)成?；?19a具有與預(yù)抽管線200內(nèi)的氣體對(duì)面相接的氣體接觸面和連接在顆粒監(jiān)控裝置210上的監(jiān)控面，表面處理層219b由在基座219a的氣體接觸面上實(shí)施后述的表面處理的材料制成。
基座219a優(yōu)選由以硅為主要成分的玻璃比如石英制成，但也可以是透明的樹(shù)脂。
表面處理層219b含有如下材料中選擇的一種材料碳(C)、釔(Y)、氧化釔(Y2O3)、氟化鈣(CaF2)、鋁(A1)及氧化鋁(Al2O3)。另外，在材料為碳的情況下，優(yōu)選由結(jié)晶狀金剛石或金剛石狀碳(DLCdiamond-like carbon)制成。通過(guò)使用這些材料，可以充分提高對(duì)于鹵素系等離子體的耐受性(以下稱為“耐等離子體性”)或者對(duì)于活性分子的耐受性。
上述材料組中，氟化鈣不僅具有這樣的物理性質(zhì)不溶于水，熔點(diǎn)為1373℃、可使用的最高溫度為900℃、以Knoop數(shù)表示的硬度為158.3、可透過(guò)的光的波長(zhǎng)區(qū)域(透過(guò)波長(zhǎng)區(qū)域)為0.2～9.0μm以及對(duì)于波長(zhǎng)為1000cm-1的光的折射率為1.39，而且具有對(duì)于鹵素的高耐蝕性，由于硬度高還具有高耐壓性。另外，關(guān)于氟化鈣，可容易且便宜地獲得純度高的產(chǎn)品。另外，比起石英，還更難以溶于作為氟化氫的水溶液的氫氟酸。
如上所述，氟化鈣由于具有較高的耐壓性，所以作為窗口部件正好合適，另外，由于可使用的最高溫度為900℃，所以也正好適合達(dá)到約900℃的高溫環(huán)境的處理室100，另外，由于透過(guò)波長(zhǎng)區(qū)域比石英更大，正好適合光學(xué)測(cè)定。因此，使用氟化鈣最為優(yōu)選。
另外，單體鋁以及鋁中的鋁原子和等離子體中的氟反應(yīng)，生成氟化鋁(AlF3)。生成的氟化鋁由于殘留在表面處理層219b，因此，對(duì)于氟的耐等離子體性特別高。
另外，鹵素系等離子體含有腐蝕石英玻璃的鹵素或者其化合物，比如有含有CF4/Ar/O2/CO等離子體、F2等離子體、CF4、C4F8、C5F8等的氟化碳系等離子體等的氟或者其化合物的氟系等離子體或者氯(Cl2)等離子體。這些鹵素系等離子體含有鹵素自由基等的活性分子，與作為玻璃等的成分的硅原子反應(yīng)，使玻璃等劣化。
另外，構(gòu)成表面處理層219b的材料，其含有量?jī)?yōu)選在占表面處理層219b的整個(gè)質(zhì)量的10～100質(zhì)量％的范圍內(nèi)。這是因?yàn)?，如果含有量未滿10質(zhì)量％，那么就不能充分提高表面處理層219b的對(duì)于耐等離子體性或活性分子的耐受性。
另外，表面處理層219b的厚度，優(yōu)選在100nm～100μm的范圍內(nèi)。這是因?yàn)?，如果厚度未滿100nm，那么表面處理層219b在由后述的涂敷膜制成的情況下容易從基座219a剝離，在由摻雜層制成的情況下容易被鹵素系等離子體腐蝕。另一方面，這是因?yàn)?，厚度如果超過(guò)100μm，就難以在基座219a上形成，生產(chǎn)成本上升的同時(shí)，表面處理層219b的透明度降低，通過(guò)顆粒監(jiān)控裝置210監(jiān)控排氣管線200內(nèi)的顆粒變得困難。
以下，關(guān)于對(duì)基座219a的氣體接觸面進(jìn)行的表面處理進(jìn)行說(shuō)明。
作為表面處理，有這樣的方法在基座219a的氣體接觸面上作成由構(gòu)成表面處理層219b的材料制成的涂敷膜的涂敷法、通過(guò)從基座219a的氣體接觸面的表面到預(yù)定深度摻雜構(gòu)成表面處理層219b的材料，在基座219a上形成摻雜層的摻雜法，但也可以是其他任意的方法。
作為上述涂敷法，有如下方法將二氧化硅和氧化鋁等上述材料制成的混合物在基座219a的氣體接觸面上進(jìn)行熔融、冷卻的方法、將熔融該混合物后的材料吹附在基座219a的氣體接觸面上的熔射方法、濺射上述材料或者用PVD成膜的方法等。通過(guò)涂敷，可以容易地在基座219a上形成表面處理層219b。
作為上述摻雜法，由如下方法離子注入法、使基座219a的氣體接觸面部分地熔融，混合上述材料的方法等。另外，在基座219a上摻雜上述材料之后，優(yōu)選進(jìn)行燒制(baking)。另外，在通過(guò)摻雜在基座219a上形成由摻雜層制成的表面處理層219b的情況下，它們的形成邊界變得不明確，但是，至少在從表面處理層219b的氣體接觸面到預(yù)定深度，被摻雜材料的含有量?jī)?yōu)選在上述范圍內(nèi)。通過(guò)摻雜，在基座219a上形成的表面處理層219b不會(huì)剝離，所以，能夠切實(shí)地在基座219a上形成表面處理層219b。
根據(jù)圖8的顆粒監(jiān)控用窗口部件219，由于在基座219a上形成表面處理層219b，因此，在作為新構(gòu)成的氣體接觸面的表面處理層219b上，可以有效率地發(fā)揮耐等離子體性或?qū)τ诨钚苑肿拥哪褪苄裕档推涓鼡Q頻度。另外，由于降低了更換頻度，所以能夠長(zhǎng)時(shí)間地確保維持排氣管線200的真空壓力的時(shí)間，能夠提高半導(dǎo)體制造裝置1000的生產(chǎn)能力。
另外，顆粒監(jiān)控用窗口部件219具有耐等離子體性或?qū)τ诨钚苑肿拥哪褪苄裕淞踊玫揭种?，因此，顆粒監(jiān)控裝置210可以切實(shí)地監(jiān)控含有剝離的沉積物的顆粒，正確地評(píng)價(jià)半導(dǎo)體制造裝置1000的清潔度。
另外，上述實(shí)施方式中，圖8的顆粒監(jiān)控用窗口部件219，優(yōu)選具有足夠的硬度，以作為對(duì)于激光光源212照射的激光的可視光區(qū)域的波長(zhǎng)的透明度高，與真空的空間對(duì)面的窗口部件來(lái)使用。
另外，也可以在基座219a的監(jiān)控面上形成由氟化鎂制成的膜。這樣，可以防止入射顆粒監(jiān)控用窗口部件219的光的反射。
另外，上述第四實(shí)施方式中，圖8的顆粒監(jiān)控用窗口部件219由基座219a及表面處理層219b構(gòu)成，但也可以由氟化鈣制成的單一整體部件制成。
另外，上述顆粒監(jiān)控用窗口部件219也可以適用于其他的真空容器，比如圖1中的處理室100、圖6中的顆粒監(jiān)控裝置210’、或者配管等的框體。另外，也可以用于顆粒監(jiān)控裝置以外的其他部件。采用圖9說(shuō)明它們的具體用例。
圖9為詳細(xì)地表示圖1中半導(dǎo)體制造裝置1000的構(gòu)造的部分截面圖。
圖9中，半導(dǎo)體制造裝置1000除圖1所示的構(gòu)成要素，還具備在其位置監(jiān)控處理室100內(nèi)的顆粒的現(xiàn)場(chǎng)(in situ)顆粒監(jiān)控裝置(ISPM)400和拍攝處理室100內(nèi)的拍照對(duì)象比如從顆粒監(jiān)控裝置400發(fā)出的激光的CCD(charge coupled device)照相機(jī)500。顆粒監(jiān)控裝置400及CCD照相機(jī)500連接在個(gè)人電腦(PC)600上。PC600上，通過(guò)信號(hào)處理部610另連接有CVD工具控制部620。
顆粒監(jiān)控裝置400具備以輸出功率2.5kW、脈沖10kHz照射預(yù)定波長(zhǎng)比如532nm的YAG激光的激光光源410、將激光整形為所需形狀的任意的光學(xué)系統(tǒng)420、將通過(guò)該光學(xué)系統(tǒng)420入射的激光向處理室100的方向反射的透鏡430、設(shè)置在處理室100的腔室壁111上的顆粒監(jiān)控用窗口部件440。顆粒監(jiān)控用窗口部件440由與圖8的顆粒監(jiān)控用窗口部件219同樣的構(gòu)造及材料構(gòu)成。由透鏡430反射的激光通過(guò)顆粒監(jiān)控用窗口部件440向處理室100內(nèi)導(dǎo)波。在處理室100內(nèi)部，光束通過(guò)狹縫114、115入射在射束擋板116上。
另外，CCD照相機(jī)500通過(guò)設(shè)置在處理室100的腔室壁110的CCD照相機(jī)用窗口部件(未圖示)拍攝處理室100內(nèi)的激光，將拍攝的畫(huà)像輸入PC600。這樣，在計(jì)量激光的脈沖數(shù)的同時(shí)，可以作為計(jì)算被處理室100內(nèi)的顆粒散射的激光的傳感器發(fā)揮作用。該CCD照相機(jī)用窗口部件由與圖8的顆粒監(jiān)控用窗口部件219同樣的構(gòu)造及材料構(gòu)成，這樣，可以抑制表面的腐蝕，降低其更換頻度，同時(shí)，可以抑制傳感器的感應(yīng)度降低。另外，作為傳感器發(fā)揮作用的話，也可以使用光電倍增管代替CCD照相機(jī)500。
另外，半導(dǎo)體制造裝置1000具備配置于晶片臺(tái)111上部的聚焦環(huán)117，該聚焦環(huán)117也由與圖8的顆粒監(jiān)控用窗口部件219同樣的構(gòu)造及材料比如氟化鈣制成，這樣，可以實(shí)現(xiàn)絕緣的同時(shí)，可以抑制表面的腐蝕，降低其更換頻度。
根據(jù)圖9，窗口部件440、CCD照相機(jī)用窗口部件、及聚焦環(huán)117等處理室100內(nèi)的部件由與圖8的顆粒監(jiān)控用窗口部件219同樣的構(gòu)造及材料制成，因此，可以抑制它們表面的腐蝕，降低它們的更換頻度。另外，由于表面的腐蝕被抑制，所以，可以抑制處理室100內(nèi)發(fā)生的晶片污染。
涉及本發(fā)明實(shí)施方式的真空裝置、其顆粒監(jiān)控方法及程序不限于半導(dǎo)體制造裝置的處理室或負(fù)載鎖定室，可以適用于形成可排氣的預(yù)定空間的容器，比如平板顯示器等的液晶制造裝置、其他基板處理裝置。
另外，涉及本發(fā)明實(shí)施方式的顆粒監(jiān)控用窗口部件可以適用于在形成預(yù)定空間的框體和監(jiān)控該框體內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控之間設(shè)置的透明的顆粒監(jiān)控用窗口部件。
權(quán)利要求
1.一種真空裝置，具備形成預(yù)定空間的容器；通過(guò)預(yù)定排氣管排出所述容器內(nèi)氣體的排氣機(jī)構(gòu)；至少一個(gè)設(shè)置在所述排氣管上，限制所述被排出的氣體流量的排氣限制機(jī)構(gòu)；在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)和所述排氣機(jī)構(gòu)之間，設(shè)置在所述排氣管上，監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控機(jī)構(gòu)，其特征在于具有通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗機(jī)構(gòu)；在所述清洗機(jī)構(gòu)和所述容器之間，設(shè)置在所述供給管上，限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制機(jī)構(gòu)；所述供給限制機(jī)構(gòu)在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空裝置，其特征在于具備向所述容器內(nèi)供給腐蝕性的處理用氣體的處理用氣體供給機(jī)構(gòu)、和排出所述處理用氣體的其他排氣機(jī)構(gòu)；所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)在通過(guò)所述其他排氣機(jī)構(gòu)排出所述處理用氣體時(shí)，禁止排出所述氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空裝置，其特征在于所述供給限制機(jī)構(gòu)限制所述被供給的清洗氣體的流量，使所述清洗氣體的壓力值達(dá)到所述容器內(nèi)的壓力值的2倍以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的真空裝置，其特征在于具備在所述容器內(nèi)放電的電力供給機(jī)構(gòu)；所述電力供給機(jī)構(gòu)在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
5.一種真空裝置，具備形成預(yù)定空間的容器；通過(guò)預(yù)定排氣管排出所述容器內(nèi)氣體的排氣機(jī)構(gòu)；設(shè)置在所述排氣管上，限制所述被排出的氣體流量的至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)；在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)和所述排氣機(jī)構(gòu)之間，設(shè)置在所述排氣管上，監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控機(jī)構(gòu)，其特征在于具備向所述容器內(nèi)放電的電力供給機(jī)構(gòu)；所述電力供給機(jī)構(gòu)在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空裝置，其特征在于所述電力供給機(jī)構(gòu)通過(guò)所述放電在所述容器內(nèi)產(chǎn)生電磁應(yīng)力。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的真空裝置，其特征在于具備通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗機(jī)構(gòu)；在所述清洗機(jī)構(gòu)和所述容器之間設(shè)置在所述供給管上，限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制機(jī)構(gòu)；所述供給限制機(jī)構(gòu)在所述至少一個(gè)排氣限制機(jī)構(gòu)允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
8.一種具備形成預(yù)定空間的容器的真空容器的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于，具有通過(guò)預(yù)定的排氣管將所述容器內(nèi)的氣體排出的排氣步驟；監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控步驟；限制所述被排出的氣體流量的排氣限制步驟；通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗步驟；和限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制步驟，在所述供給限制步驟中，在所述排氣限制步驟允許排出所述氣體時(shí)開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于具有向所述容器內(nèi)供給腐蝕性的處理用氣體的處理用氣體供給步驟和排出所述處理用氣體的其他排氣步驟，所述排氣限制步驟中，在所述其他排氣步驟排出所述處理用氣體時(shí)，禁止排出所述氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于在所述供給限制步驟中，限制所述被供給的清洗氣體的流量，使所述清洗氣體的壓力值達(dá)到所述容器內(nèi)的壓力值的2倍以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8～10中任一項(xiàng)所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于具有向所述容器內(nèi)放電的放電步驟；在所述放電步驟中，在所述排氣限制步驟允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
12.一種具備形成預(yù)定空間的容器的真空容器的顆粒監(jiān)控方法，具有通過(guò)預(yù)定的排氣管將所述容器內(nèi)的氣體排出的排氣步驟；限制所述被排出的氣體流量的排氣限制步驟；監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控步驟；其特征在于，具有向所述容器內(nèi)放電的放電步驟；在所述放電步驟中，在所述排氣限制步驟允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于在所述放電步驟中，通過(guò)所述放電在所述容器內(nèi)產(chǎn)生電磁應(yīng)力。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的顆粒監(jiān)控方法，其特征在于具有通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗步驟和限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制步驟；在所述供給限制步驟中，在所述排氣限制步驟允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
15.一種使計(jì)算機(jī)運(yùn)行具備形成預(yù)定空間的容器的真空容器的顆粒監(jiān)控方法的程序，其特征在于具備通過(guò)預(yù)定的排氣管將所述容器內(nèi)的氣體排出的排氣程序單元、監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控程序單元、限制所述被排出的氣體流量的排氣限制程序單元、通過(guò)預(yù)定供給管向所述容器內(nèi)供給清洗氣體的清洗程序單元和限制所述被供給的清洗氣體流量的供給限制程序單元，所述供給限制程序單元，在所述排氣限制程序單元允許排出所述氣體時(shí)開(kāi)始供給所述清洗氣體；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述清洗氣體的供給而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
16.一種使計(jì)算機(jī)運(yùn)行具備形成預(yù)定空間的容器的真空容器的顆粒監(jiān)控方法的程序，其特征在于具備通過(guò)預(yù)定的排氣管將所述容器內(nèi)的氣體排出的排氣程序單元、限制所述被排出的氣體流量的排氣限制程序單元、監(jiān)控所述排氣管內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控程序單元和向所述容器內(nèi)放電的放電程序單元；所述放電程序單元，在所述排氣限制程序單元允許排出所述氣體時(shí)，開(kāi)始進(jìn)行所述放電；所述被監(jiān)控的顆粒含有通過(guò)所述放電而在所述容器內(nèi)游離的顆粒。
17.一種顆粒監(jiān)控用窗口部件，由在形成預(yù)定空間的框體和監(jiān)控該框體內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控裝置之間設(shè)置的透明基件制成，其特征在于所述基件由透明的基座和在與該基座上的所述框體內(nèi)的氣體相對(duì)面的面上實(shí)施預(yù)定處理的表面處理層構(gòu)成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的窗口部件，其特征在于所述表面處理層含有選自碳、釔、氧化釔及氟化鈣中的一種材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的窗口部件，其特征在于所述碳由結(jié)晶狀金剛石或金剛石狀碳制成。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的窗口部件，其特征在于所述一種材料，其含有量在所述表面處理層的整個(gè)質(zhì)量中，在10～100質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的窗口部件，其特征在于所述表面處理層含有鋁或者氧化鋁。
22.權(quán)利要求21所述的窗口部件，其特征在于所述鋁或者氧化鋁，其含有量在所述表面處理層的整個(gè)質(zhì)量中，在10～100質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求17～22中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述預(yù)定處理為涂敷處理。
24.根據(jù)權(quán)利要求17～22中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述預(yù)定處理為摻雜處理。
25.根據(jù)權(quán)利要求17～24中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述表面處理層，其厚度在100nm～10μm的范圍內(nèi)。
26.根據(jù)權(quán)利要求17～25中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述基座由以硅為主成分的玻璃制成；所述表面處理層處于所述框體內(nèi)的氣體所含有的活性分子中。
27.一種顆粒監(jiān)控用窗口部件，由在形成預(yù)定空間的框體和監(jiān)控該容器內(nèi)的顆粒的顆粒監(jiān)控裝置之間設(shè)置的透明基件制成，其特征在于所述基件由氟化鈣制成。
28.根據(jù)權(quán)利要求17～27中任一項(xiàng)所述的窗口部件，其特征在于所述框體由容器或者配管制成。
全文摘要
提供一種可切實(shí)地監(jiān)控包含易剝離的沉積物的顆粒，正確地評(píng)價(jià)真空裝置的清潔度的真空裝置及其顆粒監(jiān)控方法、程序和顆粒監(jiān)控用窗口部件。半導(dǎo)體制造裝置(1000)具備用于對(duì)晶片實(shí)施制品化處理的處理室(100)。處理室(100)上部連接有設(shè)置了閥門(120)、用于導(dǎo)入清洗氣體的吸氣管線，在下部連接有設(shè)置了閥門a的預(yù)抽管線(200)。預(yù)抽管線(200)上設(shè)置有排出處理室(100)內(nèi)的氣體的干式泵(220)、在閥門a和干式泵(220)之間監(jiān)控顆粒的顆粒監(jiān)控裝置(210)。半導(dǎo)體制造裝置(1000)通過(guò)打開(kāi)閥門(120)，供給清洗氣體，將沖擊波所產(chǎn)生的物理性振動(dòng)賦予處理室(100)內(nèi)，使沉積物剝離，監(jiān)控顆粒。
文檔編號(hào)G01N15/00GK1684236SQ20051006017
公開(kāi)日2005年10月19日 申請(qǐng)日期2005年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者守屋剛, 中山博之 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社