專利名稱：探頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及探頭及其制造方法，并且更具體地涉及具有微小節(jié)距的探頭及其制造方法，利用所述探頭來制造一種探測(cè)卡，其對(duì)應(yīng)于在晶片上以密集形狀或其它各種形狀形成的墊的設(shè)置。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體集成電路裝置在制作所述裝置時(shí)、制作所述裝置之后、或封裝所述裝置時(shí)得到測(cè)試，以便驗(yàn)證所述裝置是否在所述裝置的整體或部分電特性完全對(duì)應(yīng)于所述裝置的原始設(shè)計(jì)的情況下得以制造。
用于執(zhí)行上述測(cè)試的設(shè)備是具有測(cè)試設(shè)備和探測(cè)卡(probe card)的探測(cè)設(shè)備。所述探測(cè)卡用來電連接所述測(cè)試設(shè)備中的各種電信號(hào)發(fā)生部分和所述半導(dǎo)體集成電路裝置中的墊(pad)，或所述測(cè)試設(shè)備中的電信號(hào)檢測(cè)部分和所述半導(dǎo)體集成電路裝置中的墊。
常規(guī)探測(cè)卡之一是在圖1中示出的針型探測(cè)卡。所述針型探測(cè)卡包括每個(gè)具有彎曲端的針型探頭(probe)12。每個(gè)針型探頭12的主體(body)設(shè)置在固定部件13的規(guī)定位置，且然后借助于環(huán)氧樹脂固定地附著到固定部件13。固定部件13附著到主電路板11。針型探頭12的另一端借助于焊接連接到主電路板11的規(guī)定電路。以這種方式，所述探測(cè)卡得以制備。需要彈性以便于將針穩(wěn)定地連接到所述半導(dǎo)體集成電路裝置的墊。但是，當(dāng)其被重復(fù)使用時(shí)，所述針型探頭的水平和位置失真。因此，所述常規(guī)針型探測(cè)卡所具有的缺陷在于，當(dāng)使用所述針型探測(cè)卡時(shí)，需要維護(hù)和修理所述探頭。
另一種常規(guī)的探測(cè)卡是圖2中示出的豎直型探測(cè)卡。在主電路板21的上表面設(shè)置了固定板23，并且在主電路板21的下表面設(shè)置了多個(gè)導(dǎo)板24。通過主電路板21、固定板23及導(dǎo)板24形成了多個(gè)通孔，所述通孔規(guī)則地設(shè)置在主電路板21、固定板23及導(dǎo)板24的對(duì)應(yīng)位置。通過通孔分別插入了針型探頭22。從固定板23取出的所述針型探頭的端部借助于焊接分別連接到主電路板21的規(guī)定電路。以這種方式，所述探測(cè)卡得以制備。但是所述豎直型探測(cè)卡也有缺陷，即當(dāng)其重復(fù)使用時(shí)，所述探頭的水平失真，并且因此失去其彈性，如同上述針型探頭。此外，所述豎直型探測(cè)卡所具有的另一個(gè)缺陷在于，由于所述針長且彼此相鄰而設(shè)置，當(dāng)所述探測(cè)卡用來測(cè)試高速工作類型的半導(dǎo)體集成電路時(shí)，導(dǎo)致相鄰針之間的電相互作用，并且因此降低所述測(cè)試的精度。
所述針型探測(cè)卡和豎直型探測(cè)卡的任何一個(gè)都具有相對(duì)大的尺寸。另一方面，隨著技術(shù)的進(jìn)步，待測(cè)試元件變得日益小型化和精密。因此，所述針型探測(cè)卡和豎直型探測(cè)卡的任何一個(gè)都具有的缺陷在于，不能恰當(dāng)測(cè)試小型化且精密的元件。換句話說，沒有相對(duì)大的探測(cè)卡可測(cè)試晶片上的所有元件，這是因?yàn)樗鼍纤纬傻脑系亩鄠€(gè)墊的設(shè)置是緊湊而密集的。結(jié)果，需要對(duì)一個(gè)晶片執(zhí)行幾個(gè)測(cè)試。
為了克服上述問題，已經(jīng)發(fā)明了緊湊且小型化的探測(cè)卡。這種緊湊且小型化的探測(cè)卡的代表性實(shí)例是微彈簧型探測(cè)卡及懸臂型探測(cè)卡。
所述微彈簧型探測(cè)卡在圖3a中示出，且所述微彈簧型探測(cè)卡如以下制造將凸塊(bump)33形成于基板32上，如圖3b中所示。借助于線接合物(wire bonder)將探頭形狀的線34a連接到凸塊33。線34a在其表面被鍍以使線34a粗且堅(jiān)固。附加的硅晶片35被蝕刻，且然后被鍍，以形成支撐梁34b和探頭尖34c。支撐梁34b接合到線34a以便形成具有探頭尖34的彈簧型探頭34。在如以上所述形成彈簧型探頭34之后將硅晶片35去除。如圖3a中所示，借助于附加加強(qiáng)部件36將具有上述構(gòu)造的基板32附著到主電路板31。
所述懸臂型探測(cè)卡在圖4a中示出，并且所述懸臂型探測(cè)卡如以下制造將凸塊43形成于基板42上，如圖4b中所示。在附加的硅晶片44上形成探頭尖45b和支撐梁45a。隨后，將凸塊43的一端接合到支撐梁45a的一端，以形成具有探頭尖45b的探頭45。在如以上所述形成所述探頭之后將硅晶片44去除。如圖4a所示，借助于附加加強(qiáng)部件46將具有上述構(gòu)造的基板42附著到主電路板41。
借助于所述微彈簧型探測(cè)卡和懸臂型探測(cè)卡，對(duì)具有在其上形成的集成元件的晶片的測(cè)試得以順利執(zhí)行。
但是，所述探頭梁和探頭尖彼此齊平(level)地設(shè)置(圖3b中的34b和34c，圖4b中的45a和45b)。當(dāng)待測(cè)試元件上的墊較緊密地聚集時(shí)，并且當(dāng)元件上的墊設(shè)置復(fù)雜時(shí)，引起了問題。例如，在圖4a所示的懸臂型探測(cè)卡被用來測(cè)試具有如圖5a中所示的元件51的設(shè)置的晶片時(shí)，需要如圖5b中所示來構(gòu)造所述懸臂型探測(cè)卡。具體地，需要將所有探頭61a設(shè)置在具有對(duì)應(yīng)于元件尺寸的尺寸的探測(cè)卡60(圖5b)的單元基板61(圖5b)上，以便測(cè)試每個(gè)元件上的所有墊51a(圖5a)。但是，當(dāng)沿著邊來設(shè)置探頭時(shí)，在拐角設(shè)置探頭是不可能的。因而，在這種情況下，將一些探頭設(shè)置在相鄰的單元基板61上。因此，需要執(zhí)行兩次或更多次對(duì)所述晶片的測(cè)試。
在待測(cè)試晶片上的墊以直線設(shè)置的情況下，所述懸臂型探測(cè)卡具有如圖6a和6b中所示的設(shè)置。圖6a中所示的節(jié)距p對(duì)應(yīng)于所述晶片上的兩個(gè)相鄰墊之間的距離。容易理解，所述節(jié)距p大于每個(gè)探頭65的寬度w。因此當(dāng)所述晶片上的墊之間的距離小于探頭65的寬度w時(shí)，不能快速執(zhí)行所述測(cè)試。
在如以上所述的常規(guī)探測(cè)卡中，探頭數(shù)目的增加是受限的。因此，一次測(cè)試多個(gè)半導(dǎo)體裝置是不可能的，這不能滿足試圖增加測(cè)試效率的半導(dǎo)體裝置制造者的需要。

發(fā)明內(nèi)容
因此，鑒于上述問題而制作了本發(fā)明，且本發(fā)明的目的是提供一種具有微小節(jié)距的探頭及其制造方法，利用所述探頭來制造一種探測(cè)卡，其對(duì)應(yīng)于在晶片上以密集形狀或其它各種形狀形成的墊的設(shè)置。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通過提供一種具有規(guī)定厚度并以平板形狀形成的探頭可以實(shí)現(xiàn)以上和其它目的，所述探頭包括主體部分，在其中部彎曲，使得當(dāng)張力或壓縮力在其上端和下端施加到該主體部分時(shí)，該主體部分被彈性地張緊或壓縮；連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成，所述連接部分固定到基板；及尖部分，與所述主體部分的上端整體地形成，所述尖部分接觸元件的墊。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種包括探頭的探測(cè)卡，每個(gè)所述探頭具有規(guī)定厚度并以平板形狀形成，其中所述探頭包括主體部分，在其中部彎曲，使得當(dāng)張力或壓縮力在其上端和下端施加到所述主體部分時(shí)，所述主體部分被彈性地張緊或壓縮；連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成，所述連接部分固定到基板；及尖部分，與所述主體部分的上端整體地形成，所述尖部分接觸元件的墊，其中所述主體部分包括水平部；及第一豎直部，從所述水平部的一端豎直向上彎曲，所述第一豎直部整體地連接到所述尖部分；第二豎直部，從所述水平部的另一端豎直向下彎曲，所述第二豎直部整體地連接到所述連接部分，其中所述主體部分的水平部、第一豎直部及第二豎直部的長度被改變以形成多于兩種的探頭，并且其中所述多于兩種的探頭固定地附著在所述探測(cè)卡的基板上。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，提供了一種制造探頭的方法，包括步驟1，施加犧牲層于硅晶片的整個(gè)上表面上，以光刻膠(photoresist)在其上表面涂覆所述犧牲層，并將具有探頭形狀圖案的第一掩模附著到所述光刻膠的上表面；步驟2，借助于所述第一掩模來曝光并顯影所述光刻膠，并去除所述第一掩模；步驟3，在所述犧牲層的上表面上執(zhí)行電解鍍以形成第一金屬膜，所述犧牲層具有借助于所述曝光和顯影而固定的圖案；及步驟4，去除所述光刻膠并蝕刻所述犧牲層以從所述硅晶片分離所述第一金屬膜。


從下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的以上和其它目的、特征及其它優(yōu)點(diǎn)將得到更清楚的理解，在附圖中圖1是示出常規(guī)探頭的設(shè)置的橫截面視圖；圖2是示出另一種常規(guī)探頭的設(shè)置的橫截面視圖；圖3a和3b分別是示出另一種常規(guī)探頭的設(shè)置的橫截面視圖和示出制造該探頭的過程的橫截面視圖；圖4a和4b分別是示出又一種常規(guī)探頭的設(shè)置的橫截面視圖和示出制造該探頭的過程的橫截面視圖；圖5a是示出待測(cè)試元件的實(shí)例的平面圖；圖5b是說明用于檢查圖5a所示元件的常規(guī)探測(cè)卡的制造的平面圖；圖6a和6b分別是示出常規(guī)探頭的設(shè)置的平面圖和透視圖；圖7a是分別示出本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的透視圖和底視圖；圖7b是分別示出本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的透視圖和底視圖；圖7c是分別示出本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的透視圖和底視圖；圖7d是分別示出本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的透視圖和底視圖；圖8是說明圖7a到7d的形狀的橫截面視圖；圖9是示出本發(fā)明又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的透視圖；圖10是說明圖9的形狀的橫截面視圖；圖11a和11b分別是示出本發(fā)明的設(shè)置的透視圖和平面圖；圖12a和12b分別是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的探測(cè)卡的透視圖和平面圖；圖12c是圖12a中所示探頭的前視圖；圖13a到13g是說明根據(jù)本發(fā)明的制造探頭的方法的橫截面視圖；并且圖14a和14b是分別說明在根據(jù)本發(fā)明的制造探頭的方法中使用的掩模的形狀的視圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的探頭在圖7a到7d中示出。參考圖7a的左側(cè)，探頭70以彎曲板的形狀形成，并由金屬制成。探頭70具有主體部分70b，該主體部分在其中部彎曲，以便當(dāng)外力施加到主體部分70b時(shí)，主體部分70b被彈性地壓縮和擴(kuò)張。當(dāng)張力或壓縮力在其上端和下端施加到主體部分70b時(shí)，主體部分70b在規(guī)定容限內(nèi)被彈性地張緊或壓縮。探頭70還具有連接部分70a，該連接部分與主體部分70b的下端整體地形成。連接部分70a用作支撐梁，用于在主體部分70b的一端連接到基板時(shí)支撐主體部分70b。探頭70進(jìn)一步包括與主體部分70b的上端整體地形成的尖部分70c。尖部分70c直接接觸待測(cè)試元件的墊。在圖7a左側(cè)的X方向上看到的探頭70的底部在圖7a的右側(cè)示出。從圖7a可以看出，尖部分70c比連接部分70a向左側(cè)延伸的多。這意味著在圖7a左側(cè)的水平方向上，尖部分70c設(shè)置在探頭70的最外側(cè)。如以上所述來構(gòu)造探頭70的原因是通過所述探頭的交叉設(shè)置，相鄰尖部分可以以直線密集設(shè)置，稍后將對(duì)其進(jìn)行描述。
參考圖7b的左側(cè)，探頭71包括主探頭72，其以彎曲板的形狀形成并由金屬制成；及輔助探頭73，其也以彎曲板的形狀形成并由金屬制成。除了其一端的形狀，輔助探頭73與主探頭72相似。輔助探頭73附著到主探頭72。主探頭72包括主體部分72b，在其中部彎曲，使得當(dāng)外力施加到主體部分72b時(shí)，主體部分72b被彈性地壓縮和擴(kuò)張；連接部分72a，與所述主體部分72b的一端整體地形成，連接部分72a用作支撐梁，用于在主體部分72b的一端連接到基板時(shí)支撐主體部分72b；及尖部分72c，與主體部分72b的另一端整體地形成，尖部分72c直接接觸待測(cè)試元件的墊。類似地，輔助探頭73包括主體部分73b，在其中部彎曲，使得當(dāng)外力施加到主體部分73b時(shí)，主體部分73b被彈性地壓縮和擴(kuò)張；及連接部分73a，與主體部分73b的一端整體地形成，連接部分73a用作支撐梁，用于在主體部分73b的一端連接到基板時(shí)支撐主體部分73b。在圖7b左側(cè)的X方向上看到的探頭71的底部在圖7b的右側(cè)示出。從圖7b可以看出，尖部分72c比連接部分72a和73a向左側(cè)延伸的多。如以上所述來構(gòu)造探頭71的原因是通過所述探頭的交叉設(shè)置，相鄰尖部分可以以直線密集設(shè)置。當(dāng)所述探頭如圖11a所示相互交叉而設(shè)置時(shí)，尖部分110c之間的距離得以減小。圖11b是簡(jiǎn)化所述探頭的密集設(shè)置的平面圖。從圖11b中可以看出，尖部分110c之間的距離，即節(jié)距p，小于常規(guī)懸臂型探頭的節(jié)距(見圖6a和6b)。探頭尖部分的寬度w1對(duì)應(yīng)于探頭主體部分的寬度w2的一半。因此，有可能制造具有比常規(guī)懸臂型探頭的節(jié)距小一半的節(jié)距p的探測(cè)卡。
圖7c中所示的探頭74與圖7b中所示的探頭71相似，除了輔助探頭75設(shè)置在主探頭76之下。輔助探頭和主探頭75和75彼此附著。在主探頭76的一端形成尖部分76c。因此，圖7c的探頭74與圖7b的探頭71對(duì)稱。
圖7d中所示的探頭77是圖7b和7c的探頭的組合。具體地，探頭77包括主探頭79，具有在其一端形成的尖部分79c；及輔助探頭78和80，分別附著到主探頭79的下側(cè)和上側(cè)。輔助探頭78和80被提供用于加強(qiáng)所述探頭的強(qiáng)度。
圖8是圖7a到7d中所示的探頭或主探頭的橫截面視圖。圖8的參考符號(hào)d1指示探頭81的尖部分81c從探頭81的連接部分81a的左端所延長的長度，而圖8的參考符號(hào)d2指示從連接部分81a到尖部分81c的端部的高度。在提供具有不同d1和d2值的各種探頭的情況下，有可能制造提供有附著到基板的各種探頭的探測(cè)卡，其對(duì)應(yīng)于復(fù)雜或密集墊的設(shè)置，稍后將對(duì)其進(jìn)行描述。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的探頭在圖9中示出，其中所述探頭具有以直角彎曲的主體部分。如圖9中所示，探頭90包括主體部分90b，其以直角彎曲，使得當(dāng)外力施加到主體部分90b時(shí)，主體部分90b被彈性地壓縮或擴(kuò)張；連接部分90a，與主體部分90b的一端整體地形成，連接部分90a用作支撐梁，用于在主體部分90b的一個(gè)彎曲端連接到基板時(shí)支撐主體部分90b；及尖部分90c，與所述主體部分90b的另一個(gè)彎曲端整體地形成，尖部分90c直接接觸待測(cè)試元件的墊。
如在圖7a到7d中所示的上述優(yōu)選實(shí)施例中，圖9中所示的探頭90可作為主探頭來制備，而輔助探頭可附著到探頭90的一側(cè)?？商鎿Q地，兩個(gè)輔助探頭可分別附著到探頭90的兩側(cè)。詳細(xì)描述及其附圖將不給出。
圖10是圖9中所示的探頭90的橫截面視圖。圖10的參考符號(hào)D1指示從探頭91的水平主體部分91b的一端到尖部分91c的端部的高度，圖10的參考符號(hào)D2指示水平主體部分91b的長度，而圖10的參考符號(hào)D3指示從水平主體部分91b的另一端到連接部分91a的高度。對(duì)應(yīng)于所述參考符號(hào)D1、D2及D3的主體部分91b的部分被稱作第一豎直部、水平部及第二豎直部。
在提供具有不同D1、D2及D3值，即主體部分91b的第一豎直部、水平部及第二豎直部的各種探頭的情況下，如在圖8所示的探頭中，有可能制造提供有附著到基板各種探頭、對(duì)應(yīng)于復(fù)雜或密集墊的設(shè)置的探測(cè)卡。當(dāng)D2增加時(shí)，由于彈性劇烈變化，需要增加探頭的厚度。通過以曲線圖的形式示出從實(shí)驗(yàn)獲得的關(guān)系，恒定維持探頭彈性所必要的D2和探頭厚度之間的比例關(guān)系可應(yīng)用于探頭的設(shè)計(jì)。
圖12a到12c是說明圖90所示探頭90的應(yīng)用的視圖。圖12a是探測(cè)卡的局部透視圖，而圖12b是圖12a所示探測(cè)卡的平面圖。實(shí)施所述探測(cè)卡上的探頭的設(shè)置以在如圖5a中所示的晶片上的墊設(shè)置上執(zhí)行測(cè)試，如背景技術(shù)中所述。從以上附圖可以看出，附著于每個(gè)單元基板125上的探頭必須設(shè)置在所述單元基板125的區(qū)域中。如圖12a中所示，具有如參考圖10所述的不同D1、D2及D3值的各種探頭附著在所述單元基板上。具體地，在所述單元基板上附著有第一探頭121，每個(gè)具有大于D1的D1H和小于D3的D3L；第二探頭122，每個(gè)具有小于D1的D1L和大于D3的D3H；及第三探頭123，每個(gè)具有小于D1的D1L及分別大于D2和D3的D2H和D3H。所述第一、第二和第三探頭具有與圖12c中所示的標(biāo)準(zhǔn)探頭120相同的總高度。所述第一、第二和第三探頭如以下附著在所述單元基板上第二探頭122沿單元基板125的一邊附著，而第一探頭121沿單元基板125的相鄰邊附著，如圖12a中所示。在所述單元基板的相鄰邊之間的拐角，附著了第一探頭121。由于每個(gè)第一探頭121的水平部的高度小于每個(gè)第二探頭122的水平部的高度，在探頭之間沒有造成干擾。在其中第一探頭121附著在所述單元基板的拐角處的空間不足的情況下，如圖12a中所示，從單元基板125內(nèi)附著第三探頭123。所述探頭的附著在圖12b中示出，該圖是示出所述探頭的附著的平面圖。所述探頭的附著借助于激光束手工完成。
現(xiàn)在將參考圖13a到13f來描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的制造探頭的方法，所述圖是示出制造所述探頭的主要步驟的基板橫截面視圖。本發(fā)明的探頭制造方法被提供用于制造圖7b中所示的探頭。
如圖13a中所示，將銅層131施加到硅晶片130的整個(gè)上表面，該銅層是犧牲層。在其上表面以光刻膠132來涂覆銅層131。在光刻膠132的上表面上附著具有所需探頭的形狀圖案的第一掩模133。第一掩模133具有如圖14a中所示的形狀。如從圖14a的放大部分可見，所述掩模的間隔部分(space part)133a的形狀對(duì)應(yīng)于圖7b中所示的主探頭72的形狀。借助于第一掩模133來曝光及顯影光刻膠132。隨后，去除第一掩模133，如圖13b中所示。在具有借助于所述曝光及顯影而固定的圖案的銅層131的上表面上執(zhí)行電解鍍。如圖13c中所示，研磨所述銅層的所鍍的上表面以形成具有主探頭72(圖7b)形狀的第一金屬膜134。
如圖13d中所示，在其上表面以光刻膠135來涂覆光刻膠132和第一金屬膜134。在光刻膠135的上表面上附著具有所需探頭的形狀圖案的第二掩模136。第二掩模136具有圖14b中所示的形狀。如從圖14b的放大部分可見，所述掩模的間隔部分136a的形狀對(duì)應(yīng)于圖7b中所示的輔助探頭73的形狀。借助于圖13d的第二掩模136來曝光及顯影光刻膠135。隨后，去除第二掩模136，如圖13e中所示。在具有借助于所述曝光及顯影而固定的圖案的第一金屬膜134的上表面上執(zhí)行電解鍍。如圖13f中所示，研磨所述第一金屬膜的所鍍的上表面以形成具有輔助探頭73(圖7b)形狀的第二金屬膜137。
最后，去除圖13f的光刻膠132和135，然后借助于濕蝕刻方法來蝕刻圖13f的所述銅層131，使得第一金屬膜134和第二金屬膜137從硅晶片130分離。結(jié)果，制造了如圖13s中所示的探頭140。
可借助于上述探頭制造方法來制造根據(jù)本發(fā)明的其它優(yōu)選實(shí)施例的探頭。圖7a的探頭70可通過僅形成所述第一金屬膜134(圖13c)來獲得。圖7c的探頭74可通過實(shí)施涉及第二掩模136(圖13d)的步驟然后實(shí)施涉及第一掩模133(圖13a)的步驟來獲得。圖7d的探頭77可通過如下來獲得在圖7c的探頭74的制造過程完成之前，進(jìn)一步實(shí)施涉及第二掩模136(圖13d)的步驟以進(jìn)一步形成另一個(gè)第二金屬膜137(圖13f)。
同樣，可借助于如上述的相同步驟來制造圖9的探頭90和類似于圖7b到7d中所示探頭的其它探頭(未示出)。但是，在這種情況下，需要掩模的間隔部分根據(jù)探頭的形狀來變形。
工業(yè)適用性如從以上描述顯而易見的，本發(fā)明提供了一種具有微小節(jié)距的探頭，利用該探頭來制造一種探測(cè)卡，其對(duì)應(yīng)于在晶片上以密集形狀或其他各種形狀形成的墊的設(shè)置。
盡管為了說明的目的已公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，如所附權(quán)利要求中所公開的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種修改、添加及替換是可能的。
權(quán)利要求
1.一種探頭，具有規(guī)定厚度并以平板形狀形成，所述探頭包括主體部分，在其中部彎曲，使得當(dāng)張力或壓縮力在其上端和下端施加到所述主體部分時(shí)，所述主體部分被彈性地張緊或壓縮；連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成，所述連接部分固定到基板；及尖部分，與所述主體部分的上端整體地形成，所述尖部分接觸元件的墊。
2.如權(quán)利要求1的探頭，其中所述主體部分包括水平部；第一豎直部，從所述水平部的一端豎直向下彎曲，所述第一豎直部整體地連接到所述連接部分；及第二豎直部，從所述水平部的另一端豎直向上彎曲，所述第二豎直部整體地連接到所述尖部分。
3.如權(quán)利要求1或2的探頭，其中所述尖部分形成為使接觸所述元件墊的所述尖部分的端部在水平方向上設(shè)置在所述探頭的最外側(cè)。
4.如權(quán)利要求3的探頭，進(jìn)一步包括具有規(guī)定厚度并以平板形狀形成的輔助探頭，其中所述輔助探頭包括主體部分，與所述探頭的主體部分相同；及連接部分，與所述探頭的連接部分相同，并且所述輔助探頭未提供有與所述探頭的尖部分相同的尖部分，所述輔助探頭固定地附著到所述探頭的一側(cè)。
5.如權(quán)利要求4的探頭，其中所述輔助探頭進(jìn)一步固定地附著到所述探頭的另一側(cè)。
6.如權(quán)利要求1或2的探頭，進(jìn)一步包括具有規(guī)定厚度并以平板形狀形成的輔助探頭，其中所述輔助探頭包括主體部分，與所述探頭的主體部分相同；及連接部分，與所述探頭的連接部分相同，并且所述輔助探頭未提供有與所述探頭的尖部分相同的尖部分，所述輔助探頭固定地附著到所述探頭的一側(cè)。
7.如權(quán)利要求6的探頭，其中所述輔助探頭進(jìn)一步固定地附著到所述探頭的另一側(cè)。
8.一種包括探頭的探測(cè)卡，每個(gè)所述探頭具有規(guī)定厚度并以平板形狀形成，其中所述探頭包括主體部分，在其中部彎曲，使得當(dāng)張力或壓縮力在其上端和下端施加到所述主體部分時(shí)，所述主體部分被彈性地張緊或壓縮；連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成，所述連接部分固定到基板；及尖部分，與所述主體部分的上端整體地形成，所述尖部分接觸元件的墊，其中所述主體部分包括水平部；及第一豎直部，從所述水平部的一端豎直向上彎曲，所述第一豎直部整體地連接到所述尖部分；第二豎直部，從所述水平部的另一端豎直向下彎曲，所述第二豎直部整體地連接到所述連接部分，其中所述主體部分的水平部、第一豎直部及第二豎直部的長度被改變以形成多于兩種的探頭，并且其中所述多于兩種的探頭固定地附著在所述探測(cè)卡的基板上。
9.一種制造探頭的方法，包括步驟1，施加犧牲層于硅晶片的整個(gè)上表面上，以光刻膠在其上表面涂覆所述犧牲層，并將具有探頭形狀圖案的第一掩模附著到所述光刻膠的上表面；步驟2，借助于所述第一掩模來曝光并顯影所述光刻膠，并去除所述第一掩模；步驟3，在所述犧牲層的上表面上執(zhí)行電解鍍以形成第一金屬膜，所述犧牲層具有借助于所述曝光和顯影而固定的圖案；及步驟4，去除所述光刻膠并蝕刻所述犧牲層以從所述硅晶片分離所述第一金屬膜。
10.如權(quán)利要求9的方法，在所述步驟3和所述步驟4之間，進(jìn)一步包括步驟3-1，以第二光刻膠在其上表面涂覆所述光刻膠和所述第一金屬膜，并將第二掩膜附著到所述第二光刻膠的上表面；步驟3-2，借助于所述第二掩模來曝光并顯影所述第二光刻膠，并去除所述第二掩模；及步驟3-3，在所述第一金屬膜的上表面上執(zhí)行電解鍍以形成第二金屬膜，所述第一金屬膜具有借助于所述曝光和顯影而固定的圖案。
11.如權(quán)利要求10的方法，在所述步驟3-3和所述步驟4之間，進(jìn)一步包括步驟4-1，以第三光刻膠在其上表面涂覆所述第二光刻膠和所述第二金屬膜，并將第三掩膜附著到所述第三光刻膠的上表面；步驟4-2，借助于所述第三掩模來曝光并顯影所述第三光刻膠，并去除所述第三掩模；及步驟4-3，在所述第二金屬膜的上表面上執(zhí)行電解鍍以形成第三金屬膜，所述第二金屬膜具有借助于所述曝光和顯影而固定的圖案。
12.如權(quán)利要求9的方法，其中所述第一掩膜具有間隔部分，所述間隔部分包括主體部分，在其中部彎曲；連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成；及尖部分，與所述主體部分的上端整體地形成。
13.如權(quán)利要求9或10的方法，其中所述第一掩膜具有間隔部分，所述間隔部分包括主體部分，在其中部彎曲；連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成；及尖部分，與所述主體部分的上端整體地形成，并且其中所述第二掩膜具有間隔部分，所述間隔部分包括主體部分，在其中部彎曲；及連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成。
14.如權(quán)利要求9到11的任何一個(gè)的方法，其中所述第一掩膜具有間隔部分，所述間隔部分包括主體部分，在其中部彎曲；及連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成，其中所述第二掩膜具有間隔部分，所述間隔部分包括主體部分，在其中部彎曲；連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成；及尖部分，與所述主體部分的上端整體地形成，并且其中所述第三掩膜具有間隔部分，所述間隔部分包括主體部分，在其中部彎曲；及連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成。
全文摘要
在此公開了一種探頭及其制造方法，且更具體地，一種具有微小節(jié)距的探頭及其制造方法，利用所述探頭來制造一種探測(cè)卡，其對(duì)應(yīng)于在晶片上以集結(jié)的形狀或其他各種形狀形成的墊的設(shè)置。所述探頭具有規(guī)定厚度并以平板形狀形成。所述探頭包括主體部分，在其中部彎曲，使得當(dāng)張力或壓縮力在其上端和下端施加到所述主體部分時(shí)，所述主體部分被彈性地張緊或壓縮；連接部分，與所述主體部分的下端整體地形成，所述連接部分固定到基板；及尖部分，與所述主體部分的上端整體地形成，所述尖部分接觸元件的墊。
文檔編號(hào)G01R1/073GK1762050SQ200480007020
公開日2006年4月19日 申請(qǐng)日期2004年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月17日
發(fā)明者李億基, 李廷勛 申請(qǐng)人:飛而康公司, 李億基