專利名稱：探針的零點(diǎn)檢測方法及探測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及更正確地檢測探針的零點(diǎn)的方法及探測裝置。特別涉及能夠大幅度減輕檢查時(shí)的探針和被檢查體的針壓的檢測探針的零點(diǎn)的方法及能夠檢測出零點(diǎn)的探測裝置。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體裝置的工序中，為了檢測形成在晶片上的設(shè)備的電特性使用檢測裝置。例如如圖9A、B所示，檢測裝置具備傳送晶片W的裝載室1、檢查從裝載室1移動(dòng)的晶片W的電特性的探測室2。裝載室1具備盒式收納部3、將晶片W傳送到裝載室1的晶片傳送機(jī)構(gòu)4、在晶片傳送機(jī)構(gòu)4傳送晶片W的過程中以晶片W的標(biāo)記(オリフラ)或者切口為基準(zhǔn)對晶片W進(jìn)行預(yù)定位的輔助卡盤5。
探測室2具備用于載置晶片傳送機(jī)構(gòu)4使被預(yù)先定位的晶片W從裝載室1移動(dòng)的晶片W的載置臺(tái)6、使載置臺(tái)6沿X、Y方向及Z方向移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)7、配置在載置臺(tái)6的上方的探測卡8、使探測卡8的多個(gè)探針8A和載置臺(tái)6上的晶片W的多個(gè)電極墊片正確地對準(zhǔn)位置的位置對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)(定位機(jī)構(gòu))9。定位機(jī)構(gòu)9具備安裝在定位橋9A上且用于對晶片W進(jìn)行攝像的上攝像機(jī)9B、安裝在載置臺(tái)6上且對探針8A進(jìn)行攝像的下攝像機(jī)9C。定位橋9A可以沿一對導(dǎo)軌9D從探測室2的正面里側(cè)移動(dòng)到中央的探測中心。通過控制該移動(dòng)將晶片W的電極墊片定位在探針8A處。
如圖9A所示，在探測室2的頂板2A上配置有測試頭T，該測試頭T可以轉(zhuǎn)動(dòng)。測試頭T和探測卡8通過功能板(圖中未示出)電連接。來自測試器Te的檢查用信號(hào)通過測試頭T以及功能板發(fā)送到探針8A，從探針8A施加在晶片W的電極墊片上。測試器Te根據(jù)該檢查用信號(hào)檢查形成在晶片W上的多個(gè)設(shè)備的電特性。
晶片W和探針8A的定位可以使用現(xiàn)有的公知方法進(jìn)行。即，通過X-Y臺(tái)7使載置臺(tái)6沿X、Y方向移動(dòng)，安裝在載置臺(tái)6上的下攝像機(jī)9C到達(dá)規(guī)定的探針8A的正下方。通過使載置臺(tái)6升降，下攝像機(jī)9C對規(guī)定的探針8A的針尖攝像。根據(jù)這時(shí)的載置臺(tái)6的位置計(jì)算出探針8的針尖的X、Y及Z的位置坐標(biāo)。接下來，通過定位橋9A進(jìn)出探測中心，使上攝像機(jī)9B和下攝像機(jī)9C的光軸一致。通過在該位置上攝像機(jī)9B對晶片W上的規(guī)定電極墊片進(jìn)行攝像，計(jì)算出電極墊片的X、Y及Z的位置坐標(biāo)。通過以上步驟，晶片W上的電極墊片和規(guī)定的探針8的定位結(jié)束。
以下對定位結(jié)束后檢查形成在晶片W上的設(shè)備的電特性的工序進(jìn)行說明。載置臺(tái)6上升到預(yù)先設(shè)定的Z方向的設(shè)定位置(以下稱為「Z方向定位位置」)。通過使晶片W過驅(qū)動(dòng)使規(guī)定的針壓從探針8施加在晶片W上的電極墊片上。探針8A和電極墊片電導(dǎo)通。在該狀態(tài)下，測試器Te檢查設(shè)備的電特性。檢查后，載置臺(tái)6下降，該設(shè)備的檢查結(jié)束。通過反復(fù)進(jìn)行上述工序，檢查晶片W上的下一個(gè)設(shè)備的電特性。
現(xiàn)有的探測裝置可以如以上所述正確地進(jìn)行X、Y方向的定位。但是，很難使晶片W和探針8A高精度地接觸。即，通過利用下攝像機(jī)9C從正下方對探針8A的針尖進(jìn)行攝像，來檢測探針8A的針尖和晶片W的電極墊片間的距離。但是，要正確地檢測出該距離是很難的，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生誤差。因此，根據(jù)該距離正確地求出探針8A和晶片W在幾乎沒有針壓的狀態(tài)(過驅(qū)動(dòng)量＝0)下接觸的位置(以下稱為「零點(diǎn)」)是困難的。例如，圖5A表示上升的載置臺(tái)6的Z方向定位位置相對零點(diǎn)不足尺寸δ1的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，晶片W的電極墊片P沒有與探針接觸。反過來，圖5B表示載置臺(tái)6的Z方向定位位置上升超過零點(diǎn)尺寸δ2的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，在探針8A和電極墊片P之間產(chǎn)生過大的針壓。因此，已往操作員按探測裝置根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和直覺設(shè)定從Z方向定位位置到零點(diǎn)的誤差。
在記載在特開平4-340734號(hào)公報(bào)(段落 的第1行～第6行)的探測裝置中，如下述那樣實(shí)施探針(探測針)是否與圓片(設(shè)備)的電極接觸的判斷。即，在特定的2根探針之間施加電壓。使這些特定的探針接近被鋁等金屬層覆蓋的被檢查體的電極表面。在2根探針與電極表面接觸時(shí)，在2根探針之間流過電流。通過測定該電流，來檢測探針與電極接觸的位置。
這樣，在記載在上述特開平4-340734號(hào)公報(bào)中的探測裝置中，在設(shè)備的電極和探針接觸時(shí)，根據(jù)檢測出流過2根探針之間的電流判斷設(shè)備的電極和探針已經(jīng)接觸。但是，由于在電極表面能夠形成自然氧化膜等氧化膜(電絕緣體)，在探針單純地與電極表面接觸的狀態(tài)下，在2根探針之間沒有電流流過。為了在2根探針之間流過電流必須將探針強(qiáng)壓在電極上。因此，不能將在2根探針之間流過電流時(shí)的晶片的位置作為探針的零點(diǎn)使用。特別是，如最近設(shè)備的配線層等薄膜化、多層化后，檢查時(shí)的針壓有可能給電極墊片或其基底層帶來損傷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決上述課題中的至少一個(gè)。本發(fā)明的目的在于提供一種探針的零點(diǎn)檢測方法及能夠檢測零點(diǎn)的探測裝置，該方法及裝置能夠?qū)崿F(xiàn)以更高的精度檢測出探針的零點(diǎn)，進(jìn)一步，可以可靠防止由于檢查時(shí)的針壓給設(shè)備帶來的損傷。
本申請人在發(fā)明申請2002-322096中曾經(jīng)提出通過使具有金屬薄膜表面的晶片(以下稱為「金屬晶片」)和探針接觸來檢測探針的接觸位置(零點(diǎn))的方法。通過以后的研究判明探針和金屬晶片的接觸電阻預(yù)想以上的高(參照圖6)。其結(jié)果判明，要使探針和金屬晶片接觸并檢測出零點(diǎn)至少需要使探針以0.5g/針左右的針壓與金屬晶片接觸。但是，今后由于設(shè)備的薄膜化、多層化、進(jìn)一步探針的細(xì)線化等原因，如果要求使探針以更低的針亞(例如，0.1g/針以下)與電極接觸，對于金屬晶片來說則不能與這樣的低針壓化對應(yīng)。
因此，本申請人對零點(diǎn)檢測板的導(dǎo)電性膜進(jìn)行了種種研究。如圖6所示，通過使用還原銅或與此相當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性金屬(例如，銅合金、其它導(dǎo)電性金屬)作為導(dǎo)電性膜的材料，可以得到比金更低的接觸電阻，得到能夠與將來的低針壓化對應(yīng)的見解。本發(fā)明是在上述見解的基礎(chǔ)上而做出的。
根據(jù)本發(fā)明的第1觀點(diǎn)，在使載置在載置臺(tái)上的被檢查體的電極與探針接觸并檢查被檢查體的電特性的方法中，提供檢測被檢查體的電極表面與探針接觸的位置的零點(diǎn)的方法。該方法包括加熱零點(diǎn)檢測板(零點(diǎn)檢測板的表面由導(dǎo)電性材料構(gòu)成)的步驟、通過使還原性氣體與該零點(diǎn)檢測板接觸來還原零點(diǎn)檢測板的表面的步驟、在還原性氣體或惰性氣體的氣氛中冷卻該零點(diǎn)檢測板的步驟、使探針與該零點(diǎn)檢測板的表面接近，利用電檢測來檢測出探針已與該表面接觸的步驟。
遵從本發(fā)明的第1觀點(diǎn)的方法最好進(jìn)一步具備下述(a)～(d)中的任何一個(gè)或者使其中任何幾個(gè)的組合。
(a)構(gòu)成該零點(diǎn)檢測板的表面的導(dǎo)電性材料為銅。
(b)零點(diǎn)檢測板配置在附設(shè)于載置臺(tái)上的支撐臺(tái)上和載置臺(tái)的表面上的任意一方。
(c)零點(diǎn)檢測板的加熱使用電加熱體和紅外線燈中的至少一方來實(shí)施。
(d)在與零點(diǎn)檢測板接觸之前或者在接觸中使探針還原。
按照本發(fā)明的第2個(gè)觀點(diǎn)，提供在使被檢測體的電極和探針接觸的狀態(tài)下檢查被檢查體的電特性的探測裝置。該探測裝置具備載置臺(tái)(載置臺(tái)載置被檢查體)；探測卡(該探測卡具有多個(gè)探針，與載置臺(tái)相對配置)；零點(diǎn)檢測板(零點(diǎn)檢測板的表面由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，零點(diǎn)檢測板用于檢測被檢查體的電極表面與探針接觸的位置的零點(diǎn))；加熱零點(diǎn)檢測板的加熱機(jī)構(gòu)；用于使還原性氣體與零點(diǎn)檢測板接觸的還原性氣體供給機(jī)構(gòu)。
遵從本發(fā)明的第2觀點(diǎn)的探測裝置最好進(jìn)一步具備下述(e)～(g)中的任何一個(gè)或者使其中任何幾個(gè)的組合。
(e)構(gòu)成該零點(diǎn)檢測板的表面的導(dǎo)電性材料為銅。
(f)零點(diǎn)檢測板配置在附設(shè)于載置臺(tái)上的支撐臺(tái)上和載置臺(tái)的表面上的任意一方。
(g)使還原性氣體與探針接觸的還原性氣體供給機(jī)構(gòu)。
按照本發(fā)明的第3觀點(diǎn)，提供在使被檢測體的電極和探針接觸的狀態(tài)下檢查被檢查體的電特性的探測裝置。該探測裝置具備裝載室(該裝載室具有收納部)；探測室；配置在探測室內(nèi)的載置臺(tái)(該載置臺(tái)載置被檢查體)；配置在探測室內(nèi)的檢測卡(該檢測卡具備多個(gè)探針并與載置臺(tái)相對配置)；配置在探測室內(nèi)用于載置零點(diǎn)檢測板的載置部(零點(diǎn)檢測板用于檢測為被檢查體的電極表面與探針接觸的位置的零點(diǎn)，零點(diǎn)檢測板的表面由導(dǎo)電性材料構(gòu)成)；配置在裝載室內(nèi)的零點(diǎn)檢測板(零點(diǎn)檢測板配置在設(shè)于裝載室內(nèi)的收納部內(nèi))；為加熱零點(diǎn)檢測板而構(gòu)成的加熱機(jī)構(gòu)；用于使還原性氣體與零點(diǎn)檢測板接觸的還原性氣體供給機(jī)構(gòu)(加熱機(jī)構(gòu)和還原性氣體供給機(jī)構(gòu)配置在裝載室內(nèi)和探測室內(nèi)的至少一方的室內(nèi))。
遵從本發(fā)明的第3觀點(diǎn)的探測裝置最好進(jìn)一步具備下述(h)～(j)中的任何一個(gè)或者使其中任何幾個(gè)的組合。
(h)構(gòu)成該零點(diǎn)檢測裝置的表面的導(dǎo)電性材料為銅。
(i)該加熱機(jī)構(gòu)具備紅外線燈和電阻加熱機(jī)構(gòu)中的至少一方。
(j)使還原性氣體與探針接觸的還原性氣體供給機(jī)構(gòu)。


圖1A、1B是示意地表示本發(fā)明的探測裝置的一實(shí)施例的主要部分的圖。
圖2是表示圖1所示的探測裝置的載置臺(tái)、支撐臺(tái)及探測卡的關(guān)系的立體圖。
圖3A、3B、3C是用于說明本發(fā)明的探針的零點(diǎn)檢測方法的一實(shí)施例的說明圖。圖3A是表示以下攝像機(jī)檢測探針的狀態(tài)的圖，圖3B是表示以上攝像機(jī)檢測支撐臺(tái)的狀態(tài)的圖，圖3C是表示使零點(diǎn)檢測板和探針接觸并檢測零點(diǎn)的狀態(tài)的圖。
圖4A、4B是示意地表示本發(fā)明的探測裝置的其它實(shí)施例的主要部分的側(cè)視圖。
圖5A、5B分別是表示Z方向定位位置和探針的關(guān)系的示意圖。
圖6是比較金和銅的接觸電阻并進(jìn)行表示的圖表。
圖7是表示將零點(diǎn)檢測板11載置在圖1所示的探測裝置的載置臺(tái)上的實(shí)例的立體圖。
圖8A、8B、8C是表示在裝載室內(nèi)設(shè)置收納零點(diǎn)檢測板的收納部1A的探測裝置的圖。
圖9A、9B是表示現(xiàn)有的探測裝置的一例的圖。圖9A是剖開探測室的正面部分并進(jìn)行表示的圖。圖9B是表示探測裝置的內(nèi)部的平面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)圖1A～圖5B所示的第1實(shí)施例，對于與現(xiàn)有技術(shù)相同或相當(dāng)?shù)牟糠指杜c相同的符號(hào)，以本發(fā)明的特征為中心進(jìn)行說明。
如圖1A、1B、圖2所示，除了在探測室2內(nèi)具有零點(diǎn)檢測板11及還原機(jī)構(gòu)(12、13)以外，以現(xiàn)有的探測裝置為基準(zhǔn)而構(gòu)成。即，探測試2具備載置晶片W并沿水平方向及上下方向移動(dòng)的載置臺(tái)6、使該載置臺(tái)6向X、Y、Z方向移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)7、使載置臺(tái)向θ方向移動(dòng)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)6B、配置在這些載置臺(tái)的上方并具有多個(gè)探針8A的探測卡8。在探測室2，與現(xiàn)有技術(shù)同樣，在使探針8A與晶片W上的被檢查體(例如，設(shè)備)W’的電極P(圖5A)接觸的狀態(tài)下，檢查被檢查體W’的電特性(圖5B)。
如圖1A、1B、圖2所示，支撐臺(tái)10付設(shè)在載置臺(tái)6上。該支撐臺(tái)10的上表面最好與載置臺(tái)6的載置面同樣呈水平狀態(tài)。該支撐臺(tái)10通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)7及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)6B與載置臺(tái)6一起沿X、Y、Z、θ方向移動(dòng)。在支撐臺(tái)10的上面設(shè)置具有導(dǎo)電性材料(例如，還原銅)的表面的零點(diǎn)檢測板11。探測卡8的2根探針8A與該零點(diǎn)檢測板11接觸后，在2根探針8A之間有電流流過，通過檢測出這一現(xiàn)象，可以檢測出針尖的零點(diǎn)。在零點(diǎn)檢測板11發(fā)生故障時(shí)可以進(jìn)行更換。
圖7表示將零點(diǎn)檢測板11配置在載置臺(tái)6上的表面6A的其它實(shí)施例。在該實(shí)施例中，零點(diǎn)檢測板11以外的其它構(gòu)造及動(dòng)作與圖2所示的實(shí)施例基本相同。
另外，圖1B只表示了支撐臺(tái)10及零點(diǎn)檢測板11的動(dòng)作，省略了載置臺(tái)6。
零點(diǎn)檢測板11的表面的導(dǎo)電性膜的材料只要是由與還原銅類似的導(dǎo)電性金屬形成的，則沒有特別限制。因此，可以是零點(diǎn)檢測板11自身由還原銅或銅合金形成的，或者，例如也可以將還原銅或銅合金覆蓋在硅基板的表面而形成(以下將還原銅或銅合金等導(dǎo)電性金屬稱為“銅”)。但是，由于銅在大氣中容易形成氧化銅，所以，經(jīng)過一段時(shí)間就會(huì)失去表面的導(dǎo)電性。
因此，在本實(shí)施例中，通過還原形成在零點(diǎn)檢測板11的還原銅表面的氧化銅表面，回到還原銅后來使用。即，如圖1B所示，設(shè)置在支撐臺(tái)10內(nèi)的加熱機(jī)構(gòu)12最好將零點(diǎn)檢測板11加熱到能夠還原的溫度左右(例如，200～350℃)。加熱機(jī)構(gòu)的構(gòu)造沒有特別的限定。加熱機(jī)構(gòu)12可以使用例如紅外線燈或者電阻發(fā)熱體。
如圖1A、B所示，在探測室2內(nèi)最好設(shè)置使還原性氣體(例如含氫氣的氣體)與零點(diǎn)檢測板的表面接觸的氣體供給機(jī)構(gòu)13。從該氣體供給機(jī)構(gòu)13向被加熱到還原溫度的零點(diǎn)檢測板11吹還原性氣體，還原零點(diǎn)檢測板11的氧化銅表面。還原性氣體中的氫氣的量沒有特別限定，但是，氫氣濃度最好是例如4％以內(nèi)的防爆范圍內(nèi)的濃度。例如可以使用含大約3％的氫氣的發(fā)泡(フオ一ミング)氣體。發(fā)泡氣體最好以例如1～5L/分的流量供給5～30分鐘。另外，為了使氫氣活性化，也可以預(yù)先對氫氣進(jìn)行加熱后供給。也可以使用利用大氣等離子裝置將氫氣等離子化的氫氣。
例如如圖1A、B所示，氣體供給機(jī)構(gòu)13可以具備氣體供給源13A、配管13B、吹氣部13C、質(zhì)量流量控制器13D及閥門13E。通過利用質(zhì)量流量控制器13D調(diào)節(jié)發(fā)泡氣體的流量的同時(shí)，從吹氣部13C向零點(diǎn)檢測板11吹發(fā)泡氣體來還原氧化銅的表面。為了加熱或使氫氣活性化，也可以在配管途中設(shè)置加熱機(jī)構(gòu)。
接下來，參照圖1A～圖3C對本發(fā)明的探針的零點(diǎn)檢測方法的一實(shí)施例進(jìn)行說明。在被檢查體的檢查之前，先將零點(diǎn)檢測板11的氧化銅表面還原。即，首先支撐臺(tái)10內(nèi)的加熱機(jī)構(gòu)12將零點(diǎn)檢測板11加熱到氧化銅的還原溫度左右(例如，300℃)。在此期間，付設(shè)在載置臺(tái)6上的支撐臺(tái)10隨著載置臺(tái)6移動(dòng)，如圖1B所示置于吹氣部13C的正下方的還原區(qū)域R。接下來，打開氣體供給機(jī)構(gòu)13的閥門13E，通過質(zhì)量流量控制器13D以2L/分的流量向零點(diǎn)檢測板11吹發(fā)泡氣體。由于零點(diǎn)檢測板11已經(jīng)被加熱到氧化銅的還原溫度左右，所以，零點(diǎn)檢測板11表面的氧化銅被還原。通過供給例如20分鐘發(fā)泡氣體來完全還原零點(diǎn)檢測板11表面的氧化銅，恢復(fù)導(dǎo)電性。之后，斷開加熱機(jī)構(gòu)12的電源，將零點(diǎn)檢測板11冷卻到例如50℃以下。溫度的確認(rèn)通過插入到支撐臺(tái)10的溫度檢測裝置112進(jìn)行。另外，在該冷卻期間最好也先使發(fā)泡氣體流過。只要是不會(huì)發(fā)生再次氧化的環(huán)境即可，也可以使惰性氣體流過。經(jīng)判明，經(jīng)過還原處理的零點(diǎn)檢測板11在大約1小時(shí)左右期間可以用于零點(diǎn)檢測。
然后，載置臺(tái)6通過XY工作臺(tái)7從還原區(qū)域R移動(dòng)到檢查區(qū)域Pr。如圖3A所示，利用定位機(jī)構(gòu)9的下攝像機(jī)9C檢測出探針8A。使定位機(jī)構(gòu)9的定位橋移動(dòng)到探測卡8下方的探測中心后，載置臺(tái)6通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)7沿XY方向移動(dòng)。在該期間，如圖該圖3B所示，在利用上攝像機(jī)9B檢測出支撐臺(tái)10的時(shí)刻使載置臺(tái)6停止。
接下來，定位橋后退，返回到原來的位置。在向探測卡8施加電壓的狀態(tài)下，載置臺(tái)6通過升降機(jī)構(gòu)上升到預(yù)先設(shè)定的Z方向定位位置。在探測卡8沒有到達(dá)Z方向定位位置的情況下，操作員操作控制裝置使載置臺(tái)6上升，如圖3C所示的，使零點(diǎn)檢測板11和探針8A接觸。在探針8A的接觸電阻穩(wěn)定的時(shí)刻，使升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)停止。將這時(shí)的載置臺(tái)6的Z方向的位置坐標(biāo)作為探針8A的針尖的零點(diǎn)。
反過來，在載置臺(tái)6的Z方向定位位置超過零點(diǎn)的情況下，探針8A之間的接觸電阻一下子降低。操作員使載置臺(tái)徐徐下降，在接觸電阻即將變得不安定之前使載置臺(tái)6停止。將這時(shí)的位置坐標(biāo)作為零點(diǎn)。
按照上述步驟檢測出零點(diǎn)后，與現(xiàn)有技術(shù)同樣將晶片W從裝載室傳送到探測室2內(nèi)的載置臺(tái)6上。在定位機(jī)構(gòu)9進(jìn)行探測卡8和晶片W的定位的狀態(tài)下，檢查晶片W的電特性。這時(shí)，由于本實(shí)施例高精度地檢測出探針8A和晶片W上的被檢測體的電極墊片接觸的零點(diǎn)，所以，可以使電極和探針8A在零點(diǎn)正確地接觸。其結(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)相比可以使檢查時(shí)的針壓大幅度降低。
如以上說明的，根據(jù)第1實(shí)施例，與使用金屬晶片的情況相比，可以以更低的針壓檢測出探針8A的針尖的零點(diǎn)。在檢查薄膜化、多層化的被檢測體時(shí)，可以減輕探針8A給設(shè)備帶來的損傷，實(shí)施高信賴性的檢查。另外，可以高精度地管理使晶片W過驅(qū)動(dòng)時(shí)的過驅(qū)動(dòng)量。
接下來，對本發(fā)明的第2實(shí)施例進(jìn)行說明。如圖4A、4B所示，在本實(shí)施例中，可以使用表面由銅形成的銅晶片作為零點(diǎn)檢測板11A。零點(diǎn)檢測板11A可以收納在裝載室1內(nèi)的收納部1A(圖8A)中。在載置臺(tái)6具備晶片W的高溫試驗(yàn)用加熱機(jī)構(gòu)的情況下，可以將該加熱機(jī)構(gòu)作為銅晶片的還原用加熱機(jī)構(gòu)使用。氣體供給機(jī)構(gòu)13可以與上述實(shí)施例同樣使用設(shè)置在探測室2內(nèi)的構(gòu)成。
對第2實(shí)施例的零點(diǎn)檢測方法進(jìn)行說明。將零點(diǎn)檢測板11A從裝載室取出載置在探測室內(nèi)的載置臺(tái)6上。通過載置臺(tái)6的電阻加熱機(jī)構(gòu)12A將零點(diǎn)檢測板11A加熱到氧化銅能夠還原的溫度。移動(dòng)載置臺(tái)，如圖4A所示的將零點(diǎn)檢測板11A置于吹起部13C的正下方。接下來，與上述實(shí)施例同樣，通過以規(guī)定的流量從氣體供給機(jī)構(gòu)13向零點(diǎn)檢測板11吹發(fā)泡氣體規(guī)定的時(shí)間，來還原零點(diǎn)檢測板11的氧化銅。之后，切斷加熱機(jī)構(gòu)12的電源，將零點(diǎn)檢測板11A冷卻到例如50℃以下。另外，在該冷卻期間最好流過發(fā)泡氣體。只要是再次氧化不會(huì)發(fā)生的環(huán)境即可，也可以流過惰性氣體。溫度的確認(rèn)通過插入到載置臺(tái)6中的溫度檢測裝置112進(jìn)行。
接下來，在向探測卡8施加電壓的狀態(tài)下，載置臺(tái)6從圖1A所示的還原區(qū)域(R)移動(dòng)到探測卡的正下方的檢查區(qū)域(Pr)。在該狀態(tài)下，通過載置臺(tái)6上升使零點(diǎn)檢測板11A和探測卡8的探針接觸。與上述實(shí)施例同樣檢測出探針的零點(diǎn)。在檢測出零點(diǎn)后，將零點(diǎn)檢測板11A從載置臺(tái)6傳送到裝載室內(nèi)的收納場所，之后，與現(xiàn)有技術(shù)同樣，將晶片W從盒式(收納部)傳送到載置臺(tái)6，進(jìn)行晶片W的電特性檢查。
圖4B表示第3實(shí)施例。圖4B所示的實(shí)施例，載置臺(tái)6具備的加熱機(jī)構(gòu)12B使用了紅外線燈。圖4B所示的第3實(shí)施例除加熱機(jī)構(gòu)12B以外可以與圖4A所示的實(shí)施例同樣。
另外，也可以組合使用電阻加熱機(jī)構(gòu)12A和紅外線燈加熱機(jī)構(gòu)12B。
對第4實(shí)施例進(jìn)行說明。在本實(shí)施例中，在裝載室內(nèi)設(shè)置收納零點(diǎn)檢測板的收納部1A。作為零點(diǎn)檢測板11A，可以采用圖4A所示的銅晶片。
如圖8B所示，可以將用于加熱零點(diǎn)檢測板11A的電阻加熱機(jī)構(gòu)12A配置在裝載室內(nèi)(例如，收納部1A內(nèi))。同樣，如圖8C所示，加熱機(jī)構(gòu)也可以是燈12B。
還原性氣體供給機(jī)構(gòu)13可以配置在收納部1A的上部。
在將加熱機(jī)構(gòu)及還原性氣體供給機(jī)構(gòu)配置在收納部1A的情況下，如圖8A所示，在收納部1A內(nèi)，銅晶片被加熱并吹還原性氣體，銅晶片上的氧化銅表面被還原成還原銅。將該狀態(tài)的銅晶片從裝載室1傳送到探測室2并載置在載置臺(tái)上。與圖4A所示的實(shí)施例同樣，利用該銅晶片可以檢測出零點(diǎn)。
如以上說明的，在上述實(shí)施例的任意一實(shí)施例中都可以高精度地檢測出探測卡8的探針的零點(diǎn)。
另外，本發(fā)明不限定于上述各實(shí)施例。例如，在第1實(shí)施例的情況下，可以先利用零點(diǎn)檢測板11檢測出零點(diǎn)，也可以先將晶片傳送到載置臺(tái)上。
另外，也可以進(jìn)行在與零點(diǎn)檢測板接觸之前或接觸中向探針吹氫氣以使探針前端部還原的處理。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以高精度地檢測出探針的零點(diǎn)。因此，可以提供能夠可靠防止由于探針的針壓給設(shè)備帶來的損傷的探針零點(diǎn)檢測方法及探測裝置。
權(quán)利要求
1.一種零點(diǎn)檢測方法，在使載置在載置臺(tái)(6)上的被檢查體(w’)的電極(P)與探針(8A)接觸，檢查被檢查體的電特性的方法中，檢查被檢查體的電極表面與探針接觸的位置的零點(diǎn)的方法，其特征在于，該方法包括加熱零點(diǎn)檢測板(11)的步驟，在此，零點(diǎn)檢測板的表面由導(dǎo)電性材料構(gòu)成；通過使還原性氣體(13F)與該零點(diǎn)檢測板接觸，來還原零點(diǎn)檢測板的表面的步驟；在還原性氣體或惰性氣體的氣氛中冷卻該零點(diǎn)檢測板的步驟；使探針與該零點(diǎn)檢測板的表面接近，利用電檢測來檢測出探針與該表面已經(jīng)接觸的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的零點(diǎn)檢測方法，其特征在于，構(gòu)成該零點(diǎn)檢測板的表面的導(dǎo)電性材料為銅。
3.如權(quán)利要求1所述的零點(diǎn)檢測方法，其特征在于，零點(diǎn)檢測板配置在附設(shè)于載置臺(tái)上的支撐臺(tái)(10)上和載置臺(tái)的表面(6A)上的任意一方。
4.如權(quán)利要求1所述的零點(diǎn)檢測方法，其特征在于，零點(diǎn)檢測板的加熱使用電加熱體(12A)和紅外線燈(12B)中的至少一方來實(shí)施。
5.如權(quán)利要求1所述的零點(diǎn)檢測方法，其特征在于，在與零點(diǎn)檢測板接觸之前或者在接觸中使探針還原。
6.一種探測裝置，在使被檢測體的電極和探針接觸的狀態(tài)下，檢查被檢查體的電特性，其特征在于，該探測裝置具備載置臺(tái)(6)，載置被檢查體(W’)；探測卡(8)，該探測卡具有多個(gè)探針(8A)，與載置臺(tái)相對配置；零點(diǎn)檢測板(11)，該零點(diǎn)檢測板的表面由導(dǎo)電性材料構(gòu)成，零點(diǎn)檢測板用于檢測作為被檢查體的電極表面與探針接觸的位置的零點(diǎn)；加熱零點(diǎn)檢測板的加熱機(jī)構(gòu)；用于使還原性氣體與零點(diǎn)檢測板接觸的還原性氣體供給機(jī)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的檢測裝置，其特征在于，構(gòu)成該零點(diǎn)檢測板的表面的導(dǎo)電性材料為銅。
8.如權(quán)利要求6所述的檢測裝置，其特征在于，零點(diǎn)檢測板配置在附設(shè)于載置臺(tái)上的支撐臺(tái)(10)上和載置臺(tái)的表面(6A)上的任意一方。
9.如權(quán)利要求6所述的檢測裝置，其特征在于，進(jìn)一步具有使還原性氣體與探針接觸的還原性氣體供給機(jī)構(gòu)。
10.一種探測裝置(1、2)，在使被檢測體(W’)的電極(P)和探針(8A)接觸的狀態(tài)下，檢查被檢查體的電特性，其特征在于，該探測裝置具備裝載室(1)，該裝載室具有收納部(1A)；探測室(2)；配置在探測室內(nèi)的載置臺(tái)(6)，該載置臺(tái)載置被檢查體；配置在探測室內(nèi)的檢測卡，該檢測卡具備多個(gè)探針并與載置臺(tái)相對配置；配置在探測室內(nèi)、用于載置零點(diǎn)檢測板(11)的載置部(10、6A)，零點(diǎn)檢測板用于檢測作為被檢查體的電極表面與探針接觸的位置的零點(diǎn)，零點(diǎn)檢測板的表面由導(dǎo)電性材料構(gòu)成；配置在裝載室內(nèi)的零點(diǎn)檢測板(11)，該零點(diǎn)檢測板配置在設(shè)于裝載室內(nèi)的收納部(1A)內(nèi)；用于加熱零點(diǎn)檢測板的加熱機(jī)構(gòu)(12)；用于使還原性氣體與零點(diǎn)檢測板接觸的還原性氣體供給機(jī)構(gòu)(13)，在此，加熱機(jī)構(gòu)和還原性氣體供給機(jī)構(gòu)配置在裝載室內(nèi)和探測室內(nèi)的至少一方的室內(nèi)。
11.如權(quán)利要求10所述的檢測裝置，其特征在于，構(gòu)成該零點(diǎn)檢測裝置的表面的導(dǎo)電性材料為銅。
12.如權(quán)利要求10所述的檢測裝置，其特征在于，該加熱機(jī)構(gòu)具備紅外線燈和電阻加熱機(jī)構(gòu)中的至少一方。
13.如權(quán)利要求10所述的檢測裝置，其特征在于，進(jìn)一步具有使還原性氣體與探針接觸的還原性氣體供給機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明的零點(diǎn)檢測方法在使載置臺(tái)(6)上的被檢查體W′和探測卡(8)的探針8A接觸、進(jìn)行晶片W的電特性檢查之前實(shí)施。零點(diǎn)檢測板(11)的表面由導(dǎo)電性材料(例如，銅)構(gòu)成。零點(diǎn)檢測板用于檢測為被檢查體的表面與探針接觸的位置的零點(diǎn)。零點(diǎn)檢測板包括加熱零點(diǎn)檢測板(11)、向零點(diǎn)檢測板(11)吹送還原性氣體以將其表面的銅的氧化物還原、在還原氣體氣氛中將還原后的零點(diǎn)檢測板(11)冷卻、使零點(diǎn)檢測板(11)上升以使其表面與探針(8A)接觸、利用電檢測來檢測該接觸。
文檔編號(hào)G01R31/28GK1698183SQ20048000013
公開日2005年11月16日 申請日期2004年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月20日
發(fā)明者奧村勝彌, 古屋邦浩 申請人:株式會(huì)社奧科泰克, 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社