專利名稱：集成電路圖形檢驗裝置和檢驗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢驗例如在襯底上邊形成的集成電路圖形的檢驗裝置和檢驗方法。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體器件時，必須檢驗在各個工藝中在襯底上邊形成的集成電路圖形形成得是否滿足設(shè)計要求。


圖15示出了例如孔圖形的檢驗方法。該檢驗方法，使預(yù)先設(shè)定的孔圖形的目標(biāo)數(shù)據(jù)TD和從在襯底上邊形成的孔圖形中抽出的輪廓數(shù)據(jù)CD彼此重疊。在該狀態(tài)下，對兩圖形的各個地方的距離進(jìn)行測長。采用判定該所測長的距離的差量是否在預(yù)先設(shè)定的允許值以內(nèi)的辦法，來判定所形成的圖形的良否。
與上述同樣，人們還開發(fā)出了測定CAD(計算機(jī)輔助設(shè)計)的輸出數(shù)據(jù)和用SEM(掃描電鏡)測定的圖形數(shù)據(jù)之間的距離，根據(jù)該所測定的距離，評價圖形的形狀的評價方法(例如參看專利文獻(xiàn)1)。
此外，人們還開發(fā)出了在測定CAD的輸出數(shù)據(jù)和形狀模擬的輸出數(shù)據(jù)之間的誤差尺寸，在該所測定的誤差尺寸不處于規(guī)定值以內(nèi)的情況下，表明圖形危險地方信息的圖形危險地方信息的評價方法(例如，參看專利文獻(xiàn)2)。
再有，人們還開發(fā)出了采用對根據(jù)設(shè)計布局圖形制作成的檢查用基準(zhǔn)圖形和完工預(yù)測圖形進(jìn)行比較的辦法，檢測完工預(yù)測圖形的圖形失真，借助于重要度識別該所檢測到的圖形失真的方法(例如，參看專利文獻(xiàn)3)。
特開2002-31525號公報 特開2002-93875號公報[專利文獻(xiàn)3]特開2000-182921號公報然而，測定上述兩圖形間的距離的方法，雖然測定地方越多則越可以提高測定精度，但是測定所需要的時間就越長。此外，該方法沒怎么考慮來自圖形的角部的差量，在檢驗復(fù)雜的形狀的圖形時，其當(dāng)否的判斷是非常困難的。此外，在有的圖形的情況下，有這樣的圖形只要不與相鄰的圖形橋接即可，或者，只要僅僅對短邊的線條寬度進(jìn)行管理即可。以往，對于這樣的圖形沒有明確目標(biāo)尺寸的允許變動范圍。為此，若用現(xiàn)有的判定方法的話，有時會把以在器件工作上未發(fā)生問題的那種程度的精度形成的圖形，判定為不合格。
如上所述在現(xiàn)有的方法中，沒有與圖形的檢驗所花的時間成比例地考慮圖形的特征，不能進(jìn)行滿意的檢驗。此外，復(fù)雜的圖形的評價是非常困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的就是為解決上述課題而完成的，目的在于想要提供可以短時間而且滿意地檢驗圖形的集成電路圖形檢驗裝置和檢驗方法。
本發(fā)明的集成電路圖形檢驗裝置的一個形態(tài)，具備產(chǎn)生與根據(jù)半導(dǎo)體器件的設(shè)計數(shù)據(jù)設(shè)定的目標(biāo)圖形對應(yīng)的公差數(shù)據(jù)的第1產(chǎn)生部分；產(chǎn)生根據(jù)上述目標(biāo)圖形形成的半導(dǎo)體器件的圖形的圖像數(shù)據(jù)的第2產(chǎn)生部分；從由上述第2產(chǎn)生部分供給的圖像數(shù)據(jù)中抽出上述圖形的輪廓數(shù)據(jù)的抽出部分；被供給從上述第1產(chǎn)生部分供給的上述公差數(shù)據(jù)，和從上述抽出部分供給的上述輪廓數(shù)據(jù)的，并使這些數(shù)據(jù)彼此重疊的數(shù)據(jù)合成部分。
本發(fā)明的集成電路圖形檢驗方法的一個形態(tài)，其特征在于產(chǎn)生借助于規(guī)定的工藝在襯底上邊形成的圖形的圖像數(shù)據(jù)，從上述所產(chǎn)生的圖像數(shù)據(jù)抽出上述圖形的輪廓數(shù)據(jù)，判定根據(jù)上述工藝中的目標(biāo)數(shù)據(jù)產(chǎn)生的公差數(shù)據(jù)和與該公差數(shù)據(jù)對應(yīng)的上述所抽出的輪廓數(shù)據(jù)之間的交叉部分的有無。
倘采用本發(fā)明，則可以提供可以短時間而且滿意地檢驗圖形的集成電路圖形檢驗裝置和檢驗方法。
附圖的簡單說明圖1的構(gòu)成圖示出了集成電路圖形檢驗裝置的一個實施形態(tài)。
圖2(a)示出了抗蝕刻圖形的一個例子，圖2(b)的平面圖示出了與圖2(a)所示的抗蝕刻圖形對應(yīng)的光刻后的目標(biāo)。
圖3的平面圖示出了對抗蝕刻圖形設(shè)定的公差數(shù)據(jù)的一個例子。
圖4(a)、圖4(b)的平面圖擴(kuò)大示出了圖3的一部分的區(qū)域。
圖5的平面圖示出了交叉判定的一個例子。
圖6(a)(b)的平面圖示出了把圖形數(shù)據(jù)變換成極坐標(biāo)數(shù)據(jù)的例子。
圖7示出了與圖6所示的圖形數(shù)據(jù)對應(yīng)的極坐標(biāo)數(shù)據(jù)。
圖8(a)(b)的平面圖示出了交叉判定的一個例子。
圖9示出了與圖8(a)(b)所示的圖形數(shù)據(jù)對應(yīng)的極坐標(biāo)數(shù)據(jù)。
圖10是為了說明圖1所示的檢驗裝置的工作而示出的流程圖。
圖11的平面圖示出了交叉數(shù)據(jù)的變形例。
圖12的平面圖示出了交叉數(shù)據(jù)的另一變形例。
圖13的平面圖示出了交叉數(shù)據(jù)的另一變形例。
圖14的平面圖示出了交叉數(shù)據(jù)的另一變形例。
圖15的平面圖示出了現(xiàn)有的圖形檢驗的一個例子。
具體實施例方式
以下，參看附圖對本發(fā)明的實施形態(tài)進(jìn)行說明。
圖1示出了集成電路圖形檢驗裝置的一個實施形態(tài)。該檢驗裝置，為了檢驗集成電路圖形是否形成得滿足設(shè)計要求，例如用形狀測量技術(shù)借助于平面圖像檢驗圖形。
在數(shù)據(jù)存儲裝置11中存儲有借助于CAD設(shè)計的集成電路的設(shè)計數(shù)據(jù)。從該數(shù)據(jù)存儲裝置11讀出來的設(shè)計數(shù)據(jù)供往目標(biāo)設(shè)定部分12。該目標(biāo)設(shè)定部分12在根據(jù)設(shè)計數(shù)據(jù)決定用來在襯底上邊實現(xiàn)集成電路圖形的工藝的同時，還決定各個工藝中的目標(biāo)和各個工藝中的光鄰近效應(yīng)修正(以下，叫做OPC)的參數(shù)。各個工藝包括光刻和刻蝕等的加工等。例如在決定光刻步驟中的目標(biāo)的情況下，目標(biāo)設(shè)定部分12，就要決定在用預(yù)先設(shè)定好的加工變換差光刻后變成為目標(biāo)的抗蝕刻的圖形尺寸。所謂加工變換差，就是用光刻形成抗蝕刻圖形的尺寸，與用該抗蝕刻圖形形成的圖形的尺寸的差。
例如，如圖2(a)(b)所示，如設(shè)加工變換差為在邊沿的單側(cè)產(chǎn)生10nm的加工條件，則對圖2(a)所示的形狀的抗蝕刻圖形的光刻后的目標(biāo)，將變成為圖2(b)所示的那樣。這樣一來，各工藝的目標(biāo)被設(shè)定。另外，OPC參數(shù)，就可以根據(jù)例如圖形密度、布線寬度、布線間間隔等決定。該所設(shè)定的各個工藝的目標(biāo)數(shù)據(jù)和OPC的參數(shù)，供往OPC處理裝置13。此外，目標(biāo)數(shù)據(jù)TD則供往公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分16。
OPC處理裝置13，根據(jù)所決定的OPC參數(shù)和設(shè)計數(shù)據(jù)對上述所決定的目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行修正。根據(jù)該修正后的掩模用的目標(biāo)數(shù)據(jù)TD，就可以制造未畫出來的掩模。此外，該修正后的目標(biāo)數(shù)據(jù)TD還供往公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分16。
公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分16，與從目標(biāo)設(shè)定部分12供給的目標(biāo)數(shù)據(jù)TD或從OPC處理裝置13供給的掩模用的目標(biāo)數(shù)據(jù)TD相對應(yīng)地產(chǎn)生公差數(shù)據(jù)。就是說，公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分16，與從目標(biāo)設(shè)定部分12供給的目標(biāo)數(shù)據(jù)TD相對應(yīng)地產(chǎn)生與在光刻步驟或刻蝕步驟中的目標(biāo)對應(yīng)的公差數(shù)據(jù)，與從OPC處理裝置13供給的掩模用的目標(biāo)數(shù)據(jù)TD相對應(yīng)地產(chǎn)生與掩模圖形的目標(biāo)對應(yīng)的公差數(shù)據(jù)。
圖3示出了例如在抗蝕刻圖形中設(shè)定的公差數(shù)據(jù)的一個例子。對于用目標(biāo)數(shù)據(jù)TD表示的抗蝕刻圖形要設(shè)定允許變動范圍。該允許變動范圍是尺寸和形狀對工藝變動的允許值，具有上限值Tu和下限值Tl。所謂工藝變動，就是光刻中的曝光量或焦點的波動、透鏡的像差、OPC的精度，在刻蝕工藝中則是加工條件的波動。如圖3所示，制作由上限值Tu構(gòu)成的圖形，和由下限值Tl構(gòu)成的圖形，這些由上限值Tu構(gòu)成的圖形和由下限值Tl構(gòu)成的圖形之間的斜線部分就將變成為允許變動范圍。該允許變動范圍，如后所述，取決于圖形的形狀，與相鄰的圖形之間的距離而不同。
如在圖3中用4A所示的那樣，需要高的尺寸精度的區(qū)域允許變動范圍狹窄，如在圖3中用4B所示的那樣，不要求高的尺寸精度的區(qū)域，則可以展寬允許變動范圍。圖4(a)擴(kuò)大示出了用圖3的4A所示的區(qū)域，圖4(b)擴(kuò)大示出了用圖3的4B所示的區(qū)域。像這樣地產(chǎn)生的公差數(shù)據(jù)，供往數(shù)據(jù)合成部分17。
另一方面，從上述OPC處理裝置13輸出的目標(biāo)數(shù)據(jù)TD，供往襯底制作裝置14。該襯底制作裝置14，由執(zhí)行光刻步驟、刻蝕步驟等的眾所周知的裝置構(gòu)成。該襯底制作裝置14，為了實現(xiàn)圖2(b)所示的抗蝕刻的目標(biāo)，就要使用進(jìn)行了上述OPC處理的掩模，在襯底上邊形成圖形。除此之外，還要與各工藝相對應(yīng)地在襯底上邊形成圖形。
此外，例如由測長SEM構(gòu)成的攝像裝置18從用上述襯底制作裝置14制作的襯底15的表面對所要的圖形的圖像進(jìn)行攝像。從該攝像裝置18輸出的圖像數(shù)據(jù)IMD，被供往輪廓抽出部分19。該輪廓抽出部分19，從所供給的圖像數(shù)據(jù)IMD中，抽出所要的圖形的輪廓數(shù)據(jù)。該所抽出的輪廓數(shù)據(jù)CD供往數(shù)據(jù)合成部分17。該數(shù)據(jù)合成部分17，用輪廓數(shù)據(jù)CD和公差數(shù)據(jù)對圖形進(jìn)行評價。
就是說，使得與圖5(a)所示的目標(biāo)數(shù)據(jù)TD對應(yīng)的公差數(shù)據(jù)的上限值Tu和下限值Tl，和圖5(b)所示的從襯底上邊的圖形圖像抽出來的輪廓數(shù)據(jù)CD像圖5(c)所示的那樣進(jìn)行重疊，判定輪廓數(shù)據(jù)CD是否進(jìn)入了允許變動范圍內(nèi)。即，判定輪廓數(shù)據(jù)CD是否與允許變動范圍的上限值Tu或下限值Tl進(jìn)行交叉。采用對這樣的圖形的平面形狀進(jìn)行判定的辦法，就可以判定在襯底上邊是否按照設(shè)計要求形成了圖形。
圖6到圖9示出了交叉判定的一個例子。數(shù)據(jù)合成部分17，把公差數(shù)據(jù)的上限值Tu、下限值Tl和輪廓數(shù)據(jù)CD，例如變換成極坐標(biāo)數(shù)據(jù)，用這些極坐標(biāo)數(shù)據(jù)判定交叉的有無。
圖6(a)(b)、圖7作為一個例子示出了要把目標(biāo)數(shù)據(jù)TD變換成極坐標(biāo)數(shù)據(jù)的情況。如圖6(a)(b)所示，使從目標(biāo)數(shù)據(jù)TD內(nèi)的任意的一點P到目標(biāo)數(shù)據(jù)TD為止的距離r與角度θ相對應(yīng)地進(jìn)行測定。圖7示出了用極坐標(biāo)表現(xiàn)目標(biāo)數(shù)據(jù)TD的例子。同樣地，采用用極坐標(biāo)表示公差數(shù)據(jù)的上限值Tu、下限值Tl和輪廓數(shù)據(jù)CD，并對它們進(jìn)行比較的辦法進(jìn)行交叉判定。
圖8(a)示出了輪廓數(shù)據(jù)CD含于上限值Tu、下限值Tl的范圍內(nèi)的狀態(tài)。在該情況下，就如在圖9中用實線示出的那樣，用極坐標(biāo)表示的輪廓數(shù)據(jù)CD，位于極坐標(biāo)表示的上限值Tu和下限值Tl之間，未與上限值Tu和下限值Tl進(jìn)行交叉。
另一方面，圖8(b)示出了輪廓數(shù)據(jù)CD的一部分超過了上限值Tu的情況。在該情況下，就如在圖9中用虛線所示的那樣，輪廓數(shù)據(jù)CD的值在點P1-P2的范圍內(nèi)，就變得比上限值Tu還大。就是說，在點P1和點P2中，輪廓數(shù)據(jù)CD與上限值Tu交叉。
數(shù)據(jù)合成部分17，對于已變換成極坐標(biāo)數(shù)據(jù)的輪廓數(shù)據(jù)CD與上限值Tu和下限值Tl，對于每一個角度θ都對輪廓數(shù)據(jù)CD與上限值Tu和下限值Tl的距離進(jìn)行比較，判別輪廓數(shù)據(jù)CD與上限值Tu和下限值Tl的距離是否相同，借助于此，判定交叉部分的有無。該判定的結(jié)果，在判定為未按照設(shè)計要求形成圖形的情況下，數(shù)據(jù)合成部分17就根據(jù)例如OPC數(shù)據(jù)的變更、工藝的變更、目標(biāo)的重新設(shè)定、公差數(shù)據(jù)的重新設(shè)定、圖形的設(shè)計變更、掩模的修正等判斷反饋的目的地，對反饋目的地下達(dá)指令。在本實施形態(tài)的情況下，在借助于交叉判定確認(rèn)了交叉的存在的情況下，就可以采用例如變更抗蝕刻工藝的辦法，把要在襯底上形成的圖形限制到允許變動范圍內(nèi)。此外，判定結(jié)果供往顯示裝置20并進(jìn)行顯示。
另外，圖1所示的檢驗裝置，雖然含有襯底制作裝置14，但是該裝置也可以另外設(shè)置。
其次，參看圖10，對使用圖1所示的檢驗裝置的集成電路圖形檢驗方法進(jìn)行說明。首先，從數(shù)據(jù)存儲裝置11中讀出設(shè)計數(shù)據(jù)(S1)。在目標(biāo)設(shè)定部分12中，用該設(shè)計數(shù)據(jù)，決定光刻或刻蝕等的各個工藝(S2)。然后，決定各個工藝的目標(biāo)和OPC的參數(shù)(S3)。根據(jù)該所決定的各個工藝的目標(biāo)，在公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分16中，產(chǎn)生含有上限值Tu和下限值Tl的公差數(shù)據(jù)(S4)。
另一方面，借助于OPC處理裝置13使用已進(jìn)行了OPC處理的掩模，借助于攝像裝置18對在襯底上邊形成的圖形進(jìn)行攝像(S5)。從由該攝像裝置18輸出的圖像數(shù)據(jù)中借助于輪廓抽出部分19抽出圖形的輪廓數(shù)據(jù)(S6)。該所抽出的輪廓數(shù)據(jù)，與借助于上述公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分16所產(chǎn)生的公差數(shù)據(jù)一起，被供往數(shù)據(jù)合成部分17。數(shù)據(jù)合成部分17，對輪廓數(shù)據(jù)和公差數(shù)據(jù)的上限值Tu和下限值Tl進(jìn)行比較，判定這些的交叉部分的有無(S7、S8)。該判定的結(jié)果，在存在交叉部分的情況下，就根據(jù)例如OPC數(shù)據(jù)的變更、工藝的變更、目標(biāo)的重新設(shè)定、公差數(shù)據(jù)的重新設(shè)定、圖形的設(shè)計變更、掩模的修正等判斷反饋的目的地，對反饋目的地下達(dá)指令(S9)。如上所述，在把抗蝕刻圖形當(dāng)作目標(biāo)的情況下，例如就可以采用變更例如抗蝕刻工藝的辦法，把要在襯底上形成的圖形限制到允許變動范圍內(nèi)。
在檢驗掩模圖形的情況下，公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分16，就與由OPC處理裝置13供給的目標(biāo)數(shù)據(jù)相對應(yīng)地產(chǎn)生上限值Tu和下限值Tl。此外，數(shù)據(jù)合成部分17，比較從掩模圖形中抽出的輪廓數(shù)據(jù)和上限值Tu及下限值Tl，判定交叉部分的有無，借助于此評價掩模圖形的良否。
圖11到圖14，示出了公差數(shù)據(jù)的變形例。在圖2到圖4中所說明的公差數(shù)據(jù)，示出了對于1個目標(biāo)圖形(目標(biāo)數(shù)據(jù))產(chǎn)生公差數(shù)據(jù)的例子。但是，應(yīng)用于集成電路的圖形，圖形的良否，例如取決于與相鄰的布線圖形之間的距離或要連接到布線圖形上的接觸圖形等而變化。于是，要對于對種種的圖形的公差數(shù)據(jù)的產(chǎn)生方法進(jìn)行說明。
圖11(a)示出了存儲器陣列內(nèi)的柵布線圖形31，圖11(b)示出了要在外圍電路上形成的布線圖形32。圖11(a)所示的存儲器陣列，在圖形的線條寬度變化的情況下，會給器件的工作速度或閾值電壓等的器件特性造成非常大的影響。為此，就如存儲器陣列那樣要求高的尺寸精度的區(qū)域的圖形，就必須使規(guī)定允許變動范圍的上限值Tu和下限值Tl的寬度形成得窄。
相對于此，如圖11(b)所示的外圍電路的布線圖形32那樣，對于那些給器件特性造成的影響小的圖形來說，就可以把規(guī)定允許變動范圍的上限值Tu和下限值Tl的寬度形成得寬。如上所述，允許變動范圍就可以根據(jù)器件特性設(shè)定不同的大小。
圖12示出了在一個端部上相鄰地配置連接接觸孔(接觸圖形CP)的條紋圖形41、42的情況。在要對這樣的條紋圖形41、42設(shè)定允許變動范圍的情況下，用箭頭C表示的圖形41、42相互間隔狹窄的區(qū)域，具有會使得相鄰的圖形41、42短路的危險性。因此，由于該區(qū)域要求高的尺寸精度，故由上限值Tu和下限值Tl規(guī)定的允許變動范圍窄。
相對于此，與用箭頭D表示的圖形41、42的排列方向垂直的方向，沒有相鄰的圖形，與別的圖形之間的短路的危險性小。因此，該區(qū)域就可以把由上限值Tu和下限值Tl規(guī)定的允許變動范圍形成得寬。如上所述，就可以根據(jù)圖形的配置狀況設(shè)定不同的大小的允許變動范圍。
圖13示出了相鄰地配置布線圖形51、52，在布線圖形51上從上層形成接觸孔(接觸圖形CP)的情況。連接接觸孔CP的布線圖形51，就必須避免與接觸圖形CP之間的開路。為此，就如E表示的那樣，從圖形51的長度方向一個端部開始在與接觸圖形CP之間的區(qū)域中，要把由下限值Tl規(guī)定的允許變動范圍形成得窄。
相對于此，不連接接觸圖形的布線圖形52，在用箭頭F表示的區(qū)域中，不需要考慮與接觸圖形之間的開路。為此，就可以把用下限值Tl規(guī)定的允許變動范圍形成得寬。
圖14示出了要在布線圖形61的附近從上層形成接觸孔的情況。在該情況下，布線圖形61與接觸圖形CP之間的位置對準(zhǔn)很嚴(yán)格。為此，用箭頭G表示的布線圖形61與接觸圖形CP存在著短路的危險性的區(qū)域，把用上限值Tu規(guī)定的允許變動范圍設(shè)定得窄。用箭頭G表示的以外的區(qū)域，把用上限值Tu規(guī)定的允許變動范圍設(shè)定得寬。如上所述，就可以與上層的圖形和下層的圖形的位置關(guān)系相對應(yīng)地設(shè)定不同的大小的允許變動范圍。
另外，上述工藝，至少包括制作曝光掩模的步驟，用曝光掩模向襯底上邊復(fù)制抗蝕刻圖形的步驟，以及加工在襯底上邊形成的抗蝕刻圖形的步驟。
此外，其次那樣的圖形將成為檢驗對象。(1)已施行了OPC的圖形。因為要檢驗OPC是否已正確地進(jìn)行。(2)既是由光刻模擬抽出的圖形，又是由工藝變動所產(chǎn)生的尺寸和形狀的變化非常大的圖形。該圖形，可在進(jìn)行模擬時，在使光刻的曝光量、焦點、透鏡的像差等的工藝變動要因變化的情況下，作為尺寸變動大的圖形，就是說，作為光刻寬余量小的圖形抽出。(3)已對電路圖形進(jìn)行了變更或修正的區(qū)域的圖形。因為必須檢驗是否正確地反映了變更。
倘采用上述實施形態(tài)，采用與目標(biāo)數(shù)據(jù)相對應(yīng)地設(shè)置作為允許變動范圍的公差數(shù)據(jù)，并判定該公差數(shù)據(jù)和從在襯底上邊形成的圖形中抽出的輪廓數(shù)據(jù)之間的交叉部分的有無的辦法，檢驗在襯底上形成的圖形，為此，即便是那些僅僅用現(xiàn)有的尺寸測定難于評價的復(fù)雜的形狀的圖形，也可以容易地判定正確與否。
此外，公差數(shù)據(jù)，與目標(biāo)圖形的寬度、目標(biāo)圖形的面積、距目標(biāo)圖形的角部的距離、相鄰的圖形間的距離、在要把接觸圖形連接到布線圖形上的情況下從接觸圖形的周圍到布線圖形的周圍為止的距離、在與布線圖形相鄰地形成接觸圖形的情況下，布線圖形與接觸圖形之間的距離相對應(yīng)地具有上限值和下限值。為此，就可以比現(xiàn)有技術(shù)更為正確地檢驗圖形。
而且，也可以采用對于目標(biāo)圖形適宜地設(shè)定公差數(shù)據(jù)的辦法，實現(xiàn)元件的微細(xì)化而無須在圖形間超過需要地設(shè)定寬的寬余量。
此外，數(shù)據(jù)合成部分17，采用使輪廓數(shù)據(jù)CD和上限值Tu及下限值Tl變換成極坐標(biāo)數(shù)據(jù)，檢驗已變換成極坐標(biāo)數(shù)據(jù)的輪廓數(shù)據(jù)CD和上限值Tu及下限值Tl的交叉部分的辦法，判定圖形的良否。為此，與現(xiàn)有技術(shù)的測長方法比，可以縮短判定所需要的時間。
而且，采用使輪廓數(shù)據(jù)CD和上限值Tu及下限值Tl變換成極坐標(biāo)數(shù)據(jù)的辦法，就可以正確地把握輪廓數(shù)據(jù)CD和公差數(shù)據(jù)的圖形形狀。為此，就可以正確地檢驗例如復(fù)雜的圖形形狀或器件上的特征。
另外，在上述實施形態(tài)中，數(shù)據(jù)合成部分17，使公差數(shù)據(jù)的上限值Tu和下限值Tl，和從襯底上邊的圖形圖像抽出來的輪廓數(shù)據(jù)CD重疊，判定輪廓數(shù)據(jù)CD是否進(jìn)入了允許變動范圍內(nèi)。但是，并不限于此，也可以用目視進(jìn)行交叉判定。就是說，數(shù)據(jù)合成部17也可以使公差數(shù)據(jù)的上限值Tu和下限值Tl，和從襯底上邊的圖形圖像抽出來的輪廓數(shù)據(jù)CD重疊，在顯示裝置20上顯示該重疊的數(shù)據(jù)并用目視判定在顯示裝置20上顯示的數(shù)據(jù)。
此外，也可以在圖1所示的例如目標(biāo)設(shè)定部分12上設(shè)置模擬器，借助于該模擬器，根據(jù)從數(shù)據(jù)存儲裝置11供給的設(shè)計數(shù)據(jù)對各個工藝進(jìn)行模擬，把由該模擬所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)當(dāng)作目標(biāo)圖形(目標(biāo)數(shù)據(jù))。在該情況下，公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分16，就根據(jù)模擬所產(chǎn)生的目標(biāo)數(shù)據(jù)產(chǎn)生公差數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)合成部分17，則對由公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分16供給的公差數(shù)據(jù)和由目標(biāo)設(shè)定部分12供給的由模擬產(chǎn)生的目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行合成，判定這些的交叉部分的有無。數(shù)據(jù)合成部分17的判定結(jié)果，反饋給目標(biāo)設(shè)定部分12。目標(biāo)設(shè)定部分12根據(jù)該反饋的判定結(jié)果，或者變更各個工藝的模擬數(shù)據(jù)，或者變更OPC的參數(shù)。
采用做成為這樣的構(gòu)成的辦法，在可以提高模擬精度的同時，還可以正確地設(shè)定OPC的參數(shù)。
除此之外，不言而喻在不改變本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行種種的變形實施是可能的。
權(quán)利要求
1.一種集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于具備產(chǎn)生與根據(jù)半導(dǎo)體器件的設(shè)計數(shù)據(jù)設(shè)定的目標(biāo)圖形對應(yīng)的公差數(shù)據(jù)的第1產(chǎn)生部分；產(chǎn)生根據(jù)上述目標(biāo)圖形形成的半導(dǎo)體器件的圖形的圖像數(shù)據(jù)的第2產(chǎn)生部分；從由上述第2產(chǎn)生部分供給的圖像數(shù)據(jù)中抽出上述圖形的輪廓數(shù)據(jù)的抽出部分；被供給從上述第1產(chǎn)生部分供給的上述公差數(shù)據(jù)，和從上述抽出部分供給的上述輪廓數(shù)據(jù)，并使這些數(shù)據(jù)重疊的數(shù)據(jù)合成部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于上述數(shù)據(jù)合成部分，判定重疊起來的上述公差數(shù)據(jù)與上述輪廓數(shù)據(jù)有無交叉部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于上述數(shù)據(jù)合成部分，對已變換成極坐標(biāo)的上述公差數(shù)據(jù)與已變換成極坐標(biāo)的輪廓數(shù)據(jù)的交叉部分進(jìn)行判定。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于上述數(shù)據(jù)合成部分，在存在著上述公差數(shù)據(jù)與上述輪廓數(shù)據(jù)的交叉部分的情況下，至少輸出上述設(shè)計數(shù)據(jù)的修正指示、目標(biāo)的再設(shè)定或公差數(shù)據(jù)的修正指示。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于上述目標(biāo)圖形，是借助于模擬產(chǎn)生的圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于上述公差數(shù)據(jù)具有與目標(biāo)圖形的寬度、目標(biāo)圖形的面積、到目標(biāo)圖形的角部的距離、相鄰的圖形間的距離、上層圖形與下層圖形的位置關(guān)系之中的一個對應(yīng)的上限值和下限值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于上述公差數(shù)據(jù)，具有與在把接觸圖形連接到布線圖形上的情況下，從接觸圖形的至少一邊到上述布線圖形與該一邊平行的一邊為止的距離，及在與布線圖形相鄰地形成接觸圖形的情況下，布線圖形和接觸圖形之間的距離中的一個對應(yīng)的上限值和下限值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于在上述襯底上形成的作為檢驗對象的圖形，是已施行了光鄰近效應(yīng)修正后的圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于在上述襯底上形成的作為檢驗對象的圖形，是借助于光刻模擬抽出的圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路圖形檢驗裝置，其特征在于在上述襯底上形成的作為檢驗對象的圖形，是已對電路圖形進(jìn)行了變更或修正后的區(qū)域的圖形。
11.一種集成電路圖形檢驗方法，其特征在于產(chǎn)生由預(yù)定的工藝在襯底上形成的圖形的圖像數(shù)據(jù)，從上述所產(chǎn)生的圖像數(shù)據(jù)抽出上述圖形的輪廓數(shù)據(jù)，判定根據(jù)上述工藝中的目標(biāo)數(shù)據(jù)產(chǎn)生的公差數(shù)據(jù)和與該公差數(shù)據(jù)對應(yīng)的上述所抽出的輪廓數(shù)據(jù)有無交叉部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路圖形檢驗方法，其特征在于上述工藝，至少包括制作曝光掩模的步驟，用上述曝光掩模把抗蝕刻圖形復(fù)制到上述襯底上的步驟，對在上述襯底上形成的抗蝕刻圖形進(jìn)行加工的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路圖形檢驗方法，其特征在于上述公差數(shù)據(jù)具有與目標(biāo)圖形的寬度、目標(biāo)圖形的面積、到目標(biāo)圖形的角部為止的距離、相鄰的圖形間的距離、上層圖形與下層圖形的位置關(guān)系之中的一個對應(yīng)的上限值和下限值。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路圖形檢驗方法，其特征在于上述公差數(shù)據(jù)，具有與在把接觸圖形連接到布線圖形上的情況下，從接觸圖形的至少一邊到上述布線圖形與該一邊平行的一邊為止的距離，及在與布線圖形相鄰地形成接觸圖形的情況下，布線圖形和接觸圖形之間的距離之中的一個對應(yīng)的上限值和下限值。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的集成電路圖形檢驗方法，其特征在于上述上限值和上述下限值，具有與在目標(biāo)圖形的各個部分中被認(rèn)為是必要的尺寸精度對應(yīng)的值。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路圖形檢驗方法，其特征在于在上述襯底上形成的作為檢驗對象的圖形，是已施行了光鄰近效應(yīng)修正后的圖形。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路圖形檢驗方法，其特征在于在上述襯底上形成的作為檢驗對象的圖形，是借助于光刻模擬抽出的圖形。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路圖形檢驗方法，其特征在于在上述襯底上形成的作為檢驗對象的圖形，是已對電路圖形進(jìn)行了變更或修正后的區(qū)域的圖形。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路圖形檢驗方法，其特征在于上述判定的結(jié)果，在存在著上述公差數(shù)據(jù)與上述輪廓數(shù)據(jù)的交叉部分的情況下，至少輸出上述各個工藝的修正指示或公差數(shù)據(jù)的修正指示。
全文摘要
一種集成電路圖形檢驗裝置和方法。要短時間而且正確地檢驗圖形是困難的。解決方式是公差數(shù)據(jù)產(chǎn)生部分(16)產(chǎn)生與根據(jù)設(shè)計數(shù)據(jù)設(shè)定的目標(biāo)圖形對應(yīng)的公差數(shù)據(jù)。攝像裝置(18)產(chǎn)生根據(jù)目標(biāo)圖形形成的半導(dǎo)體器件的圖形的圖像數(shù)據(jù)。輪廓抽出部分(19)從由攝像裝置(18)供給的圖像數(shù)據(jù)中抽出圖形的輪廓數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)合成部分(17)合成由公差數(shù)據(jù)超短波法(16)供給的公差數(shù)據(jù)，和由輪廓抽出部分(19)供給輪廓數(shù)據(jù)，判定這些數(shù)據(jù)的交叉部分的有無。
文檔編號G01B21/20GK1601225SQ20041008007
公開日2005年3月30日 申請日期2004年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月25日
發(fā)明者伊東健志, 池田隆洋, 橋本耕治 申請人:株式會社東芝