專利名稱：探針片、探針卡、半導(dǎo)體檢查裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及探針片、探針卡、半導(dǎo)體檢查裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
在圖21中，示出在晶片上形成半導(dǎo)體電路后進(jìn)行的半導(dǎo)體裝置的制造工序中的以檢查工序為主的流程的一例，其中以代表性的半導(dǎo)體裝置的出貨形態(tài)即封裝品、裸片及CSP為例。
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，如圖21所示，從大的方面區(qū)分，進(jìn)行如下三種檢查。首先是在晶片上形成半導(dǎo)體元件電路及電極的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的把握導(dǎo)通狀態(tài)及半導(dǎo)體元件的電信號動作狀態(tài)的晶片檢查，其次是將半導(dǎo)體元件置于高溫及高施加電壓的狀態(tài)下摘出不穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件的預(yù)燒篩選(burn-in，以下簡稱“篩選”)檢查，以及在半導(dǎo)體裝置出貨前把握制品性能的分級檢查。
作為在進(jìn)行這種半導(dǎo)體裝置的檢查中使用的裝置(半導(dǎo)體檢查裝置)的現(xiàn)有技術(shù)，有日本專利特開昭64-71141號公報(以下稱其為專利文獻(xiàn)1)。此技術(shù)是采用在兩端具有插針(可動插針)的彈簧探針。就是說，使彈簧探針的一端側(cè)的可動插針接觸檢查對象物(例如晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件)，通過電連接進(jìn)行檢查。
另外，作為另一種現(xiàn)有技術(shù)，有特開平8-50146號公報(以下稱其為專利文獻(xiàn)2)。此技術(shù)是通過將硅的各向異性刻蝕產(chǎn)生的孔穴作為型材形成的接觸端子與檢查對象物的電極相接觸，通過電連接進(jìn)行檢查。

發(fā)明內(nèi)容
可是，在上述專利文獻(xiàn)1中，存在由于以機械結(jié)構(gòu)(具有可動插針的彈簧探針)形成接觸端子，不能與以狹窄間距配置的半導(dǎo)體元件的電極相對應(yīng)的問題。
另一方面，在上述專利文獻(xiàn)2中，由于接觸端子利用硅的刻蝕穴形成的，可以與以狹窄間距形成的半導(dǎo)體元件的電極相對應(yīng)。所以，利用這種結(jié)構(gòu)，檢查晶片的半導(dǎo)體元件中的一個是沒有問題的。
可是，作為檢查對象的電極數(shù)增加時，例如在同時檢查晶片狀態(tài)的多個半導(dǎo)體元件的場合，從接觸端子到布線基板形成引線布線很難。具體言之，如果接觸端子的數(shù)目增加，當(dāng)然從接觸端子到多層布線基板的引線布線的數(shù)目也增加。與此相對應(yīng)，考慮將配線層做成為多層配線而不使從各接觸端子發(fā)出的布線短路，接觸端子，在配線層的上方形成，無論何層形成配線層，制造工序都變得復(fù)雜，技術(shù)困難性增加。
本發(fā)明的目的在于提供一種可以對具有狹窄間距的電極結(jié)構(gòu)的多個半導(dǎo)體元件匯總進(jìn)行檢查的檢查裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種通過抑制半導(dǎo)體裝置的檢查工序的成本，抑制半導(dǎo)體裝置的整體的制造成本，并且提高生產(chǎn)率的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
對于用來達(dá)到上述任何一個目的，在本申請中公開的發(fā)明之中的代表性的方案可簡單說明如下。
(1)一種探針片，其特征在于具有與設(shè)置于晶片上的電極接觸的接觸端子、從該接觸端子引出的布線、和與該布線電連接的電極焊盤，該電極焊盤的間距比該接觸端子的間距更寬。
(2)一種探針卡，其特征在于包括與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的探針片、和與該接觸端子電連接的電極設(shè)置于與該晶片對置的面上的多層布線基板，設(shè)置于與該多層布線基板的該晶片對置的面上的電極的間距比該接觸端子的間距更寬。
(3)一種探針卡，其特征在于包括具有與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的接觸端子和具有與該接觸端子電連接的多層布線基板，該多層布線基板的電極設(shè)置于該多層布線基板的元件對置區(qū)域，設(shè)置的間距比該接觸端子的間距更寬。
(4)一種半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于包括承載晶片的試樣臺、和具有與在該晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電極相接觸的接觸端子，并且與檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的測試器電連接的探針卡，該探針卡包括具有該接觸端子的探針片、和與該接觸端子電連接的電極設(shè)置于與該晶片對置的面上的多層布線基板，設(shè)置于與該多層布線基板的該晶片對置的面上的電極的間距比該接觸端子的間距更寬。
(5)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在晶片上制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序，檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序，和對該晶片進(jìn)行劃片而使該半導(dǎo)體元件各個分離的工序，其特征在于在檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序中，利用具有與該半導(dǎo)體元件的電極相接觸的接觸端子的探針片和與該接觸端子電連接、并且間距比該接觸端子的間距更寬的電極設(shè)置于與該晶片對置的面上、具有多層布線基板的探針卡，對多個半導(dǎo)體元件匯總進(jìn)行檢查。


圖1中的(a)為示出作為排列半導(dǎo)體元件(芯片)的被接觸對象的晶片的斜視圖，(b)為示出半導(dǎo)體元件(芯片)的斜視圖。
圖2中的(a)為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式1的要部的剖面圖，(b)為示出初始時模仿晶片面的傾斜的探針卡的狀態(tài)的剖面圖，(c)為示出在晶片面上施加所要求的負(fù)載時實施電特性檢查的探針卡的狀態(tài)的剖面圖。
圖3的(a)、(b)為示出本發(fā)明的探針卡的探針片的布線模式的一例的示圖。
圖4為示出本發(fā)明的探針卡的組裝方法的概略圖。
圖5為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式2的要部的剖面圖。
圖6為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式3的要部的剖面圖。
圖7為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式4的要部的剖面圖。
圖8為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式5的要部的剖面圖。
圖9為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式6的要部的剖面圖。
圖10的(a)～(g)為示出形成本發(fā)明的探針卡的探針片(結(jié)構(gòu)體)部分的制造過程的一部分的示圖。
圖11的(h)～(k)為示出接著上述圖10的(a)～(g)的制造過程的示圖。
圖12的(a)～(g)為示出形成本發(fā)明的探針卡的探針片的另一制造過程的工序步驟的示圖。
圖13的(a)～(d)為示出形成本發(fā)明的探針卡的探針片的另一制造過程的工序步驟的示圖，(e1)及(e2)為示出本發(fā)明的探針卡的探針片的概略剖面圖。
圖14的(a)、(b)為示出形成本發(fā)明的探針卡的探針片的另一制造過程的工序步驟的示圖，(c)為示出探針片的概略剖面圖。
圖15的(a)～(c)為示出形成本發(fā)明的探針卡的探針片的另一制造過程的工序步驟的示圖，(d)為示出探針片的概略剖面圖。
圖16的(a)～(b)為示出形成本發(fā)明的探針卡的探針片的另一制造過程的工序步驟的示圖，(c)為示出形成(b)的接觸端子部8的區(qū)域的一部分從(b)的下面觀察的平面圖。
圖17的(a)～(b)為示出形成本發(fā)明的探針卡的探針片的另一制造過程的工序步驟的示圖，(c)為示出形成(b)的接觸端子部8的區(qū)域的一部分從(b)的下面觀察的平面圖。
圖18的(a)～(b)為示出形成本發(fā)明的探針卡的探針片的另一制造過程的工序步驟的示圖，(c)為示出探針片的概略剖面圖。
圖19為示出本發(fā)明的檢查系統(tǒng)的一實施方式的整體概略結(jié)構(gòu)的示圖。
圖20為示出利用半導(dǎo)體檢查裝置的檢查方法的一實施方式的示圖。
圖21為示出半導(dǎo)體檢查裝置的檢查工序的一實施方式的工序圖。
圖22為通過檢查工序在電極焊盤上殘留的壓痕的上視圖，(a)為示出在鋁電極焊盤上殘留的壓痕，(b)為示出在金凸點上殘留的壓痕的示圖。
圖23為在檢查工序后形成封裝或凸點的半導(dǎo)體裝置的代表例的概略剖面圖，(a)為QFP，(b)為BGA，(c)為倒裝芯片型的概略剖面圖。
圖24的(a)為利用現(xiàn)有的探針檢查之后的半導(dǎo)體元件的電極焊盤的概略剖面圖，(b)為對檢查之后的半導(dǎo)體元件實施鍵合之后的電極焊盤的概略剖面圖。
圖25的(a)為在本申請中公開的利用接觸端子檢查之后的半導(dǎo)體元件的電極焊盤的概略剖面圖，(b)為對檢查之后的半導(dǎo)體元件實施鍵合之后的電極焊盤的概略剖面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖對本發(fā)明的實施方式予以詳細(xì)說明。另外，在用于說明發(fā)明的實施方式的各個附圖中，具有同一功能的部件賦予了同一符號，其重復(fù)說明省略。
在本說明書中，主要術(shù)語定義如下。所謂的半導(dǎo)體裝置，不管其形態(tài)如何，無論是形成回路的晶片狀態(tài)的部件，還是半導(dǎo)體元件，只要是其后進(jìn)行封裝的部件(QFP、BGA、CSP)就都可以。所謂的探針片，指的是設(shè)置有與檢查對象相接觸的接觸端子和從該處引出的布線，并且形成了使該布線與外部連接用的電極的薄膜，以厚度10μm～100μm左右為對象。所謂的探針卡，表示的是具有與檢查對象相接觸的端子、多層布線基板等的結(jié)構(gòu)體(例如，圖2所示的結(jié)構(gòu)體)。所謂的半導(dǎo)體檢查裝置表示的是具有承載探針卡和檢查對象的試樣支持系統(tǒng)的檢查裝置。
如圖1所示，在晶片上形成多個作為被檢查對象的一例的LSI用的半導(dǎo)體元件(芯片)2，之后切開以供使用。
圖1中的(a)示出并列多個LSI用的半導(dǎo)體元件2的晶片1的斜視圖，圖1的(b)為示出一個半導(dǎo)體元件2的擴大斜視圖。在半導(dǎo)體元件2的表面沿著周邊配列有多個電極3。
但是，隨著半導(dǎo)體元件的高度集成化，上述電極3處于一種更進(jìn)一步高密度化和狹間距化的狀態(tài)。作為電極的狹間距化，已經(jīng)達(dá)到0.1mm以下，例如，0.08mm、0.05mm及其以下，作為電極的高密度化，沿著周邊排列從一列到2列，更進(jìn)一步有全面排列的傾向。
另外，還出現(xiàn)了通過在高溫下對半導(dǎo)體元件進(jìn)行工作試驗，來實施明確把握半導(dǎo)體元件的特性及可靠性的高溫工作試驗(85℃～150℃)的傾向。
本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置，是對應(yīng)上述電極的高密度化及狹間距化，并且可以對多個芯片同時進(jìn)行探針檢測和利用高速電信號(100MHz～數(shù)GHz)進(jìn)行檢查的裝置。
另外，通過采用具有150℃的耐熱性、且線膨脹率與被檢查對象接近的材料作為半導(dǎo)體檢查裝置的探針卡的一部分的結(jié)構(gòu)材料，可以防止由于氛圍氣溫度引起的探針前端部的位置偏離。
下面對本發(fā)明的探針卡的結(jié)構(gòu)予以說明。
圖2示出了本發(fā)明的探針卡的實施方式1的要部、并分階段示出在晶片面的電極群和檢查裝置的觸點群之間存在一定的傾斜時的探針檢測時的動作。圖2(a)示出探針檢測動作緊前的檢查裝置的狀態(tài)，圖2(b)示出初始時模仿晶片面的傾斜的檢查裝置的狀態(tài)，圖2(c)示出在晶片面上施加所要求的負(fù)載時實施電特性檢查的檢查裝置的狀態(tài)的剖面圖。
圖2(a)示出探針檢測動作緊前的檢查裝置的狀態(tài)。
在對中間夾著壓緊構(gòu)件保持基板11a的彈簧探針定位上部基板11b及彈簧探針定位下部基板11c進(jìn)行固定的壓緊構(gòu)件11中間，插入彈簧探針12，該彈簧探針12的一端與多層布線基板50的電極50a相連接，另一端定位于探針片4的電極4d的正上方。另外，在探針片4的周圍固定的探針片框5固定于探針片保持基板6之上。
此處，探針片4的平行伸出及加壓機構(gòu)部包括在多層布線基板50上固定設(shè)置的臨時平行伸出支撐構(gòu)件(下)7上利用多個輔助彈簧20壓緊的探針片保持基板6、以及在多層布線基板50上固定設(shè)置的臨時平行伸出支撐構(gòu)件(上)10上利用多個主彈簧21壓緊的壓緊構(gòu)件保持基板11a，插入壓緊構(gòu)件11的彈簧探針12，在定位于探針片4的正上方的狀態(tài)下，保持不與電極4d接觸的狀態(tài)。但是，處于與電極4d有輕微接觸的狀態(tài)當(dāng)然也是可以的。
圖2(b)，作為下一個階段，示出的是探針片4通過對具有傾斜的晶片1的面壓緊，經(jīng)過探針片框5將此探針片4的初始變動傳給探針片保持基板6，將一部分輔助彈簧20予以一定的推壓而模仿晶片1的傾斜狀態(tài)。在此狀態(tài)下，全接觸端子變成為與晶片的電極接觸的狀態(tài)。此處，通過極力減小輔助彈簧20的彈簧壓力(例如1N左右)，可以在減少對最初開始接觸的接觸端子群的負(fù)載的負(fù)擔(dān)的同時，實現(xiàn)全接觸端子以低負(fù)載與電極接觸的狀態(tài)。
圖2(c)，作為最后階段，示出在晶片面上施加所要求的負(fù)載時實施電特性檢查的試驗裝置的狀態(tài)。在此狀態(tài)下，主彈簧21、輔助彈簧20、以及彈簧探針12的合計負(fù)載加到全接觸端子上，彈簧探針12變成與探針片4的電極4d相接觸的狀態(tài)，經(jīng)過與晶片1的電極3相接觸的接觸端子4a、接觸電極部4b、間距擴大布線4c、電極4d、彈簧探針12、電極50a、內(nèi)部布線50b、電極50c，在和檢查半導(dǎo)體元件的電特性的測試器(未圖示)之間實施檢查用電信號的接受和發(fā)送(收發(fā))。
另外，與上述多層布線基板50的電極50a和電極50c的電連接，是通過用來防止半導(dǎo)體裝置的檢查信號畸變的電容及電阻、用來斷開不良半導(dǎo)體元件的過電流的熔斷器等的基板搭載部件51連接的。此處，為了獲得上述效果，熔斷器，既可以對各個電極或各個半導(dǎo)體元件每一個都設(shè)置，也可以對多個電極或半導(dǎo)體元件每一群設(shè)置一個。在從接觸端子幾乎垂直地引出布線(實施方式1中的彈簧探針)，與設(shè)置于多層布線基板上的電極50a相連接的本結(jié)構(gòu)中，可將上述基板搭載部件51最靠近晶片1的電極3配置。由于電極3至基板搭載部件51的距離縮短，可以使信號穩(wěn)定，可以與高速電信號相對應(yīng)。此處，所謂多層布線基板的元件對置區(qū)域，指的是與多層布線基板之中探針片的上部或在晶片上形成的成為檢查對象的半導(dǎo)體元件的上部或其附近相對應(yīng)的區(qū)域。
另外，輔助彈簧20及主彈簧21，可以采用具有適度的彈簧壓力的彈簧頂桿或彈簧探針或彈簧等。另外，為了附加彈性力在探針片4上當(dāng)然也可以采用彈性體。
下面參照附圖3對上述的探針片4的布線模式予以說明。
圖3為示出形成接觸端子4a、接觸電極部4b、間距擴大布線4c及垂直引出用的電極4d(彈簧探針或絲探針)的探針片的布線模式的一例的示圖。圖3(a)為每個半導(dǎo)體元件2(芯片)獨立形成上述布線模式的示例，圖3(b)為橫跨半導(dǎo)體元件2形成上述布線模式的示例(為參考起見，記載了探針片4上與半導(dǎo)體元件2相對應(yīng)的區(qū)域)。
其中具有任何一個垂直引出用的電極4d(電極焊盤)的間距都比接觸端子4a的間距大的特征。通過采用對此間距擴大的電極4d用垂直引出用的連接部(彈簧探針或絲探針等)進(jìn)行電連接的結(jié)構(gòu)，到檢測器的布線引出變得容易，在具有狹窄間距和高密度的電極的半導(dǎo)體元件中也可應(yīng)用。
此處，為使半導(dǎo)體元件2的電極排列的改變及試驗所必需的電極焊盤數(shù)改變更容易對應(yīng)，也可以在探針片上設(shè)想預(yù)備電極106，在與這些電極相對應(yīng)的設(shè)想位置上，預(yù)先在彈簧探針定位上部基板11b和彈簧探針定位下部基板11c上設(shè)定彈簧探針及絲探針插入用的孔穴。另外，在本實施方式中，電極排列模式設(shè)定為正方格子形狀，但并不限定于此，三角格子狀、六角格子狀等等種種改變都是可以的。此外，對于接地系電極，可以配置于信號系電極的外側(cè)，可以將多個接地系電極(或電源系電極)中的數(shù)個合成為一個。
作為在探針片4上設(shè)置的接觸端子4a，可以使用利用具有結(jié)晶性的構(gòu)件的各向異性刻蝕產(chǎn)生的孔穴形成的角錐狀或截棱錐狀的接觸端子。因此，可以確保利用小針壓(和電極的接觸壓每一個插針大約為3～50mN)得到穩(wěn)定的接觸電阻(0.05Ω～0.1Ω左右)，可以在防止損傷芯片的同時，使在檢查時對半導(dǎo)體元件的壓痕減小。另外，關(guān)于接觸端子4a、探針片4的細(xì)節(jié)與其制造方法一起見后述。
將具有圖3所示的布線模式的探針片4，安裝到圖2所示的壓緊機構(gòu)中就完成探針卡。就是說，如圖4所示，首先在利用定位銷16固定中間夾著壓緊構(gòu)件保持基板11a的彈簧探針定位上部基板11b及彈簧探針定位下部基板11c的壓緊構(gòu)件11中間插入彈簧探針12，該壓緊構(gòu)件11內(nèi)包于臨時平行伸出支撐構(gòu)件(上)10中，將該臨時平行伸出支撐構(gòu)件(上)10固定于多層布線基板安裝固定板15。之后，利用臨時平行伸出支撐構(gòu)件(下)7將探針片保持基板6內(nèi)包于探針片4的探針片框5中，將該臨時平行伸出支撐構(gòu)件(下)7固定于多層布線基板安裝固定板15。之后，在將該固定板15利用定位銷16定位的同時，固定于固定板15。其后，將輔助彈簧20及主彈簧21以所要求的初始負(fù)載固定于多層布線基板安裝固定板15而構(gòu)成探針卡。
下面參照附圖5對本發(fā)明的探針卡的實施方式2予以說明。本實施方式是采用絲探針12a代替圖2的彈簧探針12。通過在引出用的連接部采用絲，與彈簧探針自身的寬度引起界限的實施方式1相比較，可以以更狹窄的間距進(jìn)行配置，也可以更進(jìn)一步地對應(yīng)半導(dǎo)體元件電極3的高密度化。在晶片1面的電極群3和探針卡的接觸端子4a之間存在一定傾斜時的探針檢測的動作與圖2說明的相同，予以省略。
圖6為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式3的要部的剖面圖。從探針片4上的引出用電極4d到多層布線基板50的電極50a，利用鍵合絲55確保導(dǎo)通。鍵合絲55，可采用金線或以絕緣材料包敷的金線。探針卡的可動部，由經(jīng)探針片框5將探針片4固定于探針片保持基板6a，并且該探針片保持基板6a由多個輔助彈簧20壓緊到固定設(shè)置于多層布線基板50上的臨時平行伸出支撐構(gòu)件(下)7a，設(shè)置于探針片保持基板6a的中央并且固定設(shè)置于多層布線基板50的主彈簧(中間樞軸)21a構(gòu)成。此處，通過使上述主彈簧21a的前端與上述探針片保持基板6a的上面離開若干(約0.05mm)距離，在初始的模仿動作時可以防止在全接觸端子接觸晶片面的電極群之前，接觸端子群的一部分承受主彈簧21a的負(fù)載而在一部分的接觸端子群上承受集中負(fù)載。在晶片面的電極群和接觸端子群之間存在一定的傾斜時的探針檢測的動作，通過壓緊探針片4具有傾斜的晶片1的面，經(jīng)過探針片框5將此探針片4的初始變動傳給探針片保持基板6a，將一部分輔助彈簧20予以一定的推壓而模仿晶片1的傾斜狀態(tài)，全接觸端子變成為接觸晶片的電極的狀態(tài)。此處，通過極力減小輔助彈簧20的彈簧壓力(例如1N左右)，可以在減少對最初開始接觸的接觸端子群的負(fù)載的負(fù)擔(dān)的同時，實現(xiàn)全接觸端子以低負(fù)載與電極接觸的狀態(tài)。
此外，通過將探針片4壓入規(guī)定值(過載量)，主彈簧21a、輔助彈簧20的合計負(fù)載(所要求的負(fù)載)加到全接觸端子上 在此狀態(tài)下，與晶片1的電極3相接觸的接觸端子4a、間距擴大布線4c、電極4d、鍵合絲55、電極50a、內(nèi)部布線50b、電極50c，在和檢查半導(dǎo)體元件的電特性的測試器(未圖示)之間實施檢查用電信號的接受和發(fā)送(收發(fā))。
圖7為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式4的要部的剖面圖。與探針卡的實施方式1不同之處在于彈簧探針12的一端不與圖2的多層布線基板50的電極50a相接觸，而與在電極固定基板60上形成的電極60a相接觸這一點。在此結(jié)構(gòu)中，經(jīng)過來自電極60a的引出線60b，利用軟釬焊對固定該電極固定基板60的多層布線基板50的電極50d進(jìn)行布線。由此，可以改變引出線60b和多層布線基板50的電極50d的連接，對探針片4的每個布線模式無須為專用制作多層布線基板50，可以共用，所以可以降低成本。另外，由于彈簧探針12可以卸下，與探針片4的布線模式可以靈活對應(yīng)。引出線60b，既可以是以銅為芯線的漆包線或金的鍵合絲，也可以是同軸纜線。
此處，也可以用絲探針12a代替彈簧探針12。由此，除了多層布線基板50的共用化產(chǎn)生的成本降低之外，還可以與檢查元件的高密度化相對應(yīng)。
圖8為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式5的要部的剖面圖。從探針片4上的引出用電極4d到多層布線基板50的電極50d的結(jié)構(gòu)為，將一端與探針片4的引出用電極4d相連接的鍵合絲55a的另一端與布線片62的電極62a相連接，將引出線60b與經(jīng)過該布線片62的內(nèi)部布線62b的電極62c相連接，而與固定布線片62的多層布線基板50的電極50d相連接。利用這一結(jié)構(gòu)，可以改變引出線60b和多層布線基板50的電極50d的連接，可以共用多層布線基板50。引出線60b，既可以是以銅為芯線的漆包線或金的鍵合絲，也可以是同軸纜線。
探針卡的可動部，與圖6所示的探針卡的實施方式3的結(jié)構(gòu)大致相同，其不同點為臨時平行伸出支撐構(gòu)件(下)7a不是由多層布線基板50，而是由另外設(shè)置的固定基板61固定設(shè)置。
圖9為示出本發(fā)明的探針卡的實施方式6的要部的剖面圖。檢查用信號布線的連接方法與圖7所示的方法一樣。其結(jié)構(gòu)為利用板簧21b代換利用圖7的主彈簧21的壓緊機構(gòu)，將板簧21b的一端固定于電極60a的電極固定基板60，而該板簧21b的另一端固定于板簧固定基板65，該板簧固定基板65通過固定輔助彈簧20及臨時平行伸出支撐構(gòu)件(上)10而固定于多層布線基板50。
此處也可以用絲探針12a代替彈簧探針12。
下面參照圖10、圖11對上述探針卡使用的探針片(結(jié)構(gòu)體)的一例的制造方法予以說明。
圖10為示出在用來形成圖2所示的探針卡的制造過程之中，特別是，利用在作為型材的硅晶片80上通過各向異性刻蝕形成的截棱錐狀的孔穴，使截棱錐狀的接觸端子前端部形成間距擴大用的布線，將金屬膜以聚酰亞胺粘合片進(jìn)行粘合并對該金屬膜進(jìn)行加工而形成引出電極的金屬強化薄膜探針片的形成的制造過程的工序步驟。
首先，執(zhí)行圖10(a)所示的工序。此工序包括使厚0.2～0.6mm的硅晶片80的(100)面的兩面通過熱氧化形成大約0.5μm的二氧化硅薄膜81，用光致抗蝕劑85涂敷，在利用光刻工序形成圖形之后，將光致抗蝕劑85制成掩模，利用氟酸和氟化胺的混合液進(jìn)行刻蝕除去二氧化硅薄膜81。
之后，執(zhí)行圖10(b)所示的工序。此工序包括，將上述二氧化硅薄膜81作為掩模，利用強堿液(例如氫氧化鉀)進(jìn)行各向異性刻蝕，而形成由(111)面包圍的截棱錐狀的刻蝕孔穴80a。
此處，在本實施方式中是以硅晶片80作為型材，但作為型材，只要是具有結(jié)晶性的材料就可以，在其范圍內(nèi)可以有種種改變是自不待言的。另外，在本實施方式中，是假設(shè)利用各向異性刻蝕的孔穴是截棱錐狀，此形狀也可以是棱錐狀，在可以形成能夠以小的針壓確保穩(wěn)定的接觸電阻程度的接觸端子4a的形狀的范圍內(nèi)，可以有種種改變。
之后，利用氟酸和氟化胺的混合液對用作掩模的二氧化硅薄膜進(jìn)行刻蝕而將其除去，再一次通過在濕氧中對硅晶片80的全面進(jìn)行熱氧化而形成約0.5μm的二氧化硅薄膜82。
之后，執(zhí)行圖10(c)所示的工序。此工序包括，在二氧化硅薄膜82的表面上形成導(dǎo)電覆蓋層83，之后在上述導(dǎo)電覆蓋層83的表面上形成聚酰亞胺薄膜84，接著，將在應(yīng)該形成接觸端子4a的位置的聚酰亞胺薄膜84除去露出上述導(dǎo)電覆蓋層83的表面。
作為上述導(dǎo)電覆蓋層83，例如，可利用濺射法或蒸著法使鉻形成薄膜而得到厚度約為0.1μm的鉻膜，也可以在形成該鉻膜的表面上利用濺射法或蒸著法使銅形成薄膜而得到厚度為約為1μm的銅膜。
為除去上述聚酰亞胺薄膜84，例如，也可以采用激光打孔加工或在聚酰亞胺薄膜84的表面形成鋁掩模采用干法刻蝕。
之后，執(zhí)行圖10(d)所示的工序。首先，在聚酰亞胺薄膜84的開口部露出的導(dǎo)電覆蓋層83上，以該導(dǎo)電覆蓋層83作為電極，以硬度高的材料作為主要成分進(jìn)行電鍍，整體形成接觸端子4a及接觸電極部4b。作為硬度高的材料，例如，可以順序地將鎳8a、銠8b、鎳8c進(jìn)行電鍍而將接觸端子4a和接觸電極部4b作為一體而形成接觸端子部8。
之后，在上述接觸端子部8及聚酰亞胺薄膜84上形成導(dǎo)電覆蓋層86，在形成光刻掩模87之后，對布線材料88進(jìn)行電鍍。
作為上述導(dǎo)電覆蓋層，例如，可利用濺射法或蒸著法使鉻形成薄膜而得到厚度約為0.1μm的鉻膜，也可以在形成該鉻膜的表面上利用濺射法或蒸著法使銅形成薄膜而得到厚度為約為1μm的銅膜。另外，作為布線材料也可以使用銅。
之后，執(zhí)行圖10(e)所示的工序。此工序包括除去上述光刻掩模87，并在以布線材料88作為掩模通過軟刻蝕除去導(dǎo)電覆蓋層86之后，形成粘合層89及金屬膜90。
此處，作為粘合層89，例如，可采用聚酰亞胺系粘合片或環(huán)氧系粘合片。另外，作為金屬膜90，采用以42合金(由鎳42％和鐵58％構(gòu)成的合金，線膨脹率4ppm/℃)或殷鋼(又稱因瓦合金，例如，由鎳36％及鐵64％構(gòu)成的合金，線膨脹率1.5ppm/℃)這樣的低線膨脹率，并且接近硅晶片(硅型材)80的線膨脹率的金屬片，利用粘合層89粘合到形成布線材料88的聚酰亞胺薄膜84上的這樣的結(jié)構(gòu)形成探針片4，可以獲得強度的提高和大面積化，除此之外，可以防止檢查時由于溫度引起位置偏離等而可以確保各種狀況下的位置精度。在這一主旨下，作為金屬膜90，目的是在篩選檢查時確保位置精度，最好是采用接近檢查對象的半導(dǎo)體元件的線膨脹率的材料。
上述粘合工序，例如，也可以將形成用于形成上述圖10(d)的接觸端子部8及布線材料88的聚酰亞胺薄膜84的硅晶片80和粘合層89及金屬膜90疊置，在施加10～200Kgf/cm2的壓力的同時將溫度增加到粘合層89的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)以上的溫度在真空中加熱加壓進(jìn)行粘合。
之后，執(zhí)行圖10(f)所示的工序。首先，在上述金屬膜90上形成光刻掩模，對金屬膜90進(jìn)行刻蝕。在采用42合金膜或殷鋼片作為金屬膜90時可以利用高氯化鐵進(jìn)行噴霧刻蝕。另外，作為光刻掩模，既可以是液態(tài)抗蝕劑，也可以是薄膜狀抗蝕劑(干膜)。
之后，除去上述光刻掩模，進(jìn)行打孔加工除去與電極92相對應(yīng)的部分的粘合層89一直到露出布線材料88的表面。在利用激光加工實施打孔加工時，也可利用金屬膜90a作為掩模。作為打孔加工的方法，可以采用準(zhǔn)分子激光或二氧化碳激光這樣的激光加工，也可以采用干法刻蝕。
之后，執(zhí)行圖10(g)所示的工序。此工序是在與上述打孔加工的電極92相對應(yīng)的區(qū)域中進(jìn)行鎳電鍍92a后接著進(jìn)行金電鍍92b之后，在與接觸部8相對應(yīng)的部分上形成彈性體(彈性材料)93。電鍍可以以布線材料88作為電極進(jìn)行電鍍。此處，之所以原樣保留金屬膜90形成電極，是因為除了可得到在圖10(e)的工序的說明中記載的效果外，金屬膜90可以用作接地層，從而可以具有防止信號畸變等的效果。
作為彈性體93，例如，可以將彈性樹脂通過印刷或分配器涂布設(shè)置成為硅片。作為彈性體93的作用，是為了在多個接觸端子的前端與半導(dǎo)體晶片1上排列的電極3相接觸時，使作為整體的沖擊得到緩和，同時將在探針片上形成的各個接觸端子的前端的高度的大約數(shù)μm以下的偏差通過局部變形吸收而模仿排列于半導(dǎo)體晶片1上的各被接觸材(電極)3的高度的大約±0.5μm的偏差進(jìn)行均勻的咬入接觸。
之后，執(zhí)行圖11(h)所示的工序。此工序是將探針片框5及加工環(huán)95以粘合劑96固著于上述金屬膜90，在將保護(hù)膜97固著于該探針片框5及加工環(huán)95之后，將中央剜空的保護(hù)膜98作為掩模利用氟酸和氟化胺的混合液進(jìn)行刻蝕除去二氧化硅。
之后，執(zhí)行圖11(i)所示的工序。此工序是將上述保護(hù)膜97及保護(hù)膜98剝離，安裝硅刻蝕用保護(hù)夾具100，進(jìn)行刻蝕而將硅除去。
例如，在中間固定板100c上用螺旋固定上述框5，在不銹鋼制的固定夾具100a和不銹鋼制的蓋子100b之間經(jīng)過O形密封圈100d安裝，將作為型材的硅晶片80以強堿液(例如，氫氧化鉀)刻蝕除去。
之后，執(zhí)行圖11(j)所示的工序。此工序是將上述硅刻蝕用保護(hù)夾具100取下，粘上保護(hù)膜101，利用刻蝕將二氧化硅、鉻、銅及鎳除去。
也可利用氟酸和氟化胺的混合液進(jìn)行刻蝕除去二氧化硅薄膜82，利用過錳酸鉀溶液進(jìn)行刻蝕除去鉻膜，利用堿性銅刻蝕液進(jìn)行刻蝕除去銅膜及鎳膜。
另外，這一系列的刻蝕處理的結(jié)果，之所以要利用在接觸端子表面上露出的電鍍銠，是由于作為電極3的材料的軟釬料(焊錫)及AI等難以附著，硬度比鎳更高、不易氧化、接觸電阻穩(wěn)定。
之后，執(zhí)行圖11(k)所示的工序。首先，在探針片框5和粘合層89之間涂敷粘合劑96b，在擠壓該探針片框5的同時將探針片框5的端部固著于變形的粘合層89。
之后，沿著上述探針片框5的外周部將成為一體的聚酰亞胺薄膜84、粘合層89及粘合劑96b切出而制成探針片結(jié)構(gòu)體105。
下面參照附圖12對與上述探針片(結(jié)構(gòu)體)不同的實施方式2的探針片(結(jié)構(gòu)體)的結(jié)構(gòu)及其制造工序予以說明。
圖12(a)～(g)為示出形成探針片(結(jié)構(gòu)體)的另一制造工藝的工序步驟的示圖。
首先在圖10(a)、(b)所示的硅晶片80上形成角錐狀的刻蝕孔穴80a，在對其表面執(zhí)行形成二氧化硅薄膜82的工序之后，執(zhí)行圖12(a)所示的工序。此工序是執(zhí)行在二氧化硅薄膜82上形成的導(dǎo)電覆蓋層83的表面上形成光刻掩模85a并開口形成接觸端子部8的工序。
之后，執(zhí)行將圖12(b)所示的上述光刻掩模85a作為掩模，將上述導(dǎo)電覆蓋層83作為供電層進(jìn)行電鍍，一體形成接觸端子4a及接觸電極部4b的工序。作為電鍍材料，例如，可以順序地將鎳8a、銠8b、鎳8c進(jìn)行電鍍而將接觸端子4a和接觸電極部4b作為一體而形成接觸端子部8。
之后，執(zhí)行圖12(c)所示的工序。此工序為除去上述光刻掩模85a。
之后，執(zhí)行圖12(d)所示的工序。此工序形成聚酰亞胺薄膜84b覆蓋上述接觸端子部8及導(dǎo)電覆蓋層83，將在應(yīng)該形成發(fā)自上述接觸端子部8的引出布線連接用孔穴8d的位置的聚酰亞胺薄膜84b除去露出上述接觸端子部8的表面。
為了除去上述聚酰亞胺薄膜84b的一部分，例如，可以采用激光端口加工或在聚酰亞胺薄膜84b的表面上形成鋁掩模進(jìn)行干法刻蝕。
之后，執(zhí)行圖12(e)所示的工序。此工序包括在上述聚酰亞胺薄膜84b的表面上形成導(dǎo)電覆蓋層86，在形成光刻掩模87之后，對布線材料88進(jìn)行電鍍。
作為上述導(dǎo)電覆蓋層，例如，可利用濺射法或蒸著法使鉻形成薄膜而得到厚度約為0.1μm的鉻膜，也可以在形成該鉻膜的表面上利用濺射法或蒸著法使銅形成薄膜而得到厚度為約為1μm的銅膜。另外，作為布線材料可以使用鍍銅或在鍍銅之上鍍鎳的材料。
之后，執(zhí)行圖12(f)所示的工序。此工序包括除去上述光刻掩模87，并在以布線材料88作為掩模通過刻蝕除去導(dǎo)電覆蓋層86之后，形成粘合層89及金屬膜90。
之后，經(jīng)過與圖10(f)～(g)、圖11(h)～(k)同樣的工序，制造出圖12(g)所示的探針片結(jié)構(gòu)體105。
下面參照附圖13對實施方式3的探針片(結(jié)構(gòu)體)的結(jié)構(gòu)及其制造工序予以說明。
本探針片的制造方法，與圖10、圖11記載的探針片的制造方法一樣，不同的主要部分是與接觸端子4a同時設(shè)置有形狀依照接觸端子的偽端子107。該偽端子107，用于防止在接觸晶片1的電極3時探針片4變形，防止初始時負(fù)載集中于接觸端子群的端部。其形狀，既可以不同于接觸端子4a，也可以，如圖13所示，是底面積(與晶片1的接觸面積)比接觸端子4a大的截棱錐狀。在其他的探針片的制造方法中，同樣也可以設(shè)置偽端子107是自不待言的。
下面參照附圖13對形成上述偽端子的制造方法的一例予以說明。
首先，執(zhí)行圖13(a)所示的工序。此工序包括使厚0.2～0.6mm的硅晶片80的(100)面的兩面通過熱氧化形成大約0.5μm的二氧化硅薄膜81，藉助光致抗蝕劑85b利用氟酸和氟化胺的混合液進(jìn)行刻蝕除去二氧化硅薄膜81。
之后，執(zhí)行在圖13(b)所示的上述工序中將一部分被刻蝕掉的二氧化硅薄膜81c作為掩模，利用強堿液(例如氫氧化鉀)進(jìn)行各向異性刻蝕，而形成由(111)面包圍的截棱錐狀的刻蝕孔穴80a及80b的工序。
之后，執(zhí)行圖13(c)所示的工序。此工序包括，利用氟酸和氟化胺的混合液對用作掩模的二氧化硅薄膜進(jìn)行刻蝕而將其除去，再一次通過在濕氧中對硅晶片80的全面進(jìn)行熱氧化而形成約0.5μm的二氧化硅薄膜82，在該二氧化硅薄膜82的表面上形成導(dǎo)電覆蓋層83a，之后在上述導(dǎo)電覆蓋層83a的表面上形成聚酰亞胺薄膜84a，接著，將在應(yīng)該形成接觸端子4a的位置的聚酰亞胺薄膜84a除去露出上述導(dǎo)電覆蓋層83a的表面。
之后，執(zhí)行圖13(d)所示的工序。此工序包括，在該聚酰亞胺薄膜84a的開口部露出的導(dǎo)電覆蓋層83a上，以該導(dǎo)電覆蓋層83a作為電極，以硬度高的材料作為主要成分進(jìn)行電鍍，整體形成接觸端子4a及接觸電極部4b。作為硬度高的材料，例如，可以順序地將鎳8a、銠8b、鎳8c進(jìn)行電鍍而將接觸端子4a和接觸電極部4b作為一體而形成接觸端子部8。
之后，經(jīng)過與圖10(d)～(g)、圖11(h)～(k)同樣的工序，制造出圖13(e1)所示的探針片結(jié)構(gòu)體105。
另外，在形成偽端子107的本探針片中，在探針片的端部也可以不設(shè)置錐形部4f，將探針片框5a以粘合劑96平面粘合到探針片而成為如圖13(e2)所示的結(jié)構(gòu)。
另外，也可以在圖13(c)的工序中，實施加工將形成偽端子107的位置的聚酰亞胺薄膜84a部分地除去，將在應(yīng)該形成偽端子107a的位置的聚酰亞胺薄膜84a除去露出上述導(dǎo)電覆蓋層83a的表面，如圖14(b)所示，形成與接觸端子部8同樣材料結(jié)構(gòu)的偽端子107a而制造出圖14(c)所示的探針片結(jié)構(gòu)體105。
下面參照附圖15對實施方式4的探針片(結(jié)構(gòu)體)的結(jié)構(gòu)及其制造工序予以說明。
本探針片的制造方法，只是形成接觸端子部8的區(qū)域的彈性樹脂的形成方法不同，其他與圖10、圖11記載的探針片的制造方法一樣。圖15(a)，是在執(zhí)行圖10(a)～(f)的工序之后，利用激光除去形成接觸端子部8的區(qū)域未被粘合層89及布線材料88覆蓋的部分的聚酰亞胺薄膜84之后，執(zhí)行通過印刷或分配器等形成圖15(b)所示的彈性樹脂層93a的工序。之后，如圖15(c)所示，形成彈性樹脂層，在形成接觸端子部8的區(qū)域上殘留有彈性樹脂層93b。不需要的彈性樹脂層的加工，例如，可以使用鋁掩模93c利用激光除去。
之后，經(jīng)過與圖11(h)～(k)同樣的工序，執(zhí)行圖15(d)所示的工序。此工序為沿著上述探針片框5的外周部將成為一體的聚酰亞胺薄膜84、粘合層89及粘合劑96b切出而制成探針片結(jié)構(gòu)體。
利用這樣的構(gòu)成，彈性樹脂層只與接觸端子部8的區(qū)域直接接觸形成，可增加該接觸端子部8的區(qū)域的柔軟性。
圖16示出本發(fā)明的實施方式5的探針片(結(jié)構(gòu)體)的結(jié)構(gòu)及其制造工序。
本探針片的制造方法，在經(jīng)過與圖10(a)～(f)同樣的工序之后，執(zhí)行圖11(h)～(k)所示的工序，制作圖16(a)狀態(tài)的探針片結(jié)構(gòu)體。之后，如圖16(b)所示，在利用激光除去形成接觸端子部8的區(qū)域的未被粘合層89及布線材料88覆蓋的部分的聚酰亞胺薄膜84之后，形成接觸端子4a由布線材料88及聚酰亞胺薄膜84作為雙支撐梁進(jìn)行支撐的結(jié)構(gòu)。
圖16(c)為示出形成圖16(b)的接觸端子部8的區(qū)域的一部分從圖16(b)的下面觀察的平面圖。這樣，通過將接觸端子部8的兩側(cè)分離，可以對接觸端子部8設(shè)置個別的模仿機構(gòu)。
圖17示出本發(fā)明的實施方式6的探針片(結(jié)構(gòu)體)的結(jié)構(gòu)及其制造工序。
本探針片的制造方法，在經(jīng)過與圖10(a)～(f)同樣的工序之后，在圖10(g)的工序中，在形成接觸端子部8的區(qū)域中不形成彈性體93，執(zhí)行圖11(h)～(k)所示的工序，制作圖17(a)狀態(tài)的探針片結(jié)構(gòu)體。之后，如圖17(b)所示，在利用激光除去形成接觸端子部8的區(qū)域的未被粘合層89及布線材料88覆蓋的部分的聚酰亞胺薄膜84之后，形成接觸端子4a由布線材料88及聚酰亞胺薄膜84作為懸臂梁進(jìn)行支撐的結(jié)構(gòu)。圖17的(c)為示出形成圖17(b)的接觸端子部8的區(qū)域的一部分從圖17(b)的下面觀察的平面圖。這樣，通過將接觸端子部8的兩側(cè)分離，可以形成比上述實施方式5的探針片更容易移動的各個模仿機構(gòu)。
另外，如圖6或圖8所示，在以鍵合絲引出布線時，對電極92既可以采用鍵合，也可以如圖18(a)～(c)所示，在布線材料88上形成適于鍵合的電鍍層88a，在電鍍層88a上通過鍵合形成引出布線。
此處，圖18(a)是經(jīng)過與圖10(a)～(e)同樣的工序在金屬膜90上形成光刻掩模91a的工序，圖18(b)是其后在將經(jīng)過刻蝕的金屬膜90作為掩模利用激光，例如，除去粘合層89一直到濾出布線材料88之后，在該布線材料88的表面形成鍵合用的電鍍層88a的工序。作為電鍍層88a，例如，可以是在鍍鎳層上形成的鍍金層。
之后，執(zhí)行圖10(f)、圖11(h)～(k)的工序，制造出圖18(c)的狀態(tài)的探針片結(jié)構(gòu)體。
以上對探針片(結(jié)構(gòu)體)的形態(tài)進(jìn)行了一些說明，各個探針片(結(jié)構(gòu)體)對上述的任何探針卡都適用是自不待言的。
下面參照附圖19對采用以上說明的本發(fā)明的探針卡(探針檢測裝置)的半導(dǎo)體檢查裝置予以說明。
圖19為示出包含本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置的檢查系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)的示圖。
在檢查系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)中，探針卡是作為晶片探針構(gòu)成的。此檢查系統(tǒng)包括支持作為被檢查對象的半導(dǎo)體晶片1的試樣支持系統(tǒng)160；與被檢查對象(晶片)1的電極3接觸收發(fā)電信號的探針卡120；控制試樣支持系統(tǒng)160的動作的驅(qū)動控制系統(tǒng)150；對被檢查對象1進(jìn)行溫度控制的溫度控制系統(tǒng)140；以及檢查半導(dǎo)體元件(芯片)2的電特性的測試器170。在此半導(dǎo)體晶片1上排列多個半導(dǎo)體元件(芯片)，在各半導(dǎo)體元件的表面上排列多個電極3作為外部連接電極。試樣支持系統(tǒng)160包括可以自由裝卸承載半導(dǎo)體晶片1的大致水平設(shè)置的試樣臺162；垂直配置支持此試樣臺162的升降軸164；驅(qū)動此升降軸164升降的升降驅(qū)動部165；以及支持此升降驅(qū)動部165的X-Y平臺167。X-Y平臺167固定于框體166上。升降驅(qū)動部165，例如，由步進(jìn)電動機等構(gòu)成。試樣臺162的水平及垂直方向的定位動作，通過X-Y平臺167的水平平面內(nèi)移動動作及升降驅(qū)動部165的上下動作等的組合進(jìn)行。另外，在試樣臺162上，設(shè)置有圖中未示出的轉(zhuǎn)動機構(gòu)，可以使水平面內(nèi)的試樣臺162轉(zhuǎn)動變位。
在試樣臺162的上方，配置有探針系統(tǒng)120。就是說，例如，示于圖2的探針卡120及多層布線基板50，設(shè)置成為與該試樣臺162對置平行。各個接觸端子4a，經(jīng)過設(shè)置于探針卡120的探針片4上的間距擴大布線4c、電極4d及彈簧探針12，通過多層布線基板50的電極50a及內(nèi)部布線50b，連接到設(shè)置于該布線基板50上的連接端子50c，經(jīng)過連接該連接端子50c的纜線171，與測試器170相連接。
此處，為了防止利用加熱器加熱到所要求的溫度的晶片和與電極接觸形成用來實施電信號檢查的接觸端子的探針片的溫度差引起的位置偏離，實施精確迅速定位，也可以預(yù)先在探針片或探針卡的表面或內(nèi)部形成可以進(jìn)行溫度控制的發(fā)熱體。作為發(fā)熱體，例如，也可以將Ni-Cr這樣的電阻值高的金屬材料及高電阻的導(dǎo)電樹脂直接形成探針片或多層布線基板層，將形成該材料的片插入到探針片中或貼附到探針卡上。另外，也可以采用使溫暖的液體在加熱塊內(nèi)的管路中流動并使加熱塊與探針卡接觸作為發(fā)熱體。
被加熱的晶片發(fā)出的熱輻射與根據(jù)探針檢測時的接觸決定探針卡的溫度的現(xiàn)有的方法不同，如上所述，通過獨立保持檢查時的溫度，可以防止晶片和探針片之間的檢查時的溫度差的發(fā)生，可以進(jìn)行位置精度正確的探針檢測。
驅(qū)動控制系統(tǒng)150，經(jīng)過纜線172與測試器170相連接。另外，驅(qū)動控制系統(tǒng)150，將控制信號發(fā)送到試樣支持系統(tǒng)160的各驅(qū)動部的執(zhí)行器，控制其動作。就是說，驅(qū)動控制系統(tǒng)150，內(nèi)置有計算機，根據(jù)經(jīng)過纜線172傳送的測試器170的測試動作的進(jìn)行信息，控制試樣支持系統(tǒng)160的動作。另外，驅(qū)動控制系統(tǒng)150，具備操作部151，接受關(guān)于驅(qū)動控制的各種指示的輸入，例如，接受手動操作的指示。
在試樣臺162上備有用來對半導(dǎo)體元件2進(jìn)行加熱的加熱器141。溫度控制系統(tǒng)140，通過控制試樣臺162的加熱器141或冷卻夾具，控制試樣臺162上承載的半導(dǎo)體晶片1的溫度。另外，溫度控制系統(tǒng)140，具有操作部151，接受關(guān)于驅(qū)動控制的各種指示的輸入，例如，接受手動操作的指示。此處，也可以使設(shè)置于上述探針片或探針卡的一部分上的溫度可控的發(fā)熱體和試樣臺162的加熱器141連動而進(jìn)行溫度控制。
下面對半導(dǎo)體檢查裝置的動作予以說明。首先，作為被檢查對象的半導(dǎo)體晶片1，定位載置于試樣臺162之上，驅(qū)動控制X-Y平臺167及轉(zhuǎn)動機構(gòu)，使得在排列于半導(dǎo)體晶片1上的多個半導(dǎo)體元件上形成的電極3的電極群，定位于與探針卡120并設(shè)的多個接觸端子群4的正下方。其后，驅(qū)動控制系統(tǒng)150，通過使升降驅(qū)動部165動作，從多數(shù)電極(被接觸材)3的全體的面接觸到接觸端子的前端的時刻起一直到變成為推壓約60μm的狀態(tài)為止使試樣臺162上升，通過使在多層膜6中多個接觸端子4并設(shè)的區(qū)域部4a伸出而確保平坦度和高精度的多數(shù)接觸端子4的群的各個前端，利用伸縮機構(gòu)(壓緊機構(gòu))模仿平行伸出追從在半導(dǎo)體元件上排列的多個電極3的群(全體)的面，模仿半導(dǎo)體晶片1上排列的個被接觸材(電極)3進(jìn)行根據(jù)均勻負(fù)載(1插針平均約3～150mN)的咬入接觸，在各接觸端子4和各電極3之間以低電阻(0.01Ω～0.1Ω)相連接。
此外，經(jīng)過纜線171，布線基板50以及接觸端子4，在形成半導(dǎo)體晶片1的半導(dǎo)體元件和測試器170之間，進(jìn)行工作電力和動作檢查信號等接受和發(fā)送，判斷該半導(dǎo)體元件的工作特性的可否等等。此外，上述的一系列的檢查動作，對在半導(dǎo)體晶片1上形成的多個半導(dǎo)體元件分別實施，判斷工作特性的可否等等。
下面利用圖20對利用上述半導(dǎo)體檢查裝置的檢查方法舉一例進(jìn)行說明。
通過使晶片支持臺每次轉(zhuǎn)動90°檢查晶片，如圖20所示，是一種順序檢查同時檢查芯片群200a、200b、200c及200d，4次可檢查完畢全體芯片的方法，由此，由于可以通過最小限度的著陸(touchdown)次數(shù)對全部芯片進(jìn)行檢查，可以提高檢查效率。另外，當(dāng)然每次轉(zhuǎn)動角度也可以不使90°，這是自不待言的。
但是，本發(fā)明的探針片，是可以根據(jù)在檢查對象的晶片上形成的半導(dǎo)體元件(芯片)的整體配置，自由設(shè)計接觸端子的配置模式，匯總形成的。因此，可以選擇在每次著陸移動時，極力減少重復(fù)探針檢測的芯片區(qū)域，效率高的移動模式，可以設(shè)計和構(gòu)成著陸次數(shù)少效率高的檢查裝置。
于是，在如圖20所示的檢查方法中，如果相應(yīng)于以如上所述的方式在檢查對象的晶片上形成的半導(dǎo)體元件的整體配置來設(shè)計半導(dǎo)體檢查裝置的探針片，則由于不存在對芯片的焊盤重復(fù)進(jìn)行探針檢測的區(qū)域，對芯片的焊盤的探針檢測痕跡可以抑制到最小限度，可提高以后的鍵合和凸點形成的可靠性。此外，由于探針片的接觸端子，在不形成芯片的區(qū)域不出現(xiàn)，接觸端子不會碰到硅片的端部，可以防止接觸端子的損傷。
最后，參照圖21對包含利用上述半導(dǎo)體檢查裝置的檢查工序或檢查方法的半導(dǎo)體裝置的制造方法予以說明。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在晶片上制作電路，形成半導(dǎo)體元件的工序；利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置在晶片級匯總檢查多個半導(dǎo)體元件2的電特性的工序；對該晶片進(jìn)行劃片分離為各個半導(dǎo)體元件的工序；以及利用樹脂等對該半導(dǎo)體元件進(jìn)行封裝的工序。
本發(fā)明的另一半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在晶片上制作電路，形成半導(dǎo)體元件的工序；利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置在晶片級匯總檢查多個半導(dǎo)體元件2的電特性的工序；以及對該晶片進(jìn)行劃片分離為各個半導(dǎo)體元件的工序。
本發(fā)明的另一半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在晶片上制作電路，形成半導(dǎo)體元件的工序；用樹脂等對該半導(dǎo)體元件進(jìn)行封裝的工序；以及利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置對在該封裝的晶片上形成的多個半導(dǎo)體元件2的電特性匯總檢查的工序。
本發(fā)明的另一半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在晶片上制作電路，形成半導(dǎo)體元件的工序；用樹脂等對該半導(dǎo)體元件進(jìn)行封裝的工序；利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置對在該封裝的晶片上形成的多個半導(dǎo)體元件2的電特性匯總檢查的工序；以及對該晶片進(jìn)行劃片分離為各個半導(dǎo)體元件的工序。
再進(jìn)一步進(jìn)行考察，參照圖22至25，對半導(dǎo)體裝置本身表現(xiàn)出的特征、效果予以說明。
圖22為通過檢查工序在電極焊盤上殘留的壓痕(探針檢測痕跡)的上視圖。另外，在圖22中，為了易于比較利用現(xiàn)有的懸臂梁探針時的壓痕300和利用本申請中公開的接觸端子時的壓痕301，通過合成將兩者并列于同一電極上。當(dāng)然，比例尺沒有改變。
在利用現(xiàn)有的懸臂梁方式的探針或半球形及梯形的電鍍凸點在絕緣膜上形成的探針檢查的半導(dǎo)體元件的場合，由于在探針檢測時經(jīng)受來自接觸端子的負(fù)載的同時受到進(jìn)行的擦刷動作，在其電極焊盤上會發(fā)生電極碎屑而出現(xiàn)很大的壓痕300。此外，對于在該電極焊盤的正下方的元件的損傷也令人擔(dān)憂。如圖21所示，在經(jīng)過多個檢查工序的場合，在電極焊盤上造成多個壓痕，這一缺點更加突出。
就是說，采用現(xiàn)有的探針進(jìn)行檢查的半導(dǎo)體元件，其電極焊盤的表面會破裂，結(jié)果，在檢查工序后的粘合、組裝工序(鍵合、金凸點連接、釬焊凸點連接、Au-Sn連接等)之中，會導(dǎo)致連接不良的后果。
例如，如圖23所示的(a)QFP(方形扁平封裝)及(b)BGA(球柵陣列封裝)這樣的形態(tài)的場合，與引線402相連接的導(dǎo)線400和電極焊盤3的連接部分，以及(c)倒裝片這樣的形態(tài)的場合，釬焊凸點401和電極焊盤3的連接部分，都會引起連接不良。
下面利用圖24予以更詳細(xì)地說明。圖24的(a)為利用現(xiàn)有的探針檢查之后從保護(hù)膜510露出的電極焊盤3的概略剖面圖。由于經(jīng)過擦刷動作，電極表面破裂，留有電極碎屑502。并且，由于經(jīng)受大負(fù)載下的擦蹭，一部分鋁層500變得極薄，有的地方由于剝裂會露出底層501(例如，SiO2等)。
通常，如果對于鋁層的電極焊盤利用金絲504進(jìn)行鍵合，在連接界面上形成金505和鋁500的合金503，是可以得到良好的連接的，但在圖24(a)的這樣的狀態(tài)的電極焊盤中不能充分地形成合金，其結(jié)果就會成為連接不良的原因。
與此不同，在利用本申請公開的連接端子檢查的半導(dǎo)體元件的場合，由于只經(jīng)受低負(fù)載，沒有經(jīng)受擦刷動作，在該電極焊盤500上幾乎沒有電極碎屑，在電極焊盤正下方的元件完全不會受到損傷。另外，由于探針檢測痕跡301為具有上述的棱的角錐形狀或截棱錐形狀的接觸端子的前端形狀的轉(zhuǎn)寫的孔穴，約為5μm的角形非常小，具有正方形及長方形等多角形(至少1邊在20μm以下是當(dāng)然的，也可能在大約15μm、10μm、1μm以下)的開口形狀的壓痕以外的電極區(qū)域保持平坦的原樣，即使是在經(jīng)過多次探針檢測的場合，也可維持清晰的電極表面。就是說，電極表面的平面部分留下很多，由于沒有完全剝裂的地方，在檢查工序后的粘合、組裝工序中，在其粘合部與原來相比較，易于形成合金，連接良好。
如利用圖25進(jìn)行更詳細(xì)的說明，可以說利用本申請中公開的接觸端子進(jìn)行檢查之后的電極焊盤3，由于是利用角錐形狀或截棱錐形狀的接觸端子產(chǎn)生很小的壓痕301并且只施加了低負(fù)載的狀態(tài)，所以沒有什么地方會露出底層501而可以保持良好的狀態(tài)。
在此狀態(tài)下進(jìn)行鍵合時，合金層503幾乎全面形成，可得到良好的連接，不會產(chǎn)生連接不良的問題。
所以，可以得到可靠性高的半導(dǎo)體裝置，可以提高材料利用率。
另外，在圖24及圖25中，示出的是最上層是鋁電極焊盤和金絲鍵合的場合的示例，但其材料可以有種種的改變，并且，不僅是對于鍵合，在其他的粘合、組裝工序中也可得到同樣的效果。
以上根據(jù)實施方式對本發(fā)明人完成的發(fā)明進(jìn)行了具體說明，但本發(fā)明不限于此，在不脫離其總的發(fā)明構(gòu)思的前提下可以有種種的改變。
例如，作為形成彈性體93的方法，除了上述的方法以外，也可以采用利用旋涂器涂敷感光樹脂或感光彈性樹脂，利用掩模進(jìn)行曝光、顯影而形成的方法，以及粘貼除去彈性體形成部分的干膜印刷彈性樹脂，根據(jù)需要進(jìn)行表面研磨之后，除去該干膜的方法。
另外，在上述實施方式中公開的代表性的觀點如下。
(1)一種探針片，其特征在于具有與設(shè)置于晶片上的電極接觸的接觸端子，從該接觸端子引出的布線和與該布線電連接的電極焊盤，該電極焊盤的間距比該接觸端子的間距更寬。
(2)一種探針片，其特征在于具有按照在晶片上形成的半導(dǎo)體元件的周邊電極的排列配置的接觸端子，從該接觸端子引出的布線、和與該布線電連接的電極焊盤，該電極焊盤以格子狀配置。
(3)一種探針片，其特征在于具有與設(shè)置于晶片上的電極接觸的接觸端子，從該接觸端子引出的布線、和與該布線電連接的電極焊盤，在該探針片上，在該電極焊盤內(nèi)，至少設(shè)置有除掉設(shè)置信號系統(tǒng)的電極焊盤部分的金屬片。
(4)如(3)所述的探針片，其特征在于該金屬片的線膨脹系數(shù)與該晶片的線膨脹系數(shù)大致相等。
(5)如(3)或(4)所述的探針片，其特征在于該金屬片是42合金片。
(6)如(1)至(5)任何一項中所述的探針片，其特征在于在設(shè)置該接觸端子的面上，設(shè)置有與上述晶片的接觸面積與該接觸端子相比更大的偽端子。
(7)如(1)至(6)任何一項中所述的探針片，其特征在于該接觸端子是以由具有結(jié)晶性的基板的各向異性刻蝕產(chǎn)生的孔穴作為型材作成的。
(8)一種探針卡，其特征在于包括與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的探針片、和與該接觸端子電連接的電極設(shè)置于與該晶片對置的面上的多層布線基板，設(shè)置于與該多層布線基板的該晶片對置的面上的電極的間距比該接觸端子的間距更寬。
(9)一種探針卡，其特征在于包括按照在晶片上形成的半導(dǎo)體元件的周邊電極的排列配置的接觸端子的探針片、和與該接觸端子電連接的電極設(shè)置于與該晶片對置的面上的多層布線基板，設(shè)置于與該多層布線基板的該晶片對置的面上的電極以格子狀配置。
(10)一種探針卡，其特征在于包括與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的接觸端子、和具有與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，該多層布線基板的電極設(shè)置于該多層布線基板的元件對置區(qū)域，設(shè)置的間距比該接觸端子的間距更寬。
(11)如(8)至(10)任何一項中所述的探針卡，其特征在于在該多層布線基板的元件對置區(qū)域中至少承載電容、電阻、熔斷器中的一個。
(12)一種探針卡，其特征在于包括與設(shè)置于晶片上的電極接觸的接觸端子的探針片，具有與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，該接觸端子和該多層布線基板的電極是利用相對該多層布線基板是幾乎垂直設(shè)置的連接部進(jìn)行電連接的。
(13)一種探針卡，其特征在于包括與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的接觸端子的探針片、和具有與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，該接觸端子與該多層布線基板的電極的連接是經(jīng)過從該接觸端子引出的布線、與該布線相連接并且具有比該接觸端子的間距更寬的間距的電極焊盤、以及與該電極焊盤電連接的彈簧探針相連接的。
(14)如(13)所述的探針卡，其特征在于該彈簧探針可以取出。
(15)一種探針卡，其特征在于包括與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的接觸端子的探針片、和具有與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，該接觸端子與該多層布線基板的電極的連接是經(jīng)過從該接觸端子引出的布線、與該布線相連接并且具有比該接觸端子的間距更寬的間距的電極焊盤、以及與該電極焊盤電連接的絲相連接的。
(16)一種探針卡，包括與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的接觸端子、以及具有與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，其特征在于具有溫度調(diào)節(jié)功能。
(17)一種探針卡，包括與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的接觸端子、以及具有與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，其特征在于在該探針卡的至少一部分上設(shè)置有可以進(jìn)行溫度控制的發(fā)熱體。
(18)如(8)至(17)任何一項中所述的探針卡，其特征在于該接觸端子是以具有結(jié)晶性的基板的各向異性刻蝕產(chǎn)生的孔穴作為型材作成的角錐狀或截棱錐狀的端子。
(19)一種探針卡，包括與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的接觸端子、以及具有與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，其特征在于在該探針卡中壓緊機構(gòu)是兩段的。
(20)一種探針卡，包括具有與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的接觸端子的探針片、以及具有與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，其特征在于該探針片是在(1)至(7)任何一項中所述的探針片。
(21)一種半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于具有承載晶片的試樣臺；和具有與在該晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電極相接觸的接觸端子，并且與檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的測試器電連接的探針卡，該探針卡包括具有該接觸端子的探針片和與該接觸端子電連接的電極設(shè)置于與該晶片對置的面上的多層布線基板，設(shè)置于與該多層布線基板的該晶片對置的面上的電極的間距比該接觸端子的間距更寬。
(22)一種半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于具有承載晶片的試樣臺；和具有與在該晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電極相接觸的接觸端子，并且與檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的測試器電連接的探針卡，該試樣臺及探針卡都可以進(jìn)行溫度控制。
(23)如(21)或(22)所述的半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于該接觸端子是以具有結(jié)晶性的基板的各向異性刻蝕產(chǎn)生的孔穴作為型材作成的角錐狀或截棱錐狀的端子。
(24)一種半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于具有承載晶片的試樣臺；和與設(shè)置于該晶片上的電極相接觸的接觸端子的探針片，該探針卡是(8)至(20)中的任何一種。
(25)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在晶片上制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序，檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序，和對該晶片進(jìn)行劃片而使該半導(dǎo)體元件各個分離的工序，其特征在于在檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序中，利用具有與該半導(dǎo)體元件的電極相接觸的接觸端子的探針片和與該接觸端子電連接、并且間距比該接觸端子的間距更寬的電極設(shè)置于與該晶片對置的面上、具有多層布線基板的探針卡，對多個半導(dǎo)體元件匯總進(jìn)行檢查。
(26)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在晶片上制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序，檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序，和對該晶片進(jìn)行劃片而使該半導(dǎo)體元件各個分離的工序，其特征在于在檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序中，利用與該半導(dǎo)體元件的電極相接觸的接觸端子和與該接觸端子電連接、設(shè)置于與在該晶片上形成的半導(dǎo)體元件的上部相對應(yīng)的區(qū)域并且具有間距比該接觸端子的間距更寬的電極多層布線基板的探針卡，對多個半導(dǎo)體元件匯總進(jìn)行檢查。
(27)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在晶片上制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序，以樹脂封裝該晶片的工序，和檢查在該封裝的晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電特性的工序，其特征在于在檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序中，利用具有與該半導(dǎo)體元件的電極相接觸的接觸端子的探針片和與該接觸端子電連接、并且間距比該接觸端子的間距更寬的電極設(shè)置于與該晶片對置的面上、具有多層布線基板的探針卡，對多個半導(dǎo)體元件匯總進(jìn)行檢查。
(28)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在晶片上制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序，以樹脂封裝該晶片的工序，和檢查在該封裝的晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電特性的工序，其特征在于在檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序中，利用與該半導(dǎo)體元件的電極相接觸的接觸端子和與該接觸端子電連接、設(shè)置于與在該晶片上形成的半導(dǎo)體元件的上部相對應(yīng)的區(qū)域并且具有間距比該接觸端子的間距更寬的電極多層布線基板的探針卡，對多個半導(dǎo)體元件匯總進(jìn)行檢查。
(29)如(25)至(28)任何一項中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于該接觸端子是以具有結(jié)晶性的基板的各向異性刻蝕產(chǎn)生的孔穴作為型材作成的角錐狀或截棱錐狀的端子。
(30)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括在晶片上制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序，檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序，和對該晶片進(jìn)行劃片而使該半導(dǎo)體元件各個分離的工序，其特征在于在檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的工序中，是使該晶片轉(zhuǎn)動進(jìn)行檢查。
如果將在本申請中公開的發(fā)明中的代表性方案得到的效果予以簡單說明，則如下述(1)可提供可以對具有狹窄間距的電極結(jié)構(gòu)的多個半導(dǎo)體元件匯總進(jìn)行檢查的探針卡。
(2)可提供抑制半導(dǎo)體裝置整體的制造成本并且提高生產(chǎn)率的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種探針片，其特征在于包括與設(shè)置于晶片上的電極接觸的接觸端子，從該接觸端子引出的布線，和與該布線電連接的電極焊盤，該電極焊盤的間距比該接觸端子的間距更寬。
2.如權(quán)利要求1中所述的探針片，其特征在于該接觸端子按照在晶片上形成的半導(dǎo)體元件的周邊電極的排列進(jìn)行配置，該電極焊盤以格子狀配置。
3.如權(quán)利要求1中所述的探針片，其特征在于在該電極焊盤內(nèi)，設(shè)置有至少除掉設(shè)置了信號系統(tǒng)的電極焊盤的部分的金屬片。
4.如權(quán)利要求1中所述的探針片，其特征在于該金屬片的線膨脹系數(shù)與該晶片的線膨脹系數(shù)大致相等。
5.如權(quán)利要求3中所述的探針片，其特征在于該金屬片是42合金片。
6.如權(quán)利要求1中所述的探針片，其特征在于在設(shè)置該接觸端子的面上，設(shè)置有與上述晶片的接觸面積與該接觸端子相比更大的偽端子。
7.如權(quán)利要求1中所述的探針片，其特征在于該接觸端子是以由具有結(jié)晶性的基板的各向異性刻蝕產(chǎn)生的孔穴作為型材作成的。
8.一種探針卡，其特征在于包括與設(shè)置于晶片上的電極相接觸的探針片、和在與該晶片對置的面上設(shè)置了與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，設(shè)置于該多層布線基板的與該晶片對置的面上的電極的間距比該接觸端子的間距更寬。
9.如權(quán)利要求8中所述的探針卡，其特征在于該接觸端子按照在該晶片上形成的半導(dǎo)體元件的周邊電極的排列進(jìn)行配置，該多層布線基板的電極以格子狀配置。
10.如權(quán)利要求8中所述的探針卡，其特征在于該多層布線基板的電極設(shè)置于該多層布線基板的元件對置區(qū)域中。
11.如權(quán)利要求8中所述的探針卡，其特征在于在該多層布線基板的元件對置區(qū)域中至少承載電容、電阻、熔斷器中的一個。
12.如權(quán)利要求8中所述的探針卡，其特征在于該接觸端子和該多層布線基板的電極是利用與該多層布線基板大致垂直地設(shè)置的連接部進(jìn)行電連接的。
13.如權(quán)利要求8中所述的探針卡，其特征在于該接觸端子與該多層布線基板的電極的連接，是經(jīng)過從該接觸端子引出的布線、與該布線相連接并且具有比該接觸端子的間距更寬的間距的電極焊盤、以及與該電極焊盤電連接的彈簧探針相連接的。
14.如權(quán)利要求13中所述的探針卡，其特征在于該彈簧探針可以取出。
15.如權(quán)利要求8中所述的探針卡，其特征在于該接觸端子與該多層布線基板的電極的連接，是經(jīng)過從該接觸端子引出的布線、與該布線相連接并且具有比該接觸端子的間距更寬的間距的電極焊盤、以及與該電極焊盤電連接的絲相連接的。
16.如權(quán)利要求8中所述的探針卡，其特征在于具有溫度調(diào)節(jié)功能。
17.如權(quán)利要求8中所述的探針卡，其特征在于該接觸端子是以由具有結(jié)晶性的基板的各向異性刻蝕產(chǎn)生的孔穴作為型材作成的角錐狀或截棱錐狀的端子。
18.一種半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于包括承載晶片的試樣臺；以及具有與在該晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電極相接觸的接觸端子，并且與檢查該半導(dǎo)體元件的電特性的測試器電連接的探針卡；該探針卡包括具有該接觸端子的探針片、和在與該晶片對置的面上設(shè)置與該接觸端子電連接的電極的多層布線基板，且設(shè)置于該多層布線基板的與該晶片對置的面上的電極的間距比該接觸端子的間距更寬。
19.如權(quán)利要求18中所述的半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于該試樣臺及探針卡都可以進(jìn)行溫度控制。
20.如權(quán)利要求18中所述的半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于該接觸端子是以由具有結(jié)晶性的基板的各向異性刻蝕產(chǎn)生的孔穴作為型材作成的角錐狀或截棱錐狀的端子。
全文摘要
本發(fā)明提供一種探針片、探針卡、半導(dǎo)體檢查裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。該探針卡具有與以狹窄間距形成的檢查對象物的電極進(jìn)行電連接的第一接觸端子、從該第一接觸端子引出的布線、和與該布線電連接的第二接觸端子，該第一接觸端子是利用具有結(jié)晶性的構(gòu)件的刻蝕孔穴形成的。
文檔編號G01R3/00GK1512186SQ0315986
公開日2004年7月14日 申請日期2003年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月2日
發(fā)明者春日部進(jìn), 健彥, 長谷部健彥, 則, 成塚康則, 昭男, 長谷部昭男 申請人:株式會社瑞薩科技