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全塑型光尋址生化傳感器芯片的制作方法

文檔序號:5886318閱讀:274來源:國知局
專利名稱:全塑型光尋址生化傳感器芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于傳感技術(shù),特別是指采用有機材料制成的光尋址的生物、化學(xué)陣列傳感器。
背景技術(shù)
以半導(dǎo)體單晶硅為材料的光尋址電位傳感器(Light AddressablePotentiometric Sensor,LAPS)的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。半導(dǎo)體和電解質(zhì)溶液之間被絕緣層隔開形成電解質(zhì)/電解質(zhì)/半導(dǎo)體(EIS)結(jié)構(gòu)。調(diào)節(jié)偏置電壓使半導(dǎo)體處于不同的偏置狀態(tài)(-3V~+3V),經(jīng)過強度調(diào)制的光源(如LED或激光)從背面對此EIS結(jié)構(gòu)進行照射,在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電子空穴對。當半導(dǎo)體與絕緣層接觸的表面處于電荷積累狀態(tài)時,半導(dǎo)體表面的電場為零,電子空穴對不會在此分開,所以光生電流基本為零;當半導(dǎo)體表面處于耗盡狀態(tài)時,這些電子空穴對可能通過擴散作用進入耗盡層。耗盡層中的電場將光生電子空穴對分開,從而在回路中產(chǎn)生光生電流。光電流隨著偏置狀態(tài)改變而變化,形成LAPS曲線,也體現(xiàn)了器件的C-V特性。
LAPS的敏感原理是基于EIS的電場效應(yīng),使其C-V曲線對絕緣層與電解質(zhì)溶液間的界面電位變化敏感。在信號采集時,LAPS采用調(diào)制光束照射,并采用鎖相檢測技術(shù)對響應(yīng)信號進行檢測,這時的C-V曲線特性將在LAPS曲線(光電流-偏置電壓關(guān)系曲線)的偏移中體現(xiàn)。LAPS典型的響應(yīng)曲線如圖2所示,測量不同pH值的緩沖溶液對應(yīng)不同的LAPS曲線。由于敏感膜的存在,敏感膜表面吸附一層離子形成膜電位,從而導(dǎo)致絕緣體和半導(dǎo)體兩端的電壓產(chǎn)生一定的偏移。光電流一偏置電壓曲線也因此產(chǎn)生相應(yīng)的偏移。曲線的偏移量與溶液中待測離子的濃度是相關(guān)的。因此通過測量曲線的偏移量可以檢測出待測離子的濃度。如果絕緣膜表面固定具有特異性分子識別功能的抗體、單鏈DNA或RNA等,與待測溶液的抗原、對應(yīng)的單鏈DNA或RNA特異性結(jié)合,絕緣膜的膜電位發(fā)生變化,通過檢測LAPS曲線的平移量,檢測待測溶液的抗原、對應(yīng)的單鏈DNA或RNA的濃度。LAPS芯片上有幾十個單元,可以固定不同敏感材料,組成光尋址的生物傳感器陣列。
本發(fā)明提出的一種采用有機材料制成的光尋址的生物、化學(xué)陣列傳感器。自70年代末導(dǎo)電聚合物出現(xiàn)以來,由于其特殊的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性能受到各領(lǐng)域科學(xué)工作者的關(guān)注,在能源、光電器件、信息、傳感器、分子導(dǎo)線和分子器件上有著廣泛、誘人的應(yīng)用前景。80年代末,導(dǎo)電聚合物材料應(yīng)用于傳感器的研究,以無金屬酞菁化合物、聚吡咯、聚苯胺為典型的有機導(dǎo)體材料,具有成本低、較好的導(dǎo)電性、光電性、可以方便地沉積在各種基片上等優(yōu)點,可以制作成生物傳感器、離子敏傳感器、氣敏傳感器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提出一種采用有機材料制成的全塑型生物、化學(xué)陣列傳感器設(shè)計,傳感器保持光尋址電位傳感器的相應(yīng)功能,同時具有可以制作在塑料膜上、成本低、工藝簡單、易與目前的尼龍膜生物芯片兼容等優(yōu)點。
本發(fā)明一種全塑型光尋址生化傳感器芯片,其特征在于,其中包括一基片,基片聚合成形時,嵌入一根電極引線;一透明導(dǎo)電膜,該透明導(dǎo)電膜制作在基片的另一面,與電極引線導(dǎo)通;一光電導(dǎo)層組件,該光電導(dǎo)層制作在透明導(dǎo)電膜的另一面;一絕緣層制作在光電導(dǎo)層的另一面;一導(dǎo)電聚合物薄膜制作在絕緣層的另一面;一生物敏感膜區(qū)域網(wǎng)格制作在絕緣層的一面;密封膠封裝在上述結(jié)構(gòu)的側(cè)面四周,最終完成器件的基本芯片。
其中該基片是由高分子材料組成的透明薄片。
其中光電導(dǎo)層組件包括一光電導(dǎo)層是絕緣材料組成,通過光刻工藝制成的網(wǎng)格制作在透明導(dǎo)電膜的另一面,厚度約1μm;一光電導(dǎo)薄膜由無金屬酞菁化合物或細菌視紫紅質(zhì)光電導(dǎo)材料制成,受光照產(chǎn)生載流子,光電導(dǎo)薄膜采用LB沉積法制作在光電導(dǎo)層上面。
其中生物敏感膜區(qū)域網(wǎng)格包括一絕緣部分是由聚酰亞胺絕緣材料組成,通過光刻工藝制成的網(wǎng)格制作在導(dǎo)電聚合物薄膜的另一面;導(dǎo)電聚合物薄膜沒有被絕緣部分擋住的部分為生物敏感膜。
其中該透明導(dǎo)電膜是由氧化銦錫ITO材料制成的薄膜100nm左右。
其中絕緣層,采用聚氯乙烯材料,厚度約50-80nm。
其中導(dǎo)電聚合物薄膜,采用聚吡咯材料,厚度50-80nm。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的LAPS結(jié)構(gòu)圖;圖2是利用現(xiàn)有技術(shù)LAPS裝置的測量曲線圖;圖3是本發(fā)明全塑型光尋址生化傳感器基本芯片a結(jié)構(gòu)圖;圖4是本發(fā)明光電導(dǎo)層組件a4結(jié)構(gòu)圖;圖5是本發(fā)明生物敏感膜區(qū)域網(wǎng)格a7結(jié)構(gòu)圖;圖6是本發(fā)明生物敏感膜固定化模具b結(jié)構(gòu)圖;圖7全塑型光尋址生化傳感器固定了生物膜的芯片C結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式
請參閱圖3及圖4,本發(fā)明一種全塑型光尋址生化傳感器基本芯片a如圖3所示,其中包括一基片a1,該基片a1是由高分子材料組成的透明薄片,基片a1在聚合成形時,嵌入一根金屬引線a2,從基片a1的一面引向另一面,成為芯片的工作電極;一透明導(dǎo)電膜a3,該透明導(dǎo)電膜a3制作在基片a1的另一面,與電極引線a2導(dǎo)通;一光電導(dǎo)層組件a4,該光電導(dǎo)層a4制作在透明導(dǎo)電膜a3的另一面,尋址光束從基片a1背面照射,透過基片a1和明導(dǎo)電膜a3,照射在光電導(dǎo)層組件a4的光電導(dǎo)層某一單元,將產(chǎn)生載流子成為光導(dǎo)體;請參閱圖4,光電導(dǎo)層組件a4結(jié)構(gòu)如圖4所示,其中一光隔離網(wǎng)格a41是由黑色的光絕緣材料組成,通過光刻工藝制成的網(wǎng)格制作在透明導(dǎo)電膜a3的另一面,使得每一個透光區(qū)面積相等;一光電導(dǎo)薄膜a42由光電導(dǎo)材料制成,受光照將產(chǎn)生載流子,光電導(dǎo)薄膜a42制作在光電導(dǎo)層a41上面,由于光隔離網(wǎng)格a41的光柵作用,使光電導(dǎo)薄膜a42被分割成一個個規(guī)則排列的、受光面積相等的光導(dǎo)電單元;一絕緣層a5制作在光電導(dǎo)層a4的另一面,起著電容介質(zhì)的作用,在光電導(dǎo)層a4與絕緣層介面產(chǎn)生電荷積累;一導(dǎo)電聚合物薄膜a6制作在絕緣層a5的另一面,作為敏感介質(zhì)對溶液離子敏感,在待測溶液中,表面將感應(yīng)產(chǎn)生膜電位,并且導(dǎo)電聚合物薄膜a6容易與生物敏感膜結(jié)合,實現(xiàn)生物敏感膜的固定化。
請參閱圖5,生物敏感膜區(qū)域網(wǎng)格a7如圖5所示,其中一絕緣部分a71是由聚酰亞胺絕緣材料組成,通過光刻工藝制成的網(wǎng)格制作在導(dǎo)電聚合物薄膜a6的另一面,把導(dǎo)電聚合物薄膜a6表而分成相等的區(qū)域;導(dǎo)電聚合物薄膜a6沒有被絕緣部分a71擋住的部分為裸露部分,裸露部分作為離子敏感單元a72,每個單元的面積相等,它的表面可以固定生物敏感膜;
請參閱圖3,密封膠a8封裝在上述結(jié)構(gòu)的側(cè)面四周,最終完成器件的基本芯片a。
請參閱圖6,本發(fā)明的生物敏感膜固定化模具b,其中包括一生物敏感膜固定化模具b,采用通常絲網(wǎng)印刷技術(shù)制成絲網(wǎng)網(wǎng)版,絲網(wǎng)的網(wǎng)格全部被光刻膠覆蓋部分為b1;一模具b只有中間有一個方格b2的絲網(wǎng)是裸露著,方格的大小尺寸與離子敏感單元a72面積一致;請參閱圖7,構(gòu)成全塑型光尋址生化傳感器芯片C一在全塑型光尋址生化傳感器芯片基本芯片a的表面,經(jīng)過表面清洗和化學(xué)修飾后,上面放上生物敏感膜固定化模具b,將絲網(wǎng)裸露著的方格b2與生物敏感膜區(qū)域網(wǎng)格的裸露部分a72其中一方格對準,將需要固定的固定各種不同的免疫抗體或單鏈DNA等材料,根據(jù)固定化技術(shù)要求配制成交聯(lián)試劑,用絲網(wǎng)印刷方法,分別將試劑對應(yīng)地固定到?jīng)]有絕緣部分a71的生物敏感膜區(qū)域?qū)щ娋酆衔锉∧6的表面,形成相應(yīng)的生物敏感膜,構(gòu)成全塑型光尋址生化傳感器芯片C。
在大規(guī)模生產(chǎn)時,全塑型光尋址生化傳感器芯片基本芯片a可以分步重復(fù)地制作在一張塑料膜上;作為生物敏感膜同定化模具b絲網(wǎng),也將對應(yīng)地分部步重復(fù)地制作在一張絲網(wǎng)上,通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)實現(xiàn)生物敏感膜固定化的批量生產(chǎn)。
全塑型光尋址生化傳感器芯片C,可以用于現(xiàn)有的光尋址電位傳感器檢測技術(shù)中,組成光尋址生化傳感器。
權(quán)利要求
1.一種全塑型光尋址生化傳感器芯片,其特征在于,其中包括一基片,基片聚合成形時,嵌入一根電極引線;一透明導(dǎo)電膜,該透明導(dǎo)電膜制作在基片的另一面,與電極引線導(dǎo)通;一光電導(dǎo)層組件,該光電導(dǎo)層制作在透明導(dǎo)電膜的另一面;一絕緣層制作在光電導(dǎo)層的另一面;一導(dǎo)電聚合物薄膜制作在絕緣層的另一面;一生物敏感膜區(qū)域網(wǎng)格制作在絕緣層的一面;密封膠封裝在上述結(jié)構(gòu)的側(cè)面四周,最終完成器件的基本芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全塑型光尋址生化傳感器芯片,其特征在于,其中該基片是由高分子材料組成的透明薄片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全塑型光尋址生化傳感器芯片,其特征在于,其中光電導(dǎo)層組件包括一光電導(dǎo)層是絕緣材料組成,通過光刻工藝制成的網(wǎng)格制作在透明導(dǎo)電膜的另一面,厚度約1μm;一光電導(dǎo)薄膜由無金屬酞菁化合物或細菌視紫紅質(zhì)光電導(dǎo)材料制成,受光照產(chǎn)生載流子,光電導(dǎo)薄膜采用LB沉積法制作在光電導(dǎo)層上面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全塑型光尋址生化傳感器芯片,其特征在于,其中生物敏感膜區(qū)域網(wǎng)格包括一絕緣部分是由聚酰亞胺絕緣材料組成,通過光刻工藝制成的網(wǎng)格制作在導(dǎo)電聚合物薄膜的另一面;導(dǎo)電聚合物薄膜沒有被絕緣部分擋住的部分為生物敏感膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全塑型光尋址生化傳感器芯片,具特征在于,其中該透明導(dǎo)電膜是由氧化銦錫ITO材料制成的薄膜100nm左右。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全塑型光尋址生化傳感器芯片,其特征在于,其中絕緣層,采用聚氯乙烯材料,厚度約50-80nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全塑型光尋址生化傳感器芯片,其特征在于,其中導(dǎo)電聚合物薄膜,采用聚吡咯材料,厚度50-80nm。
全文摘要
一種全塑型光尋址生化傳感器芯片,其特征在于,其中包括一基片,基片聚合成形時,嵌入一根電極引線;一透明導(dǎo)電膜,該透明導(dǎo)電膜制作在基片的另一面,與電極引線導(dǎo)通;一光電導(dǎo)層組件,該光電導(dǎo)層制作在透明導(dǎo)電膜的另一面;一絕緣層制作在光電導(dǎo)層的另一面;一導(dǎo)電聚合物薄膜制作在絕緣層的另一面;一生物敏感膜區(qū)域網(wǎng)格制作在絕緣層的一面;密封膠封裝在上述結(jié)構(gòu)的側(cè)面四周,最終完成器件的基本芯片。
文檔編號G01N33/53GK1553176SQ0313843
公開日2004年12月8日 申請日期2003年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月2日
發(fā)明者韓涇鴻, 張虹 申請人:中國科學(xué)院電子學(xué)研究所
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