專利名稱：在本征半導(dǎo)體和歐姆接觸之間具有p摻雜半導(dǎo)體的有機(jī)肖特基二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在歐姆接觸層和有機(jī)半導(dǎo)體層之間包含緩沖層的肖特基二極管。
背景技術(shù)：
金屬-半導(dǎo)體結(jié)在所有的固態(tài)器件中均具有重要作用。金屬-半導(dǎo)體結(jié)既可以是整流接觸，也可以是歐姆接觸。理想地，歐姆接觸顯示電流和電壓的線性關(guān)系。整流接觸顯示電流和電壓的超線性關(guān)系。實(shí)際上，整流接觸可以用于制造二極管。二極管作為一種電子管，允許大電流沿著電路的一個(gè)方向流過，同時(shí)允許極小部分電流以相反方向流過。二極管在形成有效電流的流動(dòng)之前需要在其兩端施加一定量的電壓。該電壓被稱作“正向工作電壓”，Vf，其定義為可使指定正向電流(或者電流密度)通過二極管時(shí)所需的正向偏壓。二極管在反向基本不能允許有效電流流過，如果施加足夠大的反向電壓，則該二極管將在反向產(chǎn)生大數(shù)量級(jí)的電流。該反向偏壓通常稱為擊穿電壓，并被定義為可使指定反向電流(或者電流密度)流經(jīng)二極管時(shí)的電壓。
一種通常被稱為肖特基二極管的二極管是由金屬和半導(dǎo)體的結(jié)制成的。典型的肖特基二極管是由在兩個(gè)不同的金屬之間夾入半導(dǎo)體組成。一個(gè)金屬形成半導(dǎo)體的歐姆接觸，同時(shí)另一個(gè)金屬形成半導(dǎo)體的整流接觸。
半導(dǎo)體利用電子和空穴作為載流子。將電子作為多子的半導(dǎo)體通常被稱為n型半導(dǎo)體，或稱為帶電子型導(dǎo)體(having electron-typeconductivity)。將空穴作為多子的半導(dǎo)體通常被稱為p型半導(dǎo)體，或者稱為帶空穴型導(dǎo)體(having hole-type conductivity)。
對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體內(nèi)的電子遷移，當(dāng)金屬的費(fèi)米能級(jí)低于半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底的能級(jí)時(shí)形成整流接觸。所述的導(dǎo)帶底通常還稱為半導(dǎo)體的最低非占據(jù)分子軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)。當(dāng)金屬的費(fèi)米能級(jí)高于半導(dǎo)體的導(dǎo)帶底時(shí)，對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體中的電子遷移形成歐姆接觸?？蛇x地，可以通過對(duì)鄰近歐姆接觸金屬的半導(dǎo)體進(jìn)行n型重?fù)诫s形成歐姆接觸。(參見S.M.Sze，Physics ofSemiconductor Devices，1981)。在有機(jī)半導(dǎo)體中，空穴遷移的情況同以上相反。當(dāng)金屬的費(fèi)米能級(jí)低于半導(dǎo)體價(jià)帶頂，即最高占有分子軌道(Highest Occupied Molecular Orbital，HUMO)的能級(jí)時(shí)，對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體中的空穴遷移形成歐姆接觸。對(duì)于空穴遷移，也可以通過對(duì)鄰近歐姆接觸金屬的半導(dǎo)體進(jìn)行p型重?fù)诫s形成歐姆接觸。當(dāng)金屬的費(fèi)米能級(jí)高于半導(dǎo)體的價(jià)帶頂?shù)哪芗?jí)時(shí)，對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體中的空穴遷移形成整流接觸。
傳統(tǒng)意義上，無機(jī)硅和砷化鎵半導(dǎo)體一直在半導(dǎo)體工業(yè)中占有優(yōu)勢(shì)。但是近些年來，作為傳統(tǒng)的無機(jī)半導(dǎo)體替代選擇，使用有機(jī)半導(dǎo)體的選擇的呼聲日漸升高。一種有機(jī)半導(dǎo)體是并五苯(pentacene)，π共軛分子。對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體，在平行于膜表面的平面，以多晶形態(tài)的并五苯具有相對(duì)較高的空穴遷移率。并五苯的價(jià)帶頂比真空能級(jí)低大約4.9eV。因此，功函數(shù)為5.1eV的金可以形成并五苯的空穴的歐姆接觸，而功函數(shù)為4.3eV的鋁可以制成并五苯的空穴整流接觸。
已經(jīng)使用包括并五苯的半導(dǎo)體制造出肖特基二極管(Y.S.Lee，J HPark，J.S.Choi，Optical Materials，21.433-437，(2002))。然而，與無機(jī)半導(dǎo)體不同，通常不對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體摻雜以獲得他們的載流子遷移特性。使用受控?fù)诫s以影響有機(jī)遷移層的電特性是新技術(shù)?？梢詫㈩愃朴诙嗑?polycrystalline phthalocyananines)和非晶4，4’，4”-三(N，N-聯(lián)苯氨基)三苯胺(TDATA)的物質(zhì)摻雜進(jìn)強(qiáng)的有機(jī)受主四氟-四氰基對(duì)二次甲基苯醌(F4-TCNQ)，導(dǎo)致比非摻雜材料具備更高的電導(dǎo)率。(M.Pfeffer，A.Beyer，T.Friz，K.Leo，Appl，Phys.Lett，73，729，(1988))。
近年來有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)已經(jīng)引起更多重視。通過將厚的TDADA的摻雜空穴遷移層與薄的三基苯-二胺(TPD)的非摻雜緩沖層結(jié)合在一起，可以獲得具有極低工作電壓的多層OLEDs。該結(jié)構(gòu)導(dǎo)致OLEDs具備更低的工作電壓以及相比非摻雜器件具有增強(qiáng)的電致發(fā)光效率。(X.Zhou，M.Pfeiffer，J.Blochwitz，A.Werner，A.Nollau，T，F(xiàn)ritz，K Leo，Appl.Phys.Lett.78.410-412，(2001))。
通過采用本征態(tài)的4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)以及摻雜的F4-TCNQ，將摻雜非晶材料應(yīng)用于金屬/本征/p摻雜(Mip)二極管。據(jù)顯示，隨著增加MTDATA的摻雜可以增加電導(dǎo)率，并且通過加厚本征層可以增加Mip二極管的擊穿電壓和正向電壓。(J.Dreschel，M.Pfeiffer，X.Zhou，A.Nollau，K.Leo，SyntheticMetals，127，201-05，(2002))。
諸如由金、并五苯和鋁制造的一種典型的有機(jī)肖特基二極管，具備三種突出特點(diǎn)(1)在正向偏置模式下具備低的正向壓降；(2)在反向偏壓模式下具備低的擊穿電壓；以及(3)器件不魯棒，在實(shí)際應(yīng)用下容易短路。對(duì)于某些電子產(chǎn)品，諸如射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽，需要更高的擊穿電壓，同時(shí)保持相對(duì)低的正向壓降。另外，還需要更魯棒而不易短路的器件。

發(fā)明內(nèi)容
簡(jiǎn)而言之，本發(fā)明是一種有機(jī)肖特基二極管，其在有機(jī)半導(dǎo)體和歐姆接觸之間包含摻雜緩沖層。據(jù)發(fā)現(xiàn)，在歐姆接觸和有機(jī)半導(dǎo)體之間加入摻雜緩沖層可以使得在引起正向壓降的量值增加相對(duì)較小的情況下，大幅增加擊穿電壓的量值。另外，通過避免歐姆接觸經(jīng)由有機(jī)半導(dǎo)體形成穿刺，在歐姆接觸和有機(jī)半導(dǎo)體之間使用摻雜緩沖層可以獲得更魯棒的器件，進(jìn)而增加有效器件的成品率。


圖1是在歐姆接觸和有機(jī)半導(dǎo)體之間具有摻雜緩沖層的有機(jī)肖特基二極管的側(cè)面圖。
圖2是在歐姆接觸和有機(jī)半導(dǎo)體之間具有摻雜緩沖層的有機(jī)肖特基二極管的能帶圖。
圖3是在歐姆接觸和有機(jī)半導(dǎo)體之間具有緩沖層的有機(jī)肖特基二極管的電流-電壓(I-V)關(guān)系圖，其中緩沖層是以5-7％的F4-TCNQ摻雜的MTDATA(示例1)。
圖4是在歐姆接觸和有機(jī)半導(dǎo)體之間具有緩沖層的有機(jī)肖特基二極管的I-V關(guān)系圖，其中緩沖層是以＜5％的F4-TCNQ摻雜的MTDATA(示例2)。
圖5是在歐姆接觸和有機(jī)半導(dǎo)體之間不具有緩沖層的有機(jī)肖特基二極管的I-V關(guān)系圖(對(duì)比示例A)。
所畫各圖可能未依照比例。當(dāng)上述指定的解釋說明本發(fā)明的實(shí)施例時(shí)，如說明書所述，也包含說明其他實(shí)施例。在任何情況下，本公開通過描述性提出本發(fā)明，而無限制性。很明顯，本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員可以在本發(fā)明的原理的精神和范圍內(nèi)作出各種其他的修改和實(shí)施方式。
具體實(shí)施例方式
圖1顯示了本發(fā)明的有機(jī)肖特基二極管10。二極管10包括襯底12、歐姆接觸14、摻雜緩沖層16、多晶有機(jī)半導(dǎo)體層18、以及肖特基接觸20。
襯底12上形成歐姆接觸14。用相對(duì)于摻雜緩沖層16具有適當(dāng)功函數(shù)的材料制造歐姆接觸14。如果通過空穴遷移操作肖特基二極管10，那么優(yōu)選地歐姆接觸具備大的功函數(shù)，適合于向緩沖層16注入空穴。如果通過電子遷移操作肖特基二極管10，則優(yōu)選地歐姆接觸具備適合于向緩沖層16注入電子的低的功函數(shù)。例如，金與很多p型有機(jī)半導(dǎo)體形成歐姆接觸。
在歐姆接觸14的上面制備摻雜緩沖層16。例如，如果有機(jī)半導(dǎo)體層18是p型材料，則用4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)制造緩沖層16。MTDATA一種穩(wěn)定的非晶玻璃，可作為有機(jī)發(fā)光二極管的空穴遷移材料。其玻璃轉(zhuǎn)換溫度是～75℃，熔點(diǎn)是～203℃。其室溫下的未摻雜電導(dǎo)率為10-10S/cm。
因?yàn)榉菗诫s非晶MTDATA的低電導(dǎo)率，所以對(duì)于將該層加入金和并五苯層之間的二極管結(jié)構(gòu)，從歐姆接觸層至半導(dǎo)體層的接觸電阻遠(yuǎn)高于未加入該層的二極管結(jié)構(gòu)。這導(dǎo)致出現(xiàn)無法接受的高正向壓降。為克服這個(gè)問題，對(duì)MTDATA層摻雜以大大增加其電導(dǎo)率?？梢酝ㄟ^對(duì)MTDATA與四氰基對(duì)二次甲基苯醌的氟化態(tài)(F4-TCNQ)的受體分子進(jìn)行共升華(co-subliming)來對(duì)MTDATA進(jìn)行摻雜。在MTDATA中F4-TCNQ為3-20％的摻雜濃度是有效的，在MTDATA中以大約5％至10％的F4-TCNQ摻雜濃度將提供最佳結(jié)果。
摻雜緩沖層16也可以由其他材料制成。如果有機(jī)半導(dǎo)體18由p型半導(dǎo)體制成，則可以使用其他p型摻雜非晶材料制造摻雜緩沖層16，這些材料包括以四硫富瓦烯(TTF)摻雜的四氰基對(duì)二次甲基苯醌(TCNQ)(A.R.Brown，D.M.de Leeuw，E.E.Havinga，A.Pomp，Synthetic Metals，68，65-70，(1994))；以2，3-二氯-5，6-二氰基-1，2-苯醌(DDQ)摻雜的聚(β′-十二烷氧基(-α，α′-α′，α″-)三噻吩(polyDOT3)(C.P.Jarrett，R.H.Friend，A，R.Brown，and D.M.de Leeuw，J Appl.Phys.，77，6289-6294，(1995))；以花生酸摻雜的聚(3-己基噻吩)(PHT)或者quinquethiophene(QT)(J.Paloheimo，P.Kulvalainen，H.Stubb，E.Vuorimaa，and P.Yli-Lathi，Appl.Phys.Lett.56，1157-1159，(1990))；曝光在空氣中以和氧氣反應(yīng)的镥和銩雙酞菁(bisphthalocyanines)(G.Guilllaud，M.AL Sadoun，M.Maitrot，J.Simon，and M.Bouvet，Chem，Phys.Lett，167，503-506，(1990))；或者以銦或者銻摻雜的C60(K，Hoshimono，S.Fujimori，S.Fujita，and S.Fujita，Jpn.J.Appl.Phys.，32.L1070-L1073，(1993))。如果有機(jī)半導(dǎo)體18是由n型半導(dǎo)體制成的，則摻雜緩沖層16必須由n型摻雜非晶材料制成，這些材料諸如以雙(二硫代亞乙基)四硫富瓦烯(BEDT-TTF)摻雜的萘四甲酸二酐(NTCDA)(A，Nollau，M.Pfeiffer，T，F(xiàn)ritz，and K.Leo，J.Appl.Phys.，87，4340-4343，(2000))；或者陽離子染料pronin B氯化物(A.Werner，F(xiàn).Li，K.Harads，M.Pfeiffer，T.Fritz，K.Leo，and S.Machill，Adv.Funct.Mater.，14，255-260，(2004))。
在摻雜緩沖層16的上面制備有機(jī)半導(dǎo)體18。該有機(jī)半導(dǎo)體具有多晶結(jié)構(gòu)，并由可由提供適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體性能的任意材料制成。并五苯是一種符合需要的有機(jī)半導(dǎo)體，因?yàn)槠湎鄬?duì)高的載流子遷移率。然而，也可以使用其他p型有機(jī)半導(dǎo)體，包括無金屬酞菁(例如，H2Pc)和金屬酞菁(此處金屬是銅，釩(VO)，鎳，鐵，鉛，鋅，鎂，或者鈷)；以銦或者銻摻雜的富勒烯(C60)；聚苯胺(polyaniline)；聚咇咯(Polypyrrole)，聚對(duì)苯(Poly(p-phenylene))，聚對(duì)苯乙炔(Poly(P-phenylene Vinylene))；替代的并五苯化合物，其描述于U.S.2003-0105365所公開的受讓人共同待決申請(qǐng)U.S.S.N.10/256,616中；雙(2-acenyl)乙炔化合物，其描述于受讓人共同待決申請(qǐng)U.S.S.N.10/620,027中；或者并苯-噻吩化合物，其描述于受讓人U.S.S.N.10/641730中。有機(jī)半導(dǎo)體18也可采用n型有機(jī)半導(dǎo)體制成，包括hexadecahalogenated metallophthalpocyanines，諸如F16CuPc，F(xiàn)16ZnPc，F(xiàn)16FePc，以及F16CoPc(Z.Bao，A.J.Lovinger，and J.Brown，J.Am.Chem.Soc.，120，207-208，(1998))；或者N，N’-二辛酯-3，4，9，10-二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺(PTCDI-C8H)(P.R.L.Malenfant，C.D.Dimitrakopoulos，J.Gelorme，L.L.Kosbar，and T.O.Graham，Appl.Phys.Lett.，80.2517-2519，(2002))。
在有機(jī)半導(dǎo)體18上面制備肖特基接觸20。肖特基接觸20由對(duì)應(yīng)于有機(jī)半導(dǎo)體18具有適合的功函數(shù)的材料制成。如果肖特基二極管10工作于空穴遷移，則肖特基接觸20必須具備高于有機(jī)半導(dǎo)體層18的價(jià)帶頂?shù)馁M(fèi)米能級(jí)。如果肖特基二極管10工作于電子遷移，則肖特基接觸20必須具備低于有機(jī)半導(dǎo)體層18的導(dǎo)帶底的費(fèi)米能級(jí)。例如，鋁可以在并五苯內(nèi)形成關(guān)于空穴遷移的肖特基接觸。
在有機(jī)半導(dǎo)體二極管的制造中，穿刺(spiking)是一個(gè)問題。沒有表面是絕對(duì)光滑的。當(dāng)在兩層金屬之間制備薄半導(dǎo)體材料層時(shí)，金屬可能刺穿半導(dǎo)體并與其他金屬直接接觸。這使半導(dǎo)體產(chǎn)生不希望出現(xiàn)的短路。
緩沖層16由非晶材料制成。作為結(jié)果，緩沖層16消除了歐姆接觸14的較粗糙的表面。緩沖層16還增加了歐姆接觸14和肖特基接觸20之間的距離。采用更厚層的有機(jī)半導(dǎo)體18還將增加歐姆接觸14和肖特基20之間的距離。然而，更厚的非摻雜有機(jī)半導(dǎo)體層還將增加二極管10的正向壓降，而這是不希望出現(xiàn)的。添加緩沖層16降低了穿刺出現(xiàn)的可能性，因而使得器件更魯棒，同時(shí)維持了相對(duì)較低的正向壓降。緩沖層16至少具有1500的厚度，也可以厚達(dá)10,000。2000至5000之間的緩沖層16具備最佳性能。
圖2顯示了有機(jī)肖特基二極管10在其平衡態(tài)時(shí)的能帶圖。該圖包括歐姆接觸14，摻雜緩沖層16，有機(jī)半導(dǎo)體層18，整流接觸20，LUMO能級(jí)22，HOMO能級(jí)24以及費(fèi)米能級(jí)26。從歐姆接觸14注入空穴至摻雜緩沖層16。所述空穴經(jīng)由摻雜緩沖層16進(jìn)入有機(jī)半導(dǎo)體18。所述空穴經(jīng)由有機(jī)半導(dǎo)體18進(jìn)入整流接觸20。當(dāng)有機(jī)肖特基二極管10正向偏置時(shí)，通過正向偏置降低有機(jī)半導(dǎo)體18和整流接觸20之間的勢(shì)壘，允許所述空穴從有機(jī)半導(dǎo)體18自由進(jìn)入整流接觸20。作為對(duì)比，當(dāng)對(duì)有機(jī)肖特基二極管10施加反向偏置時(shí)，有機(jī)半導(dǎo)體18和整流接觸20之間的勢(shì)壘阻止空穴在相反方向的流動(dòng)。
示例通過以下示例將進(jìn)一步地描述本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)，在這些示例中的材料和各材料的量值以及他們的條件和細(xì)節(jié)均不應(yīng)認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。
示例1圖3顯示了在半導(dǎo)體層和歐姆接觸層之間包含了摻雜緩沖層的有機(jī)肖特基二極管的典型的I-V曲線圖。在圖3中，沿縱軸所標(biāo)明的是電流密度的絕對(duì)值，沿橫軸標(biāo)明的是偏置電壓。該特定二極管具有由30的鈦和600的金所制的歐姆接觸，由摻雜了5-7％的F4-TCNQ的厚度為3500的MTDATA所制成的摻雜緩沖層，由3000的并五苯制成的半導(dǎo)體層，以及由2000的鋁制成的整流接觸。在反向偏置側(cè)可觀測(cè)到改善的擊穿電壓。即時(shí)在-50伏，泄漏電流密度仍維持在10-5A/mm2。
示例2摻雜緩沖層16的摻雜濃度影響正向壓降和擊穿電壓。圖4顯示了有機(jī)肖特基二極管具有由500的金和20的鈦制成的歐姆接觸，由摻雜了低于5％濃度的F4-TCNQ的厚度為3200的MTDATA所形成的摻雜緩沖層，由4900的并五苯制成的有機(jī)半導(dǎo)體，以及由2000的鋁制成的整流接觸。該器件具備和圖3中所示器件相類似的結(jié)構(gòu)，除了MTDATA中的F4-TCNQ的摻雜級(jí)別較小以外。在圖4中，縱軸所示是電流密度的絕對(duì)值，橫軸所示是偏置電壓。隨著更低級(jí)別的摻雜，可以獲得超過-60伏的更好的擊穿電壓。然而，正向壓降升至15伏。
對(duì)比示例A為了比較，圖5顯示了未加入摻雜緩沖層16的有機(jī)肖特基二極管。該特定的二極管具有由20的銻和550的金所制成的歐姆接觸，由4900的并五苯制成的有機(jī)半導(dǎo)體層，由2000的鋁制成的整流接觸。在圖5中，縱軸標(biāo)示的是電流密度的絕對(duì)值，橫軸標(biāo)示的是偏置電壓值。
對(duì)比圖3和圖5，包含摻雜緩沖層16的有機(jī)肖特基二極管(圖3)顯示了高于-50伏的改進(jìn)后的擊穿電壓，而傳統(tǒng)的肖特基二極管(圖3)的擊穿電壓是-36伏。而且圖3中所示的I-V曲線的二極管仍顯示了大約9伏的低的正向壓降。
示例3-5通常，摻雜級(jí)別會(huì)影響正向壓降和擊穿電壓。為了增加擊穿電壓，必須增加正向壓降，而前者是符合期望的，后者是不符合期望的。表1概述了以F4-TCNQ摻雜的MTDATA關(guān)于正向壓降和擊穿電壓方面的效果。
表1

在有機(jī)肖特基二極管的歐姆接觸和半導(dǎo)體層之間加入摻雜緩沖層可以顯著增加器件的擊穿電壓，同時(shí)將正向壓降仍維持在有效水平上。另外，在歐姆接觸和肖特基接觸之間加入的緩沖層可以避免穿刺，進(jìn)而可以獲得更魯棒的器件并增加有效器件的成品率。
雖然參考上述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做了說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下可以做出形式和內(nèi)容上的各種變化。例如，圖1所示的襯底上的結(jié)構(gòu)的全部順序可以相反，但仍能獲得相同的改進(jìn)特性。
權(quán)利要求
1.一種肖特基二極管，包括多晶有機(jī)半導(dǎo)體層；在所述有機(jī)半導(dǎo)體層的第一表面上的整流接觸；與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的第二表面相接觸的摻雜緩沖層，所述摻雜緩沖層由非晶摻雜有機(jī)半導(dǎo)體形成；以及所述摻雜緩沖層的歐姆接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的所述肖特基二極管，其中有機(jī)半導(dǎo)體層是π-共軛聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的所述肖特基二極管，其中所述有機(jī)半導(dǎo)體層是從一組中選取的，該組包含并五苯，無金屬酞菁和金屬酞菁，以銦或者銻摻雜的富勒烯，聚苯胺，聚咇咯，聚對(duì)苯，聚對(duì)苯乙炔，替代并五苯化合物，雙(2-acenyl)乙炔化合物，并苯-噻吩化合物，F(xiàn)16CuPc，F(xiàn)16ZnPc，F(xiàn)16FcPc，以及F16CoPc以及N，N’-二辛酯-3，4，9，10-二萘嵌苯四羧酸二酰亞胺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的所述肖特基二極管，其中所述非晶有機(jī)半導(dǎo)體具有1500至10000埃的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的所述肖特基二極管，其中所述非晶有機(jī)半導(dǎo)體具有2000至5000埃的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的所述肖特基二極管，其中所述非晶有機(jī)半導(dǎo)體是MTDATA。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的所述肖特基二極管，其中所述MTDATA是以F4-TCNQ摻雜的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的所述肖特基二極管，其中所述MTDATA是以3-20％的F4-TCNQ摻雜的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的所述肖特基二極管，其中所述MTDATA是以5-10％的F4-TCNQ摻雜的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之任一的所述肖特基二極管，其包括襯底；歐姆接觸，其第一表面與所述襯底的第一表面相接觸；摻雜緩沖層，其第一表面與所述歐姆接觸的第二表面相接觸，所述摻雜緩沖層以非晶摻雜有機(jī)半導(dǎo)體制成；多晶有機(jī)半導(dǎo)體層，其第一表面與所述摻雜緩沖層的第二表面相接觸；以及整流接觸，其第一表面與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的第二表面相接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9之任一的所述肖特基二極管，其包括襯底；整流接觸，其第一表面與所述襯底的第一表面相接觸；多晶有機(jī)半導(dǎo)體層，其第一表面與所述整流接觸的第二表面相接觸；摻雜緩沖層，其第一表面與所述多晶有機(jī)半導(dǎo)體層的第二表面相接觸，所述摻雜緩沖層以非晶摻雜有機(jī)半導(dǎo)體制成；以及歐姆接觸，其第一表面與所述摻雜緩沖層的第二表面相接觸。
全文摘要
一種包括多晶有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)肖特基二極管，其中所述多晶有機(jī)半導(dǎo)體層的一側(cè)具有整流接觸。在所述的多晶有機(jī)半導(dǎo)體層的另一側(cè)具有非晶摻雜半導(dǎo)體層，其作為半導(dǎo)體層和歐姆接觸層之間的緩沖層。
文檔編號(hào)H01L51/40GK1947273SQ200580013066
公開日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2005年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月25日
發(fā)明者李子成, 邁克爾·A·哈斯, 保羅·F·博德 申請(qǐng)人:3M創(chuàng)新有限公司