1.一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括支架，支架上固有LED芯片，其特征在于，在支架和LED芯片之間有一層低膨脹系數(shù)的底板，該底板上設(shè)有與LED芯片電極位置相對應(yīng)的導(dǎo)電孔，實現(xiàn)LED芯片與支架的電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底板的膨脹系數(shù)介于GaN材料的膨脹系數(shù)和支架的膨脹系數(shù)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底板的膨脹系數(shù)為2~8PPM。
4.一種LED封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括在支架上固定一層設(shè)有與LED芯片電極位置相對應(yīng)的導(dǎo)電孔的低膨脹系數(shù)的底板，在底板上固定LED芯片，實現(xiàn)LED芯片與支架的電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底板的膨脹系數(shù)介于GaN材料的膨脹系數(shù)和支架的膨脹系數(shù)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底板的膨脹系數(shù)為2~8PPM。
7.一種LED封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括先將多顆LED倒裝芯片固定在低膨脹系數(shù)的底板上，其中LED倒裝芯片的電極位置與低膨脹系數(shù)底板上的導(dǎo)電孔位置相對應(yīng)；然后分割該低膨脹系數(shù)的底板，形成單顆含有低膨脹系數(shù)底板的LED倒裝芯片；最后將該LED倒裝芯片固定在支架上，實現(xiàn)LED倒裝芯片與支架的電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底板的膨脹系數(shù)介于GaN材料的膨脹系數(shù)和支架的膨脹系數(shù)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述底板的膨脹系數(shù)為2~8PPM。