絲104用于加熱上述樣本位102中的樣本。
[0041]為了方便上述加熱元器件和傳感器導(dǎo)線(xiàn)的導(dǎo)出，將上述托盤(pán)I的托盤(pán)底設(shè)計(jì)成中空結(jié)構(gòu)，即上述托盤(pán)底包括第一底盤(pán)106和第二底盤(pán)107，上述樣本位102的底部為上述第二底盤(pán)107，上述試劑位101的底部為上述第一底盤(pán)106，上述第一底盤(pán)106和第二底盤(pán)107之間設(shè)有制冷片108，上述制冷片108貼緊上述第一底盤(pán)106的底面，上述制冷片108用于制冷。
[0042]并且還設(shè)置了溫度傳感器，上述溫度傳感器設(shè)置在上述第一底盤(pán)106和第二底盤(pán)107之間。上述托盤(pán)底部的中空結(jié)構(gòu)設(shè)置，方便了加熱元器件和傳感器的導(dǎo)線(xiàn)導(dǎo)出。
[0043]在本實(shí)施例中，上述第一加熱電阻絲103和第二加熱電阻絲104的加熱溫度能夠達(dá)到37 °C ± 0.5 °C，上述制冷片108的制冷溫度能夠至14°C ± 2 °C，上述第一加熱電阻絲103和第二加熱電阻絲104恒溫控制的溫度誤差為37°C±0.TC。因此，該裝置能夠在結(jié)構(gòu)上滿(mǎn)足旋轉(zhuǎn)和溫控的需求，并且溫度控制的精度較高。
[0044]在本實(shí)施例中，為了更好的傳導(dǎo)熱量，提高上述溫度控制裝置的溫度控制效率，上述托盤(pán)采用鋁材質(zhì)。
[0045]如圖4-7所示，上述溫度控制的裝置的溫控方法和原理為:
[0046]SI MCU單元根據(jù)預(yù)先設(shè)置的加熱、制冷以及溫控流程參數(shù)，給樣本位、試劑位發(fā)送溫fe命令O
[0047]S2用于試劑位加熱的第一加熱電阻絲、用于樣本位上加熱的第二加熱電阻絲以及用于整個(gè)裝置制冷的制冷片根據(jù)接收到的命令進(jìn)行各種單元加溫操作、制冷操作。
[0048]S3溫度傳感器將監(jiān)測(cè)到的溫度信號(hào)傳輸給芯片NE5532，傳感器信號(hào)經(jīng)過(guò)芯片NE5532信號(hào)運(yùn)放后，傳輸給MCU單元系統(tǒng)。
[0049]S4 M⑶單元系統(tǒng)進(jìn)行模擬信號(hào)A/D轉(zhuǎn)換后進(jìn)行運(yùn)算分析，計(jì)算當(dāng)前溫度值與設(shè)定的目標(biāo)溫度之間的關(guān)系，對(duì)第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲進(jìn)行控制，若當(dāng)前的溫度值比設(shè)定的溫度高，通過(guò)MCU單元系統(tǒng)控制關(guān)閉第一加熱電阻絲或第二加熱電阻絲的加熱器，若當(dāng)前溫度值比設(shè)定的溫度低，通過(guò)MCU單元系統(tǒng)控制開(kāi)啟第一加熱電阻絲或第二加熱電阻絲的加熱器。
[0050]S5將溫度控制的執(zhí)行結(jié)果傳輸給M⑶單元。
[0051 ] 本實(shí)施例的工作原理如下:
[0052]MCU單元根據(jù)預(yù)先設(shè)置的加熱、制冷以及溫控流程參數(shù)，給檢測(cè)器單元發(fā)送各種命令，檢測(cè)器單元根據(jù)接收到的命令進(jìn)行溫度的跟蹤點(diǎn)設(shè)置、增益控制，執(zhí)行相應(yīng)的溫度控制操作，并根據(jù)需要返回執(zhí)行的結(jié)果給MCU單元。
[0053]溫度控制單元將溫控信號(hào)傳輸給檢測(cè)器，檢測(cè)器上的加熱元器件和制冷元器件接到命令后開(kāi)始加熱和制冷，傳感器獲得的溫度信號(hào)傳輸給信號(hào)調(diào)理放大單元，經(jīng)過(guò)信號(hào)調(diào)理放大單元放大后傳輸給ADC單元，ADC單元將信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字量信號(hào)(實(shí)時(shí)溫度數(shù)值)，數(shù)值被主機(jī)讀取。
[0054]恒溫控制是傳感器信號(hào)值經(jīng)NE5532芯片信號(hào)運(yùn)放，傳輸M⑶單元系統(tǒng)進(jìn)行模擬信號(hào)A/D轉(zhuǎn)換運(yùn)算分析，計(jì)算當(dāng)前溫度值與設(shè)定目標(biāo)溫度之間的關(guān)系，對(duì)系統(tǒng)加熱源進(jìn)行通斷控制。若當(dāng)前溫度值比設(shè)定溫度高，通過(guò)MCU單元系統(tǒng)控制關(guān)斷加熱器;若當(dāng)前溫度值比設(shè)定溫度低，通過(guò)MCU單元系統(tǒng)控制開(kāi)啟加熱器;恒溫誤差在37±0.1°C，滿(mǎn)足了控制需求。
[0055]對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種溫度控制裝置，其特征在于，其包括: 托盤(pán)，所述托盤(pán)的頂部端面上設(shè)有若干試劑位和若干樣本位，所述試劑位和樣本位均為盲孔，若干所述試劑位之間等間距的呈圓周排列，若干所述樣本位之間等間距的呈圓周排列，所述樣本位設(shè)置在所述試劑位的外周； 轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸貫穿所述托盤(pán)中心能夠帶動(dòng)所述托盤(pán)旋轉(zhuǎn)； 所述轉(zhuǎn)軸與所述試劑位之間的中空間隙中設(shè)有第一加熱電阻絲，所述第一熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，所述第一加熱電阻絲用于加熱所述試劑位中的試劑； 所述樣本位的外周設(shè)有第二加熱電阻絲，所述第二加熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，所述第二加熱電阻絲用于加熱所述樣本位中的樣本； 所述托盤(pán)的托盤(pán)底為中空結(jié)構(gòu)，所述托盤(pán)底包括第一底盤(pán)和第二底盤(pán)，所述樣本位的底部為所述第二底盤(pán)，所述試劑位的底部為所述第一底盤(pán)，所述第一底盤(pán)和第二底盤(pán)之間設(shè)有制冷片，所述制冷片貼緊所述第一底盤(pán)的底面，所述制冷片用于制冷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度控制裝置，其特征在于，還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器設(shè)置在所述第一底盤(pán)和第二底盤(pán)之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度控制裝置，其特征在于，所述第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲的加熱溫度能夠達(dá)到37°C ±0.5°C。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種溫度控制裝置，其特征在于，所述第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲恒溫控制的溫度誤差為37°C ±0.1°C。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溫度控制裝置，其特征在于，所述制冷片的制冷溫度能夠至 14°C±2°C。6.—種恒溫控制方法，該方法基于權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)中所述的一種溫度控制裝置，其特征在于，包括以下步驟: SI MCU單元根據(jù)預(yù)先設(shè)置的加熱、制冷以及溫控流程參數(shù)，給樣本位、試劑位發(fā)送溫控命令； S2用于試劑位加熱的第一加熱電阻絲、用于樣本位上加熱的第二加熱電阻絲以及制冷片根據(jù)接收到的命令各種進(jìn)行單元加溫操作、制冷操作； S3溫度傳感器將監(jiān)測(cè)到的溫度信號(hào)傳輸給芯片NE5532，傳感器信號(hào)經(jīng)過(guò)芯片NE5532信號(hào)運(yùn)放后，傳輸給MCU單元； S4 MCU單元進(jìn)行模擬信號(hào)A/D轉(zhuǎn)換運(yùn)算分析，計(jì)算當(dāng)前溫度值與設(shè)定的目標(biāo)溫度之間的關(guān)系，對(duì)第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲進(jìn)行控制，若當(dāng)前的溫度值比設(shè)定的溫度高，通過(guò)MCU單元控制關(guān)閉第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲的加熱器，若當(dāng)前溫度值比設(shè)定的溫度低，通過(guò)MCU單元控制開(kāi)啟第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲的加熱器； S5將溫度控制的執(zhí)行結(jié)果傳輸給MCU單元。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種溫度控制裝置，其包括：托盤(pán)和帶動(dòng)托盤(pán)旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)軸，托盤(pán)的頂部端面上設(shè)有若干試劑位和若干樣本位，試劑位和樣本位均為盲孔；轉(zhuǎn)軸與所述試劑位之間的中空間隙中設(shè)有第一加熱電阻絲，第一加熱電阻絲用于加熱所述試劑位中的試劑；樣本位的外周設(shè)有第二加熱電阻絲，第二加熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，第二加熱電阻絲用于加熱所述樣本位中的樣本；托盤(pán)的托盤(pán)底為中空結(jié)構(gòu)，托盤(pán)底包括第一底盤(pán)和第二底盤(pán)，第一底盤(pán)和第二底盤(pán)之間設(shè)有制冷片，制冷片貼緊所述第一底盤(pán)的底面。其溫控調(diào)節(jié)效率高，溫控精度高，且成本低。
【IPC分類(lèi)】G05D23/19
【公開(kāi)號(hào)】CN105676907
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610177272
【發(fā)明人】丁鴻
【申請(qǐng)人】丁鴻
【公開(kāi)日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2016年3月25日