本公開總體上涉及機(jī)械面密封件，更具體地，涉及涂覆有薄膜的機(jī)械面密封件。

背景技術(shù)：

許多應(yīng)用本質(zhì)上使機(jī)器部件處于極端條件下，加速部件磨損和故障。例如一個(gè)這樣的應(yīng)用是鉆地。在鉆地時(shí)，使用至少一個(gè)滾動(dòng)錐形切割機(jī)來鉆出鉆孔。滾動(dòng)錐形切割機(jī)可旋轉(zhuǎn)地安裝到軸上，隨著土體結(jié)構(gòu)被粉碎，該軸在鉆孔中逐漸地下降。

錐體相對(duì)于軸的旋轉(zhuǎn)是使用密封組件實(shí)現(xiàn)的。鉆地鉆頭可以包括設(shè)置在軸的基部處的凹槽中的至少一個(gè)剛性密封環(huán)。該剛性密封環(huán)具有與定位在錐體上的軸承套筒的表面配合的表面。軸承套筒和剛性密封環(huán)形成密封組件，并且它們相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)。由于配合表面是金屬的，它們必須被潤(rùn)滑以允許錐體圍繞軸無縫旋轉(zhuǎn)。此外，盡管錐體的高旋轉(zhuǎn)速度，潤(rùn)滑劑必須保持在界面處。

在鉆地時(shí)，錐體受到由施加在軸上的力、由于在破碎土體結(jié)構(gòu)時(shí)發(fā)生的瞬時(shí)沖擊、以及由于鉆頭沿著鉆孔的側(cè)壁滑動(dòng)而導(dǎo)致的高負(fù)載壓力。這些高壓力負(fù)載可能導(dǎo)致密封組件失效。此外，錐體為確保令人滿意的鉆地性能進(jìn)行旋轉(zhuǎn)所需的高速度也可能導(dǎo)致組件失效。最后，暴露于來自破碎的土體結(jié)構(gòu)的腐蝕性和磨蝕性顆?？赡芨g密封組件的部件，特別是如果這些顆粒存在于配合表面之間的界面處。

用于制造用于鉆地鉆頭的改進(jìn)的密封組件的示例性方法在2007年6月26日授予Scott等人的美國(guó)專利No.7,234,541(“'541專利”)中公開。機(jī)械面密封件的表面用類金剛石碳(DLC)膜涂覆，所述類金剛石碳(DLC)膜布置在涂覆于密封表面上的中間層上。據(jù)報(bào)道，涂覆有DLC膜的密封件相對(duì)于未涂覆的密封件具有增加的耐磨性。

'541專利中公開的涂覆密封件可以提供對(duì)于一些鉆地應(yīng)用特別重要的某些益處。然而，它們可能具有某些缺點(diǎn)。例如，DLC涂層在使用期間可能分層，因?yàn)榧词巩?dāng)使用中間層時(shí)，DLC涂層對(duì)下面的密封表面的粘附性依然差。本文公開的實(shí)施例可有助于至少解決這些問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在一個(gè)方面，本公開涉及一種密封件。密封件可以包括第一表面和設(shè)置在大致平行于第一表面的平面中的第二表面。另外，第一表面和第二表面中的至少一者可以至少部分地涂覆有膜。該膜可以包括粘合層、過渡層和非晶態(tài)類金剛石(a-DLC)層。

在另一方面，本公開涉及一種用于通過修改密封環(huán)的表面來制造密封界面的方法。該方法可以包括精加工表面以賦予其預(yù)定幾何形狀和/或預(yù)定計(jì)量。此外，該方法可以包括在精加工之后清潔表面并且使用物理氣相沉積(PVD)濺射在其上沉積第一層。第一層可以包括金屬。此外，該方法可包括使用PVD濺射在第一層上沉積第二層。第二層可以包括金屬和碳。另外，該方法可以包括使用等離子體輔助的化學(xué)氣相沉積(PACVD)在第二層上沉積第三層。第三層可以是非晶態(tài)類金剛石碳(a-DLC)層。

附圖說明

圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的機(jī)械面密封件的示意圖。

圖2是圖1的機(jī)械面密封件的側(cè)視圖。

圖3是根據(jù)示例性實(shí)施例的涂覆有膜的機(jī)械面密封件的示意圖。

圖4是根據(jù)示例性實(shí)施例的涂覆有膜的表面精加工的機(jī)械面密封件的示意圖。

圖5是根據(jù)示例性實(shí)施例的包括兩個(gè)機(jī)械面密封件的密封組件的橫截面圖。

圖6A和圖6B是根據(jù)示例性實(shí)施例的鉆地鉆頭的示意圖。

圖7是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的涂覆機(jī)械面密封件的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的機(jī)械面密封件10。圖2中示出了密封件10的側(cè)視圖。

密封件10可以包括設(shè)置在通常平行于第二表面18的平面中的第一表面12。密封件10還可以包括內(nèi)表面16和外表面14。表面14可以包括具有預(yù)定深度和預(yù)定側(cè)壁輪廓的凹槽。例如，凹槽可以包括底部平坦部分和彎曲側(cè)壁。

密封件10可以制成硬化或回火鋼或適于制造機(jī)械面密封件的其它材料。例如，這種材料可以是鐵、鎳、鈷及其合金，例如馬氏體不銹鋼或不銹鋼。此外，密封件10可以由陶瓷材料制成，這種材料可以提供防腐蝕。此外，盡管圖1將表面12示出為基本平坦的表面，但是在其它實(shí)施例中，表面12可以包括基本上平行于表面18的第一區(qū)域和相對(duì)于第一區(qū)域以一定角度漸縮的第二區(qū)域。

表面12也可以用專用表面精加工工藝來精加工。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，表面12可以被加工。在另一示例性實(shí)施例中，專用精加工工藝可以是各向同性精加工。各向同性精加工去除了可能存在于表面12上的粗糙體。各向同性精加工還被設(shè)計(jì)為在表面12內(nèi)留下谷。這些谷可以在密封件10用于密封組件(如下文所述)中的應(yīng)用中提供改進(jìn)的潤(rùn)滑劑保持。此外，各向同性精加工可使表面12比機(jī)加工或裸露表面12更耐腐蝕。

可以控制各向同性精加工過程以將預(yù)定計(jì)量賦予表面12。預(yù)定計(jì)量可以是“磨合的”計(jì)量。當(dāng)與另一表面接觸并且移動(dòng)時(shí)，磨合的表面經(jīng)歷較少的熱量和較少的磨損。

表面12的計(jì)量可以被表征為例如在各向同性精加工工藝之后的表面12的粗糙度的量度。例如，可以使用表面12的片段(即，在線輪廓上)的高度變化來計(jì)算粗糙度的度量?；蛘撸梢允褂帽砻?2的所選區(qū)域中(即，區(qū)域輪廓上)的高度變化來計(jì)算粗糙度的度量?？梢允褂美缬|針輪廓儀獲得線輪廓。另一方面，例如可以使用干涉式輪廓儀獲得區(qū)域輪廓。

僅作為示例，沿著表面12的片段測(cè)量的高度的算術(shù)平均值可以用于計(jì)算輪廓粗糙度參數(shù)(Ra)。類似地，可以使用在區(qū)域輪廓中測(cè)量的高度的算術(shù)平均值來計(jì)算面積粗糙度參數(shù)(Sa)?？梢钥刂聘飨蛲跃庸すに囈援a(chǎn)生預(yù)定的Ra和Sa參數(shù)。然而，通常，表面12的計(jì)量可以是在各向同性精加工工藝之后的表面12的任何可測(cè)量的特性或性質(zhì)。

密封件10可以包括設(shè)置在表面12和表面18中的至少一者上的共形膜20(如圖3和圖4所示)。膜20可以設(shè)置在密封件10的所有表面上。在表面12包括錐形部分的實(shí)施例中，膜20可以設(shè)置在錐形部分上以及平坦部分上。膜20可以包括粘合層、過渡層和作為非晶態(tài)類金剛石碳層的頂層。膜20可以設(shè)置在機(jī)加工和/或精加工的表面12和/或表面18上，并且其可以部分地覆蓋或完全覆蓋這些表面。

圖3示出了示例性實(shí)施例的橫截面視圖，其中密封件10具有設(shè)置在表面12上的膜20。膜20包括可以包括金屬的共形粘合層22。僅舉例來說，粘合層22可以包括鉻(Cr)或鈦(Ti)。

術(shù)語(yǔ)“共形”在本文中用于指示薄膜的性質(zhì)以保持其基板的形貌。也就是說，粘合層22將具有與表面12相同的表面粗糙體，因?yàn)檎澈蠈?2與表面12共形。否則，粘合層22具有的計(jì)量基本上等于表面12的計(jì)量。

共形過渡層24設(shè)置在粘合層22上。過渡層24可以包含金屬摻雜碳膜。圖3示出了過渡層24包括摻雜有鎢(W)和鉻(Cr)的富碳層的示例性實(shí)施例。僅作為示例，過渡層24的金屬含量可以在約5至20原子百分比(at％)的范圍內(nèi)。金屬含量大于20原子百分比可以增加膜20的硬度，但也可以導(dǎo)致更大的摩擦系數(shù)。相反，金屬含量小于5％可提供不足的粘附性和膜硬度。過渡層24的碳含量可以包括非氫化的碳和/或氫化的碳原子。

在不同的實(shí)施例中，過渡層24可以包括金屬摻雜類金剛石碳(m-DLC)層。類金剛石碳膜是具有類似于金剛石的性質(zhì)的亞穩(wěn)態(tài)非晶態(tài)碳或碳?xì)浠衔锏念愋?。DLC膜具有的優(yōu)點(diǎn)是具有不超過其所沉積的襯底的最低轉(zhuǎn)變溫度的沉積溫度，該轉(zhuǎn)變溫度是密封環(huán)10至少部分地失去一種或多種結(jié)構(gòu)性質(zhì)(例如其硬度或殘余應(yīng)力)的溫度。

膜20可以進(jìn)一步包括設(shè)置在過渡層24上的共形的非晶態(tài)類金剛石碳(a-DLC)層26。與鋼相比，該非晶態(tài)類金剛石碳(a-DLC)屬于具有低摩擦、高耐磨性、高耐擦性和高耐磨損性的材料家族。此外，如本文所使用的a-DLC是指不具有晶體結(jié)構(gòu)的所有類型的游離的反應(yīng)性碳。

a-DLC層26不具有金屬含量。在其它實(shí)施例中，膜20可包括設(shè)置在過渡層24上的非晶態(tài)氫化碳(a-C:H)，而不是如圖3所示的實(shí)施例中的a-DLC層26。在其他實(shí)施例中，a-DLC層26也可以摻雜有過渡金屬碳化物或其他元素，例如硅。在這些情況下，a-DLC層26的碳含量可以在約60-80原子百分比(at％)的范圍內(nèi)。

在其他實(shí)施例中，膜20可以包括鉻(Cr)的粘合層22、鎢DLC(W-DLC)的過渡層24和a-DLC層26。在其他實(shí)施例中，膜20可以包括鉻(Cr)的粘合層22、包括鎢摻雜碳(WC)和鎢-DLC(W-DLC)的過渡層24以及設(shè)置在過渡層24頂部的非晶態(tài)氫化碳(aC:H)。在其他實(shí)施例中，膜20可以包括金屬層、金屬摻雜碳層和非晶態(tài)類金剛石(a-DLC)層。金屬摻雜碳層可以是鉻摻雜的或鎢摻雜的。

膜20可以包括沉積到第一厚度的粘合層22、沉積到第二厚度的過渡層和沉積到第三厚度的頂層。第一厚度可以在約100nm至200nm的范圍內(nèi)，第二厚度可以在約200nm至600nm的范圍內(nèi)，第三厚度可以在約2,000nm至3,000nm的范圍內(nèi)。在其它實(shí)施例中，第三厚度可以在約2,000nm至10,000nm的范圍內(nèi)。第一厚度、第二厚度和第三厚度可以不相等。

在其他實(shí)施例中，第三厚度可以大于第一厚度的三倍，以及大于第二厚度的兩倍。薄膜可以比較厚的膜更共形。因此，膜20的計(jì)量可以相對(duì)于表面12的計(jì)量簡(jiǎn)單地通過增加膜20的厚度而改變，從而消除表面12的任何表面精加工的影響。此外，增加膜20的厚度可以產(chǎn)生增加的殘余應(yīng)力，其可降低膜20對(duì)表面12的粘附性。

圖4示出了類似于圖3中所示的實(shí)施例的另一示例性實(shí)施例。圖4的示例性實(shí)施例與圖3的不同之處在于表面12是各向同性精加工的。也就是說，由于各向同性精加工工藝，表面12具有散布在其上的峰和谷(在圖4中用數(shù)字28表示)。因此，由于粘合層22、過渡層24和層26全部是共形的，因此膜20也是共形的。換句話說，膜20保持各向同性精加工表面12的計(jì)量。在一個(gè)實(shí)施例中，各向同性精加工表面12的表面粗糙度參數(shù)Ra可以低于約500nm、200nm或100nm。低Ra值可以提供膜20對(duì)表面12的增加的粘附性。

圖5示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的利用兩個(gè)機(jī)械面密封件10的密封組件40的橫截面圖。組件40中的每個(gè)密封件10的每個(gè)表面12可以涂覆有膜狀膜20。在另一個(gè)實(shí)施例中，組件的僅一個(gè)密封件10可以具有涂覆在其上的膜20。

密封組件40包括用于加載每個(gè)密封件10的復(fù)曲面34和38。復(fù)曲面34和38可以由聚合材料制成。例如，復(fù)曲面34和38可以是腈基彈性體或硅氧烷基彈性體。盡管復(fù)曲面34和38顯示為具有橢圓形或圓形的橫截面，但是其它橫截面也是可能的。復(fù)曲面34和38有助于保持每個(gè)密封件10的表面12之間的密封界面。每個(gè)表面12可在組裝密封件10之前被潤(rùn)滑，如圖5所示。

此外，密封組件40可以包括固定件42、44、46和48，其可以用于進(jìn)一步保持密封的界面。在一些應(yīng)用中，一個(gè)密封件10是靜止不動(dòng)的，而另一個(gè)密封件10相對(duì)于靜止不動(dòng)的密封件10旋轉(zhuǎn)。圖5描述了使用兩個(gè)密封件10的實(shí)施例，其他實(shí)施例可以包括一個(gè)密封件10，其表面12與不是機(jī)械面密封件的另一金屬表面配合。在該實(shí)施例中，密封界面也存在于密封件10的表面12和另一金屬表面之間。下面討論這樣的示例實(shí)施例。

圖6A示出了根據(jù)實(shí)施例的鉆地鉆頭50的一部分。圖6B是包括在鉆地鉆頭50中的密封組件的示例性實(shí)施例的近視圖。

鉆地鉆頭50包括由軸支撐的鉆頭腿52和可旋轉(zhuǎn)地安裝到軸(和鉆頭腿52)的錐體54。錐體54包括設(shè)置在其周邊上的多個(gè)齒56，用于在錐體54旋轉(zhuǎn)時(shí)切割和破碎土體結(jié)構(gòu)。錐體54使用多個(gè)精密研磨的球鎖定構(gòu)件58保持在軸上。在錐體54和鉆頭腿52之間存在小間隙68。

鉆頭腿52包括固定件60、復(fù)曲面62和類似于前面討論的機(jī)械面密封件10的機(jī)械面密封件64。錐體54包括與密封件64形成密封界面的軸承套筒66。在操作期間，錐體54相對(duì)于鉆頭腿52旋轉(zhuǎn)。因此，軸承套筒66旋轉(zhuǎn)，同時(shí)密封件64保持靜止不動(dòng)。密封件64和軸承套筒66的配合表面可以涂覆有膜狀膜20。在一個(gè)實(shí)施例中，僅一個(gè)配合表面可以涂覆有膜20。

工業(yè)實(shí)用性

所公開的密封件可適用于包括機(jī)械面密封件和/或機(jī)械面密封組件的任何工作機(jī)械。例如，所公開的密封件可以用于滾壓機(jī)、切割機(jī)、挖掘機(jī)、鉆地機(jī)、底盤軌道組件和在采礦應(yīng)用中使用的任何工作機(jī)。

所公開的密封件可以具有優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)密封件的各種優(yōu)點(diǎn)。例如，所公開的密封件可以具有延長(zhǎng)的壽命，特別是在密封件和密封組件經(jīng)受高靜態(tài)和瞬變壓力梯度、高旋轉(zhuǎn)速度以及腐蝕性和磨蝕性環(huán)境的應(yīng)用中。

具體地，所公開的密封件可以具有較高的滲漏、刻痕和泄漏每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)(RPM)等級(jí)。滲漏rpm等級(jí)是在密封組件的密封界面處可見潤(rùn)滑劑的轉(zhuǎn)速。泄漏rpm等級(jí)是潤(rùn)滑劑從界面泄漏的旋轉(zhuǎn)速度，并且刻痕rpm等級(jí)是兩個(gè)配合表面在其間沒有潤(rùn)滑劑的情況下相接觸的旋轉(zhuǎn)速度。換句話說，所公開的膜可以具有優(yōu)良的粘合性能，并且在現(xiàn)有技術(shù)的未涂覆或DLC涂覆的密封件(例如'541專利中公開的涂覆的密封件)中會(huì)引起分層的條件下不會(huì)分層。

圖7是描繪在所公開的密封件上沉積膜20的示例性方法30的流程圖。為了簡(jiǎn)單起見，在用膜20涂覆密封件10的表面12的上下文中描述了方法30。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易認(rèn)識(shí)到，方法30可以應(yīng)用于密封件10的任何表面。此外，盡管方法30公開了在整個(gè)表面12上沉積膜20，方法30的其它實(shí)施例可以包括導(dǎo)致膜20僅僅涂覆在表面12的一部分上的附加工序。這種附加過程可以包括例如陰影遮蔽、光刻和濕法蝕刻、剝離、激光燒蝕和離子束銑削。

方法30可以包括表面精加工工序200，其可以是各向同性精加工、機(jī)械拋光、磨合拋光、拋光、研磨、化學(xué)機(jī)械平面化、機(jī)加工、微機(jī)械加工或其任何組合中的至少一種。表面精加工工序200可以包括滲碳表面12。在另一個(gè)實(shí)施例中，表面精加工工序200可以是例如各向同性精加工工序，其被調(diào)節(jié)以產(chǎn)生預(yù)定的表面粗糙度參數(shù)Ra。例如，預(yù)定的表面粗糙度可以是約小于500nm、200nm或100nm的Ra值。如前所述，低Ra值可以提供膜20對(duì)表面12的增加的粘附性。

示例性各向同性精加工工藝可以是例如將表面12浸入包括草酸基溶液的化學(xué)浴中。溶液氧化可能存在于表面12上的粗糙體?；瘜W(xué)浴還可以包括惰性和非磨蝕性微粒，該微?？梢赃M(jìn)一步有助于去除氧化的表面粗糙體，這僅僅是由于浴的局部流動(dòng)產(chǎn)生的機(jī)械相互作用。在化學(xué)處理之后，表面12可以被拋光以減小氧化的粗糙體的高度。化學(xué)浴可以攪拌或搖動(dòng)以提高反應(yīng)速率。例如，可以全部獨(dú)立地控制工藝參數(shù)，例如浴的pH，由于搖動(dòng)或攪拌賦予浴的振動(dòng)能量的幅度或暴露時(shí)間，以對(duì)表面12產(chǎn)生預(yù)定的表面粗糙度。一個(gè)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易認(rèn)識(shí)到，因?yàn)榭梢詰{經(jīng)驗(yàn)確定最佳參數(shù)空間，所以可以控制其他工藝參數(shù)以實(shí)現(xiàn)期望的粗糙度。此外，可以調(diào)整精加工工序200以產(chǎn)生除表面粗糙度之外的預(yù)定計(jì)量。也就是說，在各向同性精加工工藝之后，可以調(diào)整精加工工序200以產(chǎn)生表面12的可測(cè)量特性或性質(zhì)的預(yù)定值。

另外，方法30可以包括清潔工序210。清潔工序210可以用于清除表面12的污染物。因此，清潔工序210可以是從表面12去除微粒的任何工序。僅作為示例，清潔工序210可以是包括諸如異丙醇(IPA)的溶劑的化學(xué)浴?；蛘?，清潔工序210可以是等離子體處理。例如，氧氣或氬氣等離子體可用于清潔表面12。此外，盡管圖7描繪了在表面精加工工序200之后進(jìn)行的清潔工序210，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易理解，清潔工序210可以在方法30期間進(jìn)行的任何其他工序之后進(jìn)行。此外，清潔工序210可以原位(即在沉積室內(nèi))或者非原位(即在將密封件10裝載在沉積室中之前)進(jìn)行。

另外，方法30可以包括第一沉積工序220。第一沉積工序220可以包括在表面12上沉積粘合層，例如在圖3和圖4所示的示例性實(shí)施例中描述的粘合層22。具體地，第一沉積工序220可以包括使用物理氣相沉積(PVD)濺射的金屬沉積。

在PVD濺射沉積中，使用DC或RF驅(qū)動(dòng)通過電位梯度來加速惰性離子(例如Ar⁺)，使得它們轟擊靶，通過轉(zhuǎn)移動(dòng)量產(chǎn)生靶材料的噴射簇。噴射簇吸附到放置在靶附近的待涂覆的表面上，并且它們產(chǎn)生靶材料的薄膜。

PVD濺射沉積發(fā)生在真空沉積室中，并且可以加熱待涂覆的表面?？梢詢?yōu)化PVD濺射沉積參數(shù)，其中例如沉積時(shí)間、基底溫度、室壓力、氣體流速等等，以產(chǎn)生具有期望厚度的膜。第一沉積工序220可用于用由鉻(Cr)或鈦(Ti)制成的粘合層22涂覆表面12。

另外，方法30可以包括用于在已經(jīng)涂覆有粘合層的表面12上沉積過渡層(如過渡層24)的第二沉積工序230。第二沉積工序230可包括PVD濺射沉積工藝。在另一實(shí)施例中，第二沉積工序230可以包括反應(yīng)性PVD濺射沉積是一種PVD濺射工藝，其中在濺射沉積期間將反應(yīng)性前體化合物引入沉積室中。

第二沉積工序230可包括產(chǎn)生包括鎢-DLC(W-DLC)的過渡層的反應(yīng)性PVD濺射工藝。在另一實(shí)施例中，第二沉積工序230可以包括產(chǎn)生包括鎢摻雜碳(WC)和鎢-DLC(W-DLC)的過渡層的反應(yīng)性PVD濺射工藝。在又一個(gè)實(shí)施例中，第二沉積工序230可以包括僅產(chǎn)生鎢-DLC(W-DLC)層的反應(yīng)性PVD濺射工藝。一般來說，第二沉積工序230可包含產(chǎn)生關(guān)于過渡層24所論述的任何膜(或任何組合)的PVD濺射工藝。此外，反應(yīng)性PVD濺射工藝可使用揮發(fā)性烴作為反應(yīng)性化合物，例如乙炔。

另外，方法30可以包括產(chǎn)生類似頂層的層26的第三沉積工序240。第三沉積工序240可以是等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PACVD)工藝，也稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝。

在PACVD中，在沉積室中產(chǎn)生等離子體，并且將揮發(fā)性前體化合物引入室中。熱能和來自等離子體的能量驅(qū)動(dòng)揮發(fā)性前體化合物的反應(yīng)速率以在所要涂覆的表面上產(chǎn)生所需的材料。在PACVD中，襯底和/或室可以被加熱以提供所需的熱能。在一個(gè)實(shí)施例中，第三沉積工序240可以被配置為產(chǎn)生a-DLC層。在另一實(shí)施例中，第三沉積工序240可以是配置成產(chǎn)生a-C:H層的PACVD工藝。

可以調(diào)節(jié)第一、第二和第三沉積工序220、230和240的工藝參數(shù)以產(chǎn)生先前關(guān)于粘合層22、過渡層24和層26所討論的各自的厚度。此外，用于DLC膜的前體化合物可以是烴，例如乙炔或甲烷。

對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以對(duì)所公開的密封件進(jìn)行各種修改和變化。通過考慮所公開的密封件的說明書和實(shí)踐，其他實(shí)施例對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。說明書和示例被認(rèn)為僅是示例性的，真實(shí)的范圍由所附權(quán)利要求書及其等同物指示。