專利名稱:鋁生產(chǎn)爐的改進型襯里的制作方法
背景技術(shù):
常規(guī)的粗鋁生產(chǎn)通常是對溶解在含冰晶石電解液中的氧化鋁進行還原。還原反應(yīng)在裝有一個炭素陽極和一個炭素陰極的霍爾-埃魯槽(“霍爾槽”)中進行,該槽也作為盛放電解液的容器。當電流通過電解液時,液態(tài)的鋁沉積在陰極,而在陽極生成氧氣。
霍爾槽的側(cè)壁通常由以碳或碳化硅為基的多孔傳熱材料制成。然而,由于該領(lǐng)域中人們熟知,含冰晶石的電解液會侵蝕這些側(cè)壁,所以側(cè)壁被設(shè)計成只有約3-6英寸厚,為的是使霍爾槽有足夠的熱量散失,從而可在側(cè)壁表面形成一層冰晶石凝結(jié)層,以防止冰晶石對側(cè)壁的進一步滲入和侵蝕。
盡管凝結(jié)冰晶石層能有效地防止冰晶石滲入而保護了側(cè)壁,但它是以相當大的熱量散失為代價的。因此,出于更佳效率的考慮,要求有更新的霍爾槽設(shè)計,其側(cè)壁具有更佳的熱絕緣性。然而,雖然這些設(shè)計很好的熱絕緣性防止了大量的熱量散失,冰晶石卻不會在側(cè)壁上凝結(jié)。因此,最初關(guān)于冰晶石滲入和侵蝕側(cè)壁的問題重新出現(xiàn)。
美國專利No.4,592,820(“′820專利”)試圖同時提供較高熱效率和防止冰晶石滲入側(cè)壁?!?20專利提出了用兩層側(cè)壁代替多孔傳熱側(cè)壁的辦法,該種兩層側(cè)壁包含a)第一層由常規(guī)的絕緣材料制成,它有足夠的厚度能保證冰晶石不會凝結(jié)在側(cè)壁上,和b)一個由陶瓷材料制成的襯里,它可抵抗槽電解液(冰晶石)和熔融鋁的侵蝕,見′820專利第二段,30-43行?!?20專利還公開了較佳的襯里,它是由IVb,Vb或VIb高熔點金屬碳化物、硼化物或氮化物、氧氮化物,特別是二硼化鈦制成的,該專利還指出,這些選用的陶瓷材料可制成板或涂布在如氧化鋁,或碳化硅的側(cè)壁上。參見第二段,44-47行及第四段,24-32行。
盡管′820專利提供了一個抵抗冰晶石侵蝕的熱效率提高的鋁還原槽,但是它還可以改進。例如,該專利公開的襯里的成本高,其供尚有限制。而且,′820專利的較佳襯里二硼化鈦不僅成本很高,而且其抗氧化性有限,并且在運行時有導電性。
此外,′820專利較佳的霍爾槽在鄰近側(cè)壁的頂部邊緣的電解液區(qū)形成了一層固體冰晶石層,用以防止陶瓷材料受空氣氧化。這個頂部層可通過用碳包覆側(cè)壁并減少其背襯熱絕緣性,或通過在側(cè)壁頂部邊緣鄰近設(shè)置一個通冷空氣的鋼管來實現(xiàn)。盡管這些措施提高了抵抗冰晶石侵蝕的性能,但是它們卻也減少了槽的熱效率。
美國專利No.4,865,701(“Beck”)公開了一個在側(cè)壁絕緣層內(nèi)裝有冷卻管的鋁生產(chǎn)槽。
美國專利No.2,971,899(“Hannick”)公開了一個在含冰晶石約20%的的溶液中電鍍鋁的槽。美國專利No.2.915,442(“Lewis”)公開了在側(cè)壁上有凝結(jié)表皮的鋁生產(chǎn)槽。美國專利No.3,256,173(“Schmitt”)公開了一個有碳化硅,焦炭和瀝青襯里的鋁生產(chǎn)槽。美國專利No.3,428,545(“Johnson”)公開了一個有碳襯里的鋁生產(chǎn)槽,該襯里用包括氮化硅的高熔點顆粒層作為背襯。
因此,有必要改進霍爾槽。
發(fā)明概要本發(fā)明提供一種生產(chǎn)鋁的方法,其步驟如下a)提供一個包括陰極,陽極和側(cè)壁的鋁生產(chǎn)槽,側(cè)壁有一定的厚度包括i)一個襯里,其材料基本上包括一種選自氮化硅,碳化硅和碳化硼,其密度至少為理論密度的95%,至少有閉合孔隙而無敞開孔隙,和ii)支持襯里的絕緣層,b)使襯里與包含至少60%冰晶石,溫度在650℃至1100℃之間的電解液接觸,和c)從陰極經(jīng)電解液向陽極提供電流,從而在陰極生成鋁,其中電解液的溫度和冰晶石濃度以及側(cè)壁的厚度均預先確定,使冰晶石在襯里任何位置上都不會形成凝結(jié)表層。
在一些較佳實施例中,側(cè)壁內(nèi)沒有包埋冷卻管,只包括襯里和絕緣層。
本發(fā)明也提供一個用于電解還原霍爾槽內(nèi)的側(cè)壁襯里,該槽用于還原含冰晶石熔融氟化物電解液中的氧化鋁來生產(chǎn)鋁,槽的側(cè)壁有一個頂部邊緣并包括一個絕緣材料層和襯里,其中a)絕緣材料層,它有足夠的厚度,能保證冰晶石不會在側(cè)壁頂部邊緣以外的任何地方凝結(jié),
b)襯里,基本上是一種陶瓷材料,其密度至少為理論密度的95%,并至少有封閉的孔隙,陶瓷材料選自碳化硅、氮化硅和碳化硼,其中側(cè)壁的頂部邊緣上有一層凝結(jié)的電解液表層。
本發(fā)明還提供一種電解還原霍爾槽,它是通過還原熔融氟化物電解液中的氧化鋁來生產(chǎn)鋁,電解液的溫度維持在約960℃并含有冰晶石,槽包括i)維持熔融的氟化物電解液溫度在約960℃的裝置,和ii)包括一層絕緣材料層和一層襯里的側(cè)壁,其中a)絕緣材料層的厚度足以保證冰晶石不會在襯里的任何表面上凝結(jié),和b)襯里用能抵抗冰晶石和熔融鋁侵蝕的陶瓷材料制成。
本發(fā)明還提供一種電解還原霍爾槽,它是通過還原熔融氟化物電解液中的氧化鋁來生產(chǎn)鋁,槽的側(cè)壁包括一個絕緣材料層和一個襯里,其中a)絕緣材料層的厚度足以保證冰晶石不會在襯里的任何表面上凝結(jié),b)襯里用以抵抗冰晶石和熔融鋁侵蝕的陶瓷材料制成,其中襯里基本上為氮化硅,其密度至少為理論密度的95%,至少有閉合孔隙,沒有敞開孔隙。
本發(fā)明還提供一種電解還原霍爾槽,它是通過還原熔融的含冰晶石的氟化物電解液中的氧化鋁來生產(chǎn)鋁,槽的側(cè)壁包括一個絕緣材料層和一個襯里,其中a)絕緣材料層的厚度足以保證冰晶石不會在襯里的任何表面上凝結(jié),b)襯里用能抵抗冰晶石和熔融鋁侵蝕的陶瓷材料制成,其中襯里基本上為碳化硼,其密度至少為理論密度的95%,至少有閉合孔隙,沒有敞開孔隙。
附圖簡述
圖1是本發(fā)明一個較佳實施例的圖。
發(fā)明的詳細描述與′820專利中公開的材料相比,用碳化硅作為側(cè)壁襯里的優(yōu)點是它比二硼化鈦有更好的抗熱沖擊性能,成本更低,與冰晶石接觸時比氧氮化物更穩(wěn)定。有趣的是,′820專利兩處指出不宜用碳化硅作為側(cè)壁襯里。首先,它認定在美國專利No.3,256,173中公開的含碳化硅的襯里是不適用的,見′820專利第三段,40-43行。第二,它主張用碳化硅作為側(cè)壁時,在其上面要涂布硼化物,氮化物或氧氮化物涂層,見′820專利第二段,47行。
如果選用碳化硅作為側(cè)壁襯里,它至少應(yīng)具有95%的密度,且敞開孔隙率應(yīng)接近零。如果需要,碳化硅陶瓷材料中可有常規(guī)的燒結(jié)助劑如硼,碳和鋁。因此,本發(fā)明所考慮的范圍包括采用任何用熱壓,等靜熱壓或無壓力燒結(jié)的碳化硅陶瓷材料,其至少有閉合孔隙,不宜有敞開孔隙。
與′820專利中公開的材料相比,用碳化硼作為側(cè)壁襯里的優(yōu)點是它是一個電絕緣體,熱傳導率比二氧化鈦低,且成本比二氧化鈦還低。
如果選用碳化硼作為側(cè)壁襯里,它至少應(yīng)具有95%的密度,且敞開孔隙率應(yīng)接近零。如果需要,碳化硼陶瓷材料中可有常規(guī)的燒結(jié)助劑如硼、碳和鋁。因此,本發(fā)明所考慮的范圍包括采用任何用熱壓,等靜熱壓或無壓力燒結(jié)的碳化硼陶瓷材料,它至少有閉合孔隙,不宜有敞開孔隙。
與′820專利中公開的材料相比,用氮化硅作為側(cè)壁襯里的優(yōu)點是它是一個電絕緣體,熱傳導率比二氧化鈦低,且成本比二氧化鈦還低。
如果選氮化硅作為側(cè)壁襯里,它至少應(yīng)具有95%的密度,且敞開孔隙率應(yīng)接近零。如果需要,氮化硅陶瓷材料中可有常規(guī)的燒結(jié)助劑如氧化鎂,氧化釔和氧化鋁。因此,本發(fā)明所考慮的范圍包括采用任何用熱壓,等靜熱壓或無壓力燒結(jié)的氮化硅陶瓷材料,它至少有閉合孔隙,不宜有敞開孔隙。
′820專利關(guān)于熔融金屬槽的緩沖運動(第4段,57-66行),將陶瓷材料固定在側(cè)壁上(第4段,20-44行),使用電流收集系統(tǒng)用以保證電流基本上垂直通過碳床(第2段,58行至第3段,25行)和用0.25cm或0.5cm厚的板作為襯里(第4段,67行至第5段,3行)的內(nèi)容均適用于本發(fā)明,都參考結(jié)合在本發(fā)明中。
′820專利主張在側(cè)壁頂部宜有一層凝結(jié)冰晶石層的內(nèi)容盡管不是特別需要采用的,但也可用于本發(fā)明。然而,本發(fā)明較佳的實施例是采用連續(xù)垂直熱量損失分布的設(shè)計,因此,在上部不會形成凝結(jié)的冰晶石層。
現(xiàn)在參照圖1,它是本發(fā)明一個電解還原槽的截面?zhèn)纫晥D。在鋼外殼1中有熱電絕緣的氧化鋁塊砌成的側(cè)壁2。槽的陰極是一層熔融的鋁3,它的下面是石墨塊砌成的槽床4。覆蓋在熔融金屬鋁3上的是熔融電解液層5,其中懸掛著陽極6。陶瓷材料板7組成了側(cè)壁襯里。襯里的下端固定在石墨塊槽床4上加工成的槽子中,襯里的上端是自由的。由于側(cè)壁的頂部沒有冷卻裝置,因此在電解液層頂部邊緣沒有形成凝結(jié)的固體表層。
電流收集條10以石墨槽床4和氧化鋁側(cè)壁2之間的四個部分表示。每個部分在其兩端的中間與伸出外殼1外面的連接條相連接。圖中沒有顯示陽極6和外殼1外面連接條11之間的電源。
在使用時,電解液5通常維持在約800℃至1100℃,更通常維持在約900至1010℃中間,在許多應(yīng)用中為約960℃。然而,有一些場合溫度維持在約650℃至800℃。電解液通常含有至少約60%(重量)的冰晶石,較佳的至少有約85%(重量)的冰晶石,最好有至少90%(重量)的冰晶石。電解液通常還包含約2%至10%(重量)的氧化鋁(更常約6%(重量))及約4%至20%的氟化鋁(更常約8%(重量))。側(cè)壁厚度提供的熱絕緣性使得側(cè)壁上沒有凝結(jié)電解質(zhì)層形成。電流收集系統(tǒng)10和11保證了電流基本上垂直通過石墨的槽床4。
權(quán)利要求
1.一種用于電解還原霍爾槽的側(cè)壁襯里,該槽通過還原含冰晶石的熔融氟化物電解液中的氧化鋁來生產(chǎn)鋁,槽的側(cè)壁有一個上部邊緣,并包括一個絕緣材料層和襯里,其中a)絕緣材料層的厚度足以保證除側(cè)壁頂部外冰晶石不會在任何位置上凝結(jié),b)襯里基本上采用包括一種陶瓷材料,其密度至少為理論密度的95%,并至少有閉合孔隙,該陶瓷材料選自碳化硅,氮化硅和碳化硼,其中側(cè)壁的頂部邊緣上有凝結(jié)的電解質(zhì)表層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯里,它基本上是基本無敞開孔隙率的碳化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯里,它為板狀或片狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯里,其中該板或片的厚度至少為0.5cm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯里,它基本上是基本無敞開孔隙的碳化硼。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯里,它為板狀或片狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯里,其中該板或片的厚度至少為0.5cm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯里,它基本上是基本無敞開孔隙的氮化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯里,它為板狀或片狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯里,其中該板或片的厚度至少為0.5cm。
11.一種電解還原霍爾槽,它通過還原熔融氟化物電解液中的氧化鋁來生產(chǎn)鋁,電解液的溫度維持在960℃并含有冰晶石,該槽包括i)維持熔融的氟化物電解液溫度在約960℃的裝置,ii)包括一個絕緣材料層和一個襯里的側(cè)壁,其中a)絕緣材料層的厚度足以保證冰晶石不會在襯里的任何位置上凝結(jié),b)襯里用抵抗冰晶石和熔融鋁侵蝕的陶瓷材料制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的槽,其中襯里基本上為密度至少為理論密度95%的陶瓷材料,它至少有閉合孔隙,該耐火材料選自碳化硅,氮化硅和碳化硼。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的槽,其中襯里基本上無敞開孔隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的槽,其中襯里基本上為碳化硅。
15.一種電解還原霍爾槽,它通過還原含冰晶石的熔融氟化物電解液中的氧化鋁來生產(chǎn)鋁,槽的側(cè)壁包括一個絕緣材料層和一個襯里,其中a)絕緣材料的厚度足以保證冰晶石不會在襯里的任何表面上凝結(jié),b)襯里用抵抗冰晶石和熔融鋁侵蝕的陶瓷材料制成,其中襯里基本上為氮化硅,其密度至少為理論密度的95%,至少有閉合孔隙,但沒敞開孔隙。
16.一種電解還原霍爾槽,它通過還原熔融的含冰晶石的氟化物電解液中的氧化鋁來生產(chǎn)鋁,槽的側(cè)壁包括一個絕緣材料層和一個襯里,其中a)絕緣材料層的厚度足以保證冰晶石不會在襯里的任何表面上凝結(jié),b)襯里用抵抗冰晶石和熔融鋁侵蝕的陶瓷材料制成,其中襯里基本上為碳化硼,其密度至少為理論密度的95%,至少有閉合孔隙,但沒敞開孔隙。
17.一種生產(chǎn)鋁的方法,它包括步驟a)提供一個包括陰極,陽極和側(cè)壁的鋁還原槽,側(cè)壁具有一定的厚度包括i)一個襯里,它基本上為一種選自氮化硅,碳化硅,二氧化鈦和碳化硼的材料,其密度至少為理論密度的95%,至少有閉合孔隙,無敞開孔隙,ii)支持襯里的絕緣層,b)使襯里與包含至少60%冰晶石,溫度在650℃至1100℃之間的電解液接觸,c)從陰極經(jīng)電解液向陽極提供電流,從而在陰極生成鋁,其中電解液的溫度和冰晶石濃度以及側(cè)壁的厚度均為預先確定,使冰晶石在襯里任何位置上都不會形成凝結(jié)表層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中側(cè)壁基本包括襯里和絕緣層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中襯里材料選自氮化硅,碳化硅和碳化硼。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液的溫度為約800℃至1100℃。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液的溫度為約900℃至1010℃。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液的溫度為約960℃。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液的溫度為約650℃至800℃。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液含有至少約85%(重量)的冰晶石。
25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液含有至少約90%(重量)的冰晶石。
26.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液還含有約2至10%(重量)的氧化鋁。
27.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液還含有約6%(重量)的氧化鋁。
28.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液還含有約4至20%(重量)的氟化鋁。
29.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中電解液還含有約8%(重量)的氟化鋁。
全文摘要
一種鋁制備方法,包括步驟:a)提供包括陰極,陽極和側(cè)壁的鋁還原槽,側(cè)壁包括:i)一個襯里,它基本上為氮化硅,碳化硅,二氧化鈦和碳化硼材料中的一種,密度至少為理論密度的95%,至少有閉合孔隙,無敞開孔隙,ii)支持襯里的絕緣層,b)使襯里與包含至少60%冰晶石的電解液接觸,c)從陰極向陽極提供電流,從而在陰極生成鋁,其中電解液的溫度和冰晶石濃度以及側(cè)壁的厚度均為預先確定,使冰晶石在襯里任何位置上都不會形成凝結(jié)表層。
文檔編號C25C3/08GK1185815SQ96194220
公開日1998年6月24日 申請日期1996年5月23日 優(yōu)先權(quán)日1995年5月26日
發(fā)明者E·A·科特利尼 申請人:圣戈本工業(yè)陶瓷股份有限公司