背景技術(shù):
本發(fā)明屬于鋰離子電池材料制備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種基于銅箔基體上生長(zhǎng)氧化亞銅薄膜的制備方法及在鋰離子電池上的應(yīng)用。
隨著社會(huì)的發(fā)展,能源問(wèn)題是當(dāng)今世界人類(lèi)面臨的重要問(wèn)題之一。鋰離子電池以其輸出電壓高、比容量高、無(wú)記憶等優(yōu)點(diǎn),近年來(lái)發(fā)展迅速。過(guò)渡金屬氧化物因具有非常高的容量而受到許多研究者的關(guān)注。其中氧化亞銅因價(jià)格低廉,是一種最有可能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的材料之一。
楊鈺梅通過(guò)金屬誘導(dǎo)熱還原法制備cu2o納米棒陣列膜,先制備cu(oh)2納米棒陣列膜,再在氮保護(hù)氣氛下,在500℃下加熱4h,即可獲得cu2o納米棒陣列膜。該方法工序繁瑣,還需要在氮保護(hù)氣高溫加熱,耗材且耗能,不適合工業(yè)化生產(chǎn),且應(yīng)用與鋰離子電池上時(shí),在0.2c下,首次放電比容量只能達(dá)到358mahg?1。
2014年,國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利,申請(qǐng)?zhí)?0140522930.3,公開(kāi)了一種恒電位法使陽(yáng)極氧化方案,:先以銅片為陽(yáng)極、鉑片為陰極、氫氧化鈉水溶液為電解質(zhì),進(jìn)行電解,最后進(jìn)行退火處理可獲得cu2o薄膜,通過(guò)控制氫氧化鈉的濃度和電鍍時(shí)間來(lái)控制,來(lái)實(shí)現(xiàn)氧化亞銅薄膜結(jié)構(gòu)和厚度的可控生長(zhǎng)。以上制備方法都需要進(jìn)行高溫或者退火處理,且上述專(zhuān)利首先,cu2o為陽(yáng)極產(chǎn)物,電沉積過(guò)程中銅片會(huì)被腐蝕,電鍍過(guò)程陽(yáng)極產(chǎn)物易被分解,同時(shí)銅箔被氧化腐蝕,不能準(zhǔn)確cu2o的含量,則不能知道材料的比容量,不適合做鋰離子電池負(fù)極材料。
本發(fā)明首先讓cu2o在陰極沉積,再者為防止銅片被腐蝕,將銅片粘貼在玻璃上,帶電進(jìn)槽,防止銅箔與溶液直接發(fā)生反應(yīng)。這里鍍液中加入硫脲,活性物質(zhì)含有硫元素,增加其比容量。同時(shí)電化學(xué)沉積制備方法具有常溫常壓下進(jìn)行、設(shè)備簡(jiǎn)單廉價(jià)、鍍層形貌好、附著牢固、電解液利用率高、易于柔性襯底大規(guī)模生產(chǎn)制備等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用到薄膜材料的制備之中。研究表明多孔材料在鋰離子充放電過(guò)程中體積的變化有很好調(diào)節(jié)作用,更便于li+的運(yùn)輸。我們?cè)O(shè)計(jì)一種簡(jiǎn)單的方法電沉積制備氧化亞銅材料在銅箔上;避免了鋰電材料制作過(guò)程中的涂布工藝,成本低。同時(shí),在電沉積過(guò)程中由于析氫反應(yīng),顆粒之間有空隙,有利于li+的傳輸。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的旨在提供一種簡(jiǎn)單的氧化亞銅制備方法,獲得的氧化亞銅可直接作鋰離子負(fù)極材料。
技術(shù)方案:本發(fā)明采用直流電沉積法制備氧化亞銅薄膜,利用直流電源,以iro2/ti合金板作為陽(yáng)極,預(yù)處理的銅箔作為負(fù)極,直接電沉積制備氧化亞銅材料,裁切后作為鋰離子負(fù)極使用。
本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn),步驟包括:
a.首先配置標(biāo)準(zhǔn)溶液cuso4·6h2o、硫脲、檸檬酸,將預(yù)處理的銅箔作為陰極,iro2/ti合金板作為陽(yáng)極,在室溫下使用安泰信dcpowersupply電沉積4-7min,取出銅箔并清洗干凈,烘干可得到亞微米的氧化亞銅薄膜。
所述步驟a中,銅箔的預(yù)處理的具體步驟將銅箔分別用超純水-稀氫氧化鈉溶液-超純水-稀硫酸-超純水洗滌。
所述稀氫氧化鈉溶液0.1m,稀硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%。
所述步驟a中標(biāo)準(zhǔn)溶液組成摩爾比:1:x:3,其中x為0.2或0.3。
與現(xiàn)有的技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
1.)直接在銅箔上生長(zhǎng)活性材料,方法簡(jiǎn)單且常溫下就可制備,無(wú)需高溫,無(wú)需使用導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑,同時(shí)降低了活性材料與基體的阻力,可直接用作鋰離子負(fù)極材料。
2.)電沉積過(guò)程中析氫作用使活性物質(zhì)顆粒之間有空隙,提供了電子運(yùn)輸路徑且更增加活性物質(zhì)參加反應(yīng)的表面積。
3.)硫酸銅為0.1mol/l,電流密度為3a/dm2,硫脲為0.02m所制備的活性材料直接作為鋰離子負(fù)極材料,在0.17ag-1電流密度下比容量可達(dá)到612.8mahg-1,50次循環(huán)后容量保持率可達(dá)到80.5%。
附圖說(shuō)明
圖1是cu2o薄膜材料的xrd圖譜;
圖2是cu2o薄膜材料的sem圖;
圖3是cu2o薄膜材料電化學(xué)循環(huán)性能圖;
圖4是cu2o薄膜材料倍率性能圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
銅箔的預(yù)處理:首先將銅箔裁減為合適大小,用透明膠帶粘貼到玻璃板上,排除膠帶中空氣,防止在電沉積過(guò)程中另一面與鍍液發(fā)生反應(yīng),并控制電鍍面積為(20cm2),先用超純水洗去銅箔表面灰塵、再用0.1m的氫氧化鈉溶液除去油脂、接著用10%的稀硫酸除去銅箔表面一層氧化膜,最后用超純水清洗表面殘留的稀硫酸。
電鍍液的配置:稱(chēng)取6.2420g五水硫酸銅和15.76g一水檸檬酸于500ml燒杯中,加水至體積的2/3,攪拌使其溶解;再稱(chēng)取0.3810g硫脲,加水溶解,緩慢地加入到上述溶液中,最后加水定容到500ml。
電沉積制備氧化亞銅:將預(yù)處理的銅箔作為陰極,iro2/ti合金板作為陽(yáng)極,在電鍍液中使用dcpowersupply在電流密度為1-3-5a/dm2下進(jìn)行直流電沉積,沉積時(shí)間為10-7-4min,溫度為室溫,將銅箔取出后,用超純水把鍍層表面輕輕沖洗干凈,放入50℃下鼓風(fēng)干燥箱中干燥4h,即可得到cu2o薄膜。
鍍層的表征:將銅箔上的鍍層刮下來(lái)后,用超純水超聲清洗3次,在50℃下干燥后,進(jìn)行xrd測(cè)試,即圖1cu2o薄膜材料的xrd圖譜,從圖1可以看到在電流密度為1-3-5a/dm2下時(shí),沉積的物質(zhì)皆為cu2o(jcpdsno.65-3288)。對(duì)沉積物進(jìn)行微觀形貌(sem)分析,即圖2。圖2是硫酸銅為0.1mol/l,電流密度為5a/dm2,硫脲為0.02m的沉積物的sem圖,從圖2中可以看,沉積物是由小顆粒團(tuán)聚而成,小顆粒團(tuán)聚并呈現(xiàn)不規(guī)則形狀,不利于充分與鋰發(fā)生反應(yīng),且不利于li+的運(yùn)輸。
電池的組裝:將上述的cu2o/cu箔切成直徑為16mm的圓片,在放入50℃的干燥箱中干燥12h。鋰片作為對(duì)電極和參比電極,聚丙烯微孔膜celgard2032為電池隔膜,1mlipf6/ec(碳酸乙烯酯)-dmc(1,2-二甲基碳酸酯)為電解液(ec與dmc的體積比為1:1),在充滿(mǎn)高純氬的真空手套箱中組裝成2025型扣式電池。
氧化亞銅薄膜材料電化學(xué)性能測(cè)量:
圖3為硫酸銅為0.1mol/l,硫脲為0.02mol/l,不同電流密度下的活性物質(zhì)在0.17a/g下的循環(huán)性能圖,在電流密度為1a/dm,首次放電比容量可達(dá)到483.2mah/g,容量保持率可達(dá)到85.9%;在電流密度為3a/dm,活性材料的比容量增加到612.8mah/g,容量保持率降到80.5%;在電流密度為5a/dm活性材料的比容量增加到649.5mah/g,容量保持率降到44.8%。隨著電流密度的增加,活性物質(zhì)的比容量也增加,但容量保持率卻在下降。
實(shí)施例2
在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上硫脲的濃度從0.02到0.03m,電沉積的電流密度從1到3a/dm2,沉積時(shí)間為7min,同實(shí)例1電池組裝步驟一樣,對(duì)其進(jìn)行電化學(xué)測(cè)試,圖4是硫酸銅為0.1mol/l,電流密度為3a/dm2,硫脲為0.03m的沉積物在不同電流密度(0.17、0.35、0.7、1.4、1.7a/g)下倍率性能測(cè)試曲線(xiàn),有效物質(zhì)的比容量隨著電流密度的增加而不斷減少。但是在電流密度回復(fù)到0.17a/g后,比容量仍能達(dá)到347.9mah/g。沉積物倍率性能較好。技術(shù)領(lǐng)域。