專利名稱：鋁墊電化學(xué)刻蝕方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鋁墊(Alpad)刻蝕方法，特別是涉及一種鋁墊的電化學(xué)刻 蝕方法。
背景技術(shù)：
鋁墊(Al pad)的干法刻蝕往往通過(guò)氯氣(Cl2)來(lái)實(shí)現(xiàn)，即利用氯氣與鋁 (Al)的反應(yīng)來(lái)生成鋁的氯化物(AlyClx),而后將其通過(guò)真空氣泵移除。然而， 總會(huì)存在一些殘留物，而AlyClx的化學(xué)性質(zhì)十分活潑，4艮容易與空氣中的水反 應(yīng)，而形成鋁的聚合物，導(dǎo)致鋁的腐蝕且過(guò)多的聚合物往往會(huì)導(dǎo)致電磁兼容 (EM)測(cè)試的失敗。
因此，現(xiàn)有技術(shù)釆用氮?dú)?N2)流來(lái)實(shí)現(xiàn)殘留物(AlyClx與聚合物)的去 除，雖然其可以較好的去除殘留物，但在后續(xù)的濕法刻蝕清理過(guò)程中往往會(huì)造 成鋁的腐蝕，為此，如何改進(jìn)鋁墊刻蝕工藝，來(lái)解決此工藝中的鋁腐蝕與殘留 聚合物的問題實(shí)為 一重要問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種鋁墊(Alpad)刻蝕工藝中鋁的刻蝕方法，以解 決此工藝中的鋁腐蝕與殘留聚合物的問題。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種鋁墊刻蝕方法，以解決鋁墊刻蝕工藝中的 鋁腐蝕與殘留聚合物的問題。
為此，本發(fā)明提供一種鋁墊刻蝕工藝中鋁的刻蝕方法，其采用電化學(xué)刻蝕 方式實(shí)現(xiàn)對(duì)鋁的刻蝕，其中該電化學(xué)刻蝕所釆用的電解液包括乙醇 (CH3CH2OH)、磷酸(H3P04)和水(H20),且乙醇(CH3CH2OH)所占的比 率為15%~25%，磷酸(H3P04)所占的比率為20% 30%。
進(jìn)一步的，上述電化學(xué)刻蝕工藝參數(shù)為電壓3~10V;電流10-15A;時(shí)間150s 200s。
本發(fā)明另提供一種鋁墊刻蝕方法，其包括在一經(jīng)曝光的光刻膠層的保護(hù) 下，去除一鋁墊疊層中鋁上的部分阻擋層而暴露出部分鋁；釆用電化學(xué)刻蝕方 式去除暴露出的鋁，其中該電化學(xué)刻蝕所釆用的電解液包括乙醇(CH3CH20H)、 磷酸(H3P04)和水(H20)，且乙醇(CH3CH2OH)所占的比率為15%~25%, 磷酸(H3P04)所占的比率為20%~30%;進(jìn)行后期刻蝕。
進(jìn)一步的，上述電化學(xué)刻蝕工藝參數(shù)為電壓3-10V;電流10-15A; 時(shí)間150s 200s。
進(jìn)一步的，上述阻擋層是通過(guò)干法刻蝕的方式去除。 進(jìn)一步的，上述阻擋層干法刻蝕的刻蝕氣體不包括氯氣。 進(jìn)一步的，上述阻擋層干法刻蝕的刻蝕氣體包括四氟化碳(CF4)與氦氣 (He)。
現(xiàn)鋁墊刻蝕工藝中鋁的刻蝕。從而避免了傳統(tǒng)工藝中聚合物的生成，解決了因 其產(chǎn)生的鋁腐蝕與殘留物問題。
圖1為傳統(tǒng)鋁墊刻蝕工藝的流程示意圖2為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的鋁墊刻蝕工藝的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合傳統(tǒng)鋁墊(Alpad)刻蝕工藝流程來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的工藝流程，以使 本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂。
請(qǐng)參考圖1,其為傳統(tǒng)鋁墊刻蝕工藝的流程示意圖。如圖所示，該工藝用于 一鋁墊疊層的刻蝕過(guò)程。該鋁墊疊層包括抗反射層100、鋁層200、阻擋層300 以及光刻膠層400。以下為對(duì)應(yīng)于該流程的刻蝕工藝參數(shù)
BT:8mt/細(xì)TCP/180BP/80BC13/80C12/8He/15s
ME:8m細(xì)0TCP/280BP/100BC13/4CHF3/300C12/8He/EP(l 11 s)
OEl:8mt/800TCP/280BP/90BC13/3CHF3/160C12/8He/35sOE2:8mt/800TCP/180BP/80BC13/80C12/8He/30s N2 Flush:0mt/0TCP/500Ar/200N2/8He/15s Dechuck: 8m細(xì)0TCP/450Ar/15s
即首先在光刻膠層400的保護(hù)下，采用干法刻蝕的方式去除暴露于外的阻 擋層300而暴露出部分鋁層200,其工藝參數(shù)參照以上BT部分；而后干法刻蝕 暴露于外的鋁層200而止于抗反射層100，其工藝參數(shù)參照以上的ME、 OEl、 OE2部分；而后對(duì)刻蝕后的鋁墊疊層進(jìn)行氮?dú)饬鞯臎_洗過(guò)程，其工藝參數(shù)參照 以上的N2 Flush部分；最后進(jìn)行去除光刻膠取片等操作，其工藝參數(shù)參照以上 的Dechuck部分。以上參數(shù)可見，其均采用帶有氯氣(Cl2)的混合等離子刻蝕 氣體來(lái)實(shí)現(xiàn)干法刻蝕，正如背景技術(shù)中所描述的，由于刻蝕中氯氣與鋁(Al) 的生成物(AlyClx)化學(xué)性質(zhì)十分活潑，很容易與空氣中的水反應(yīng)，而形成鋁 的聚合物，導(dǎo)致鋁的腐蝕且過(guò)多的聚合物往往會(huì)導(dǎo)致電^ 茲兼容(EM)測(cè)試的失 ?。欢玫?dú)饬魅コ龤埩粑锏姆绞皆诤罄m(xù)的濕法刻蝕清理過(guò)程中也會(huì)造成鋁 的腐蝕。
請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的鋁墊刻蝕工藝的流程示意圖。其 與圖1的不同之處在于，鋁層200的刻蝕過(guò)程采用了電化學(xué)刻蝕方式來(lái)實(shí)現(xiàn)， 從而避免了刻蝕過(guò)程中聚合物的生成。本實(shí)施例的刻蝕工藝參數(shù)如下
BT: 8mt/800TCP/180BP/50CF4 /8He/15s
電刻蝕參凄t:
電解液成分15%~25%的乙醇(CH3CH2OH )， 20%~30%的磷酸(H3P04 )，
水；
電壓3-10V; 電流10-15A; 時(shí)間150s 200s。
可見，阻擋層300的刻蝕也是利用干法刻蝕實(shí)現(xiàn)，但其與先前技術(shù)不同的 是并非采用帶有氯氣的混合等離子氣體進(jìn)行刻蝕，而是通過(guò)四氟化碳(CF4)與 氦氣(He)的混合等離子氣體實(shí)現(xiàn)。另外，上述電解液中可以添加一些輔助添 加劑，而不影響此電解液的刻蝕效果。
如此，在本實(shí)施例中利用電化學(xué)刻蝕來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的干法刻蝕實(shí)現(xiàn)鋁墊疊層中鋁的刻蝕，避免了鋁的氯化物的產(chǎn)生，進(jìn)一步避免了鋁的聚合物的生成，解 決了因其產(chǎn)生的鋁腐蝕與殘留物問題。
以上僅為舉例，并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明所保護(hù)的范圍當(dāng)以權(quán)利要求 書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種鋁墊刻蝕工藝中鋁的刻蝕方法，其特征是，采用電化學(xué)刻蝕方式實(shí)現(xiàn)對(duì)鋁的刻蝕，其中該電化學(xué)刻蝕所采用的電解液包括乙醇(CH3CH2OH)、磷酸(H3PO4)和水(H2O)，且乙醇(CH3CH2OH)所占的比率為15％～25％，磷酸(H3PO4)所占的比率為20％～30％。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁墊刻蝕工藝中鋁的刻蝕方法，其特征是，其中 上述電化學(xué)刻蝕工藝參數(shù)如下電壓3~10V;電流10 15A;時(shí)間150s 200s。
3. —種鋁墊刻蝕方法，其特征是，包括在一經(jīng)曝光的光刻膠層的保護(hù)下，去除一鋁墊疊層中鋁上的部分阻擋層而 暴露出部分鋁；采用電化學(xué)刻蝕方式去除暴露出的鋁，其中該電化學(xué)刻蝕所采用的電解液包括乙醇(CH3CH2OH)、磷酸(H3P04) 和水(H20)，且乙醇(CH3CH2OH)所占的比率為15% 25%，磷酸(H3P04) 所占的比率為20%~30%;進(jìn)行后期刻蝕。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁墊刻蝕方法，其特征是，其中上述電化學(xué)刻蝕 工藝參數(shù)如下電壓3~10V;電流10~15A;時(shí)間150s 200s。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁墊刻蝕方法，其特征是，其中上述阻擋層是通 過(guò)干法刻蝕的方式去除。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁墊刻蝕方法，其特征是，其中上述阻擋層干法 刻蝕的刻蝕氣體不包括氯氣。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的鋁墊刻蝕方法，其特征是，其中上述阻擋層干法 刻蝕的刻蝕氣體包括四氟化碳(CF4)與氦氣(He)。
全文摘要
本發(fā)明揭露了一種鋁墊電化學(xué)刻蝕方法，利用電化學(xué)刻蝕方式代替了傳統(tǒng)的干法刻蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)鋁墊(Al pad)刻蝕工藝中鋁的刻蝕，從而避免了傳統(tǒng)工藝中聚合物的生成，解決了因其產(chǎn)生的鋁腐蝕與殘留物問題。其中該電化學(xué)刻蝕所采用的電解液包括乙醇(CH<sub>3</sub>CH<sub>2</sub>OH)、磷酸(H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>)和水(H<sub>2</sub>O)，且乙醇(CH<sub>3</sub>CH<sub>2</sub>OH)所占的比率為15％～25％，磷酸(H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>)所占的比率為20％～30％。
文檔編號(hào)C25F3/04GK101591797SQ20081003838
公開日2009年12月2日 申請(qǐng)日期2008年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月30日
發(fā)明者鳴 周, 王新鵬 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司