專利名稱：薄膜電阻層形成用電鍍?cè)?、電阻層形成法、帶電阻層的?dǎo)電基材及帶電阻層的電路基板材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適于制作印刷電阻電路板的附帶電阻層電路基板材料，特別是涉及在構(gòu)成附帶該電阻層電路基板材料的導(dǎo)電基材上，通過電鍍形成電阻層的電鍍?cè)〖捌潆婂兎椒ā?br> 現(xiàn)有技術(shù)內(nèi)藏電阻體的印刷電路基板材料(下面稱作電阻電路基板材料)，通常以層壓體的形式提供，該層壓體是以絕緣基板和附帶電阻層的導(dǎo)電基材層壓形成，所述附帶電阻層的導(dǎo)電基材包括，在該基板上接合的電阻層及在該電阻層上接合的銅箔等高導(dǎo)電基材。
包含電阻電路基板材料的印刷電阻電路的制作，是按照所需電路圖案，通過分成除了絕緣基板上的全部電阻層及導(dǎo)電基材以外的絕緣區(qū)、除了高導(dǎo)電基材以外的電阻區(qū)、以及其余的全部導(dǎo)體區(qū)，可根據(jù)減去法(掩蔽蝕刻法)形成。
曾經(jīng)，作為形成電阻層的材料，一般采用碳類電阻材料，另外，用作金屬薄膜的，已經(jīng)提出含磷的電鍍鎳(特開昭48-73762號(hào)公報(bào)，特表昭63-500133號(hào)公報(bào))、含Sn的電鍍鎳(特開昭54-72468號(hào)公報(bào))等。然而，就這種金屬薄膜電阻層來說，雖然膜薄，可以得到電阻高的片材膜，然而，通常，當(dāng)膜的厚度小時(shí)，就會(huì)失去金屬膜的均勻性，由于無(wú)法得到一定的片材電阻，所以，其厚度受到限制。
即，在附帶電阻層的導(dǎo)電基材制造中，在導(dǎo)電基材上通過電鍍形成薄膜電阻層，但是，為了提高附帶電阻層的導(dǎo)電基材與絕緣基板的粘合強(qiáng)度，使導(dǎo)電基材表面粗糙后，把作為電阻層的Ni-P等進(jìn)行電鍍，可提高粘合強(qiáng)度。然而，采用這種方法，由于導(dǎo)電基材表面的凹凸，特別是用粗糙粒子形成的細(xì)微凹凸上形成的電阻層，即使在電鍍過后，電鍍層的厚度分布差，片材的電阻穩(wěn)定性也差。
進(jìn)一步地，在作為電阻電路基板材料使用時(shí)，存在以下缺陷，為了蝕刻除去導(dǎo)電基材層，部分電阻層不可避免的發(fā)生溶解，當(dāng)Ni-P電鍍電阻層具有厚度分布時(shí)，為了完全除去導(dǎo)電基材層，電阻層也發(fā)生部分脫落，制造一種能夠穩(wěn)定保留電阻元件的印刷電阻電路板是極其困難的。
另外，在制造多層層壓的印刷電阻電路板時(shí)，對(duì)印刷電阻電路板進(jìn)行熱壓，但此時(shí)只有電阻層部分發(fā)生破裂(蝕刻除去導(dǎo)電基材的部分)，存在電阻增大或電路外露的缺點(diǎn)。
采用上述Ni-P合金電鍍形成電阻層時(shí)，鎳離子和亞磷酸離子及磷酸離子是必須的，用于形成所述電阻層的電鍍?cè)∵€進(jìn)一步含有硫酸離子和氯離子。采用該電鍍?cè)≡趯?dǎo)電基材上電鍍形成的附帶電阻層導(dǎo)電基材，在電鍍時(shí)產(chǎn)生色斑，從微觀上看，在電鍍層上產(chǎn)生偏差，尤其在批量生產(chǎn)時(shí)，在幅很寬的材料中(例如，大于300mm)，在寬度上，電鍍厚度及P的含量易產(chǎn)生偏差，存在作為電阻電路的電阻值偏差加大的缺點(diǎn)。
另外，當(dāng)由Ni-Sn合金形成電阻層時(shí)，在絕緣區(qū)形成的電阻層蝕刻時(shí)(Ni-Sn溶解)，在絕緣基板上殘留錫的氧化物或氫氧化物，而產(chǎn)生絕緣不良的問題。
另外，由于同樣的目的，雖然開發(fā)出采用蒸鍍法生成Ni-Cr或Ni-Cr-Al-Si等電阻層，但除成本、生產(chǎn)效率外，還存在著與絕緣材料之間的粘合強(qiáng)度低等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述存在的問題，其目的是提供一種在加以粗糙化的導(dǎo)電基材的粗糙表面上，以均勻的厚度分布形成電阻層的電鍍?cè)?；具有電阻穩(wěn)定的薄膜電阻層的附帶電阻層導(dǎo)電基材及包含該基材的電阻電路基板材料。
本發(fā)明的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)?，是一種在導(dǎo)電基材表面上形成薄膜電阻層的電鍍?cè)。涮卣髟谟?，該電鍍?cè)∫枣囯x子和氨基磺酸或其鹽作為必要成分，并且至少還含有磷酸、亞磷酸、次磷酸、或它們中的任何一種鹽類。
上述本發(fā)明的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)。瑑?yōu)選還含有硫酸、鹽酸或其至少一種鹽類。
上述本發(fā)明的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)?，?yōu)選pH為6或6以下。
另外，本發(fā)明的薄膜電阻層形成方法，其特征在于，在上述本發(fā)明的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)≈?，在浴?0～80℃的范圍內(nèi)進(jìn)行薄膜電阻層的形成。
上述本發(fā)明的薄膜電阻層形成方法，其特征在于，在上述本發(fā)明的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)≈校陔娏髅芏葹?～30A/dm2的范圍內(nèi)進(jìn)行薄膜電阻層的形成。
上述本發(fā)明的薄膜電阻層形成方法，其特征在于，在上述本發(fā)明的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)≈校褂貌蝗苄哉龢O作為正極進(jìn)行薄膜電阻層的形成。
另外，本發(fā)明的附帶電阻層的導(dǎo)電基材，其特征在于，在上述本發(fā)明的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)≈?，采用上述本發(fā)明的薄膜電阻層形成方法，在導(dǎo)電基材表面上形成導(dǎo)電基材含有2～30重量％P的Ni合金層所構(gòu)成的薄膜電阻層。
上述本發(fā)明的附帶電阻層的導(dǎo)電基材，優(yōu)選該附帶電阻層的導(dǎo)電基材的至少是形成電阻層的面的Rz在3.5μm或3.5μm以下。
上述本發(fā)明的附帶電阻層的導(dǎo)電基材，其特征在于，在絕緣基板的至少1個(gè)面上，以該基材電阻層作為內(nèi)側(cè)，把上述本發(fā)明的附帶電阻層的導(dǎo)電基材接合。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明通過選定氨基磺酸作為基礎(chǔ)電鍍?cè)?，可以得到Ni-P的微觀的、宏觀的均勻電沉積性。另外，通過熱壓等的加工性質(zhì)也比原來的電鍍?cè)?yōu)良。
在本發(fā)明的導(dǎo)電基材上進(jìn)行電阻層電鍍的電鍍?cè)?，其電鍍條件如下。
Ni濃度及氨基磺酸濃度，只要在通常的作為氨基磺酸電鍍?cè)∷玫姆秶纯?，作為氨基磺酸Ni，優(yōu)選300～600g/L的范圍。
添加至上述電鍍?cè)〉牧姿?、亞磷酸、次磷酸既可原樣添加，也可用其Na鹽等替代它們。作為此時(shí)的P濃度，優(yōu)選20～150g/L的范圍。然而，當(dāng)考慮到防止在設(shè)備不運(yùn)行等液溫下降時(shí)產(chǎn)生結(jié)晶時(shí)，優(yōu)選20～100g/L的范圍。
該電鍍?cè)⊥ㄟ^使用Na等鹽類，可進(jìn)行pH調(diào)整。另外，添加NaOH等堿或氨基磺酸也可進(jìn)行pH調(diào)整。由于pH愈高，電鍍膜的均勻性愈差，所以。pH為6或6以下是優(yōu)選的，更優(yōu)選4或4以下，因?yàn)閜H值變化小，所以優(yōu)選。
另外，作為電鍍?cè)?，通過使之含有硼酸等pH緩沖劑而增加pH的穩(wěn)定性，謀求被膜組成、電流效率更加穩(wěn)定。
通過往電鍍?cè)≈刑砑恿蛩峄螓}酸或其鹽類，可以提高電鍍膜的平滑特性和加工性能，其濃度優(yōu)選0.1～30g/L。當(dāng)超過該值時(shí)，硬度及內(nèi)部應(yīng)力上升，不作為優(yōu)選。
浴溫30～80℃，顯示良好的電流效率、P含量穩(wěn)定性，是優(yōu)選的。但是，當(dāng)超過70℃時(shí)，氨基磺酸緩慢水解，從浴壽命考慮，70℃以下是更為優(yōu)選。溫度愈低，電流效率愈低，所以，45℃以上是更優(yōu)選的。
電流密度1～30A/dm2是良好的，當(dāng)超過該值時(shí)，易引起電流效率下降及平滑性降低。
作為正極，也可以采用Ni或Ni-P合金等溶解性正極。然而，溶解性正極在長(zhǎng)時(shí)間電鍍時(shí)，由于溶解消耗，與負(fù)極(導(dǎo)電基材)的距離發(fā)生變化，由于宏觀的電鍍層厚度分布發(fā)生劣化，另外，由于正極和負(fù)極的電流效率差而使浴中Ni濃度增加，所以，必須抽出液體，致使成本增加，所以，使用不溶解性正極是優(yōu)選的。還有，當(dāng)使用不溶解性正極時(shí)，由于電鍍?cè)≈械腘i減少，必須補(bǔ)充Ni，在進(jìn)行這種補(bǔ)充時(shí)，優(yōu)選添加碳酸Ni等Ni鹽。
在使用不溶解性正極時(shí)，次磷酸由于電解反應(yīng)而變成亞磷酸及磷酸，從析出膜穩(wěn)定性考慮，采用亞磷酸或磷酸比次磷酸要好。
作為形成的電阻層被膜，當(dāng)P為2～30重量％時(shí)，可得到高電阻，并且蝕刻性也好。特別是當(dāng)P為8～18重量％時(shí)，電阻、蝕刻性更穩(wěn)定，因?qū)щ娀?例如銅箔)蝕刻后的溶解其電阻偏差少，顯示優(yōu)導(dǎo)特性。厚度在1nm～1000nm范圍較好，通過調(diào)整P的含量和層膜的厚度，可以得到所希望的電阻值。
作為Ni、P以外的合金成分，還可以含有Cu、Co等其他元素。
還有，在電阻層形成之后，也可進(jìn)行適當(dāng)?shù)腪n、鉻酸鹽、氰等表面處理。
當(dāng)電鍍前導(dǎo)電基材的表面粗糙度過大時(shí)，在其上形成的電阻層表面粗糙度增大，Ni-P層難以達(dá)到均勻，并且，電鍍層厚度易發(fā)生偏差。在作為電阻電路基板材料使用時(shí)，在該基板材料進(jìn)行蝕刻后進(jìn)行熱壓加工時(shí)，由于凹凸，易產(chǎn)生應(yīng)力集中，易發(fā)生破裂，所以，電鍍前的導(dǎo)電基材的表面粗糙度Rz優(yōu)選在3.5μm或3.5μm以下，特別是從加工性能上考慮，更優(yōu)選2.5μm或2.5μm以下。
本發(fā)明的電阻電路基板材料的制造方法一實(shí)施方案如下所述。
首先，把高導(dǎo)電基材，例如用于掩蔽的粘合片或油墨等，將銅箔整個(gè)1個(gè)面上加以被覆。然后，在另1個(gè)面上形成作為電阻層的上述Ni-P合金電鍍層。然后，剝離掩蔽用粘合片等，在電阻層側(cè)通過熱壓結(jié)合、用粘合劑等接合絕緣基板。
從該電阻電路基板材料形成印刷電阻電路板，通過以下方式形成。例如，采用溶解法形成絕緣區(qū)(溶解除去絕緣基板上所有的電阻層及導(dǎo)電基材)、電阻區(qū)(溶解除去高導(dǎo)電基材)、以及導(dǎo)體區(qū)(所有剩余的部分)形成的。電路形成后，根據(jù)需要，在電阻區(qū)、導(dǎo)體區(qū)的表面采用液體或膜狀覆蓋涂布法形成保護(hù)層。
在上述加工中，作為蝕刻液，可以使用公知的。例如，當(dāng)為銅箔時(shí)，可以使用氯化鐵、氯化銅、過硫酸銨、鉻酸-硫酸混合液、以及銨螯合劑類蝕刻液等。
作為Ni-P電阻層蝕刻液，有硫酸銅-硫酸液或硫酸鐵-硫酸液、過硫酸銨-硫酸液等公知的溶液。
作為構(gòu)成本發(fā)明的附帶電阻層導(dǎo)電基材的導(dǎo)電性材料，優(yōu)選采用電解或壓延得到的具有高導(dǎo)電性的箔如銅箔或銅合金箔、鋁箔、鋁合金箔、鐵合金箔等，從蝕刻去除及再利用上考慮，銅箔是最好的。
作為絕緣基板，可以使用環(huán)氧樹脂、聚酯、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、以及它們與玻璃織物的復(fù)合材料或者酚醛樹脂-紙及環(huán)氧樹脂-紙等形成的層壓板的任何一種。另外，作為散熱材料，可以使用接合有鋁或鐵板的(接合到與電阻層的面相反的面上)上述各種絕緣性層壓板、片材或膜類。
作為絕緣基板，可以使用環(huán)氧樹脂、聚酯、聚氨酯、聚酰胺酰亞胺、聚酰亞胺及橡膠等樹脂或把橡膠類作為粘合劑層的陶瓷板、玻璃板等無(wú)機(jī)質(zhì)地的材料。
為了簡(jiǎn)化上述說明，對(duì)絕緣基板的單面上接合電阻層及導(dǎo)電基材的結(jié)構(gòu)加以說明，但是，本發(fā)明涉及的電阻電路基板材料，可進(jìn)行結(jié)構(gòu)的改良、變換，例如，在絕緣基板的兩個(gè)面上分別接合電阻層及導(dǎo)電基材的結(jié)構(gòu)；在絕緣基板一個(gè)面上接合電阻層及導(dǎo)電基材、在另一面上接合高導(dǎo)電層(通過蝕刻形成導(dǎo)體及/或電極)的結(jié)構(gòu)也包括在內(nèi)。
電阻層不僅可設(shè)置在導(dǎo)電基材的一側(cè)的粗糙處理面上，而且，也可以設(shè)置在未進(jìn)行粗糙處理的面上，也可以設(shè)置在粗糙處理或未粗糙處理的兩個(gè)面上，形成符合使用目的的結(jié)構(gòu)。
以上說明是本發(fā)明目的的一般說明，而不具有任何限定的意義。本發(fā)明的范圍，參照權(quán)利要求書可得到最清楚的判斷。
本發(fā)明涉及電阻電路基板材料及在構(gòu)成該電阻電路基板材料的絕緣基板上粘貼的附帶電阻層的導(dǎo)電基材、在構(gòu)成該附帶電阻導(dǎo)電基材的導(dǎo)電基材表面上形成電阻層的電鍍?cè)?。一般的印刷電路基板具有絕緣基板、電阻層、導(dǎo)電層的3層，但3層以上也包括在本發(fā)明內(nèi)。當(dāng)然，將它們多層層壓而得到的電阻電路基板材料也包括在內(nèi)。
下面，通過實(shí)施例更具體的說明本發(fā)明。
實(shí)施例在下述導(dǎo)電基材上，在常溫下，在1∶1鹽酸(35％)水溶液中浸漬3分鐘進(jìn)行前處理后，電鍍電阻層，電鍍層外觀的斑點(diǎn)評(píng)價(jià)、測(cè)定電鍍層厚度的Ni電沉積量(mg/dm2)、P含量(％)、以及電路形成后在1mm口的電阻。結(jié)果例于表1。對(duì)于電鍍?cè)〉膒H調(diào)整，在實(shí)施例中采用氨基磺酸和NaOH，在比較例中采用NaOH。
實(shí)施例1在導(dǎo)電基材上，采用厚度為18μm、底板面Rz為2.1μm的經(jīng)過粗糙化處理的電解銅箔作為電阻層，發(fā)光面為整個(gè)面，底板面保留10×10cm2作為掩蔽面。作為對(duì)極(正極)，采用具有1.5dm2表面積的鍍白金鈦板，用下述電鍍?cè)?duì)底板面進(jìn)行電鍍。
氨基磺酸Ni350g/LH3BO335g/L
H3PO450g/LH3PO340g/L浴溫65℃電流密度15A/dm2時(shí)間30秒pH1.0實(shí)施例2與實(shí)施例1同樣，采用下列浴進(jìn)行電鍍。
氨基磺酸Ni350g/LNiCl2·6H2O45g/LH3PO450g/LH3PO240g/L浴溫65℃電流密度5A/dm2時(shí)間30秒pH1.3實(shí)施例3與實(shí)施例1同樣，采用下列浴進(jìn)行電鍍。
氨基磺酸Ni350g/LH2SO45g/LH3PO450g/LH3PO340g/L浴溫65℃電流密度15A/dm2時(shí)間30秒pH1.1實(shí)施例4與實(shí)施例1同樣，采用下列浴進(jìn)行電鍍。
氨基磺酸Ni450g/LH3PO250g/L浴溫30℃電流密度10A/dm2時(shí)間12秒pH4.0實(shí)施例5與實(shí)施例1同樣，采用下列浴進(jìn)行電鍍。
氨基磺酸Ni350g/LNaH2PO450g/LH3PO3120g/L浴溫60℃電流密度1A/dm2時(shí)間180秒pH1.4比較例1與實(shí)施例同樣，采用厚度為18μm、經(jīng)過粗糙化處理的底板面Rz為2.1μm的電解銅箔，發(fā)光面為整個(gè)面，底板面保留10×10cm2作為掩蔽面。作為對(duì)極(正極)，采用具有1.5dm2表面積的鍍白金鈦板，用下述電鍍?cè)?duì)底板面進(jìn)行電鍍。
NiSO4·6H2O150g/LNiCl2·6H2O45g/LNiCO315g/LH3PO450g/LH3PO340g/L浴溫75℃電流密度5A/dm2時(shí)間18秒pH1.1
比較例2與比較例1同樣，采用下列浴進(jìn)行電鍍。
NiCO3·2Ni(OH)2·4H2O210g/LH3PO2100g/L浴溫30℃電流密度5A/dm2時(shí)間24秒pH3.5結(jié)果例于下表1。在表1中，平均厚度表示Ni的平均電沉積量(mg/dm2)關(guān)于電鍍厚度，系把表面溶解，測(cè)定Ni及P的附著量，以此制成熒光X線工作曲線進(jìn)行測(cè)定。此值，為肉眼看到的表面積值。
還有，Ni 89mg/dm2與大約1μm相對(duì)應(yīng)。
3σ表示各種條件下取10塊電鍍板，測(cè)定N＝2時(shí)(總計(jì)N＝20時(shí))的與平均值的偏差(3σ/平均值)。
銅箔的蝕刻，是把浸漬了環(huán)氧樹脂的玻璃織物重合在實(shí)施例、比較例制成的電阻電路基板材料的電鍍處理電阻層面上，通過用于層壓的壓力機(jī)進(jìn)行熱壓加以接合，制成附帶電阻層的印刷基板，用シツブレイ公司制造的ニュ一トラエツチV-1，于52℃，進(jìn)行蝕刻(約1～2分鐘)至看不見銅色為止，另外，蝕刻除去電阻層是用硫酸銅250g/L、硫酸5mL/L于90℃進(jìn)行。
電阻值的單位為Ω。
表1

如表1所示，外觀斑點(diǎn)出現(xiàn)的情況是，在實(shí)施例中是均勻的，但在比較例1、2中都是沿電鍍液流動(dòng)方向出現(xiàn)條紋狀外觀，電鍍厚度產(chǎn)生偏差，成為電阻值偏差的一個(gè)原因。另外，在電鍍厚度大的比較例2中，用X500顯微鏡觀察，看到龜裂，但在同樣水平的實(shí)施例4中，未發(fā)現(xiàn)龜裂，呈均勻的。
關(guān)于平均P含量，對(duì)附著量來說，實(shí)施例和比較例無(wú)大的差異，但其偏差(3σ)，實(shí)施例少，約為比較例的1/4，片材電阻在整個(gè)表面達(dá)到一定。
電阻層的厚度偏差(3σ)，與比較例相比格外少，從這點(diǎn)看，電阻值在整個(gè)表面達(dá)到一定。
因此，實(shí)施例1～5，電阻值的偏差小，顯示優(yōu)良的均勻性。
如上述結(jié)果所示，本發(fā)明可以提供外觀及電鍍厚度、組成的偏差低、電阻值偏差小的產(chǎn)品。
權(quán)利要求
1.一種用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)。撾婂冊(cè)∈窃趯?dǎo)電基材表面上形成薄膜電阻層的電鍍?cè)?，其特征在于，該電鍍?cè)∈且枣囯x子及氨基磺酸或其鹽作為必要成分，且至少含有磷酸、亞磷酸、次磷酸、或它們中任何一種鹽類。
2.按照權(quán)利要求1所述的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)?，其特征在于，該電鍍?cè)∵M(jìn)一步至少含有硫酸、鹽酸或它們中任何一種鹽類。
3.按照權(quán)利要求1所述的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)。涮卣髟谟?，該電鍍?cè)〉膒H為6或6以下。
4.按照權(quán)利要求2所述的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)?，其特征在于，該電鍍?cè)〉膒H為6或6以下。
5.一種薄膜電阻層的形成方法，其特征在于，在權(quán)利要求1～4中任何一項(xiàng)所述的電鍍?cè)≈?，在浴溫?0～80℃的范圍內(nèi)進(jìn)行薄膜電阻層的形成。
6.一種薄膜電阻層的形成方法，其特征在于，在權(quán)利要求1～4中任何一項(xiàng)所述的電鍍?cè)≈?，在電流密度?～30A/dm2的范圍內(nèi)進(jìn)行薄膜電阻層的形成。
7.一種薄膜電阻層形成方法，其特征在于，在權(quán)利要求1～4中任何一項(xiàng)所述的電鍍?cè)≈?，使用不溶性正極作為正極，進(jìn)行薄膜電阻層的形成。
8.一種附帶電阻層的導(dǎo)電基材，其特征在于，在權(quán)利要求1～4中任何一項(xiàng)所述的電鍍?cè)≈?，在浴溫?0～80℃的范圍內(nèi)進(jìn)行薄膜電阻層的形成，通過該薄膜電阻層形成的方法，使薄膜電阻層在導(dǎo)電基材表面形成，所述薄膜電阻層包括導(dǎo)電基材含2～30重量％P的Ni合金層。
9.一種附帶電阻層的導(dǎo)電基材，其特征在于，在權(quán)利要求1～4中任何一項(xiàng)所述的電鍍?cè)≈?，在電流密度?～30A/dm2的范圍內(nèi)進(jìn)行薄膜電阻層的形成，通過該薄膜電阻層形成的方法，使薄膜電阻層在導(dǎo)電基材表面形成，所述薄膜電阻層包括導(dǎo)電基材含2～30重量％P的Ni合金層。
10.一種附帶電阻層的導(dǎo)電基材，其特征在于，在權(quán)利要求1～4中任何一項(xiàng)所述的電鍍?cè)≈?，采用不溶性正極作為正極，進(jìn)行薄膜電阻層的形成，通過該薄膜電阻層形成的方法，使薄膜電阻層在導(dǎo)電基材表面形成，所述薄膜電阻層包括導(dǎo)電基材含2～30重量％P的Ni合金層。
11.按照權(quán)利要求8所述的附帶電阻層的導(dǎo)電基材，其特征在于，至少由電阻層形成的面的Rz在3.5μm或3.5μm以下。
12.按照權(quán)利要求9所述的附帶電阻層的導(dǎo)電基材，其特征在于，至少由電阻層形成的面的Rz在3.5μm或3.5μm以下。
13.按照權(quán)利要求10所述的附帶電阻層的導(dǎo)電基材，其特征在于，至少由電阻層形成的面的Rz在3.5μm或3.5μm以下。
14.一種附帶電阻層的電路基板材料，其特征在于，把權(quán)利要求8所述的附帶電阻層的導(dǎo)電基材接合到絕緣基板的至少1個(gè)面上，且將該基材的電阻層作為內(nèi)側(cè)。
15.一種附帶電阻層的電路基板材料，其特征在于，把權(quán)利要求9所述的附帶電阻層的導(dǎo)電基材接合到絕緣基板的至少1個(gè)面上，且將該基材的電阻層作為內(nèi)側(cè)。
16.一種附帶電阻層的電路基板材料，其特征在于，把權(quán)利要求10所述的附帶電阻層的導(dǎo)電基材接合到絕緣基板的至少1個(gè)面上，且將該基材電阻層作為內(nèi)側(cè)。
17.一種附帶電阻層的電路基板材料，其特征在于，把權(quán)利要求11所述的附帶電阻層的導(dǎo)電基材接合到絕緣基板的至少1個(gè)面上，且將該基材的電阻層作為內(nèi)側(cè)。
18.一種附帶電阻層的電路基板材料，其特征在于，把權(quán)利要求12所述的附帶電阻層的導(dǎo)電基材接合到絕緣基板的至少1個(gè)面上，且將該基材的電阻層作為內(nèi)側(cè)。
19.一種附帶電阻層的電路基板材料，其特征在于，把權(quán)利要求13所述的附帶電阻層的導(dǎo)電基材接合到絕緣基板的至少1個(gè)面上，且將該基材的電阻層作為內(nèi)側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明的目的就是提供一種能夠在粗糙化的導(dǎo)電基材表面上以均勻厚度分布而形成電阻層的電鍍?cè)『?、具有電阻穩(wěn)定的薄膜電阻層的附帶電阻層導(dǎo)電基材以及包含該基材的電阻電路基板材料。本發(fā)明的用于形成薄膜電阻層的電鍍?cè)『驮撾婂冊(cè)⌒纬傻木哂斜∧る娮鑼拥母綆щ娮鑼訉?dǎo)電基材以及包含該基材的電阻電路基板材料，其中所述電鍍?cè)∈窃趯?dǎo)電基材表面上形成薄膜電阻層的電鍍?cè)?，其特征在于，該電鍍?cè)∈且枣囯x子及氨基磺酸或其鹽作為必要成分，還至少含有磷酸、亞磷酸、次磷酸、或它們中任何一種鹽類。
文檔編號(hào)C25D3/56GK1536948SQ20031011795
公開日2004年10月13日 申請(qǐng)日期2003年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月26日
發(fā)明者松田晃, 鈴木裕二, 大塚英雄, 菊池勇貴, 松本貞雄, 二, 貴, 雄 申請(qǐng)人:古河電路銅箔株式會(huì)社