專利名稱：錫鉛鉍合金鍍層的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及到一種錫系合金鍍層，它適用于機械電子產品及其它金屬制品表面上。
背景技術：
在背景技術中，純錫鍍層在存放時易長晶須和低溫同素異形變化，特別是長晶須，常常使電子產品元器件造成短路，嚴重影響產品的可靠性，給產品的質量帶來隱患，影響產品的長貯性能。錫鉛鍍層雖然較好的耐鹽霧、耐二氧化硫腐蝕和釬焊性能及結晶細致、孔隙率低，對晶須的生長有一定的抑制作用等特點，但對晶須生長的抑制效果受到限制，抗低溫同素異形變化較差。為克服這些缺陷，對錫鉛鉍合金鍍層進行了研制。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種錫鉛鉍合金鍍層，它能在產品存放時，有效消除晶須的生長和低溫同素異形變化，提高產品的長貯性能。
本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是它是在錫鉛鍍覆層中引入一定含量的鉍元素，構成錫鉛鉍合金鍍層，其由下列成份(重量百分比)Sn2+84.5～96.5％ Pb2+3～15％
Bi3+0.2～0.5％組成。
本發(fā)明同背景技術相比所產生的有益效果1、由于在錫鉛鍍覆層中引入一定含量的鉍元素，構成錫鉛鉍合金鍍層，且按上述重量百分比構成錫鉛鉍合金鍍層，故它能在產品存放時，有效消除晶須的生長和低溫同素異形變化，提高產品的長貯性能。
具體實施例方式本發(fā)明所述的錫鉛鉍合金鍍層，它可由下列成份(重量百分比)Sn2+86.7％ Pb2+13％Bi3+0.3％組成。
本發(fā)明所述的錫鉛鉍合金鍍層，它也可由下列成份(重量百分比)Sn2+90.65％ Pb2+9％Bi3+0.35％組成。
本發(fā)明所述的錫鉛鉍合金鍍層，它還可由下列成份(重量百分比)Sn2+94.6％ Pb2+5％Bi3+0.4％組成。
本發(fā)明采用無毒的甲磺酸作為電鍍溶液，其配方為Sn2+8～28g/L Pb2+1～2.5g/LBi3+0.1～0.5g/L甲磺酸100～150g/LSPB-I 35～45ml/L SPB-II10～20ml/L輔光劑10～20ml/L 溫度 15～25℃Dk0.5～7A/dm2陰極移動 1～3m/min配制過程為先在槽中加入1/2的純水，然后依次加入計算量甲磺酸、甲磺酸錫、甲磺酸鉛、甲磺酸鉍攪拌均勻，分別加入添加劑SPB-I和添加劑SPB-II(可以得到銀白色的錫鉛鉍沉積層)，再加入輔光劑C(可得到光亮銀白色的錫鉛鉍沉積層)，充分攪拌，最終加純水至規(guī)定體積，混均即可。也可采用SS-820系列添加劑。
電鍍溶液配制好以后，本發(fā)明的鍍層可通過掛鍍或滾鍍取得。
對銅件電鍍錫鉛鉍合金鍍層采用如下工藝鍍前處理→甲磺酸浸蝕(5～10％MSA)→純水洗→甲磺酸電鍍錫鉛鉍→水洗→中和(5～10％Na3Po4，60～90℃，5～15S)→水洗→純水洗→干燥→包裝入庫對鋼鐵件電鍍錫鉛鉍合金鍍層采用如下工藝鍍前處理→鍍銅(氰銅+焦銅或氰銅+酸銅)→甲磺酸浸蝕(5～10％MSA)→純水洗→甲磺酸電鍍錫鉛鉍→水洗→中和(5～10％Na3Po4，60～90℃，5～15S)→水洗→純水洗→干燥→包裝入庫對鋁件電鍍錫鉛鉍合金鍍層采用如下工藝鋁件前處理→浸鎳→退鎳→浸鋅→退鋅→浸鎳→退鎳→鍍銅→水洗→甲磺酸浸蝕(5～10％MSA)→甲磺酸電鍍錫鉛鉍→水洗→中和(5～10％Na3Po4，60～90℃，5～15S)→水洗→純水洗→干燥→包裝入庫
權利要求
1.一種錫鉛鉍合金鍍層，其特征在于它由下列成份(重量百分比)Sn2+84.5～96.5％ Pb2+3～15％Bi3+0.2～0.5％組成。
2.根據權利要求1所述的錫鉛鉍合金鍍層，其特征在于它由下列成份(重量百分比)Sn2+86.7％Pb2+13％Bi3+0.3％組成。
3.根據權利要求1所述的錫鉛鉍合金鍍層，其特征在于它由下列成份(重量百分比)Sn2+90.65％ Pb2+9％Bi3+0.35％組成。
4.根據權利要求1所述的錫鉛鉍合金鍍層，其特征在于它由下列成份(重量百分比)Sn2+94.6％Pb2+5％Bi3+0.4％組成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種錫鉛鉍合金鍍層，它適用于機械電子產品及其它金屬制品表面上。主要技術特征是它在錫鉛鍍覆層中引入一定含量的鉍元素，構成錫鉛鉍合金鍍層，且按Sn
文檔編號C25D3/60GK1464076SQ02120839
公開日2003年12月31日 申請日期2002年6月5日 優(yōu)先權日2002年6月5日
發(fā)明者胡德意, 李職模, 何旭開, 周擴生, 鐘建武, 劉漢卿, 肖精華, 王國平, 張國政 申請人:江南機器廠