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電子裝置中改進(jìn)的堆疊結(jié)構(gòu)的制作方法_5

文檔序號:9626624閱讀:來源:國知局
結(jié)構(gòu)包含在第一和第二金屬層之間的聚合物層。在框326中,在堆疊結(jié)構(gòu)上形成鈍化層,并且合適的圖案化的開口可以形成在每個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)上,以在堆疊上提供壓縮力,同時(shí)允許電連接到堆疊結(jié)構(gòu)的上表面。在框328中,金屬結(jié)構(gòu)(例如,金屬凸塊)可以形成在每個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)的鈍化層上,使得金屬結(jié)構(gòu)電連接到堆疊結(jié)構(gòu)的上表面。在框330中,可以切割成各區(qū)域以得到多個(gè)單個(gè)的裸片。
[0116]圖21示出工藝340,可以實(shí)現(xiàn)工藝340以制造如這里所述的具有一個(gè)或多個(gè)特征的腔體結(jié)構(gòu)。在框324中,可以提供基體晶片。在框344中,焊盤結(jié)構(gòu)可以形成在晶片基板上以便于空腔,其中焊盤結(jié)構(gòu)包含在第一和第二金屬層之間的聚合物層。在框346中,鈍化層可以形成在焊盤結(jié)構(gòu)上以在焊盤結(jié)構(gòu)上提供壓縮力,同時(shí)允許電連接到焊盤結(jié)構(gòu)的上表面。在框348中,環(huán)形結(jié)構(gòu)可以形成在鈍化層上,以使該環(huán)形結(jié)構(gòu)連接到所述焊盤結(jié)構(gòu)的上表面。在框350中,帽蓋晶片可以安裝在環(huán)形結(jié)構(gòu)上以基本上密封空腔。
[0117]在圖21示出的示例中,密封空腔可以為在其中實(shí)現(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)電路和/或裝置提供密封空腔的環(huán)境。在這種密閉空腔中實(shí)現(xiàn)的裝置的背景中,裝置可以在圖21中的制造工藝340的不同階段安裝在基體晶片上。例如,在形成焊盤結(jié)構(gòu)之前或之后,該裝置可安裝在基板晶片上。在形成環(huán)形結(jié)構(gòu)之前或之后,該裝置也可以安裝在基體晶片上。
[0118]圖22和圖23是非限制性的示例的產(chǎn)品,其可以包含并受益于如這里所述的一個(gè)或多個(gè)特征。圖22示出,在一些實(shí)施例中,倒裝芯片400可包含多個(gè)凸塊結(jié)構(gòu)402,其配置成提供電連接和/或安裝功能。這種凸塊結(jié)構(gòu)可以包含如這里所述的凸塊焊盤和在這種凸塊焊盤上形成的金屬凸塊。一些或所有這種凸塊結(jié)構(gòu)可以包含如這里所述的壓縮力配置(表示為404)以減少在凸塊結(jié)構(gòu)內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)界面分層的可能性。
[0119]在一些實(shí)施例中,圖22的倒裝芯片400可配置為用于射頻(rad1-frequency,RF)應(yīng)用。在其他實(shí)施例中,如這里所述的具有一個(gè)或多個(gè)特征的倒裝芯片也可以在其他電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)。
[0120]在一些實(shí)施例中,如這里所述的具有凸塊結(jié)構(gòu)的倒裝芯片可以包含基板層,并且這種凸塊結(jié)構(gòu)可以在這種基板層上實(shí)現(xiàn)。在一些實(shí)施例中,基板層可以是半導(dǎo)體層(例如,半導(dǎo)體裸片)。這種半導(dǎo)體層可以包含,例如,集成電路(integrated circuit,1C)。在一些實(shí)施例中,基板層可以是半絕緣層,例如砷化鎵(gallium arsenide,GaAs)層。這種半絕緣層可以包含,例如,無源電路。在一些實(shí)施例中,基板層可以是絕緣層,例如玻璃或藍(lán)寶石O
[0121]在射頻(RF)應(yīng)用背景中,如這里所述的一個(gè)或多個(gè)倒裝芯片可以在無線裝置中使用。這種無線裝置可以包含,例如,手機(jī)、智能電話、具有或不具有電話功能的手持無線裝置、無線平板電腦等。
[0122]圖23示出,在一些實(shí)施例中,密封空腔裝置410可以包含由基板層412、環(huán)形結(jié)構(gòu)416和帽蓋層414形成的腔體418。這種空腔可以為元件420提供密封環(huán)境。
[0123]在一些實(shí)施例中,環(huán)形結(jié)構(gòu)416可以包含或可以不包含如這里所述的壓縮力配置(表示為422)。通過這種壓縮力配置,環(huán)形結(jié)構(gòu)416內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)界面的分層可能性可以減小。
[0124]在一些實(shí)施例中,基體層412可以是基體晶片,并且帽蓋層414可以是帽蓋晶片。雖然基板晶片412表示為與帽蓋晶片414具有相同的橫向尺寸,但是可以理解的是,基體晶片412可以更大,并且可以包含安裝在其上的一個(gè)或多個(gè)其它元件,其具有或者不具有空腔。
[0125]在一些實(shí)施例中,在空腔418內(nèi)實(shí)現(xiàn)的組件420可以是建立在基板晶片412上的一種裝置、基板晶片412電路的一個(gè)部件(例如,MEMS)、附接至基體晶片412的表面的分離裝置(例如SAW、BAW或FBAR)、或它們的任意組合。在一些實(shí)施例中,具有這種裝置(例如,元件420)的密封空腔裝置410,可配置為用于射頻(RF)應(yīng)用。在其他實(shí)施例中,具有如這里所述的一個(gè)或多個(gè)特征的密封空腔裝置也可以在其他電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)。
[0126]在RF應(yīng)用的背景下,如這里所述的一個(gè)或多個(gè)密封空腔可以使用在無線裝置中。這種無線裝置可以包含,例如,手機(jī)、智能電話、具有或不具有電話功能的手持無線裝置、無線平板電腦等。
[0127]除非背景清楚地要求,否則在整個(gè)說明書和權(quán)利要求中,詞語“包括、包含”等將被解釋為包括的含義,而不是排他或窮舉的含義;也就是說,是“包含但不限于”的含義。詞語“耦合的”,如在這里通常使用的,指的是可以直接連接,或通過一個(gè)或多個(gè)中間元件連接的兩個(gè)或多個(gè)元件。另外,詞語“這里”、“以上”、“以下”,和類似含義的詞語,在本申請中使用時(shí),應(yīng)指本申請的整體而不是本申請的任何特定部分。如果背景允許,使用單數(shù)或復(fù)數(shù)的上述的詞語也可以分別包含復(fù)數(shù)或者單數(shù)。參照兩個(gè)或多個(gè)項(xiàng)目的列表的詞語“或”,該單詞覆蓋所有的單詞的以下解釋:列表中的任何項(xiàng)目,列表中的全部項(xiàng)目,以及列表中的項(xiàng)目的任意組合。
[0128]本發(fā)明的實(shí)施例的以上詳細(xì)描述并不旨在窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制于以上公開的明確形式。雖然本發(fā)明的上述的具體的實(shí)施例和示例是用于說明的目的,但是在本發(fā)明的范圍內(nèi)的各種等同變型是可能的,相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到。例如,盡管工藝或框以給定的順序呈現(xiàn),可選的實(shí)施例可以執(zhí)行具有不同的順序的步驟的例程、或采用具有以不同的順序的框的系統(tǒng),并且某些工藝或框可以刪除、移動、增加、再細(xì)分、組合、和/或修改。這些工藝或框的每一個(gè)可能以各種不同的方式來實(shí)現(xiàn)。此外,盡管工藝或框示出為串聯(lián)的運(yùn)行,這些工藝或框可以替代為平行的運(yùn)行,或者可以執(zhí)行不同的次數(shù)。
[0129]這里提供的本發(fā)明的教導(dǎo)可以應(yīng)用于其它系統(tǒng),而不一定是上述系統(tǒng)。上述的各個(gè)實(shí)施例的元件和動作可以組合以進(jìn)一步提供實(shí)施例。
[0130]雖然本發(fā)明的一些實(shí)施例已被描述,這些實(shí)施例已經(jīng)僅以示例提出,并且不旨在限制本發(fā)明的范圍。的確,本文所述的新方法和系統(tǒng)可能以各種其他形式體現(xiàn);此外,可以進(jìn)行各種省略、替代和改變這里所述的方法和系統(tǒng)的形式,而不脫離本發(fā)明的精神。所附權(quán)利要求及其等同旨在覆蓋這些形式或變型以落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)。
[0131]相關(guān)申請的交叉引用
[0132]本申請要求于2014年8月31日提交的、發(fā)明名稱為電子裝置中改進(jìn)的堆疊結(jié)構(gòu)的美國臨時(shí)專利申請N0.62/044302的優(yōu)先權(quán),其公開內(nèi)容在此通過整體引用明確地結(jié)合于此。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種堆疊結(jié)構(gòu),包括: 焊盤,在基板上實(shí)現(xiàn),該焊盤包含聚合物層,該聚合物層的側(cè)面與該焊盤的另一層形成有界面,該焊盤還包含在該界面上的上部金屬層,該上部金屬層具有上表面;以及 鈍化層,在該上部金屬層上實(shí)現(xiàn),該鈍化層包含圖案,該圖案配置為在該上部金屬層上提供壓縮力從而減少在該界面分層的可能性,該圖案限定多個(gè)開口以露出該上部金屬層的該上表面。2.如權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu),還包括在該焊盤上實(shí)現(xiàn)的金屬結(jié)構(gòu),以使該金屬結(jié)構(gòu)通過該鈍化層的該多個(gè)開口與該上部金屬層的該露出的上表面連接。3.如權(quán)利要求2所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中該另一層是金屬層,以使該界面位于該聚合物層和該金屬層之間。4.如權(quán)利要求3所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中該金屬層位于該上部金屬層下方。5.如權(quán)利要求3所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中該上部金屬層是與該聚合物層形成該界面的該金屬層。6.如權(quán)利要求2所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中限定該多個(gè)開口的該圖案配置為用作該上部金屬層上的帶子或網(wǎng),從而在該上部金屬層上提供該壓縮力。7.如權(quán)利要求6所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中該圖案的該帶子或該網(wǎng)基本上在該多個(gè)開口的周圍是連續(xù)的。8.如權(quán)利要求2所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中該基板是半導(dǎo)體基板。9.如權(quán)利要求8所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中該半導(dǎo)體基板是倒裝芯片基板。10.如權(quán)利要求9所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中該焊盤是凸塊焊盤并且該金屬結(jié)構(gòu)是金屬凸塊。11.如權(quán)利要求8所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中該半導(dǎo)體基板是具有集成電路(IC)的基體晶片層。12.如權(quán)利要求11所述的堆疊結(jié)構(gòu),其中該堆疊結(jié)構(gòu)配置為在該基體晶片層上形成環(huán)形,該環(huán)形限定內(nèi)部區(qū)域,其尺寸為容納裝置,該環(huán)形還配置為允許安裝帽蓋晶片以基本上封閉該內(nèi)部區(qū)域。13.一種制造堆疊結(jié)構(gòu)的方法,該方法包括: 提供基板; 在該基板上形成焊盤,以使該焊盤包含具有側(cè)面的聚合物,該側(cè)面與該焊盤的另一層形成界面,該焊盤還包含在該界面上的上部金屬層,該上部金屬層具有上表面; 在該上部金屬層上形成鈍化層;以及 圖案化該鈍化層,以產(chǎn)生多個(gè)開口以露出該上部金屬層的該上表面,并且在該上部金屬層上提供壓縮力從而減少在該界面分層的可能性。14.如權(quán)利要求13所述的方法,還包括在該焊盤上形成金屬結(jié)構(gòu),以使該金屬結(jié)構(gòu)通過該鈍化層的該多個(gè)開口與該上部金屬層的該露出的上表面連接。15.一種無線裝置,包括: 天線,其配置為傳送或接收射頻(RF)信號;以及 射頻設(shè)備,其配置為處理該射頻信號,該射頻設(shè)備包含具有焊盤的堆疊結(jié)構(gòu),該焊盤包含聚合物,該聚合物的側(cè)面與該焊盤的另一層形成有界面,該焊盤還包含在該界面上的上部金屬層,該上部金屬層具有上表面,該堆疊結(jié)構(gòu)還包含在該上部金屬層上實(shí)現(xiàn)的鈍化層,該鈍化層包含圖案,該圖案配置為在該上部金屬層上提供壓縮力從而減少在該界面分層的可能性,該圖案限定多個(gè)開口以露出該上部金屬層的該上表面,該堆疊結(jié)構(gòu)還包含在該焊盤上實(shí)現(xiàn)的金屬結(jié)構(gòu),以使該金屬結(jié)構(gòu)通過該鈍化層的該多個(gè)開口與該上部金屬層的該露出的上表面連接。16.如權(quán)利要求15所述的無線裝置,其中該無線裝置是手機(jī)。17.如權(quán)利要求15所述的無線裝置,其中該射頻設(shè)備是倒裝芯片。18.如權(quán)利要求17所述的無線裝置,其中該堆疊結(jié)構(gòu)是連接結(jié)構(gòu),該連接結(jié)構(gòu)配置為便于安裝該倒裝芯片。19.如權(quán)利要求15所述的無線裝置,其中該射頻設(shè)備是具有密封空腔的設(shè)備。20.如權(quán)利要求19所述的無線裝置,其中該堆疊結(jié)構(gòu)是環(huán)形結(jié)構(gòu),其將基體晶片和帽蓋晶片互連以產(chǎn)生該密封空腔。
【專利摘要】一種涉及電子裝置中改進(jìn)堆疊結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)、方法及裝置。在一些實(shí)施例中,堆疊結(jié)構(gòu)包含在基板上實(shí)現(xiàn)的焊盤,該焊盤包含具有側(cè)面的聚合物層,該側(cè)面與該焊盤的另一層形成界面,該焊盤還包含在該界面上的上部金屬層,該上部金屬層具有上表面。在一些實(shí)施例中,該堆疊結(jié)構(gòu)還包含在該上部金屬層上實(shí)現(xiàn)的鈍化層,該鈍化層包含圖案,其配置為在該上部金屬層上提供壓縮力從而減少在該界面分層的可能性,該圖案限定多個(gè)開口以露出該上部金屬層的該上表面。
【IPC分類】B81C1/00, B81B7/00
【公開號】CN105384140
【申請?zhí)枴緾N201510548477
【發(fā)明人】J.約塔, D.古尼斯
【申請人】天工方案公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年8月31日
【公告號】US20160064811
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