一種mems器件的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種MEMS器件的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，在各種傳感器(mot1n sensor)類產(chǎn)品的市場(chǎng)上,智能手機(jī)、集成CMOS和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件日益成為最主流、最先進(jìn)的技術(shù)，并且隨著技術(shù)的更新，這類傳動(dòng)傳感器產(chǎn)品的發(fā)展方向是規(guī)模更小的尺寸，高質(zhì)量的電學(xué)性能和更低的損耗。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)MEMS的制備過(guò)程以及封裝過(guò)程如圖1a-1c所示，首先提供MEMS晶圓101，在所述MEMS晶圓101上形成有各種傳感器器件，在所述MEMS晶圓101上還形成有Al焊盤，用于在形成所述MEMS器件后進(jìn)行封裝。然后所述MEMS晶圓101和覆蓋層晶圓102相接合以形成MEMS器件，在接合之前，通常選用DHF對(duì)所述MEMS晶圓101進(jìn)行預(yù)清洗，以使所述MEMS晶圓101變?yōu)槭杷浴?br>[0004]在將所述MEMS晶圓101和覆蓋層晶圓102接合之后對(duì)所述MEMS器件的晶圓進(jìn)行劃片(Dicing)，逐一切割成電路體系完整的芯片(Chip)或晶粒(Die)單位，在切割過(guò)程中上方覆蓋層晶圓102在切割過(guò)程中形成的硅灰塵(Si dust)會(huì)落在下方的MEMS晶圓101上，而且娃灰塵(Si dust)很難被清除,特別是對(duì)于MEMS晶圓101中的Al焊盤，由于所述Al焊盤為疏水性(hydrophobic property)的,所以落在所述Al焊盤上的娃灰塵(Si dust)會(huì)對(duì)后續(xù)的封裝過(guò)程造成影響，使封裝過(guò)程不能失敗，降低器件的良率。
[0005]因此現(xiàn)有技術(shù)中制備MEMS器件的過(guò)程中會(huì)對(duì)MEMS晶圓上的焊盤造成影響，雖然可以通過(guò)調(diào)節(jié)能夠減少硅灰塵(Si dust)的產(chǎn)生，但是效果并不明顯，所以需要對(duì)目前的MEMS器件制備方法進(jìn)行改進(jìn)，以便能夠消除上述問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0007]本發(fā)明為了克服目前存在問(wèn)題，提供了一種MEMS器件的制備方法，包括:
[0008]提供MEMS晶圓，在所述MEMS晶圓上形成有MEMS元件以及接合焊盤；
[0009]對(duì)所述MEMS晶圓進(jìn)行預(yù)清洗；
[0010]對(duì)所述MEMS晶圓進(jìn)行親水性處理，以將所述接合焊盤的表面變?yōu)橛H水性。
[0011]作為優(yōu)選，對(duì)所述MEMS晶圓進(jìn)行親水性處理之后，所述方法還進(jìn)一步包括將所述MEMS晶圓進(jìn)行干燥的步驟。
[0012]作為優(yōu)選，選用異丙醇對(duì)所述MEMS晶圓進(jìn)行干燥。
[0013]作為優(yōu)選，選用DHF對(duì)所述MEMS晶圓進(jìn)行預(yù)清洗。
[0014]作為優(yōu)選，所述親水性處理為選用六甲基二硅氮烷或EKC對(duì)所述MEMS晶圓進(jìn)行清洗。
[0015]作為優(yōu)選，所述方法還進(jìn)一步包括以下步驟:
[0016]提供覆蓋層；
[0017]將所述覆蓋層和所述MEMS晶圓接合，以得到MEMS晶圓疊層。
[0018]作為優(yōu)選，所述方法還進(jìn)一步包括對(duì)所述MEMS晶圓疊層進(jìn)行切割的步驟。
[0019]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種MEMS器件的制備方法，所述方法中在選用DHF對(duì)所述MEMS晶圓進(jìn)行預(yù)清洗之后，選用HDMS或者ECK對(duì)所述MEMS晶圓進(jìn)行清洗，以將所述MEMS晶圓表面的接合焊盤由疏水性變?yōu)橛H水性，以防止在后面的切割過(guò)程中硅灰塵落在所述接合焊盤上難以清除的問(wèn)題，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于接合焊盤上由于硅灰塵存在導(dǎo)致封裝失敗的問(wèn)題，提高了 MEMS器件的性能以及產(chǎn)品的良率。
【附圖說(shuō)明】
[0020]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0021]圖1a-1c為現(xiàn)有技術(shù)中所述MEMS器件的制備過(guò)程示意圖；
[0022]圖2a_2c為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述MEMS器件的制備過(guò)程示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中所述MEMS器件的制備工藝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0025]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0026]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接至『或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0027]空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。
[0028]在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0029]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0030]本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，提供了一種MEMS器件的制備方法，下面結(jié)合附圖2a_2c對(duì)本發(fā)明的一具體地實(shí)施方式做進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0031 ] 首先執(zhí)行步驟201，制備MEMS晶圓201，所述MEMS晶圓201上形成有MEMS元件以及接合焊盤。
[0032]具體地，如圖2a所示，其中所述MEMS晶圓201可以為運(yùn)動(dòng)傳感器的晶圓或者壓力傳感器的晶圓，并不局限于某一種，還可以為其他器件，其中所述MEMS晶圓201上至少形成有MEMS器件以及接合焊盤。
[0033]