nm-450nm之間（主 要反應(yīng)波峰在400nm-420nm)。不過，在其它的實施方式中，也可由第二基板21遠離納米層 12的一側(cè)（圖2D的第二基板21的下側(cè)）以UV光照射聚合層22,或同時于第一基板11的上 側(cè)與第二基板21的下側(cè)以UV光照射聚合層22,或于圖2D的聚合層22的側(cè)面以UV光照射 聚合層22,使聚合層22固化而形成固定的凹凸結(jié)構(gòu)。
[0061] 完成固化步驟之后，接著，進行步驟S05 :分離納米層12與聚合層22,以得到納米 結(jié)構(gòu)23。
[0062] 不過，如圖2E所示，當以外力進行納米層12與聚合層22的分離（脫模）步驟時， 由于仍可能有殘存的納米層12留在聚合層22上，故于分離（脫模）步驟之后，制造方法還 可包括：去除殘存于聚合層22上的納米層12,以得到如圖2F所示的具有納米結(jié)構(gòu)23的一 納米基板2。于此，可以濕式蝕刻或干式蝕刻等方式去除殘存于聚合層22上的納米層12。 其中，濕式蝕刻的蝕刻液可例如為氫氟酸（HF)溶液，而干式蝕刻可例如為反應(yīng)式離子蝕刻 (RIE)0
[0063] 因此，在經(jīng)過步驟SOl至步驟S05而得到納米結(jié)構(gòu)23之后，可再于納米結(jié)構(gòu)23上 進行抗臟污的表面處理，使其具備有較佳的抗臟污效果。
[0064] 請參照圖2F及圖2G所示，其中，圖2G為圖2F的區(qū)域A的放大示意圖。
[0065] 如圖2F所示，納米基板2的表面211上的納米結(jié)構(gòu)23具有多個凸部231及與這 些凸部231相鄰的多個凹槽232。其中，這些凹槽232可為單一尺寸或多種尺寸的混合，而 且凹槽232的截面最大寬度Wl可介于70納米至200納米之間。另外，這些凹槽232的截 面形狀可包含弧形、多邊形(例如三角形、梯形、菱形或四邊形…）或不規(guī)則形，或上述形狀 的任意組合。于此，這些凹槽232為單一尺寸，且凹槽232的截面形狀是以弧形為例。
[0066] 另外，如圖2F及圖2G所示，凸部231依序具有遠離第二基板21的表面211的一 第一寬度dl及一第二寬度d2的結(jié)構(gòu)。于此實施例中，dl是指相鄰兩凹槽最底端的距離， d2是指凸部231最頂端的寬度，且凸部231的第一寬度dl是大于第二寬度d2。換言之，本 實施例的納米結(jié)構(gòu)23的凸部231具有底部較頂部寬的結(jié)構(gòu)。另外，納米結(jié)構(gòu)23的硬度是 鉛筆硬度大于等于2H，且小于等于6H (即2H=硬度=6Η)。另外，這些凹槽232的截面深 度dp與最大寬度Wl的比是可介于0.3至LO之間（0.3蘭（dp/Wl)蘭1.0)。其中，截面深 度與最大寬度的比例越小，其機械強度越高、更耐磨。此外，單位面積的這些凹槽232的面 積比例是大于等于0. 3、且小于1. 0。
[0067] 另外，請參照圖2H所示，其為本發(fā)明另一實施方式的納米結(jié)構(gòu)33的俯視示意圖。 其中，單位面積的納米結(jié)構(gòu)中，這些凹槽可為最密堆積，或者，也可部分區(qū)域不具有凹槽。在 本實施方式中，這些凹槽332為多種尺寸的混合，且其截面形狀仍以弧形為例。另外，本實 施方式的單位面積的納米結(jié)構(gòu)33中，例如圖2H的虛線L的范圍內(nèi)，部分區(qū)域內(nèi)并沒有凹槽 332。
[0068] 另外，請參照圖3A至圖3F所示，其中，圖3A、圖3D及圖3F分別為不同實施方式 中，具有不同納米結(jié)構(gòu)23a-23c的納米基板2a-2c的剖視示意圖，圖3B、圖3E及圖3G分別 為圖3A、圖3D及圖3F的區(qū)域B、區(qū)域C及區(qū)域D的放大示意圖，而圖3C為另一納米結(jié)構(gòu)的 放大示意圖。
[0069] 如圖3A及圖3B所示，納米結(jié)構(gòu)23a的這些凹槽232a的截面形狀與納米結(jié)構(gòu)23 相同，都是弧形。不過，納米結(jié)構(gòu)23a與納米結(jié)構(gòu)23主要的不同有于，納米結(jié)構(gòu)23a的這 些凸部231a依序具有遠離表面211的第一寬度dl、第二寬度d2及一第三寬度d3的結(jié)構(gòu)。 于此實施例中，dl是指相鄰兩凹槽最底端點間的距離，d3是指凸部最頂端的寬度，d2是介 于dl與d3間的一凸部的最小寬度，而且第三寬度d3大于第二寬度d2,但小于第一寬度dl (d2〈d3〈dl)，使得這些凸部231a自底部往上依序為寬、窄、寬的結(jié)構(gòu)。此外，納米結(jié)構(gòu)23a 的其它技術(shù)特征可參照納米結(jié)構(gòu)23,不再贅述。然而，如圖3C所示，在不同的實施方式中， 也可以：第二寬度d2小于第一寬度dl，且第一寬度dl小于第三寬度d3 (d2〈dl〈d3)，并不 限制。
[0070] 另外，如圖3D及圖3E所示，納米結(jié)構(gòu)23b與納米結(jié)構(gòu)23a主要的不同有于，納米 結(jié)構(gòu)23b的這些凹槽232b的截面形狀為多邊形。另外，這些凸部231b的第二寬度d2小于 第一寬度dl (d2〈dl)，但第一寬度dl約等于第三寬度d3 (dl N d3)。不過，在不同的實施 方式中，也可以：第二寬度d2小于第一寬度dl (d2〈dl)，且第一寬度dl小于第三寬度d3 (dl〈d3)，并不限制。此外，納米結(jié)構(gòu)23b的其它技術(shù)特征可參照納米結(jié)構(gòu)23a，不再贅述。
[0071] 另外，如圖3F及圖3G所示，納米結(jié)構(gòu)23c與納米結(jié)構(gòu)23主要的不同有，納米結(jié)構(gòu) 23c的這些凹槽232c的截面形狀為四邊形，并為一梯形。另外，這些凸部231c的第一寬度 dl小于第二寬度d2 (dl〈d2)。此外，納米結(jié)構(gòu)23c的其它技術(shù)特征可參照納米結(jié)構(gòu)23,不 再贅述。
[0072] 另外，請參照圖4A至圖4C所示，其分別為一玻璃與納米結(jié)構(gòu)23加上玻璃（即納米 基板2)的穿透率、反射率及霧度的比較示意圖。
[0073] 如圖4A所示，納米結(jié)構(gòu)23加上玻璃后，可將可見光(波長400nm-700nm)的光線穿 透率提高，而且波長在450nm至630nm之間的光線，其穿透率更可達到94%以上。
[0074] 另外，如圖4B所示，納米結(jié)構(gòu)23加上玻璃之后，其反射率比玻璃低，而且于人眼 較敏感的550nm的波長光線時，納米結(jié)構(gòu)23加上玻璃的反射率只有約0. 4%，遠低于玻璃的 4. 2%〇
[0075] 另外，如圖4C所示，納米結(jié)構(gòu)23加上玻璃之后，其霧度雖然提高，但是以人眼較敏 感的550nm的波長光線時，其霧度只由玻璃的0. 23%提高至約0. 62%，為可接受范圍。因此， 納米基板2 (納米結(jié)構(gòu)23 +基板21)具有高穿透率及低反射率的特性，且納米結(jié)構(gòu)23具備 有抗臟污的效果。
[0076] 最后一提的是，為了使納米結(jié)構(gòu)的制造效率提高而應(yīng)用于大量生產(chǎn)上，也可將上 述步驟S05得到的納米基板2當成一模具，以透過納米基板2而應(yīng)用于制造其它的納米結(jié) 構(gòu)。因此，本發(fā)明的制造方法還可包括：對納米結(jié)構(gòu)23進行翻模而得到一模具；及依據(jù)此 模具，并透過一射出成型或一卷對卷工藝（R〇ll_t〇_R〇ll Process/R2R)而得到另一納米結(jié) 構(gòu)。換言之，以射出成型為例，可對納米結(jié)構(gòu)23進行翻模工藝而制造出一模具，并利用射出 成型的技術(shù)依據(jù)該模具制造出具有相同結(jié)構(gòu)的納米結(jié)構(gòu)；或者，也可透過將納米結(jié)構(gòu)23進 行翻模而得到模具，并應(yīng)用于卷對卷的工藝上，以透過滾壓工藝而可更經(jīng)濟、更有效率地多 次翻印納米結(jié)構(gòu)，進而提高納米結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)效率及降低其生產(chǎn)成本。
[0077] 綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的納米結(jié)構(gòu)制造方法中，包括：提供一第一基板，并于第 一基板上形成一層納米層；提供一第二基板，并于第二基板上形成一層聚合層；將納米層 壓印于聚合層上；固化聚合層；以及分離納米層與聚合層，以得到納米結(jié)構(gòu)。藉此，使得依 據(jù)本發(fā)明制造方法所得到的納米結(jié)構(gòu)具有低反射及高穿透率的特性。因此，可將本發(fā)明的 納米結(jié)構(gòu)結(jié)合應(yīng)用于顯示器的偏光板上或是與其他的光學(xué)膜結(jié)合；或是運用本發(fā)明的納米 結(jié)構(gòu)制作方法，獨立制作一納米膜層而應(yīng)用于顯示器上。
[0078] 以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其 進行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于權(quán)利要求的范圍中。
【主權(quán)項】
1. 一種納米結(jié)構(gòu)，是形成于一基板的一表面上，并包括： 多個凸部及與這些凸部相鄰的多個凹槽，所述凸部依序具有遠離所述表面的一第一寬 度及一第二寬度的結(jié)構(gòu)， 其中，所述納米結(jié)構(gòu)的硬度是鉛筆硬度大于等于2H、小于等于6H，且所述第一寬度大 于所述第二寬度。2. 如權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，所述凸部依序具有遠離所述表面的所述第一 寬度、所述第二寬度及一第三寬度的結(jié)構(gòu)，且所述第三寬度大于所述第二寬度。3. 如權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，所述凹槽為單一尺寸或多種尺寸的混合。4. 如權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，所述凹槽的截面深度與最大寬度的比介于0. 3 至1. 0之間。5. 如權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)，其中，單位面積的所述凹槽的面積比例大于等于 0. 3、小于 1. 0。6. -種納米結(jié)構(gòu)的制造方法，包括： 提供一第一基板，并于該第一基板的一表面上形成一層納米層； 提供一第二基板，并于該第二基板上形成一層聚合層； 將所述納米層壓印于所述聚合層上； 固化所述聚合層；以及 分離所述納米層與所述聚合層，以得到所述納米結(jié)構(gòu)，其中，所述納米結(jié)構(gòu)具有多個凸 部及多個凹槽，所述凸部依序具有遠離所述表面的一第一寬度、一第二寬度，且所述第一寬 度大于所述第二寬度。7. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，還包括： 對所述納米層改質(zhì)，其中是通過一等離子處理將一化合物設(shè)置于所述納米層上，以于 所述納米層上形成一層抗沾黏層。8. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，所述凸部依序具有遠離所述第二基板的一表 面的所述第一寬度、所述第二寬度及一第三寬度的結(jié)構(gòu)，所述第三寬度大于所述第二寬度。9. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，所述納米結(jié)構(gòu)的硬度是鉛筆硬度大于等于2H、 小于等于6H。10. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，還包括： 對所述納米結(jié)構(gòu)進行翻模而得到一模具；及 依據(jù)所述模具，并通過一射出成型或一卷對卷工藝而得到另一納米結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種納米結(jié)構(gòu)及其制造方法。納米結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟：提供一第一基板，并于第一基板上形成一層納米層；提供一第二基板，并于第二基板上形成一層聚合層；將納米層壓印于聚合層上；固化聚合層；以及分離納米層與聚合層，以得到納米結(jié)構(gòu)。
【IPC分類】B81C1/00, B81B7/02
【公開號】CN104891422
【申請?zhí)枴緾N201410082776
【發(fā)明人】李君浩, 魏茂國, 藍義信, 楊騰毅, 劉育豪, 林帝宏, 王柏樺, 邱天隆, 林奇鋒
【申請人】群創(chuàng)光電股份有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2014年3月7日