相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本美國(guó)實(shí)用專利申請(qǐng)根據(jù)35u.s.c.§119(e)要求以下美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，這些美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用并入本文并且為了所有目的構(gòu)成本美國(guó)實(shí)用專利申請(qǐng)的部分：

1.2015年2月20日提交的題為“selectivestepcoverageformicro-fabricatedstructures”(代理人案卷號(hào)siwa-1020prov)的待決的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)62/119,065。

2.2016年2月18日提交的題為“selectivestepcoverageformicro-fabricatedstructures”的待決的美國(guó)實(shí)用申請(qǐng)序列號(hào)15/047,032。

本發(fā)明總體上涉及微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備中的光學(xué)表面的金屬化或薄膜涂覆，并且特別是涉及提供微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的微加工結(jié)構(gòu)的光學(xué)表面的選擇性階梯覆蓋的蔭罩的制造。

背景技術(shù)：

深度蝕刻的微光學(xué)平臺(tái)通常使用深反應(yīng)離子蝕刻(drie)工藝形成在絕緣體上硅(soi)晶片上，以便產(chǎn)生能夠處理平行于soi襯底傳播的自由空間光束的微光學(xué)和微機(jī)電系統(tǒng)(mems)部件。傳統(tǒng)上，使用一級(jí)蔭罩來提供在深度蝕刻的微光學(xué)工作臺(tái)內(nèi)的光學(xué)表面的階梯覆蓋和選擇性金屬化或薄膜涂覆。

然而，保護(hù)附近的光學(xué)表面免受薄膜涂覆的影響需要將涂覆的表面和未涂覆的表面分離足夠的距離，以避免未涂覆的表面的無(wú)意的涂覆。因此，微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的光學(xué)傳播距離受限于蔭罩的設(shè)計(jì)規(guī)則。

圖1示出了用于在對(duì)襯底110(諸如，絕緣體上硅(soi)晶片/襯底)的蝕刻表面進(jìn)行金屬化時(shí)使用的示例性的現(xiàn)有技術(shù)的一級(jí)蔭罩100。襯底110包括器件層120、蝕刻停止或犧牲(例如，隱埋氧化物(box))層130和處理層140。微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備170的各種微加工結(jié)構(gòu)(例如，結(jié)構(gòu)152和162)使用例如driebosch工藝被蝕刻到器件層120中以暴露微光學(xué)表面150和160。為了在表面之一(例如，表面150)上濺射涂覆材料155(例如，金屬層)，蔭罩中需要有寬度為lm的開口，假設(shè)金屬化角度θm。根據(jù)幾何形狀，金屬化開口寬度由下式給出：

lm＝m+(h+d2)tanθm(等式1)

其中m、h和d2分別為未對(duì)準(zhǔn)裕度、soi器件層高度和蔭罩厚度。

為了保護(hù)相對(duì)的微光學(xué)表面(例如，表面160)不被金屬化，需要到金屬化開口的保護(hù)距離lp。保護(hù)距離與金屬化開口寬度和器件層高度成正比，并且由下式給出：

其中，d1是除了在soi晶片上方的凹陷部分之外的蔭罩的厚度。因此，金屬化表面150與受保護(hù)表面160之間的總距離由下式給出：

從以上等式可以推測(cè)，增加器件層高度(其可能被需要以用于獲得更好的光耦合效率)直接影響可以使用用于垂直微光學(xué)表面的金屬化或薄膜涂覆的一級(jí)蔭罩來實(shí)現(xiàn)的最小光學(xué)傳播距離。另一方面，增加一級(jí)蔭罩的厚度增加了所需要的金屬化開口，同時(shí)減小了保護(hù)距離。

因此，需要一種蔭罩，其被設(shè)計(jì)為提供微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的微加工結(jié)構(gòu)的選擇性階梯覆蓋，同時(shí)光學(xué)表面之間的保護(hù)距離最小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的各個(gè)方面提供了一種用于在微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的微加工結(jié)構(gòu)的選擇性涂覆時(shí)使用的蔭罩。蔭罩包括在蔭罩的頂面內(nèi)的第一開口和在蔭罩的底面內(nèi)的第二開口。第二開口與第一開口對(duì)準(zhǔn)并且具有小于第一開口的第一寬度的第二寬度。第一開口與第二開口之間的交疊部在蔭罩內(nèi)形成孔，通過該孔可以發(fā)生微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的微加工結(jié)構(gòu)的選擇性涂覆。

附圖說明

通過結(jié)合附圖來參考以下詳細(xì)描述可以獲得對(duì)本發(fā)明的更完整的理解，在附圖中：

圖1示出了根據(jù)本公開的各方面的用于在襯底的蝕刻表面的金屬化時(shí)使用的示例性的現(xiàn)有技術(shù)的一級(jí)蔭罩；

圖2示出了根據(jù)本公開的各方面的用于在提供微加工結(jié)構(gòu)的選擇性階梯覆蓋時(shí)使用的示例性多層級(jí)蔭罩；

圖3示出了根據(jù)本公開的各方面的示例性蔭罩頂部層級(jí)開口；

圖4是示出根據(jù)本公開的各方面的使用圖3所示的不同的蔭罩頂部層級(jí)開口沉積的薄膜的示例性輪廓和厚度的圖；

圖5是示出根據(jù)本公開的各方面的濺射的薄膜厚度對(duì)于蔭罩頂部層級(jí)開口尺寸的依賴性的圖。

圖6示出了根據(jù)本公開的各方面的具有不同的頂部層級(jí)開口尺寸的示例性蔭罩；

圖7a和圖7b示出了根據(jù)本公開的各方面的可以實(shí)現(xiàn)跨越光學(xué)表面高度的均勻的和非均勻的階梯覆蓋的示例性多層級(jí)蔭罩；

圖8示出了根據(jù)本公開的各方面的具有被選擇為向微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的多個(gè)光學(xué)表面提供均勻涂覆的大的頂部層級(jí)開口的示例性蔭罩；

圖9示出了根據(jù)本公開的各方面的在蔭罩與襯底之間包括間隔件的示例性蔭罩；

圖10是根據(jù)本公開的各方面的示例性多層級(jí)蔭罩的布局的俯視圖；

圖11示出了根據(jù)本公開的各方面的包括可以被制造為微光工作臺(tái)設(shè)備的michelson干涉儀的示例性光譜儀；

圖12是示出根據(jù)本公開的各方面的使用多層級(jí)蔭罩來進(jìn)行微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的微加工結(jié)構(gòu)的選擇性涂覆的示例性方法的流程圖；以及

圖13a至圖13f示出了根據(jù)本公開的各方面的用于制造多層級(jí)蔭罩的示例性工藝。

具體實(shí)施方式

根據(jù)本公開的各方面，微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的微加工結(jié)構(gòu)的光學(xué)表面的選擇性金屬化或薄膜涂覆使用被放置在微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備上方的蔭罩中的兩個(gè)或更多個(gè)層級(jí)的開口來執(zhí)行。多層級(jí)蔭罩使得能夠以較小的工作臺(tái)占用面積(即，減小的光學(xué)傳播距離)在絕緣體上硅soi晶片中形成光學(xué)反射鏡并且實(shí)現(xiàn)微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)部的微光學(xué)部件的受控的薄膜涂覆。頂部層級(jí)蔭罩開口的尺寸和形狀用于控制所沉積的薄膜的輪廓和厚度。第二級(jí)蔭罩開口用于控制沉積物的擴(kuò)散并且保護(hù)不應(yīng)當(dāng)被涂覆的表面。多層級(jí)蔭罩還可以在晶片切割之前從單個(gè)微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的一個(gè)光學(xué)表面到另一光學(xué)表面并且跨越包含多個(gè)微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備的晶片提高涂覆的均勻性。

圖2示出了根據(jù)本公開的各方面的用于在提供微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270內(nèi)的微加工結(jié)構(gòu)的選擇性階梯覆蓋時(shí)使用的示例性多層級(jí)蔭罩200。微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270被制造在襯底230內(nèi)，諸如絕緣體上硅晶片(soi)晶片/襯底。襯底230包括器件層240、蝕刻停止或犧牲(例如，隱埋氧化物(box))層250和處理層260。微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270的各種微加工結(jié)構(gòu)(例如，結(jié)構(gòu)282和292)使用例如driebosch工藝被蝕刻到器件層240中，以暴露其光學(xué)表面280和290。如圖2所示，蝕刻的光學(xué)表面280和290關(guān)于襯底230出平面，并且關(guān)于襯底230的平面可以是豎直的或具有傾斜的角度。

蔭罩200可以例如由硅(si)襯底、或具有頂面202和底面206的其他類型的襯底(例如，塑料、玻璃等)來形成。蔭罩200的多個(gè)層級(jí)使用其中的兩個(gè)或更多個(gè)開口來形成。例如，如圖2所示，蔭罩200包括在蔭罩200的頂面202內(nèi)的第一開口205和在蔭罩200的底面204內(nèi)的第二開口210。第二開口210與第一開口205對(duì)準(zhǔn)并且具有小于第一開口205的寬度lm的寬度lmb。第一和第二開口205和210的寬度之間的交疊部在蔭罩200內(nèi)形成延伸穿過其頂面202和底面204的孔215。盡管未示出，但是應(yīng)當(dāng)理解，第一和第二開口205和210之間的附加開口也可以被包括在蔭罩內(nèi)。

蔭罩200的凹陷部分206在蔭罩200與微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270內(nèi)的移動(dòng)/易碎的微加工結(jié)構(gòu)282和292之間提供間隙。通過對(duì)于第一和第二開口205和210具有不同的寬度，保護(hù)唇緣220可以被形成在蔭罩200內(nèi)，其中保護(hù)唇緣220的寬度對(duì)應(yīng)于第一開口205的第一寬度lm與第二開口210的第二寬度lmb之間的差值。保護(hù)唇緣220能夠在相對(duì)的表面280上沉積涂覆材料(即，金屬層)期間保護(hù)表面290。

從圖2中可以看出，有三種不同的蔭罩層級(jí)，用d1、d2和d3標(biāo)示。蔭罩200的第一層級(jí)d1包括小于凹陷部分206的蔭罩200的厚度并且對(duì)應(yīng)于孔215的深度。蔭罩200的第二層級(jí)d2包括包括凹陷部分206的蔭罩200的總厚度。蔭罩200的第三層級(jí)d3包括對(duì)應(yīng)于第二開口210的深度的蔭罩200的厚度，其中d3遠(yuǎn)小于d2。因此，蔭罩200的第三層級(jí)d3從蔭罩200的凹進(jìn)的底面204延伸穿過第二開口210的深度。此外，第一開口205從蔭罩200的頂面202延伸穿過與d1與d3之間的差值相對(duì)應(yīng)的厚度。此外，保護(hù)唇緣220被形成在蔭罩200的第三層級(jí)d3內(nèi)。

不同的層級(jí)被設(shè)計(jì)為暴露一些光學(xué)表面(例如，表面280)，同時(shí)保護(hù)微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270內(nèi)的其他光學(xué)表面(例如，表面290)。因此，這些層級(jí)表示用于微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270的選擇性金屬化或薄膜涂覆的控制參數(shù)。通過優(yōu)化這些層級(jí)，可以實(shí)現(xiàn)其間的光學(xué)傳播距離更短的更小的微加工結(jié)構(gòu)282和292。此外，層級(jí)的優(yōu)化還可以控制微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備170內(nèi)的微鏡和光學(xué)接口的光學(xué)質(zhì)量。因此，多層級(jí)蔭罩200增強(qiáng)了微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備170的光學(xué)效率。

在本公開的一方面，可以通過控制蔭罩層級(jí)來最小化要被金屬化/涂覆的表面(例如表面280)與要被保護(hù)免于金屬化/薄膜涂覆的表面(例如表面390)之間的距離。例如，頂部層級(jí)開口205的寬度可以與圖1所示的相同，并且因此由等式1來給出。然而，通過具有大的厚度d2的蔭罩，同時(shí)仍然通過第二層級(jí)的厚度d3具有相同的金屬化屬性，可以減小保護(hù)距離lp，如以下等式所示：

此外，金屬化表面280與受保護(hù)表面290之間的總距離lt可以由下式給出：

使用為傳統(tǒng)的蔭罩厚度d0的兩倍的蔭罩厚度，使得d2＝2d0，并且使用d3＝d0/2，可以將總光學(xué)傳播距離(lt)可以減小到在使用傳統(tǒng)的蔭罩時(shí)的值一半。還可以通過增加d2和/或減小d3來實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的減小。

沉積在光學(xué)表面280上的涂覆材料285(即，金屬層)的厚度和輪廓可以通過濺射時(shí)間和頂部層級(jí)開口寬度lm來控制，而金屬在襯底上的擴(kuò)展(≈lt)可以通過底部開口寬度lmb來控制，其由下式給出：

lmb＝m+(h+d3+d2-dl)tanθm

(等式6)

因此，濺射的金屬厚度輪廓和最大厚度值可以分別通過蔭罩開口形狀和輪廓來控制，如圖3所示。蔭罩頂部開口的形狀g(x,y)控制濺射的薄膜t(x,y)的輪廓形狀。通過將開口尺寸從lm改變?yōu)閘m2...到lm4，最大可實(shí)現(xiàn)厚度從t1被控制為t2...到t4，如圖4所示。如果開口尺寸小于給定的門限值lm-th，則濺射厚度將是可忽略的。該門限值通過工藝條件來控制，包括反應(yīng)器中的靶與晶片之間的距離、偏置功率和濺射氣體。另外，門限值取決于所使用的蔭罩的總體厚度。圖5中示出了薄膜厚度對(duì)于開口尺寸的示例經(jīng)驗(yàn)依賴性。對(duì)于大的開口尺寸，厚度飽和一定值。該值通過工藝時(shí)間和工藝條件來控制。

現(xiàn)在參考圖如圖6所示，蔭罩200可以同時(shí)具有不同的開口尺寸，以導(dǎo)致不同的金屬化或薄膜厚度。這可以使得能夠例如形成具有受控傳輸?shù)娜瓷溏R282b和部分反射/透射鏡280a。在圖6所示的示例中，蔭罩200中有兩個(gè)不同的頂部層級(jí)開口205a和205b，每個(gè)頂部層級(jí)開口具有不同的寬度lml和lm2。不同的頂部層級(jí)開口尺寸在微加工結(jié)構(gòu)282a和282b的涂覆的光學(xué)表面280a和280b上產(chǎn)生兩個(gè)不同的薄膜厚度t1和t2。如果薄膜285是金屬的，則涂覆的表面280a和280b可以具有不同的反射率和透射特性，這取決于在微光學(xué)工作臺(tái)270中傳播的光的給定波長(zhǎng)下關(guān)于光學(xué)皮膚深度的金屬厚度。如果金屬化表面280a和280b涂覆厚度中的一個(gè)或兩個(gè)遠(yuǎn)大于皮膚深度，則表面(例如表面280b)將用作關(guān)于入射光的完全反射表面。

底部層級(jí)開口210a和210b的寬度可以相同或不同。例如，可以選擇底部層級(jí)開口210a和210b的寬度，以在將涂覆材料285沉積在涂覆表面280a和280b上期間向微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270內(nèi)的其他表面290a和290b提供保護(hù)。

現(xiàn)在參考圖7a和7b，可以使用多層級(jí)蔭罩200來實(shí)現(xiàn)均勻和非均勻階梯覆蓋二者。例如，蔭罩頂部層級(jí)和底部層級(jí)開口尺寸205和210分別與工藝條件一起可以被優(yōu)化以跨越光學(xué)表面280的高度產(chǎn)生均勻的涂覆，如圖7a所示，或產(chǎn)生非均勻的涂覆，如圖7b所示。非均勻的涂覆可以產(chǎn)生例如涂覆材料285的楔形形狀，如在圖7b中可以看出的。

現(xiàn)在參考圖8，為了同時(shí)控制微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270的多個(gè)光學(xué)表面280a和280b上的薄膜厚度，蔭罩200可以包括交疊兩個(gè)或更多個(gè)底部層級(jí)開口210a和210b的單個(gè)大的頂部層級(jí)開口205。在一個(gè)示例中，頂部層級(jí)開口205可以在微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270的兩個(gè)光學(xué)表面280a和280b上提供相同的薄膜厚度。底部層級(jí)開口210a和210b可以用于控制薄膜材料285的擴(kuò)展并且保護(hù)其他未涂覆的表面290a和290b。

圖9示出了根據(jù)本公開的各方面包括在蔭罩200與襯底230之間的間隔件900的示例性蔭罩200。間隔件900可以跨越晶片控制薄膜厚度并且防止蔭罩200上的應(yīng)力，從而防止蔭罩200的彎曲。間隔件900可以在切割之前分布在蔭罩200與襯底/晶片230之間。在一個(gè)示例中，間隔件900可以分布在蔭罩200的底部層級(jí)(即，凹陷部分)中，并且可以使用在蔭罩200的底面上的光刻掩模來在蔭罩中被蝕刻。間隔件900可以定位在底部層級(jí)中，以便不與微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270中的移動(dòng)/易碎的微加工結(jié)構(gòu)282交疊。阻擋件900可以在蔭罩200的凹陷的底面與襯底230的頂面之間保持幾乎恒定的間隙，并且從而可以跨越襯底/晶片230提供金屬化的均勻性。

圖10是根據(jù)本公開的各方面的示例性多層級(jí)蔭罩200的布局的俯視圖。在圖10所示的示例中，可以穿過蔭罩200中的頂部層級(jí)開口205看到底部層級(jí)開口210。底部層級(jí)開口210包括在不同方向上對(duì)準(zhǔn)以在微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270上產(chǎn)生所需要的薄膜涂覆(如虛線所示)的若干子開口210a-210d。圖10所示的微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備270形成包括要被金屬化的微鏡和要被保護(hù)以防止金屬化的界面(例如，分束器)的光學(xué)干涉儀的至少部分。

例如，一個(gè)子開口(例如，子開口210a)可以被設(shè)計(jì)為使連接要被金屬化的微鏡表面280和要被保護(hù)的界面表面290的方向上的開口尺寸最小化。另一子開口(例如，子開口210b)可以被設(shè)計(jì)為關(guān)于連接微鏡表面280和界面表面290的線在傾斜方向上最大化開口。因此，如從圖10中可以看到，底部層級(jí)開口210可以包括至少一個(gè)矩形形狀和至少一個(gè)平行四邊形形狀的聯(lián)合，其中平行四邊形形狀形成關(guān)于矩形形狀傾斜的開口。

圖11中示出了包括可以被制造為微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備的干涉儀的光譜儀的示例。在圖11所示的示例中，光譜儀1100包括michelson干涉儀1105。然而，在其他示例中，可以使用其他類型的干涉儀，諸如fabry-perot和mach-zehnder干涉儀。在圖11中，來自寬帶源1110的準(zhǔn)直光i0通過分束器1120被分成兩個(gè)光束i1和i2。一個(gè)光束i1被反射遠(yuǎn)離固定的反射鏡1130，而另一光束i2被反射遠(yuǎn)離耦合到致動(dòng)器1150(諸如mems致動(dòng)器)的移動(dòng)的反射鏡1140。應(yīng)當(dāng)注意，通過使用多層級(jí)蔭罩200優(yōu)化沿著固定和可移動(dòng)的反射鏡1130和1140的高度的金屬層的階梯覆蓋均勻性，可以最大化干涉儀1150的(光)耦合效率，如以上討論的。

在一個(gè)示例中，mems致動(dòng)器1150由梳狀驅(qū)動(dòng)器和彈簧形成。通過向梳狀驅(qū)動(dòng)器施加電壓，在致動(dòng)器1150兩端產(chǎn)生了電勢(shì)差，這在致動(dòng)器1150中引起電容，從而生成驅(qū)動(dòng)力以及來自彈簧的恢復(fù)力，從而導(dǎo)致可移動(dòng)的反射鏡1140位移到期望的位置以實(shí)現(xiàn)對(duì)光束l2的反射。然后，在反射光束之間產(chǎn)生基本上等于反射鏡1140位移的兩倍的光程長(zhǎng)度差(opd)。

反射光束在分束器1120處干涉，使得能夠在通過移動(dòng)的反射鏡提供的每個(gè)不同的光程差(opd)下測(cè)量光的時(shí)間相干性。被稱為干涉圖的信號(hào)由檢測(cè)器1160在移動(dòng)的反射鏡的很多離散位置處測(cè)量。然后，可以例如使用由處理器1170執(zhí)行的傅里葉變換來檢索頻譜。

處理器1170可以是單個(gè)處理設(shè)備或多個(gè)處理設(shè)備。這樣的處理裝置可以是微處理器、微控制器、數(shù)字信號(hào)處理器、微型計(jì)算機(jī)、中央處理單元、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列、可編程邏輯器件、邏輯電路、模擬電路、數(shù)字電路、和/或基于電路的硬編碼和/或操作指令來操縱信號(hào)(模擬和/或數(shù)字)的任何設(shè)備。處理器1170可以具有相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器和/或存儲(chǔ)器元件，其可以是單個(gè)存儲(chǔ)器件、多個(gè)存儲(chǔ)器件和/或處理器的嵌入式電路。這樣的存儲(chǔ)器件可以是只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、易失性存儲(chǔ)器、非易失性存儲(chǔ)器、靜態(tài)存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、閃存、高速緩存存儲(chǔ)器、和/或存儲(chǔ)數(shù)字信息的任何設(shè)備。

圖12是示出根據(jù)本公開的各方面的使用多層級(jí)蔭罩來進(jìn)行微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備內(nèi)的微加工結(jié)構(gòu)的選擇性涂覆的示例性方法1200的流程圖。方法1200通過提供包括形成微光學(xué)工作臺(tái)設(shè)備的微加工結(jié)構(gòu)的襯底來在框1210開始。在框1220，提供包括在蔭罩的頂面內(nèi)的第一開口和在蔭罩的底面內(nèi)的第二開口的多層級(jí)蔭罩。第二開口與第一開口對(duì)準(zhǔn)，并且具有小于第一開口的寬度的寬度，使得第一開口與第二開口之間的交疊部在蔭罩內(nèi)形成孔。

在框1230，將蔭罩放置在襯底上在使得微加工結(jié)構(gòu)的表面能夠通過孔被涂覆的位置處。特別地，蔭罩的底面鄰近于襯底的頂面放置，并且要被涂覆的微加工結(jié)構(gòu)表面與孔對(duì)準(zhǔn)。在框1240，通過孔在微加工結(jié)構(gòu)的表面上沉積諸如金屬層等涂覆材料。

圖13a-13f示出了根據(jù)本公開的各方面的用于制造多層級(jí)蔭罩200的示例性工藝。如圖13a所示，提供用于蔭罩的襯底1300，并且通過光刻步驟在襯底1300的底面204上形成凹陷圖案1310。凹陷圖案1310可以例如通過在襯底1300的底面204上沉積鋁層并且對(duì)鋁層進(jìn)行圖案化以形成凹陷圖案1310來形成。然后，如圖13b所示，在襯底1300的底面204上沉積一層光致抗蝕劑1320，并且對(duì)這一層光致抗蝕劑1320進(jìn)行圖案化以形成底部開口圖案。在圖13c中，通過底部開口圖案在襯底1300中將底部開口210蝕刻預(yù)定義的深度。

在圖13d中，在襯底1300的頂面202上沉積另一層光致抗蝕劑1330，并且對(duì)這另一層光致抗蝕劑1330進(jìn)行圖案化以形成頂部開口圖案。在圖13e中，通過頂部開口圖案在襯底1300中蝕刻頂部開口205，直到頂部開口205與底部開口210相接觸，并且在襯底1300中形成孔215。最后，如圖13f所示，使用凹陷圖案1310蝕刻蔭罩凹陷部分206，以確保蔭罩200不會(huì)與任何可移動(dòng)/易碎的微加工結(jié)構(gòu)接觸，同時(shí)使用蔭罩進(jìn)行階梯覆蓋。

如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，可以在廣泛的應(yīng)用中修改和改變?cè)诒旧暾?qǐng)中描述的創(chuàng)新概念。因此，專利主題的范圍不應(yīng)當(dāng)限于所討論的任何具體的示例性教導(dǎo)，而是由所附權(quán)利要求來限定。