本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造方法領(lǐng)域，特別地，涉及一種半導(dǎo)體器件制造過程中的背面對準工藝方法。

背景技術(shù)：
在先進集成電路(IC)和微機電系統(tǒng)(MEMS)制造過程當中，有時會引入背面圖形化工藝，這就涉及到與晶圓正面圖形對準的問題。對準偏差過大會影響器件的特性，甚至使器件失效，造成良率下降，成本升高。目前業(yè)界常用的背面圖形對準技術(shù)通常有以下兩種方法：1、先對版圖拍照，確認版圖上標記后固定鏡頭位置，然后再借助鏡頭通過調(diào)整晶圓的位置，使晶圓上的標記與版圖照片中的標記位置對準，完成曝光。2、采用紅外穿透的方法，直接從背面讀取位于晶圓正面的光刻標記。紅外光可以直接穿透硅材料，如果在標記區(qū)域覆蓋能夠阻擋紅外光的材料，在標記旁邊的區(qū)域保持透光，這樣標記的位置就可以被清晰地標定出來。目前，這兩種方法目前都被業(yè)界采用，但是存在無法精確對準的問題，對準的偏差往往都在微米量級，同時為了界定邊緣紅外穿透的方法還要求正面的標記上覆蓋不透光的薄膜(比如AL膜)，增加了前段工藝的復(fù)雜型。因此，需要提供一種新的更加有效的背面對準方法，以滿足現(xiàn)代工藝的要求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體器件制造過程中的背面對準方法，通過JPV(JunctionPhotoVoltage，PN結(jié)光電壓)技術(shù)和離子注入工藝的結(jié)合，來精確地實現(xiàn)背面對準。本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件制造方法，用于實現(xiàn)半導(dǎo)體器件制造過程中的半導(dǎo)體晶圓的背面對準，包括：提供半導(dǎo)體晶圓，其具有正面和背面；在所述半導(dǎo)體晶圓的正面形成具有對準標記的圖案化光刻膠層，所述圖案化光刻膠層暴露出所述對準標記區(qū)域的所述半導(dǎo)體晶圓的表面；在所述對準標記區(qū)域的所述半導(dǎo)體晶圓的表面進行離子注入；去除所述圖案化光刻膠層；對所述半導(dǎo)體晶圓進行退火工藝處理，以在所述對準標記區(qū)域形成突變結(jié)；將所述半導(dǎo)體晶圓翻轉(zhuǎn)，在所述半導(dǎo)體晶圓的背面涂覆背面光刻膠層；利用JPV技術(shù)，在所述半導(dǎo)體晶圓的背面定位所述突變結(jié)位置，從而確定所述半導(dǎo)體晶圓的位置，實現(xiàn)所述半導(dǎo)體晶圓的背面對準；在所述半導(dǎo)體晶圓的背面進行曝光，圖案化所述背面光刻膠層，用以制備背面器件。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，所述對準標記尺寸為50μm×50μm。根據(jù)本發(fā)明的一個方面所述半導(dǎo)體晶圓與所注入的離子種類相反；...