技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體制造方法，利用離子注入和退火工藝，在半導(dǎo)體晶圓的正面形成了突變結(jié)；之后，利用JPV技術(shù)，在半導(dǎo)體晶圓的背面定位突變結(jié)的位置，從而確定晶圓位置，定位精度控制在納米量級，遠(yuǎn)優(yōu)于現(xiàn)有的對準(zhǔn)方法，實現(xiàn)了半導(dǎo)體晶圓的快速、精確定位。本發(fā)明的定位方式工藝簡單，完全與現(xiàn)有的集成電路和MEMS工藝兼容，不會增加流程的復(fù)雜性，在精確和快速背面對準(zhǔn)的基礎(chǔ)上，提高了生產(chǎn)良率，并且降低了成本。

技術(shù)研發(fā)人員：劉金彪;賀曉彬;丁明正;楊濤;李俊峰;王垚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院微電子研究所
文檔號碼：201510011821
技術(shù)研發(fā)日：2015.01.09
技術(shù)公布日：2017.09.05