1.一種MEMS芯片，其特征在于，包括基板，所述基板包括感應(yīng)區(qū)(12)、第一凹槽(13)以及徑區(qū)(14)，所述第一凹槽(13)位于所述感應(yīng)區(qū)(12)所在的表面，所述第一凹槽(13)圍繞所述感應(yīng)區(qū)(12)設(shè)置，所述徑區(qū)(14)穿過所述第一凹槽(13)，所述徑區(qū)(14)被配置為用于所述感應(yīng)區(qū)(12)的芯片元件(21)的信號線走線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一凹槽(13)為圓環(huán)形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一凹槽(13)的寬度為20-500um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述徑區(qū)(14)的寬度為10-500um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，還包括連接端(15)，在所述連接端(15)設(shè)置有第二凹槽(16)，所述第二凹槽(16)與所述感應(yīng)區(qū)(12)的位置相對應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第二凹槽(16)的深度為所述基板的厚度的0.2-0.5倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第二凹槽(16)為圓形，所述第二凹槽(16)的截面積大于所述感應(yīng)區(qū)(12)的面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS芯片，其特征在于，還包括用于連通所述第二凹槽(16)與外部環(huán)境的泄壓通道(17)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的MEMS芯片，其特征在于，所述泄壓通道(17)的寬度為50-500um。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中的任意一項(xiàng)所述的MEMS芯片，其特征在于，還包括位于所述第一凹槽(13)的外側(cè)的結(jié)構(gòu)區(qū)(18)，在所述結(jié)構(gòu)區(qū)(18)設(shè)置有ASIC芯片(20)，所述ASIC芯片(20)與所述芯片元件(21)信號連接。