1.一種微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：包括：
SOI硅片，包括襯底硅、埋氧層以及頂層硅，所述SOI硅片中形成有微溝槽結(jié)構(gòu)；
由頂層硅-第一介質(zhì)薄膜-熱敏電阻-第二介質(zhì)薄膜形成的圖形化堆疊結(jié)構(gòu)，懸掛于所述SOI硅片的微溝槽結(jié)構(gòu)中；
帶有微溝道的玻璃片，鍵合于所述SOI硅片的頂層硅，且使得所述圖形化堆疊結(jié)構(gòu)位于所述微溝道內(nèi)；
玻璃襯底，鍵合于所述SOI硅片的襯底硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述圖形化堆疊結(jié)構(gòu)的側(cè)壁覆蓋有第二介質(zhì)薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述SOI硅片的頂層硅中還形成有焊盤凹槽，所述焊盤凹槽中形成有焊盤結(jié)構(gòu)，所述焊盤結(jié)構(gòu)與所述熱敏電阻電性相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述熱敏電阻所采用的金屬包括Pt/Ti疊層、Ni/Cr疊層、W/Ti疊層及W/Re疊層中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述頂層硅、第一介質(zhì)薄膜及第二介質(zhì)薄膜的平面結(jié)構(gòu)為交叉網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，且所述交叉網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中具有多個延伸部，各延伸部與所述SOI硅片連接，以支撐所述交叉網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述熱敏電阻呈鋸齒狀沿所述交叉網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)延伸，并連接于焊盤結(jié)構(gòu)之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述第一介質(zhì)薄膜及第二介質(zhì)薄膜包括氧化硅薄膜及氮化硅薄膜的一種或兩種組成的疊層結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述第一介質(zhì)薄膜及第二介質(zhì)薄膜為氧化硅薄膜及氮化硅薄膜組成的疊層結(jié)構(gòu)，所述第一介質(zhì)薄膜自下而上為氧化硅薄膜與氮化硅薄膜疊層結(jié)構(gòu)，所述第二介質(zhì)薄膜自下而上為氮化硅薄膜與氧化硅薄膜疊層結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述第一介質(zhì)薄膜及第二介質(zhì)薄膜為包裹所述熱敏電阻或夾持所述熱敏電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述圖形化堆疊結(jié)構(gòu)懸掛于所述SOI硅片的微溝槽結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域，且所述圖形化堆疊結(jié)構(gòu)位于所述玻璃片微溝道內(nèi)的中央?yún)^(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述玻璃片與SOI硅片的頂層硅、所述玻璃襯底與SOI硅片的襯底硅均為靜電鍵合。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微熱導(dǎo)檢測器，其特征在于：所述SOI硅片的頂層硅的厚度范圍為0.5～200微米。