技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及納米材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種GeTe/Ge類超晶格納米相變薄膜材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的材料包括碲化鍺薄膜材料和單質(zhì)鍺薄膜材料，二者通過磁控濺射法進(jìn)行納米量級的交替疊加，形成類超晶格結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的材料的結(jié)構(gòu)通式為[GeTe(a)/Ge(b)]x，其中：a表示單層GeTe薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤50；b表示單層Ge薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤13；x表示單層GeTe薄膜和單層Ge薄膜的交替周期數(shù)，并且x為任一正整數(shù)。本發(fā)明的材料具有較快的相變速度、較好的熱穩(wěn)定性以及較低的操作功耗，適合于制備高速、高穩(wěn)定性、低功耗的相變存儲器，極具市場前景。

技術(shù)研發(fā)人員：張劍豪;胡益豐;朱小芹;鄒華;袁麗;薛建忠;孫月梅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇理工學(xué)院
文檔號碼：201610889171
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.11
技術(shù)公布日：2016.12.07