技術(shù)特征：

1.一種GeTe/Ge類(lèi)超晶格納米相變薄膜材料，其包括碲化鍺薄膜材料和單質(zhì)鍺薄膜材料，二者通過(guò)交替疊加形成類(lèi)超晶格結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GeTe/Ge類(lèi)超晶格納米相變薄膜材料，其特征在于：

所述GeTe/Ge類(lèi)超晶格納米相變薄膜材料的結(jié)構(gòu)通式為[GeTe(a)/Ge(b)]_x，其中：a表示單層GeTe薄膜材料的厚度，單位為nm，并且1≤a≤50；b表示單層Ge薄膜材料的厚度，單位為nm，并且1≤b≤13；x表示單層GeTe薄膜材料和單層Ge薄膜材料的交替周期數(shù)，并且x為任一正整數(shù)。

3.一種根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的GeTe/Ge類(lèi)超晶格納米相變薄膜材料的制備方法，其通過(guò)磁控濺射法將GeTe薄膜材料和單質(zhì)Ge薄膜材料進(jìn)行納米量級(jí)復(fù)合，形成具有類(lèi)超晶格結(jié)構(gòu)的納米相變薄膜材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：

所述磁控濺射法采用的襯底為SiO₂/Si(100)基片；濺射靶材為GeTe和Ge；濺射氣體為氬氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于：

所述濺射靶材為原子百分比純度達(dá)到99.999%的GeTe和原子百分比純度達(dá)到99.999%的Ge；所述濺射氣體為體積百分比純度達(dá)到99.999%的氬氣。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：

所述磁控濺射法的本底真空度不大于1×10^-4Pa；濺射功率為25～35W；氬氣氣體流量為25～35sccm；濺射氣壓為0.15～0.35Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：

所述磁控濺射法的濺射功率為30W；氬氣氣體流量為30sccm；濺射氣壓為0.3Pa。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：

所述磁控濺射法具體包括如下步驟：

1）清洗SiO₂/Si(100)基片；

2）裝好濺射靶材；設(shè)定濺射功率、濺射氬氣流量及濺射氣壓；

3）采用射頻濺射程序制備GeTe/Ge類(lèi)超晶格納米相變薄膜材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于：

步驟3）中所述射頻濺射程序包括如下步驟：

a）將空基托旋轉(zhuǎn)到GeTe靶位，打開(kāi)GeTe靶上的射頻電源，依照設(shè)定的濺射時(shí)間，開(kāi)始對(duì)GeTe靶材表面進(jìn)行濺射，清潔GeTe靶材表面；

b）GeTe靶材表面清潔完成后，關(guān)閉GeTe靶上的射頻電源，將空基托旋轉(zhuǎn)到Ge靶位，開(kāi)啟Ge靶上的射頻電源，依照設(shè)定的濺射時(shí)間，開(kāi)始對(duì)Ge靶材表面進(jìn)行濺射，清潔Ge靶材表面；

c）Ge靶材表面清潔完成后，將待濺射的SiO₂/Si(100)基片旋轉(zhuǎn)到GeTe靶位，打開(kāi)GeTe靶上的射頻電源，依照設(shè)定的濺射時(shí)間，開(kāi)始濺射GeTe薄膜；

d）GeTe薄膜濺射完成后，關(guān)閉GeTe靶上的射頻電源，將已經(jīng)濺射了GeTe薄膜的基片旋轉(zhuǎn)到Ge靶位，開(kāi)啟Ge靶上的射頻電源，依照設(shè)定的濺射時(shí)間，開(kāi)始濺射Ge薄膜；

e）重復(fù)步驟c）和d）中濺射GeTe薄膜和Ge薄膜的操作，即在SiO₂/Si(100)基片上制備出GeTe/Ge類(lèi)超晶格納米相變薄膜材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的GeTe/Ge類(lèi)超晶格納米相變薄膜材料在制備相變存儲(chǔ)器中的應(yīng)用。