技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層表面形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層表面形成鍺硅層，所述鍺硅層覆蓋部分第一絕緣層，所述鍺硅層為電容上極板的一部分；形成覆蓋所述鍺硅層和第一絕緣層的第二絕緣層；刻蝕所述第二絕緣層、第一絕緣層至第一導(dǎo)電層表面，形成通孔，所述通孔的一側(cè)側(cè)壁暴露出所述鍺硅層；在所述通孔內(nèi)形成第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層底部與第一導(dǎo)電層連接，部分所述鍺硅層上表面的第二絕緣層被所述第二導(dǎo)電層暴露出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層包括：第一粘附層、位于第一粘附層表面的第一金屬層、位于所述第一金屬層表面的第二粘附層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一粘附層的材料為鈦、鉭、氮化鈦和氮化鉭中的一種或幾種，所述第二粘附層的材料為鈦、鉭、氮化鈦和氮化鉭中的一種或幾種，所述第一金屬層的材料為鋁或鋁銅合金。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層包括：第三粘附層、位于第二粘附層表面的第二金屬層、位于所述第二金屬層表面的第四粘附層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第三粘附層的材料為鈦、鉭、氮化鈦和氮化鉭中的一種或幾種，所述第二粘附層的材料為鈦、鉭、氮化鈦和氮化鉭中的一種或幾種，所述第二金屬層的材料為鋁或鋁銅合金。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述通孔還暴露出部分鍺硅層的表面。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一絕緣層的材料為氧化硅、第二絕緣層的材料為氧化硅。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述鍺硅層之前，在所述第一絕緣層表面形成非晶硅層。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用濺射工藝形成所述第一金屬層和第二金屬層。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用爐管式化學(xué)氣相沉積工藝形成所述鍺硅層。