Mems器件的裝配和封裝的制作方法
【專利摘要】MEMS器件的裝配和封裝。微機電系統(tǒng)（MEMS）器件包括在襯底上的焊料凸塊、包含CMOS管芯和MEMS管芯的CMOS-MEMS管芯、以及在所述CMOS管芯上的柱形凸塊。MEMS管芯被布置在CMOS管芯和襯底之間。柱形凸塊和焊料凸塊被定位成提供在CMOS管芯和襯底之間的電連接。
【專利說明】MEMS器件的裝配和封裝

【技術領域】
[0001]本發(fā)明的各種實施例一般涉及微機電系統(tǒng)(MEMS)器件，且特別地涉及其裝配和封裝。

【背景技術】
[0002]通常結合互補金屬氧化物半導體(CMOS)利用MEMS器件。當前，CMOS管芯在襯底的頂部上形成，且MEMS管芯在CMOS管芯的頂部上形成。引線鍵合一般用來通過一般由金(Au)制成的引線來使CMOS管芯與襯底電連接。這個引線具有大約25微米的厚度，且必須由聚合物通過密封來保護。此外，通過模塑料的形成來保護MEMS管芯的頂表面。引線鍵合除了是損壞MEMS器件的源以外還不期望地導致MEMS器件的增加的尺寸。
[0003]在MEMS管芯的頂部上形成的從襯底到聚合物的MEMS器件的尺寸(通常被稱為“型面”)最期望地盡可能低。然而，由于引線鍵合以及在MEMS管芯的頂部上形成的聚合物，這個尺寸的減小當前受限制。實際上，引線鍵合阻止型面的減小。
[0004]因此，期望的是，可靠地裝配和封裝具有減小的型面的MEMS器件。


【發(fā)明內容】

[0005]簡要地，微機電系統(tǒng)(MEMS)包括襯底、CM0S-MEMS管芯、在襯底上的至少一個焊料凸塊和在CMOS管芯上的至少一個柱形凸塊。CM0S-MEMS管芯包括垂直地堆疊、附接和電連接的CMOS管芯和MEMS管芯。至少一個柱形凸塊和至少一個焊料凸塊被定位在襯底和CMOS管芯之間以限定在CMOS管芯和襯底之間以及因此MEMS器件的高度，其中至少一個柱形凸塊和至少一個焊料凸塊引起在CMOS管芯和襯底之間的電連接。
[0006]對本文中公開的特別的實施例的本性和優(yōu)點的進一步理解可以通過參考說明書的剩余部分和附圖來實現(xiàn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的MEMS器件10。
[0008]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的MEMS器件201。
[0009]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的又另一實施例的MEMS器件300。
[0010]圖4示出概述根據(jù)本發(fā)明的方法裝配MEMS器件所要求的步驟的流程圖400。
[0011]圖5示出制造(或裝配)本發(fā)明的各種實施例的MEMS器件的三種方法的流程圖500。
[0012]圖6A-6C均示出根據(jù)圖5的方法A-C在MEMS器件被裝配和封裝時的MEMS器件的一般外觀。
[0013]圖7示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的MEMS器件700。
具體實施例
[0014]下面的描述描述了微機電系統(tǒng)(MEMS)器件和制造其的方法。MEMS器件包括在襯底的頂部上形成的MEMS層，且CMOS層在襯底上形成。MEMS層和CMOS層垂直地堆疊、附接和電連接。CMOS管芯通過柱形凸塊和焊料凸塊電連接到襯底。MEMS管芯可以包括MEMS傳感器，諸如但不限于加速度計、陀螺儀、磁力計、麥克風和壓力傳感器。
[0015]在本發(fā)明的另一實施例中，空氣間隙物理地分開MEMS管芯與襯底。
[0016]本發(fā)明的特別的實施例和方法公開了 MEMS器件和制造其的方法。MEMS器件具有襯底、CM0S-MEMS管芯、至少一個焊料凸塊和至少一個柱形凸塊。至少一個柱形凸塊和至少一個焊料凸塊被定位在襯底和CMOS管芯之間并限定其間的高度。至少一個柱形凸塊和至少一個焊料凸塊引起在CMOS管芯和襯底之間的電連接。在所述實施例中，襯底是半導體襯底、LGA襯底或任何其它類似的襯底。
[0017]在本發(fā)明的實施例中，至少一個柱形凸塊在CM0S-MEMS管芯的CMOS管芯上形成，并使用濕法焊接連接到CMOS管芯。
[0018]現(xiàn)在參考圖1，示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的MEMS器件10。MEMS器件10被示出為包括襯底12、MEMS 14、CMOS 16、柱形凸塊22、焊料凸塊20、聚合物18和空氣間隙24。CM0S-MEMS管芯最初是CM0S-MEMS晶片的部分。襯底12是與CM0S-MEMS管芯分開和不同的較大的襯底的一部分。在一些實施例中，MEMS 14可以包括一個或多個MEMS層。在一些實施例中，CMOS 16可以包括一個或多個CMOS層。其它實施例可以包括CMOS 16和MEMS 14的交替層。
[0019]襯底12通過柱形凸塊22電連接到CMOS 16。柱形凸塊22通過焊料凸塊20連接到襯底12。焊料凸塊20 (被示出為在襯底12上形成)被定位在MEMS 14的至少一側上。理解的是，雖然在所呈現(xiàn)的圖中示出一個或多個MEMS器件，但是通常，在晶片上生長更大數(shù)量的MEMS器件。柱形凸塊22在CMOS 16的表面上形成，以與焊料凸塊20接觸。襯底12通常是印刷電路板(PCB )。
[0020]聚合物18被示出為包圍柱形凸塊22和焊料凸塊20并在襯底12和CMOS 16之間，在MEMS 14的至少一側上，但不在空氣間隙24中。MEMS 14和襯底12的膨脹系數(shù)不同，其中這個差異通常引起在MEMS 14上的應力?？諝忾g隙24有利地用來使MEMS 14和襯底12之間的接觸去耦，由此減小在MEMS 14和襯底12之間的膨脹系數(shù)的差異的影響。這導致減小了在MEMS 14上的應力。
[0021]通過使用不移動到MEMS 14和襯底12之間的區(qū)域中的聚合物18的材料來形成空氣間隙24。此外，因為空氣間隙24是非常小的間隙，所以當聚合物18被沉積時，它不進入空氣間隙區(qū)域。當沉積聚合物時，它通過加熱來固化，如下面相對于隨后的圖和討論進一步討論的。
[0022]在本發(fā)明的示例性實施例中，聚合物18由環(huán)氧樹脂、硅樹脂或底層填料材料制成。
[0023]在圖1的實施例中，焊料凸塊20物理地連接到柱形凸塊22以提供從CMOS 14到襯底12的導電路徑。
[0024]如圖1所示，焊料凸塊20和柱形凸塊22共同限定在襯底12和CMOS 16之間的高度。在不存在引線鍵合的情況下，如圖1所示，減小了 MEMS器件10的型面和本發(fā)明的其它實施例的型面。在一些實施例中，這個減小相對于現(xiàn)有技術的型面近似為25%。
[0025]暴露了 CMOS 16的頂表面或其與其上定位MEMS 14的表面相對的表面。這也幫助了減小器件10的型面。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的MEMS器件201。器件201類似于器件10，除了 CMOS 16和襯底12被示出為彼此分開一高度，所述高度由兩個柱形凸塊206和204以及焊料凸塊202和銅凸塊200限定而不是由圖1的柱形凸塊22和焊料凸塊20限定。在圖2中，與圖1的空氣間隙24類似，空氣間隙201被示出為分開MEMS 14與襯底12。在其它實施例中，可以將多于兩個的柱形凸塊堆疊在兩個或更多的焊料凸塊上以提供在襯底12和CMOS 16之間的所要求的間隔。在圖2中，銅凸塊200被示出為在襯底12上形成，示出了在所述襯底12的頂部上形成的焊料凸塊202。柱形凸塊206被示出為在CMOS14上形成，且示出了在柱形凸塊206的頂部上形成的柱形凸塊204，其被示出為與焊料凸塊204物理接觸。
[0026]在本發(fā)明的實施例中，焊料凸塊20和202由共晶焊料(或PbSn)制成。在本發(fā)明的另一實施例中，焊料凸塊20和202由SAC 305制成，所述SAC 305近似是96.5%錫、3%銀和0.5%銅。在又另一實施例中，焊料凸塊20、202由SAC 405制成，所述SAC 405近似是95.5%錫、4%銀和0.5%銅。在本發(fā)明的又另一實施例中，它們由錫或任何其它合適的材料制成。在一些實施例中，焊料凸塊20可以由銅制成。
[0027]如同圖1的實施例的柱形凸塊22 —樣，且根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，柱形凸塊204和206由金制成。在另一實施例中，柱形凸塊20、204和206由銅制成。在另一實施例中，柱形凸塊20、204和206可以由標準球弓I線鍵合機器制成。
[0028]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的又另一實施例的MEMS器件300。器件300類似于器件201，除了 CMOS 16和襯底12被示出為彼此分開一高度，所述高度由柱形凸塊304-310的堆疊和焊料凸塊302限定。在本發(fā)明的示例性實施例中，柱形凸塊304-310均由金制成。焊料凸塊302由與焊料凸塊202的材料相同的材料制成。
[0029]雖然在圖3的實施例中，四個柱形凸塊被示出為形成柱形凸塊的堆疊，但理解的是，可以采用任何合適數(shù)量的柱形凸塊。還理解的是，除了焊料凸塊302以外，柱形凸塊304-310幫助確定器件300的型面。
[0030]本發(fā)明的各種實施例的MEMS器件展示增加的可靠性，因為它通過被夾入在襯底和CMOS之間來更好地保護，使其在其它類型的損壞當中免受機械沖擊。此外，MEMS器件避免使用弓I線鍵合來將CMOS連接到襯底，并在這個方面實現(xiàn)減小的型面。
[0031]圖4示出概述根據(jù)本發(fā)明的方法裝配MEMS器件所要求的步驟的流程圖400。在402，裝配過程開始，后面是將柱形凸塊放置在CM0S-MEMS晶片上的步驟404。接著，在步驟406，CM0S-MEMS晶片被切片或切削成許多管芯。隨后，在步驟408，管芯被倒裝，使得MEMS管芯被定位在襯底的頂部上，其中焊料凸塊和CMOS管芯被定位在MEMS管芯的頂部上。在實施例中，這個步驟是可選的。在倒裝芯片附接408期間，用流體形式的助熔劑執(zhí)行焊接，后面將是硬化，在所述硬化的時候，在柱形凸塊和焊料凸塊之間的物理連接變堅固。接著，在步驟410，執(zhí)行助熔劑清洗，且在步驟412，完成底層填料，且固化(加熱)器件。最后，在步驟414，分割封裝。
[0032]圖5示出制造(或裝配)本發(fā)明的各種實施例的MEMS器件的三種方法的流程圖500。在步驟502，將CM0S-MEMS晶片輸入到機器中并進行安裝。CM0S-MEMS包括垂直地堆疊在CMOS晶片上并附接的MEMS晶片。接著，在步驟504，將柱形凸塊鍵合到CM0S-MEMS晶片的CMOS部分上。如先前提到的，在本發(fā)明的實施例中，柱形凸塊由金(Au)制成。接著，在步驟506，具有柱形凸塊的CM0S-MEMS晶片被切片或切削成各種管芯。從此，可以采用三個系列的步驟或方法中的任何一個，其中每一個方法在圖5中由A、B或C標記。
[0033]在方法A中，在步驟506之后，CM0S-MEMS管芯被倒裝，使得MEMS管芯被定位在CMOS管芯之下，且在步驟508執(zhí)行熱壓縮鍵合。在另一實施例中，倒裝是可選的。如在工業(yè)中已知的，這通過以下步驟來完成:通過將加熱塊放置在襯底的底表面上以及使用拾取工具從頂部進行加熱來使CM0S-MEMS管芯的溫度升高，并在其中以引起柱形凸塊與襯底的焊料凸塊的鍵合。最后，在步驟510，分配聚合物18或208以填充在CMOS管芯和襯底之間的柱形凸塊和焊料凸塊周圍的間隙，但不填充在MEMS和襯底之下的間隙或空氣間隙。方法A的最后一個步驟，步驟514包括固化，標記管芯以及分割襯底。
[0034]根據(jù)另一方法(B卩，圖5中的B)，在步驟506之后，執(zhí)行步驟512，其中CM0S-MEMS管芯被倒裝，使得CMOS管芯在MEMS管芯的頂部上。在另一實施例中，倒裝是可選的。步驟512還包括執(zhí)行具有非導電膠的熱壓縮(TCNCP)。在這個步驟中，首先將非導電膠分配在襯底上方的焊料凸塊上，且將CM0S-MEMS管芯放置在襯底上，使得柱形凸塊在非導電膠涂覆的焊料凸塊上方對齊。通過從頂部和底部提供熱來執(zhí)行熱壓縮。在所描述的實施例中，非導電膠可以是環(huán)氧樹脂。隨后，在柱形凸塊與焊料凸塊物理連接時，NCP被擠出。這個步驟后面是如在上文中相對于方法A在步驟514中討論的固化、標記和分割的步驟。然而，與方法A不同，在方法B中不執(zhí)行用環(huán)氧樹脂(聚合物)進行底層填料或填充。
[0035]根據(jù)又另一方法(即，圖5中的C)，在步驟506之后，執(zhí)行步驟516，其中CM0S-MEMS管芯被倒裝，使得CMOS管芯在MEMS管芯的頂部上，且執(zhí)行浸潰和質量回流。在另一實施例中，倒裝是可選的。在步驟516期間，將柱形凸塊浸潰在助熔劑中，并接著將其與焊料凸塊放置在一起或使其與焊料凸塊對齊。可替換地，將助熔劑分配到襯底上的焊料凸塊上而不是在CM0S-MEMS襯底上，使得焊料凸塊用助熔劑進行密封，并接著將CMS0-MEMS管芯放置在襯底上方。在放置之后，執(zhí)行回流，且將管芯放置在烤箱中并進行加熱以在柱形凸塊和焊料凸塊之間進行物理連接。最后，以與在步驟510執(zhí)行底層填料很相同的方式在步驟518執(zhí)行底層填料。
[0036]圖6A-6C均示出根據(jù)圖5的方法A-C的在MEMS器件被裝配和封裝時的MEMS器件的一般外觀。
[0037]在圖6A中，在602，CM0S-MEMS晶片被輸入并安裝之后，步驟604示出切片的CM0S-MEMS晶片。步驟604包括在切片之前將柱形凸塊620鍵合在CMOS晶片上。在606，CM0S-MEMS管芯610被示出為具有設置在MEMS 618的頂部上的CMOS 610。襯底12使用加熱器塊608從其底部并經(jīng)由拾取工具614從頂部進行加熱。
[0038]如在606示出的，柱形凸塊620與襯底12的焊料凸塊640進行物理接觸，在此之后，移除拾取工具614。接著，在621，在連接柱形凸塊和焊料凸塊之后，通過在MEMS之間和周圍分配聚合物624但不在MEMS之下分配聚合物624來執(zhí)行底層填料。在630，MEMS器件被固化、標記并在632中被分割。
[0039]在圖6B中，類似地，在634，執(zhí)行步驟602和604。此后，在634，襯底12被示出為包括焊料凸塊640，且將環(huán)氧樹脂638分配在所述焊料凸塊640的頂部上。接著，如在636示出的，CM0S-MEMS管芯(具有它的柱形凸塊620)被示出為與襯底12的焊料凸塊進行接觸，同時襯底12經(jīng)由拾取工具636從頂部并通過放置在加熱器塊608上從底部進行加熱，且在該過程中環(huán)氧樹脂640被擠出。接下來是固化和標記的步驟630及分割的632。
[0040]在圖6C中，執(zhí)行步驟602和604。此后，在641，柱形凸塊642被示出為使用工具648來浸潰在助熔劑644中，由此向下朝著助熔劑644推CM0S-MEMS管芯646并將其推入助熔劑644中?？商鎿Q地，可以將助熔劑噴涂在襯底12上的焊料凸塊640上。接著，在652，將柱形凸塊與襯底12的焊料凸塊640放置在一起或使其與襯底12的焊料凸塊640對齊。在放置之后，執(zhí)行回流，且將管芯放置在烤箱中并進行加熱以在柱形凸塊和焊料凸塊之間進行物理連接。接著，在621，使用分配器658在MEMS周圍和之間分配聚合物659，但避免在MEMS之下分配聚合物659。在步驟630和632，CM0S-MEMS管芯分別被固化、標記和分割。[0041 ] 圖7示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的MEMS器件700。MEMS器件700 —般用在MEMS器件要求暴露于環(huán)境的應用中，諸如麥克風、濕度傳感器、壓力傳感器。在麥克風應用中且因而，它使用例如聚合物或硅環(huán)氧樹脂在聽覺上被全向密封，以避免不期望的噪聲。此外，襯底12’被示出為具有在702處的開口以提供到環(huán)境的通路，且MEMS 14’被示出為具有進出口 704。
[0042]雖然已經(jīng)相對于特別的實施例描述了描述，但這些特定的實施例僅僅是例證性的，且不是限制性的。
[0043]如在本文中的描述中和遍及跟隨的權利要求使用的，“一”、“一個”和“該”包括復數(shù)引用，除非上下文另外清楚地指示。此外，如在本文中的描述中和遍及跟隨的權利要求使用的，“在…中”的意義包括“在…中”和“在…上”，除非上下文另外清楚地指示。
[0044]因此，雖然本文中已經(jīng)描述了特別的實施例，但在前述公開內容中意圖修改、各種改變和替代的范圍，且將理解的是，在一些實例中，在不脫離如所闡述的范圍和精神的情況下，將在沒有其它特征的對應使用的情況下采用特別的實施例的一些特征。因此，可以進行許多修改以使特別的情況或材料適于基本的范圍和精神。
【權利要求】
1.一種制造微機電系統(tǒng)(MEMS)器件的方法,包括: 將多個焊料凸塊鍵合在晶片的襯底上； 對CMOS-MEMS晶片進行切片以分開多個CM0S-MEMS管芯，所述多個CM0S-MEMS管芯包括MEMS管芯、CMOS管芯和多個柱形凸塊， 其中所述多個柱形凸塊附接至所述CMOS管芯； 清洗所述多個柱形凸塊； 將所述多個CM0S-MEMS管芯定位在所述襯底的頂部上； 加熱所定位的CM0S-MEMS管芯，由此通過所述多個柱形凸塊和所述多個焊料凸塊引起在所述CMOS管芯和所述襯底之間的回流和連接； 對布置在所述CMOS管芯和所述襯底之間的空間進行底層填料； 固化所述底層填料的管芯；以及 分割所述襯底。
2.如權利要求1所述的制造方法，還包括在所述清洗之前使所述多個CM0S-MEMS管芯定向，使得所述MEMS管芯被定位在所述襯底和所述CMOS管芯之間。
3.如權利要求1所述的制造方法，還包括使所述多個焊料凸塊與所述多個柱形凸塊對齊以進行所述連接。
4.如權利要求1所述的制造方法，其中通過將助熔劑分配在所述襯底的頂部上來執(zhí)行所述清洗，由此用助熔劑密封所述多個柱形凸塊。
5.如權利要求1所述的制造方法，其中通過將所述多個柱形凸塊浸潰在助熔劑中來執(zhí)行所述清洗。
6.如權利要求1所述的制造方法，其中所述多個柱形凸塊被定位在所述SEMS管芯的至少一側上。
7.如權利要求1所述的制造方法，還包括提供在所述襯底和所述MEMS管芯之間的空氣間隙。
8.如權利要求7所述的制造方法，其中在所述底層填料步驟期間，避免對所述空氣間隙進行底層填料。
9.一種制造微機電系統(tǒng)(MEMS)器件的方法,包括: 將多個焊料凸塊鍵合在晶片的襯底上； 對CM0S-MEMS晶片進行切片以分開CM0S-MEMS管芯，所述CM0S-MEMS管芯包括MEMS管芯、CMOS管芯和多個柱形凸塊； 將非導電膠分配在所述多個焊料凸塊上； 將所述CM0S-MEMS管芯定位在所述襯底的頂部上； 從頂部和底部對所定位的管芯進行熱壓縮以通過所述多個柱形凸塊和所述多個焊料凸塊形成在所述CMOS管芯和所述襯底之間的連接； 在熱壓縮之后固化所述CM0S-MEMS管芯；以及 分割所述襯底。
10.如權利要求9所述的制造方法，還包括在所述分配之前使所述CM0S-MEMS管芯定向，使得所述MEMS管芯被定位在所述襯底和所述CMOS管芯之間。
11.如權利要求9所述的制造方法，其中所述非導電膠是環(huán)氧樹脂。
12.如權利要求9所述的制造方法，還包括創(chuàng)建在所述襯底和所述MEMS管芯之間的空氣間隙。
13.如權利要求9所述的制造方法，其中所述多個柱形凸塊被定位在所述MEMS管芯的側面上。
14.一種制造微機電系統(tǒng)(MEMS)器件的方法,包括: 將多個焊料凸塊鍵合在晶片的襯底上； 對CMOS-MEMS晶片進行切片以分開CM0S-MEMS管芯，所述CM0S-MEMS管芯包括MEMS管芯、CMOS管芯和多個柱形凸塊， 將所述CMOS-MEMS管芯定位在所述襯底的頂部上； 從所述頂部和底部對所述CMOS-MEMS管芯進行熱壓縮，并通過所述多個柱形凸塊和所述多個焊料凸塊形成在所述CMOS管芯和所述襯底之間的連接； 對在所述CMOS管芯和所述襯底之間的空間進行底層填料； 固化所述底層填料的CMOS-MEMS管芯；以及 分割所述襯底。
15.如權利要求14所述的制造方法，還包括在所述定位之前使所述CMOS-MEMS管芯定向，使得所述MEMS管芯被布置在所述襯底和所述CMOS管芯之間。
16.如權利要求14所述的制造方法，還包括使所述多個焊料凸塊與所述多個柱形凸塊對齊以進行所述連接。
17.如權利要求14所述的制造方法，其中所述多個柱形凸塊被定位在所述MEMS管芯的至少一側上。
18.如權利要求14所述的制造方法，還包括創(chuàng)建在所述襯底和所述MEMS管芯之間的空氣間隙。
19.如權利要求18所述的制造方法，還包括阻止在所述空氣間隙中進行底層填料。
20.—種微機電系統(tǒng)(MEMS)器件,包括: 襯底； 多個焊料凸塊，其在所述襯底上形成； CMOS-MEMS管芯，其包括垂直堆疊的CMOS管芯和MEMS管芯；以及 多個柱形凸塊，其在所述CMOS管芯上； 其中所述多個柱形凸塊和所述多個焊料凸塊被定位在所述襯底和所述CMOS管芯之間以限定在所述CMOS管芯和所述襯底之間的高度， 其中所述至少一個柱形凸塊和所述多個焊料凸塊引起在所述CMOS管芯和所述襯底之間的電連接。
21.如權利要求20所述的MEMS器件，其中所述MEMS管芯被布置在所述襯底和所述CMOS管芯之間。
22.如權利要求20所述的MEMS器件，還包括布置在所述MEMS管芯和所述襯底之間的空氣間隙。
23.如權利要求20所述的MEMS器件，還包括在所述多個焊料凸塊和所述CMOS管芯之間的一個或多個附加的焊料凸塊。
24.如權利要求20所述的MEMS器件，還包括在所述多個柱形凸塊和所述襯底之間的一個或多個附加的柱形凸塊。
25.如權利要求20所述的MEMS器件，其中所述襯底對于進出口開口是空的。
26.如權利要求20所述的MEMS器件，其中所述多個柱形凸塊由金、銅和鈀之一制成。
27.如權利要求20所述的MEMS器件，其中所述多個焊料凸塊由下列材料之一制成:共晶焊料、錫、SAC305和SAC405，其中SAC305包括96.5%錫、3%銀和0.5%銅，且SAC405包括95.5% 錫、4% 銀和 0.5% 銅。
28.如權利要求20所述的MEMS器件，還包括在所述CMOS管芯和所述襯底之間形成的底層填料。
29.如權利要求20所述的MEMS器件，其中布置在所述MEMS管芯和所述襯底之間的空間沒有所述底層填料。
30.如權利要求20所述的MEMS器件，其中所述柱形凸塊被定位在所述MEMS管芯的至少一側上并通過聚合物與所述MEMS管芯分開。
【文檔編號】B81B7/02GK104340947SQ201410354124
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月24日 優(yōu)先權日:2013年7月24日
【發(fā)明者】金炯漢, 佘?？? M.馬索尼亞 申請人:應美盛股份有限公司