電子裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子裝置及其制造方法，所述電子裝置包括：基板；側(cè)壁，其被配置在所述基板上，并形成空洞；第一層，其被配置在所述側(cè)壁上，并覆蓋所述空洞；第二層，其被形成于所述第一層上，并具有被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域；絕緣層，其被配置在所述第二層的所述被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域之下；功能元件，其被配置在所述空洞內(nèi)。
【專利說(shuō)明】電子裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種電子裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]已知一種如下的電子裝置，所述電子裝置具有將MEMS (Micro ElectroMechanical Systems:微機(jī)電系統(tǒng))等功能元件配置在被形成于基板上的空洞內(nèi)的結(jié)構(gòu)。例如，由于微振子、微傳感器、微致動(dòng)器等MEMS通過(guò)微小的結(jié)構(gòu)體進(jìn)行振動(dòng)、變形及其他的動(dòng)作而發(fā)揮功能，因此以不妨礙這些動(dòng)作的方式被收納在空洞內(nèi)(例如，參照以下的專利文獻(xiàn)I 及 2)。
[0003]作為形成這種空洞的方法，存在一種如下的方法，S卩，如專利文獻(xiàn)I所公開(kāi)的、當(dāng)在一側(cè)的基板的表面上形成了微小機(jī)械元件之后，在真空腔室內(nèi)經(jīng)由0型環(huán)而將一側(cè)的基板和另一側(cè)的基板接合在一起，之后，在0型環(huán)的外側(cè)填充密封劑。此外，作為其他方法，還已知一種如下的方法，即，如專利文獻(xiàn)2所公開(kāi)那樣，在基板上形成MEMS結(jié)構(gòu)體，并在其上形成犧牲層之后形成具有貫穿孔的密封部件，并且通過(guò)該密封部件的貫穿孔而去除犧牲層從而使MEMS構(gòu)造體的可動(dòng)部分離出，最后通過(guò)利用CVD膜等其他密封部件來(lái)覆蓋密封部件的貫穿孔從而進(jìn)行封閉。
[0004]但是，由于電子裝置的小型化的要求，因而對(duì)于配置有功能元件的基板上的空洞而言也要求減少其占有面積。但是，因?yàn)橥ㄟ^(guò)使裝置小型化而使空洞與形成空洞的部件等也小型化，所以存在對(duì)空洞進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度不足的情況。當(dāng)形成空洞的部件的強(qiáng)度不足時(shí)，例如存在由于安裝時(shí)的機(jī)械及熱應(yīng)力、或振動(dòng)而無(wú)法維持空洞的情況，從而擔(dān)心電子裝置的可靠性會(huì)降低。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2005-297180號(hào)公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2005-123561號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是鑒于上述的課題而完成的，其幾個(gè)方式所涉及的目的之一在于，提供一種功能元件為小型且被配置在堅(jiān)固的空洞內(nèi)的、可靠性良好的電子裝置及其制造方法。
[0008]本發(fā)明是為了解決上述課題中的至少一部分而完成的，并且能夠作為以下方式或應(yīng)用例而實(shí)現(xiàn)。
[0009]應(yīng)用例I
[0010]本發(fā)明所涉及的電子裝置的一個(gè)方式包括:基板；側(cè)壁，其被配置在所述基板上，并形成空洞；第一層，其被配置在所述側(cè)壁上，并覆蓋所述空洞；第二層，其被形成于所述第一層上，并具有被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域；絕緣層，其被配置在所述第二層的所述被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域之下；功能元件，其被配置在所述空洞內(nèi)。
[0011]根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置，因?yàn)榈诙泳哂斜慌渲迷谂c第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域，并且在第二層的被配置在與所述俯視觀察時(shí)的第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域之下，配置有絕緣層，所以能夠提高形成空洞的部件的機(jī)械強(qiáng)度。根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置，尤其能夠提高對(duì)以使空洞坍塌的方式而作用的外力等進(jìn)行抵抗的機(jī)械強(qiáng)度。因此，根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置，由于功能元件為小型且被配置在堅(jiān)固的空洞內(nèi)，從而能夠確保較高的可靠性。
[0012]應(yīng)用例2
[0013]還可以采用如下方式，即，在應(yīng)用例I中，所述第二層的所述被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域，在俯視觀察時(shí)環(huán)繞所述空洞。
[0014]根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置，因?yàn)榈诙拥谋慌渲迷谂c第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域環(huán)繞所述空洞，所以能夠更加可靠地形成空洞，并且能夠形成更加堅(jiān)固的空洞。
[0015]應(yīng)用例3
[0016]還可以采用如下方式，即，在應(yīng)用例I或應(yīng)用例2中，在所述第一層的被配置在與俯視觀察時(shí)的所述空洞的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域、與所述第二層之間，存在有所述絕緣層。
[0017]根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置，由于成為由第一層和第二層夾持絕緣層的形狀，從而能夠進(jìn)一步提高對(duì)空洞進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度。此外，根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置，不僅能夠提高對(duì)以使空洞坍塌的方式而作用的外力等進(jìn)行抵抗的機(jī)械強(qiáng)度，而且還能夠提高對(duì)以使空洞開(kāi)放的方式而作用的外力等進(jìn)行抵抗的機(jī)械強(qiáng)度。
[0018]應(yīng)用例4
[0019]還可以采用如下方式，即，在應(yīng)用例I至應(yīng)用例3中的任一例中，所述第一層及所述第二層具有貫穿至所述空洞的共同的貫穿孔。
[0020]因?yàn)楸緫?yīng)用例的電子裝置能夠在形成了第一層及第二層的狀態(tài)下對(duì)空洞內(nèi)進(jìn)行蝕刻，所以也能夠確保蝕刻時(shí)的空洞的堅(jiān)固性。因此，例如能夠提高成品率，從而生產(chǎn)性良好。
[0021]應(yīng)用例5
[0022]還可以采用如下方式，S卩，在應(yīng)用例4中，具有被形成于所述第二層上的第三層，所述第三層對(duì)所述貫穿孔進(jìn)行密封。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的電子裝置，能夠進(jìn)一步提高對(duì)空洞進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度。
[0024]應(yīng)用例6
[0025]還可以采用如下方式，即，在應(yīng)用例5中，所述第三層包括如下的層，所述層為，通過(guò)選自A1、W及Cu中的一種、或兩種以上的合金而構(gòu)成的層。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的電子裝置，能夠進(jìn)一步提高對(duì)空洞進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度。
[0027]應(yīng)用例7
[0028]還可以采用如下方式，即，在應(yīng)用例I至應(yīng)用例6中的任一例中，所述第二層包括如下的層，所述層為，通過(guò)選自TiN、TaN、T1、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物而構(gòu)成的層。
[0029]根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置，由于第二層的機(jī)械強(qiáng)度較高，并且能夠提高第二層及第一層的緊貼性，因此能夠進(jìn)一步提高對(duì)空洞進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度。[0030]應(yīng)用例8
[0031]還可以采用如下方式，即，在應(yīng)用例I至應(yīng)用例7中的任一例中，所述第一層包括三層以上的層疊結(jié)構(gòu)，所述層疊結(jié)構(gòu)的最上層為，通過(guò)選自TiN、T1、W、Au及Pt中的一種、或兩種以上的合金而構(gòu)成的層，所述層疊結(jié)構(gòu)的最下層為，通過(guò)選自TiN、T1、W、Au及Pt中的一種、或兩種以上的合金而構(gòu)成的層，所述層疊結(jié)構(gòu)中的至少一層是通過(guò)Al-Cu合金而構(gòu)成的。
[0032]根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置，由于第一層的機(jī)械強(qiáng)度較高，并且能夠提高第二層及第一層的緊貼性，因此能夠進(jìn)一步提高對(duì)空洞進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度。
[0033]應(yīng)用例9
[0034]本發(fā)明所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)方式包括:在基板的第一區(qū)域內(nèi)形成功能元件的工序；在所述基板的第二區(qū)域內(nèi)形成晶體管的工序；形成覆蓋所述晶體管及所述功能元件的層間絕緣層的工序；在所述層間絕緣層上形成包圍所述功能元件的側(cè)壁的工序；形成覆蓋所述層間絕緣層并與所述側(cè)壁相連接的第一層的工序；形成覆蓋所述第一層的絕緣層的工序；對(duì)所述絕緣層的俯視觀察時(shí)的所述側(cè)壁的內(nèi)側(cè)的區(qū)域進(jìn)行去除的工序；在所述第一層及所述絕緣層上形成第二層的工序，所述第二層為，通過(guò)選自TiN、TaN, T1、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物而構(gòu)成的層；在所述第一區(qū)域內(nèi)的所述第一層及所述第二層上形成貫穿孔的工序；通過(guò)所述貫穿孔而對(duì)被所述側(cè)壁包圍的所述層間絕緣層進(jìn)行蝕刻并去除，從而形成收納了所述功能元件的空洞的工序，所述第二層被形成為，具有被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域，所述絕緣層被配置在，所述第二層的所述被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域之下。
[0035]根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置的制造方法，因?yàn)榈诙泳哂斜慌渲迷谂c第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域，并且在第二層的被配置在與所述俯視觀察時(shí)的第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域之下，配置有絕緣層，所以能夠制造出形成空洞的部件的機(jī)械強(qiáng)度較高的電子裝置。此外，根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置的制造方法，因?yàn)樵趯?duì)被側(cè)壁包圍的層間絕緣層進(jìn)行蝕刻并去除，從而形成收納了功能元件的空洞的工序(分離蝕刻工序)中，第二區(qū)域通過(guò)第二層而被保護(hù)，所以能夠?qū)嵤╅L(zhǎng)時(shí)間的蝕刻處理。此外，由于能夠在不使用抗蝕劑掩膜的條件下實(shí)施分離蝕刻工序，因此能夠在清洗工序中使用有機(jī)溶劑，從而能夠抑制例如粘附等。而且，由于不使用抗蝕劑掩膜，因此不需要去除抗蝕劑掩膜的工序，從而能夠減少污染等問(wèn)題。
[0036]應(yīng)用例10
[0037]還可以采用如下方式，S卩，在應(yīng)用例9中，還包括:在所述第二層上形成對(duì)所述貫穿孔進(jìn)行密封的第三層的工序；對(duì)所述第二層及所述第三層進(jìn)行圖案形成，并對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述第二層及所述第三層進(jìn)行去除的工序；對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述絕緣層進(jìn)行蝕刻的工序。
[0038]根據(jù)本應(yīng)用例的電子裝置的制造方法，能夠制造出對(duì)空洞進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度被進(jìn)一步提聞的電子裝置。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0039]圖1為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的截面的圖。
[0040]圖2為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的俯視圖。
[0041]圖3為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0042]圖4為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0043]圖5為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0044]圖6為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0045]圖7為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0046]圖8為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0047]圖9為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0048]圖10為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0049]圖11為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0050]圖12為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0051]圖13為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0052]圖14為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0053]圖15為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0054]圖16為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0055]圖17為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
[0056]圖18為模式化地表示實(shí)施方式所涉及的電子裝置的制造方法的一個(gè)工序的截面的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0057]以下，對(duì)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。以下所說(shuō)明的實(shí)施方式為對(duì)本發(fā)明的示例進(jìn)行說(shuō)明的方式，本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施方式，還包括在不變更本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)所實(shí)施的各種改變方式。另外，在下文中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)并不一定均為本發(fā)明的必要構(gòu)成要素。
[0058]1.電子裝置
[0059]參照附圖對(duì)一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖1為，模式化地表示本實(shí)施方式所涉及的電子裝置100的截面的圖。圖2為，模式化地表示本實(shí)施方式所涉及的電子裝置100的俯視圖。圖1相當(dāng)于圖2中的1-1線的截面。此外，在圖2中省略繪制了
第三層90。
[0060]如圖1及圖2所示，電子裝置100包括:基板10、形成空洞I的側(cè)壁20、覆蓋空洞I的第一層30、第二層40、絕緣層50、以及被配置在空洞I內(nèi)的功能元件60。
[0061]基板10具有第一區(qū)域Al和第二區(qū)域A2，其中，所述第一區(qū)域Al內(nèi)形成有對(duì)功能元件60進(jìn)行收納的空洞1，所述第二區(qū)域A2內(nèi)形成有電路部70。作為基板10，例如可以使用硅(Si)基板等半導(dǎo)體基板。作為基板10，還可以使用陶瓷基板、玻璃基板、藍(lán)寶石基板、合成樹(shù)脂基板等各種基板。基板10的厚度例如為100 μ m?400 μ m。
[0062]基板10可以具有如圖所不的基底層12。基底層12被形成在基板10上?；讓?2至少被形成在形成有空洞I的第一區(qū)域Al內(nèi)。作為基底層12的材質(zhì)，例如可列舉出氮化硅(Si3N4)。在形成空洞I時(shí)，基底層12能夠作為蝕刻阻擋層而發(fā)揮功能。可以在基底層12與基板10之間形成未圖示的溝槽絕緣層、LOCOS (Local Oxidation of Silicon:娃的局部氧化)絕緣層、半凹L0C0S絕緣層等。
[0063]側(cè)壁20被配置在基板10上，并形成了空洞I。在圖1所示的示例中，側(cè)壁20被形成在基底層12上且空洞I的周圍。此外，在圖1所示的示例中，側(cè)壁20以層疊了配線部22及壁部24的方式而形成。側(cè)壁20也可以被看作為保護(hù)環(huán)。雖然側(cè)壁20中，配線部22及壁部24各具有兩個(gè)，但它們的數(shù)量并不被特別限定，例如可以根據(jù)層間絕緣層80的層疊數(shù)來(lái)決定配線部22及壁部24的數(shù)量。如圖2所示，側(cè)壁20以包圍功能元件60的方式而配置。側(cè)壁20的平面的形狀只要為包圍功能元件60的形狀則不被特別限定，例如可以設(shè)定為圓形形狀、多邊形形狀等任意的形狀。側(cè)壁20例如可以具有供與功能元件60相連接的配線65穿過(guò)的間隙。側(cè)壁20既可以與周圍的部件電連接，也可以被設(shè)定為接地電位。在圖2所示的示例中，側(cè)壁20以避開(kāi)功能元件60的方式而形成。作為側(cè)壁20的材質(zhì)，例如可列舉出多晶娃(Poly-Si I icon)、或招(Al)、銅(Cu)、鶴(W)、鈦(Ti)等金屬及其合金。
[0064]第一層30被配置在側(cè)壁20上,并被形成為覆蓋空洞I。如圖1所不，第一層30被形成在空洞I的上方。第一層30可以具有貫穿孔31。雖然在圖1及圖2所示的示例中，貫穿孔31的數(shù)量為12個(gè)，但該數(shù)量并不被限定。第一層30可以與側(cè)壁20的一部分或全部一體地形成。第一層30例如可以通過(guò)選自TiN、TaN、T1、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物而形成。此外，第一層30例如可以為層疊有Ti層、TiN層、Al-Cu合金層、TiN層的層疊結(jié)構(gòu)。
[0065]空洞I為，用于對(duì)功能元件60進(jìn)行收納的空間。在圖示的示例中，空洞I通過(guò)基底層12、側(cè)壁20、第一層30而被劃分出。空洞I內(nèi)例如可以設(shè)定為減壓狀態(tài)，由此能夠?qū)崿F(xiàn)功能元件60的動(dòng)作精度的提高。
[0066]優(yōu)選在側(cè)壁20及第一層30上，施加有固定的電位(例如接地電位)。由此，能夠使側(cè)壁20和第一層30作為電磁屏蔽而發(fā)揮功能。因此，能夠?qū)⒐δ茉?0從空洞I的外部的電場(chǎng)或磁場(chǎng)中屏蔽開(kāi)來(lái)，從而能夠使功能元件60的特性等更加穩(wěn)定。[0067]功能元件60被配置在空洞I內(nèi)。功能元件60只要能夠被收納在空洞I內(nèi)則可以為任意元件而不被特別限定。作為功能元件60，例如可以例示振子、水晶振子、SAW(彈性表面波)元件、加速度傳感器、回轉(zhuǎn)儀、微致動(dòng)器等。作為功能元件60的具體例，可以列舉出如圖所示的振子，所述振子具有被形成在基底層12上的固定電極62、和與固定電極62隔開(kāi)固定間隔而形成的可動(dòng)電極64。作為固定電極62和可動(dòng)電極64的材質(zhì)，例如可列舉出通過(guò)摻雜預(yù)定的雜質(zhì)而被賦予了導(dǎo)電性的多晶硅。
[0068]第二層40被形成在第一層30上，并且具有被配置在與俯視觀察時(shí)的第一層30的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域BI。第一層30的俯視觀察是指，如圖2所示那樣從與基板10的板面正交的方向觀察第一層30的情況。第二層40被形成在第一層30上及絕緣層50上。第二層40可以具有貫穿孔41。雖然在圖1及圖2所示的示例中，貫穿孔41的數(shù)量為12個(gè)，但該數(shù)量并不被限定。第二層40例如可以通過(guò)選自TiN、TaN、T1、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物而形成。
[0069]絕緣層50被配置在，第二層40的被配置在與俯視觀察時(shí)的第一層30的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域BI之下。絕緣層50例如被形成在層間絕緣層80上及第一層30上。作為絕緣層50的材質(zhì)，可列舉出氧化硅、氮化硅等。作為絕緣層50的結(jié)構(gòu)，可列舉出氧化硅、氮化硅等的單層結(jié)構(gòu)、氧化硅、氮化硅等的層疊結(jié)構(gòu)。
[0070]在本實(shí)施方式的電子裝置100中，第二層40具有被配置在與第一層30的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域BI，并且在第二層40的被配置在與俯視觀察時(shí)的第一層30的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域BI之下，配置有絕緣層50。因此，因?yàn)榈谝粚?0及第二層40作為空洞I的蓋而發(fā)揮功能，并且該蓋不僅在第一層30處被支承而且還在第二層40的區(qū)域BI處被支承，所以能夠提高對(duì)于空洞I的變形等的機(jī)械強(qiáng)度。根據(jù)電子裝置100，尤其能夠提高對(duì)以使空洞I坍塌的方式而作用的外力等進(jìn)行抵抗的機(jī)械強(qiáng)度。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的電子裝置100，由于功能元件60為小型且被配置在堅(jiān)固的空洞I內(nèi)，從而能夠確保較高的可靠性。
[0071]2.電子裝置的改變等的說(shuō)明
[0072]本實(shí)施方式的電子裝置100能夠?qū)嵤└鞣N改變。雖然在下文中對(duì)改變方式進(jìn)行說(shuō)明，但對(duì)具有與上述的實(shí)施方式相同的作用功能的部件標(biāo)記相同的符號(hào)并省略詳細(xì)的說(shuō)明。
[0073]由于當(dāng)上述的第一層30的材質(zhì)為，選自TiN、TaN、T1、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物時(shí)，能夠提高第一層30的機(jī)械強(qiáng)度，且能夠提高與第二層40的緊貼性，因此能夠進(jìn)一步提高對(duì)空洞I進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度。此外，雖然第一層30在圖示的示例中為單層結(jié)構(gòu)，但也可以為多個(gè)層的層疊結(jié)構(gòu)。如果將第一層30設(shè)定為層疊結(jié)構(gòu)，則存在能夠有效地提高第一層30的機(jī)械強(qiáng)度及導(dǎo)電性雙方的情況。例如，當(dāng)?shù)谝粚?0為三層以上的層疊結(jié)構(gòu)時(shí)，可以將層疊結(jié)構(gòu)的最上層設(shè)定為，通過(guò)選自TiN、T1、W、Au及Pt中的一種、或兩種以上的合金而構(gòu)成的層，并將層疊結(jié)構(gòu)的最下層設(shè)定為，通過(guò)選自TiN、T1、W、Au及Pt中的一種、或兩種以上的合金而構(gòu)成的層，且將層疊結(jié)構(gòu)中的至少一層設(shè)定為通過(guò)Al-Cu合金而構(gòu)成的層。
[0074]由于當(dāng)將上述的第二層40的材質(zhì)設(shè)定為選自TiN、TaN、T1、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物時(shí)，能夠提高第二層40的機(jī)械強(qiáng)度，且能夠提高第二層40與第一層30之間的緊貼性，因此能夠進(jìn)一步提高對(duì)空洞I進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度。此外，雖然第二層40在圖示的示例中為單層結(jié)構(gòu)，但也可以為層疊了多個(gè)層的結(jié)構(gòu)，例如可以被構(gòu)成為，包括通過(guò)選自TiN、TaN、T1、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物而構(gòu)成的層。
[0075]此外，如圖1及圖2所示，可以使第二層40的貫穿孔41和第一層30的貫穿孔31連通，從而成為貫穿至空洞I的共同的貫穿孔。當(dāng)采用這種方式時(shí)，由于能夠在形成了第一層30及第二層40的狀態(tài)下對(duì)空洞I內(nèi)進(jìn)行蝕刻，因此例如還能夠確保蝕刻時(shí)的空洞I的堅(jiān)固性。因此，例如能夠提高成品率，從而能夠改善生產(chǎn)性。
[0076]而且，由于第二層40的被配置在與俯視觀察時(shí)的第一層30的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域BI的存在，從而能夠提高對(duì)空洞I進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度，但如圖1及圖2所示，該區(qū)域BI也可以以在俯視觀察時(shí)環(huán)繞空洞I的方式而存在。當(dāng)采用這種結(jié)構(gòu)時(shí)，將能夠更加可靠地形成空洞I，并且能夠形成更加堅(jiān)固的空洞I。
[0077]而且，可以在區(qū)域B2與第二層40之間存在有絕緣層50，所述區(qū)域B2為，第一層30的被配置在與俯視觀察時(shí)的空洞I的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域。在圖1及圖2的示例中，在區(qū)域B2與第二層40之間存在有絕緣層50，所述區(qū)域B2為，第一層30的被配置在與俯視觀察時(shí)的空洞I的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域。因此，根據(jù)電子裝置100，成為由第一層30和第二層40夾持絕緣層50的方式。由此，能夠進(jìn)一步提高對(duì)蓋進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度，所述蓋由形成空洞I的第一層30及第二層40構(gòu)成。即，該蓋不僅在第一層30處被支承而且還在第二層40的區(qū)域BI處被支承，并且成為第一層30通過(guò)絕緣層50而被機(jī)械地壓緊的狀態(tài)。因此，能夠進(jìn)一步提高相對(duì)于空洞I的變形等的機(jī)械強(qiáng)度。因此，根據(jù)電子裝置100，不僅能夠提高對(duì)以使空洞坍塌的方式而作用的外力等進(jìn)行抵抗的機(jī)械強(qiáng)度，還能夠提高對(duì)以使空洞開(kāi)放的方式而作用的外力等進(jìn)行抵抗的機(jī)械強(qiáng)度。因此，根據(jù)所例示的電子裝置100，功能元件60為小型且被配置在堅(jiān)固的空洞I內(nèi)，從而能夠確保非常高的可靠性。
[0078]3.其他結(jié)構(gòu)等
[0079]電子裝置100可以包括電路部70、層間絕緣層80、配線26、通孔28、襯墊32、第三層90。
[0080]如圖1所示，可以在基板10上形成有用于驅(qū)動(dòng)功能元件60的電路部70。電路部70可以通過(guò)晶體管72或電容器(未圖不)等而構(gòu)成。電路部70例如包括晶體管72。晶體管72被形成在基板10上。晶體管72例如為，具有柵絕緣膜74、柵電極75、源區(qū)或漏區(qū)78、以及側(cè)壁76的MOS (Metal OxideSemiconductor:金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管。此外，在圖示的例中，在基板10的第二區(qū)域A2內(nèi)形成有配線26、通孔28。配線26、通孔28例如可以將晶體管72和構(gòu)成電路部70的其他元件(未圖示)電連接。
[0081]晶體管72的柵絕緣膜74被形成在基板10上。柵絕緣膜74例如由氧化硅層構(gòu)成。柵絕緣膜74被基板10和柵電極75夾持。柵電極75的材質(zhì)例如為，通過(guò)摻雜預(yù)定的雜質(zhì)而被賦予了導(dǎo)電性的多晶硅。源區(qū)或漏區(qū)78被形成于基板10上。源區(qū)或漏區(qū)78通過(guò)向基板10摻雜預(yù)定的雜質(zhì)而形成。側(cè)壁76被形成于柵電極75的側(cè)方。側(cè)壁76的材質(zhì)例如為氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(SiON)。
[0082]在圖示的示例中，層間絕緣層80被形成于基板10的上方。雖然在圖1所示的示例中，電子裝置100的層間絕緣層80被連續(xù)地繪制，但層間絕緣層80也可以為多個(gè)層的層疊體。作為層間絕緣層80的材質(zhì)，例如可列舉出氧化硅(Si02)。另外，空洞I相當(dāng)于層間絕緣層80被去除了的區(qū)域。
[0083]襯墊32被形成于通孔28上。襯墊32的材質(zhì)例如為與第一層30相同的材質(zhì)。在圖示的示例中，襯墊32與配線26、通孔28 —起構(gòu)成了配線。配線26、通孔28的材質(zhì)例如為與側(cè)壁20的配線部22、壁部24相同的材質(zhì)。
[0084]電子裝置100可以具有第三層90。第三層90被形成于第二層40上。第三層90能夠封閉第一層30的貫穿孔31及第二層40的貫穿孔41。作為第三層90的材質(zhì)，例如可列舉出Al、Cu、T1、W。當(dāng)?shù)谌龑?0的材質(zhì)為選自Al、W及Cu中的一種、或兩種以上的合金時(shí)，能夠進(jìn)一步提高對(duì)空洞I進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度。雖然第三層90在圖示的示例中為單層結(jié)構(gòu)，但也可以為層疊了多個(gè)層的結(jié)構(gòu)，例如可以被構(gòu)成為，包括通過(guò)選自Al、W及Cu中的一種、或兩種以上的合金而構(gòu)成的層。
[0085]第三層90的膜厚例如為Iym以上5 μ m以下。第一層30、第二層40及第三層90從上方覆蓋空洞1，從而能夠作為對(duì)空洞I進(jìn)行密封的密封部件而發(fā)揮功能。由于電子裝置100具有第三層90，從而能夠進(jìn)一步提高對(duì)空洞I進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度。
[0086]電子裝置100還可以具有未圖示的樹(shù)脂層、襯墊、外部端子、配線層、抗蝕層等。此夕卜，電子裝置100可以為WCSP (Wafer-level Chip ScalePackaging:晶片級(jí)芯片封裝)結(jié)構(gòu)。
[0087]4.電子裝置的制造方法
[0088]接下來(lái)，參照附圖對(duì)電子裝置100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖3?圖16為，模式化地表示本實(shí)施方式所涉及的電子裝置100的制造工序的剖視圖。
[0089]本實(shí)施方式的電子裝置的制造方法包括:在基板10的第一區(qū)域Al內(nèi)形成功能元件60的工序；在基板10的第二區(qū)域A2內(nèi)形成晶體管72的工序；形成覆蓋晶體管72及功能元件60的層間絕緣層80的工序；在層間絕緣層80上形成包圍功能元件60的側(cè)壁20的工序；形成覆蓋層間絕緣層80并與側(cè)壁20相連接的第一層30的工序；形成覆蓋第一層30的絕緣層50的工序；對(duì)絕緣層50的側(cè)壁20的內(nèi)側(cè)的區(qū)域進(jìn)行去除的工序；在第一層30上及絕緣層50上形成第二層40的工序，所述第二層40通過(guò)選自TiN、TaN、T1、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物而構(gòu)成；在第一區(qū)域Al的第一層30及第二層40上形成貫穿孔31、41的工序；通過(guò)貫穿孔31、41而對(duì)被側(cè)壁20包圍的層間絕緣層80進(jìn)行蝕刻并去除，從而形成收納了功能元件60的空洞I的工序。并且，第二層40被形成為，具有被配置在與俯視觀察時(shí)的第一層30的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域BI，絕緣層50被配置在，第二層40的被配置在與俯視觀察時(shí)的第一層30的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域BI之下。
[0090]在本實(shí)施方式中，如圖3所示，在基板10上形成基底層12。基底層12例如通過(guò)如下方式而被形成，即，在通過(guò)CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法、派射法而被成膜后，通過(guò)光刻技術(shù)及蝕刻技術(shù)等而被圖案形成。
[0091]接下來(lái)，如圖4所示，在基底層12上形成固定電極62。具體而言，例如，在通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等而使多晶硅等的半導(dǎo)體層(未圖示)成膜之后，通過(guò)光刻技術(shù)及蝕刻技術(shù)等進(jìn)行圖案形成。并且，向被實(shí)施了圖案形成的半導(dǎo)體層注入磷(P)或硼(B)等雜質(zhì)而形成固定電極62。
[0092]接下來(lái)，如圖5所示，形成覆蓋固定電極62的覆蓋層(犧牲層)66及柵絕緣膜74。覆蓋層66及柵絕緣膜74例如為氧化硅層。覆蓋層66例如通過(guò)使固定電極62被熱氧化而形成。柵絕緣膜74通過(guò)使基板10被熱氧化而形成。固定電極62及柵絕緣膜74的熱氧化處理例如在800°C以上且1100°C以下的溫度下被實(shí)施。在本工序中，能夠在同一工序中形成覆蓋層66及柵絕緣膜74。覆蓋層66的膜厚與柵絕緣膜74的膜厚之間的關(guān)系能夠通過(guò)調(diào)節(jié)固定電極62與基板10的結(jié)晶性或雜質(zhì)濃度之間的關(guān)系來(lái)進(jìn)行控制。另外，覆蓋層66及柵絕緣膜74可以利用CVD法或?yàn)R射法而形成。之后，在覆蓋層66上形成可動(dòng)電極64，并在柵絕緣膜74上形成柵電極75。可動(dòng)電極64及柵電極75的形成例如通過(guò)CVD法、濺射法、以及光刻技術(shù)及蝕刻技術(shù)等圖案形成而被實(shí)施。可動(dòng)電極64及柵電極75的形成既可以同時(shí)進(jìn)行，也可以被設(shè)定為不同的工序。此外，可以在形成可動(dòng)電極64及柵電極75的同時(shí)，形成側(cè)壁20的配線部22，在該示例中，在形成可動(dòng)電極64及柵電極75的同時(shí)，形成了側(cè)壁20的配線部22。
[0093]接下來(lái)，向可動(dòng)電極64及柵電極75注入雜質(zhì)。由此，能夠?qū)蓜?dòng)電極64及柵電極75賦予導(dǎo)電性。作為被注入的雜質(zhì)，例如可列舉出磷(P)或硼(B)。此外，還可以實(shí)施用于使雜質(zhì)活化的熱處理。另外，向可動(dòng)電極64及柵電極75注入雜質(zhì)的工序也可以在進(jìn)行圖案形成的工序之前實(shí)施。
[0094]接下來(lái)，通過(guò)向基板10的第二區(qū)域A2注入預(yù)定的雜質(zhì)，從而形成源區(qū)或漏區(qū)78的一部分。接下來(lái)，通過(guò)CVD法、干蝕刻法等而形成側(cè)壁76。接下來(lái)，將側(cè)壁76作為掩膜，而注入預(yù)定的雜質(zhì)，從而形成源區(qū)或漏區(qū)78。通過(guò)這些工序，從而在基板10的第二區(qū)域A2內(nèi)形成了晶體管72。雖然在該示例中形成了 LDD (Lightly doped drain:輕摻雜漏區(qū))結(jié)構(gòu)，但也可以形成其他結(jié)構(gòu)的晶體管72。
[0095]接下來(lái),如圖6所示,形成層間絕緣層80。層間絕緣層80例如通過(guò)CVD法或涂布(旋涂)法等而形成?？梢栽谛纬闪藢娱g絕緣層80后，實(shí)施使層間絕緣層80的表面平坦化的處理。
[0096]接下來(lái)，如圖7所示，在側(cè)壁20的配線部22上形成壁部24。壁部24例如通過(guò)如下方式而形成，即，對(duì)層間絕緣層80進(jìn)行圖案形成而形成貫穿層間絕緣層80的槽，并在該槽內(nèi)埋入Al、W等金屬。接下來(lái)，形成層間絕緣層80、電路部70的配線26、側(cè)壁20的配線部22。雖然在該示例中，形成了配線部22，但這并非是必需的工序，例如可以以與在之前的工序中所形成的壁部24或配線部22連續(xù)的方式而形成將要在接下來(lái)的工序中形成的壁部24。層間絕緣層80通過(guò)與上述相同的工序被形成，在附圖中層間絕緣層80及側(cè)壁20以一體化的方式而繪制。然后，如圖8所示，再次通過(guò)相同的方式，而在側(cè)壁20的配線部22上形成壁部24、電路部70的通孔28。可以在形成了層間絕緣層80之后，實(shí)施使層間絕緣層80的表面平坦化的處理。
[0097]接下來(lái)，形成第一層30及電路部70的襯墊32。第一層30及襯墊32以與上述的配線26相同的方式而被形成。另外，第一層30及襯墊32既可以在同一工序中被形成，也可以在不同的工序中被形成。此外，第一層30及側(cè)壁20的壁部24可以被一體地形成。此夕卜，當(dāng)配線26、通孔28及襯墊32通過(guò)與形成側(cè)壁20的配線部22、壁部24及第一層30的工序相同的工序而形成時(shí)，由于制造工序的共同化，從而能夠?qū)崿F(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化。在圖9及圖10中，圖示了在同一工序中形成襯墊32和第一層30的示例，在如圖9所示那樣，通過(guò)CVD法或?yàn)R射法而形成了第一層30a之后，在圖10中，圖示了通過(guò)將掩膜Ml作為掩膜而進(jìn)行圖案形成，從而形成了襯墊32和第一層30的情況。
[0098]接下來(lái)，如圖11所示，在層間絕緣膜80上及襯墊32上，避開(kāi)第一層30的與俯視觀察時(shí)的空洞I相對(duì)應(yīng)的區(qū)域而形成絕緣層50。此時(shí)，雖然絕緣層50并非必須被形成于第一層30上，但當(dāng)被形成于第一層30上時(shí)，可以在區(qū)域B2與第二層40之間配置絕緣層50，所述區(qū)域B2為，第一層30的被配置在與俯視觀察時(shí)的空洞I的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域，從而如上文所述，能夠制造對(duì)蓋進(jìn)行保持的機(jī)械強(qiáng)度得到了進(jìn)一步提高的電子裝置100，所述蓋由形成空洞I的第一層30及第二層40構(gòu)成。絕緣膜50例如通過(guò)如下方式而被形成，即，在通過(guò)濺射法或CVD法而成膜后，實(shí)施通過(guò)光刻技術(shù)及蝕刻技術(shù)而進(jìn)行的圖案形成。還可以根據(jù)需要而實(shí)施燒結(jié)等熱處理。在本實(shí)施方式中，如圖11所示，絕緣層50被形成于第一層30上，并且在區(qū)域B2與之后所形成的第二層40之間配置有絕緣層50，所述區(qū)域B2為，第一層30的被配置在與俯視觀察時(shí)的空洞I的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域。
[0099]接下來(lái)，如圖12所示，在整個(gè)面上形成第二層40a，所述第二層40a通過(guò)選自TiN、TaN、T1、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物而構(gòu)成。第二層40a能夠通過(guò)CVD法、濺射法等而被成膜。接下來(lái)，如圖13所示，通過(guò)光刻技術(shù)及蝕刻技術(shù)，利用掩膜M2而進(jìn)行圖案形成，從而如圖14所示那樣，形成與空洞I相連通的貫穿孔41、31。對(duì)于貫穿孔31、41而言，如果選擇能夠通過(guò)相同的腐蝕劑而對(duì)第一層30及第二層40a進(jìn)行蝕刻的方式，則能夠在同一工序中，也于第一層30上形成貫穿孔31。另外，貫穿孔31也可以在不同的工序中被形成。
[0100]接下來(lái)，如圖15所示，使蝕刻液或蝕刻氣體穿過(guò)貫穿孔31及貫穿孔41，以對(duì)存在于成為空洞I的區(qū)域內(nèi)的層間絕緣層80及覆蓋層66進(jìn)行去除，從而形成空洞I (在說(shuō)明書(shū)中，有時(shí)將該工序稱作分離工序)。分離工序例如能夠通過(guò)利用了氫氟酸或緩沖氟酸(氫氟酸和氟化銨的混合液)等的濕蝕刻、利用了氫氟系的氣體等的干蝕刻等而實(shí)施。由于側(cè)壁20及第一層30利用不會(huì)在分離工序中被蝕刻的材料而形成，從而能夠防止空洞I向側(cè)壁20的外側(cè)擴(kuò)大。此外，基底層12能夠作為蝕刻阻擋層而發(fā)揮功能。通過(guò)經(jīng)歷該工序，從而在基板10的第一區(qū)域Al內(nèi)形成了功能元件60。
[0101]此外，在該分離工序中，電路部70通過(guò)第二層40a而被掩蔽。因此，抑制了例如絕緣層50在分離工序中被蝕刻的情況，從而能夠延長(zhǎng)分離工序所花費(fèi)的時(shí)間。此外，因?yàn)閷⒌诙?0a作為掩膜而實(shí)施分離工序，所以與利用由有機(jī)類材料的光刻膠等所形成的掩膜的情況相比，不需要去除掩膜這一點(diǎn)、以及容易在接下來(lái)的清洗工序中使用有機(jī)溶劑這一點(diǎn)較為有利。
[0102]接下來(lái)，對(duì)空洞I進(jìn)行清洗。清洗例如能夠通過(guò)異丙醇(IPA)或水來(lái)實(shí)施。通過(guò)利用IPA等低表面張力溶劑來(lái)實(shí)施清洗工序，從而能夠抑制例如在在功能元件60中存在微細(xì)的結(jié)構(gòu)時(shí)，部件彼此粘接的所謂的粘附。
[0103]然后，如圖16所示，在第二層40a上形成第三層90a。第三層90a例如通過(guò)濺射法、CVD法等氣相生長(zhǎng)法而被形成在第二層40a上。由于第三層90a利用氣相生長(zhǎng)法而被形成，從而能夠?qū)ω灤┛?1、41進(jìn)行密封。此外，由于利用氣相生長(zhǎng)法而被形成，從而還能夠在保持減壓狀態(tài)的情況下對(duì)空洞I內(nèi)進(jìn)行密封。
[0104]然后，如圖17所示，通過(guò)光刻技術(shù)及蝕刻技術(shù)，利用掩膜M3而進(jìn)行圖案形成，并對(duì)第二區(qū)域A2的第二層40a及第三層90a進(jìn)行去除，從而能夠形成如圖1所示的形狀的第二層40及第三層90。
[0105]之后，為了根據(jù)需要而實(shí)施與第二區(qū)域A2的襯墊32等的電連接，可以如圖18所示那樣，實(shí)施利用掩膜M4而對(duì)絕緣層50進(jìn)行蝕刻的工序等。
[0106]通過(guò)以上所例示的工序，從而能夠制造出電子裝置100。
[0107]根據(jù)本實(shí)施方式的電子裝置的制造方法，因?yàn)榈诙?0具有被配置在與第一層30的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域BI，并且在第二層40的被配置在與俯視觀察時(shí)的第一層30的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域BI之下，配置有絕緣層50，所以能夠制造出形成空洞I的部件的機(jī)械強(qiáng)度較高的電子裝置100。此外，根據(jù)本實(shí)施方式的電子裝置的制造方法，因?yàn)樵趯?duì)被側(cè)壁20包圍的層間絕緣層80進(jìn)行蝕刻并去除，從而形成收納了功能元件60的空洞I的工序(分離蝕刻工序)中，第二區(qū)域A2通過(guò)第二層40而被保護(hù)，所以能夠?qū)嵤╅L(zhǎng)時(shí)間的蝕刻處理。此外，由于能夠在不使用抗蝕劑掩膜的條件下實(shí)施分離蝕刻工序，因此能夠在清洗工序中使用有機(jī)溶劑，從而能夠抑制例如粘附等。而且，由于不使用抗蝕劑掩膜，因此不需要去除抗蝕劑掩膜的工序，從而能夠減少污染等問(wèn)題。
[0108]另外，在本發(fā)明中，當(dāng)提及將特定的部件B配置(或形成)在特定的部件A上(或者下)時(shí)，并不限于部件B被直接配置(或形成)在部件A上(或下)的方式，在不妨礙本發(fā)明的作用效果的范圍內(nèi)，包括部件B經(jīng)由其他的部件而被配置(或形成)在部件A上(或下)的方式。
[0109]本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式，還能夠進(jìn)行各種改變。例如，本發(fā)明包括與實(shí)施方式中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)、或者目的及效果相同的結(jié)構(gòu))。此外， 本發(fā)明包括對(duì)實(shí)施方式中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)的非本質(zhì)部分進(jìn)行了替換的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包括能夠?qū)崿F(xiàn)與實(shí)施方式中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)相同的作用效果的結(jié)構(gòu)、或者能夠達(dá)成相同的目的的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明包括在實(shí)施方式中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)上附加了公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
[0110]符號(hào)說(shuō)明
[0111]I…空洞；10...基板；12...基底層；20...側(cè)壁；22…配線部；24...壁部；26…配線；28…通孔;30、31a…第一層;31…貫穿孔;32…襯墊；40、40a…第二層；41…貫穿孔；50...絕緣層;60…功能兀件;62…固定電極;64…可動(dòng)電極；65…配線；66…覆蓋層;70…電路部；72...晶體管；74…柵絕緣膜；75...柵電極；76...側(cè)壁；78…源區(qū)或漏區(qū)；80…層間絕緣層；90、90a…第三層；100...電子裝置；A1…第一區(qū)域；A2…第二區(qū)域;B1、B2…區(qū)域;M1、M2、M3、M4…掩膜。
【權(quán)利要求】
1.一種電子裝置，包括: 基板； 側(cè)壁，其被配置在所述基板上，并形成空洞； 第一層，其被配置在所述側(cè)壁上，并覆蓋所述空洞； 第二層，其被形成于所述第一層上，并具有被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域； 絕緣層，其被配置在所述第二層的所述被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域之下； 功能元件，其被配置在所述空洞內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中， 所述第二層的所述被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域，在俯視觀察時(shí)環(huán)繞所述空洞。
3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的電子裝置，其中， 在所述第一層的被配置在與俯視觀察時(shí)的所述空洞的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域、與所述第二層之間，存在有所述絕緣層。
4.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的電子裝置，其中， 所述第一層及所述第二層具有貫穿至所述空洞的共同的貫穿孔。
5.如權(quán)利要求4所述的電子裝置，其中， 具有被形成于所述第二層上的第三層， 所述第三層對(duì)所述貫穿孔進(jìn)行密封。
6.如權(quán)利要求5所述的電子裝置，其中， 所述第三層包括如下的層，所述層為，通過(guò)選自Al、W及Cu中的一種、或兩種以上的合金而構(gòu)成的層。
7.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中任一項(xiàng)所述的電子裝置，其中， 所述第二層包括如下的層，所述層為，通過(guò)選自TiN、TaN、T1、Ta、W、Au、Pt、Co&Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物而構(gòu)成的層。
8.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中任一項(xiàng)所述的電子裝置，其中， 所述第一層包括三層以上的層疊結(jié)構(gòu)， 所述層疊結(jié)構(gòu)的最上層為，通過(guò)選自TiN、T1、W、Au及Pt中的一種、或兩種以上的合金而構(gòu)成的層， 所述層疊結(jié)構(gòu)的最下層為，通過(guò)選自TiN、T1、W、Au及Pt中的一種、或兩種以上的合金而構(gòu)成的層， 所述層疊結(jié)構(gòu)中的至少一層是通過(guò)Al-Cu合金而構(gòu)成的。
9.一種電子裝置的制造方法，包括: 在基板的第一區(qū)域內(nèi)形成功能元件的工序； 在所述基板的第二區(qū)域內(nèi)形成晶體管的工序； 形成覆蓋所述晶體管及所述功能元件的層間絕緣層的工序； 在所述層間絕緣層上形成包圍所述功能元件的側(cè)壁的工序； 形成覆蓋所述層間絕緣層并與所述側(cè)壁相連接的第一層的工序；形成覆蓋所述第一層的絕緣層的工序； 對(duì)所述絕緣層的俯視觀察時(shí)的所述側(cè)壁的內(nèi)側(cè)的區(qū)域進(jìn)行去除的工序； 在所述第一層及所述絕緣層上形成第二層的工序，所述第二層為，通過(guò)選自TiN、TaN、Ti、Ta、W、Au、Pt、Co及Ni中的一種、或兩種以上的合金、抑或復(fù)合氮化物而構(gòu)成的層；在所述第一區(qū)域內(nèi)的所述第一層及所述第二層上形成貫穿孔的工序； 通過(guò)所述貫穿孔而對(duì)被所述側(cè)壁包圍的所述層間絕緣層進(jìn)行蝕刻并去除，從而形成收納了所述功能元件的空洞的工序， 所述第二層被形成為，具有被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域，所述絕緣層被配置在，所述第二層的所述被配置在與俯視觀察時(shí)的所述第一層的輪廓相比靠外側(cè)的位置處的區(qū)域之下。
10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置的制造方法，其中， 還包括: 在所述第二層上形成對(duì)所述貫穿孔進(jìn)行密封的第三層的工序； 對(duì)所述第二層及所述第三層進(jìn)行圖案形成，并對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述第二層及所述第三層進(jìn)行去除的工序； 對(duì)所述第二區(qū)域內(nèi)的所述絕緣層進(jìn)行蝕刻的工序。
【文檔編號(hào)】B81C1/00GK103771332SQ201310493344
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月19日
【發(fā)明者】吉澤隆彥 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社