本發(fā)明涉及一種用于制造用于MEMS裝置的光學(xué)窗裝置的方法。

背景技術(shù)：
為了保護(hù)免受外部有害的物理影響或化學(xué)影響，在相應(yīng)的晶片復(fù)合體（Verbund）中借助保護(hù)晶片建立MEMS構(gòu)件（微（電子）機(jī)械構(gòu)件）的封裝，所述保護(hù)晶片可以具有空腔和通孔。普遍的是，在具有MEMS結(jié)構(gòu)的晶片上校準(zhǔn)保護(hù)晶片并且通過建立技術(shù)——例如陽極鍵合或密封玻璃鍵合來拼接所述保護(hù)晶片與所述具有MEMS結(jié)構(gòu)的晶片。對于光學(xué)MEMS構(gòu)件，除了所述對罩晶片的要求以外，通常需要空腔上方的具有高光學(xué)品質(zhì)的透明窗。在DE102009045541A1中說明一種用于制造所述透明窗的方法。為了降低光學(xué)透明窗的界面上的干擾反射，在這類窗上施加薄的防反射涂層或使其相對于MEMS構(gòu)件傾斜。在EP1688776A1中說明用于單獨(dú)的芯片的合適的光學(xué)窗。尤其對于由多個(gè)層組成的晶片的結(jié)構(gòu)，在US20070024549中列出合適的窗并且解釋其制造。DE102008012384A1說明一種用于封裝包含傾斜的光學(xué)窗的微系統(tǒng)的蓋及其制造的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供一種根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造用于MEMS裝置的光學(xué)窗裝置的方法，其具有在具有凹槽的襯底上施加由透明材料構(gòu)成的層的第一步驟和使所述層變形從而所述層被折疊（gefaltet）并且所述層的經(jīng)變形的區(qū)域構(gòu)成光學(xué)窗的第二步驟。優(yōu)選的擴(kuò)展方案是相應(yīng)的從屬權(quán)利要求的主題。本發(fā)明提供一種用于在光學(xué)品質(zhì)方面用于MEMS裝置的窗裝置的成本有利的制造方法。所述方法確保在再加工期間保護(hù)光學(xué)窗免受劃痕和異物顆粒影響。所示方法適用于大批量。本方法提供以下可能性：限定窗結(jié)構(gòu)的傾斜并且使窗表面設(shè)有納米結(jié)構(gòu)化的表面?？梢試?yán)密密封地制造和使用所述窗。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)從參考附圖的后續(xù)說明中得出。附圖說明附圖示出：圖1a）-d）：沿著圖2中的線A-B的示意性橫截面視圖，用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的制造方法；圖2：用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的制造方法的示意性俯視圖；圖3a）-d）：沿著圖4中的線A-B的示意性橫截面視圖，用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的制造方法；圖4：用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的制造方法的示意性俯視圖；圖5a）-d）：沿著圖6中的線A-B的示意性橫截面視圖，用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的制造方法；圖6：用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的制造方法的示意性俯視圖；圖7a）-d）：沿著圖8中的線A-B的示意性橫截面視圖，用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的制造方法；圖8：用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的制造方法的示意性俯視圖；圖9a）-d）：用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面視圖；圖10a）-d）：用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面視圖；圖11a）-d）：用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面視圖；圖12a）-e）：用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面視圖；圖13a）-f）：用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面視圖。在附圖中相同的參考標(biāo)記表示相同的或功能相同的元件。具體實(shí)施方式圖1a）-d）是沿著圖2中的線A-B的示意性橫截面視圖，用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的制造方法；并且圖2是用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的制造方法的示意性俯視圖。在圖1a）-d）和圖2中，參考標(biāo)記1表示襯底、優(yōu)選硅襯底，參考標(biāo)記2表示由透明材料構(gòu)成的層，優(yōu)選玻璃層或塑料層，并且參考標(biāo)記3表示輔助層，優(yōu)選硅層。參考標(biāo)記4表示襯底1中的通孔并且參考標(biāo)記5表示可移動(dòng)的區(qū)域，其是輔助層3的一部分并且通過空腔6與其余的輔助層3分離。參考標(biāo)記7表示傾斜軸，可移動(dòng)的區(qū)域5可以通過所述傾斜軸被轉(zhuǎn)動(dòng)到通孔4中。可移動(dòng)的區(qū)域5示出與通孔4的外圍（Peripherie）的重疊8。襯底1的上側(cè)以參考標(biāo)記10表示并且其下側(cè)以參考標(biāo)記11表示。窗結(jié)構(gòu)以F表示。清晰起見，在圖2中未示出層2。以下生產(chǎn)步驟的順序不是強(qiáng)制性確定的并且可以與其不同地進(jìn)行。在第一步驟中，根據(jù)圖1a）優(yōu)選例如由硅制造襯底1，其中例如通過KOH蝕刻或噴砂或其他任意材料去除方法——如機(jī)械鉆孔、研磨或通過激光在襯底1中開設(shè)通孔4。通孔4例如確定用于通向微鏡（MOEMS）的光學(xué)進(jìn)口或通過鍵合區(qū)（Bondlands）的電接觸。在第二步驟中，根據(jù)圖1a）構(gòu)造由透明的且可熱變形的、例如由玻璃或塑料構(gòu)成的層2和優(yōu)選由硅組成的輔助層3組成的晶片復(fù)合體。借助在MEMS技術(shù)中普遍的方法——例如陽極鍵合或硅玻璃直接鍵合來制造晶片復(fù)合體。輔助層3可以在復(fù)合之前或之后例如通過研磨或拋光達(dá)到所期望的厚度。在第三步驟中，根據(jù)圖1a）在通孔4上方在輔助層3中定義可移動(dòng)的區(qū)域5，在所述可移動(dòng)的區(qū)域上保留材料。這例如可以借助DRIE蝕刻過程實(shí)現(xiàn)。可移動(dòng)的區(qū)域5通常比襯底1中的通孔4的面更小?？梢苿?dòng)的區(qū)域5用于在另一步驟中后續(xù)的變形期間加固層2并且負(fù)責(zé)：光學(xué)窗結(jié)構(gòu)F雖然可以得到傾斜但確保傾斜的面的平整性。在第四步驟中，根據(jù)圖1b），使由輔助層3和層2以及襯底1組成的布置彼此對準(zhǔn)以及例如通過陽極鍵合或直接鍵合使輔助層3和層2以及襯底1彼此連接。輔助層3的結(jié)構(gòu)化——即在通孔4上方加固的、可移動(dòng)的區(qū)域5的限定可以在制造由輔助層3、層2、襯底1組成的晶片堆疊之前或之后進(jìn)行。在根據(jù)圖1c）的第五步驟中，從襯底1的下側(cè)11平面地抽吸晶片堆疊并且使其達(dá)到適當(dāng)高的溫度，在所述適當(dāng)高的溫度下層2可以塑性變形。通常，窗區(qū)域F的兩側(cè)之間的壓力差可以導(dǎo)致可移動(dòng)的區(qū)域5的傾斜和/或移動(dòng)。也可以通過機(jī)械力引起傾斜。由于通孔4處的低壓，在可移動(dòng)的區(qū)域5的范圍中深拉伸光學(xué)窗結(jié)構(gòu)F。通過以下方式定義圍繞傾斜軸7的所期望的轉(zhuǎn)動(dòng)：可移動(dòng)的區(qū)域5在橫向上至少在一側(cè)或在至少一個(gè)位置處伸出通孔4至襯底1上的外圍中并且因此示出與其的重疊8。重疊8防止在熱塑性變形期間可移動(dòng)的區(qū)域5在這一側(cè)上進(jìn)入通孔4中。通過輔助層3的適當(dāng)調(diào)節(jié)的厚度以及適當(dāng)調(diào)節(jié)的低壓，也可以有針對性地制造拱起的窗結(jié)構(gòu)F。在第六步驟中，根據(jù)圖1d）例如借助KOH蝕刻來蝕刻去除輔助層3。通過所述蝕刻，層2沒有被蝕鏤或僅僅被最小地蝕鏤，從而保持其光學(xué)品質(zhì)。為了使蝕刻時(shí)間最小化，可以在輔助層3中開設(shè)孔或縫。所述結(jié)構(gòu)提高了蝕刻面并且能夠?qū)崿F(xiàn)其他平面的蝕刻侵蝕，所述其他平面比初始平面被更快地蝕刻。孔或縫可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)用于其維度（長、寬和高）中的蝕刻速度的最大化。所述結(jié)構(gòu)的開設(shè)可以與可移動(dòng)的區(qū)域5的產(chǎn)生一起在一個(gè)處理步驟中進(jìn)行。圖3a-d）是沿著圖4中的線A-B的示意性橫截面視圖，用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的制造方法，并且圖4是用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的制造方法的示意性俯視圖。在圖3a-d）和圖4中，參考標(biāo)記1表示襯底、優(yōu)選硅襯底，參考標(biāo)記2表示由透明材料構(gòu)成的層，優(yōu)選玻璃層或塑料層，并且參考標(biāo)記3表示輔助層，優(yōu)選硅層。參考標(biāo)記4表示襯底1中的通孔并且參考標(biāo)記5a表示可移動(dòng)的區(qū)域，其是輔助層3的一部分并且通過至少一個(gè)彈性元件9與其余的輔助層3連接。參考標(biāo)記6表示空腔。參考標(biāo)記7表示傾斜軸，可移動(dòng)的區(qū)域5a通過所述傾斜軸可以被轉(zhuǎn)動(dòng)到通孔4中。襯底1的上側(cè)以參考標(biāo)記10表示并且其下側(cè)以參考標(biāo)記11表示。窗結(jié)構(gòu)以F表示。清晰起見，在圖4中未示出層2。本實(shí)施方式類似于在圖1a）-d）和在圖2中解釋的第一實(shí)施方式，具有以下區(qū)別：圖3b）c）中的可移動(dòng)的區(qū)域5a通過至少一個(gè)彈性元件9與輔助層3連接并且示出與通孔4的外圍沒有重疊。圖5a-d）是沿著圖6中的線A-B的示意性橫截面視圖，用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的制造方法，并且圖6是用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的制造方法的示意性俯視圖。在圖5a）-d）和圖6中，參考標(biāo)記1a表示襯底、優(yōu)選硅襯底，參考標(biāo)記2表示由透明材料構(gòu)成的層，優(yōu)選玻璃層或塑料層，并且參考標(biāo)記3表示輔助層，優(yōu)選硅層。參考標(biāo)記4表示襯底1a中的通孔并且參考標(biāo)記5b表示可移動(dòng)的區(qū)域，其是輔助層3的一部分并且通過空腔6與其余的輔助層3分離?？梢苿?dòng)的區(qū)域5b具有至少一個(gè)止擋元件21，并且在襯底1a中的通孔4的相應(yīng)側(cè)上設(shè)有傾斜部20。參考標(biāo)記7表示傾斜軸，可移動(dòng)的區(qū)域5b通過所述傾斜軸可以被轉(zhuǎn)動(dòng)到通孔4中?？梢苿?dòng)的區(qū)域5b示出與通孔4的外圍的重疊8。所述重疊在極端情況下也可以微不足道。襯底1a的上側(cè)以參考標(biāo)記10表示并且其下側(cè)以參考標(biāo)記11表示。窗結(jié)構(gòu)以F表示。清晰起見，圖6中未示出層2。本實(shí)施方式類似于在圖1a）-d）中和在圖2中解釋的第一實(shí)施方式，其中為了限定可移動(dòng)的區(qū)域5b在襯底1a中的轉(zhuǎn)動(dòng)，通過KOH蝕刻如此開設(shè)通孔4，使得根據(jù)圖5a）和圖6在KOH蝕刻的至少一側(cè)上產(chǎn)生傾斜部20。為了在襯底1a上實(shí)現(xiàn)可移動(dòng)的區(qū)域5b的機(jī)械止擋，根據(jù)圖6在至少一個(gè)傾斜部20上在可移動(dòng)的區(qū)域5b處施加至少一個(gè)止擋元件21。由此確保：在加熱時(shí)可移動(dòng)的區(qū)域5b僅僅可以如此程度地轉(zhuǎn)動(dòng)到通孔4中，直至相應(yīng)的傾斜部20上的至少一個(gè)止擋元件21阻止進(jìn)一步的轉(zhuǎn)動(dòng)，圖5c）。可以通過至少一個(gè)止擋元件21與傾斜軸7的間距自由調(diào)節(jié)可移動(dòng)的區(qū)域5b的最大轉(zhuǎn)動(dòng)。至少一個(gè)傾斜部20在層2的變形方面也是有利的，因?yàn)樗鲎冃我部梢栽谥辽僖粋€(gè)傾斜部20上進(jìn)行并且因此僅須以較小程度剪切材料。圖7a）-d）示出沿著圖8中的線A-B的示意性橫截面圖，用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的制造方法，并且圖8示出用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的制造方法的示意性俯視圖。在圖7a）-d）和圖8中，參考標(biāo)記1b表示襯底、優(yōu)選硅襯底，參考標(biāo)記2表示由透明材料構(gòu)成的層，優(yōu)選玻璃層或塑料層，并且參考標(biāo)記3表示輔助層，優(yōu)選硅層。參考標(biāo)記4表示襯底1b中的通孔并且參考標(biāo)記5c表示可移動(dòng)的區(qū)域，其是輔助層3的一部分并且通過空腔6與其余的輔助層3分離。在襯底1b中的通孔4的一側(cè)上設(shè)置傾斜部22，并且可移動(dòng)的區(qū)域5c的與所述傾斜部最近的、平行的棱邊以參考標(biāo)記23表示。參考標(biāo)記7表示傾斜軸，可移動(dòng)的區(qū)域5c通過所述傾斜軸可以被轉(zhuǎn)動(dòng)到通孔4中?？梢苿?dòng)的區(qū)域5c示出與通孔4的外圍的重疊8。所述重疊在極端情況下也可以是微不足道的。襯底1b的上側(cè)以參考標(biāo)記10表示并且其下側(cè)以參考標(biāo)記11表示。窗結(jié)構(gòu)以F表示。清晰起見，圖8中未示出層2。本實(shí)施方式類似于在圖1a）-d）中和在圖2中解釋的第一實(shí)施方式，在襯底1b中如此構(gòu)造通孔4，使得可移動(dòng)的區(qū)域5c借助棱邊23在傾斜部22上實(shí)現(xiàn)止擋，所述棱邊23與傾斜軸7平行地延伸并且與所述傾斜軸相距最遠(yuǎn)，圖7c）。根據(jù)圖8，傾斜部22僅僅施加在通孔4的一側(cè)上，其中通孔4的其他三側(cè)同樣可以設(shè)有傾斜的或豎直的棱邊。為了實(shí)現(xiàn)可移動(dòng)的區(qū)域5c的止擋以及調(diào)節(jié)可移動(dòng)的區(qū)域5c圍繞傾斜軸7的最大轉(zhuǎn)動(dòng)，如此匹配棱邊23與轉(zhuǎn)動(dòng)軸7的間距，使得通過傾斜部22在相應(yīng)傾斜的情況下阻止轉(zhuǎn)動(dòng)，圖7c）。包含限制可移動(dòng)的區(qū)域5b、5c轉(zhuǎn)動(dòng)到通孔4中的第三和第四實(shí)施方式是有利的，因?yàn)樵诩訜崞陂g在塑性變形的情況下可以防止具有承載面的已變形的層2的熔化。另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，在晶片上可能多次產(chǎn)生的可移動(dòng)的區(qū)域5b、5c在塑性變形之后分別具有相同的轉(zhuǎn)動(dòng)，盡管晶片不是在每個(gè)位置上經(jīng)受相同的溫度。圖9a）-d）是用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面視圖。在圖9a）-d）中，參考標(biāo)記1c表示襯底、優(yōu)選硅襯底，參考標(biāo)記2表示由透明材料構(gòu)成的層，優(yōu)選玻璃層或塑料層，并且參考標(biāo)記3表示輔助層，優(yōu)選硅層。在襯底1c中開設(shè)空腔32，其朝向下側(cè)11具有底部區(qū)域31。參考標(biāo)記5表示可移動(dòng)的區(qū)域，其是輔助層3的一部分并且通過空腔6與其余的輔助層3分離。參考標(biāo)記7表示傾斜軸，可移動(dòng)的區(qū)域5通過所述傾斜軸可以被轉(zhuǎn)動(dòng)到空腔32中?？梢苿?dòng)的區(qū)域5示出與空腔32的外圍的重疊8。所述重疊8在極端情況下也可以是微不足道的。襯底1c的上側(cè)以參考標(biāo)記10表示。窗結(jié)構(gòu)以F表示。以下生產(chǎn)步驟的順序不是強(qiáng)制確定的并且可以與其不同地進(jìn)行。在第一步驟中，根據(jù)圖9a）在襯底1c中開設(shè)空腔32，所述空腔朝向上側(cè)10敞開。在第二步驟中，根據(jù)圖9a）構(gòu)造由襯底1c、層2和輔助層3構(gòu)成的復(fù)合體，所述層2應(yīng)由透明的、可熱變形的材料組成，其中真空位于空腔32中。在第三步驟中，根據(jù)圖9b）在輔助層3中產(chǎn)生可移動(dòng)的區(qū)域5。在第四步驟中，適當(dāng)?shù)丶訜峥倧?fù)合體，從而示出與空腔32的外圍的重疊8的可移動(dòng)的區(qū)域5在單側(cè)通過傾斜軸7轉(zhuǎn)動(dòng)到空腔32中，圖9c）。塑性變形通過所述真空實(shí)現(xiàn)，而不需要襯底1c的平面抽吸。在第五步驟中，根據(jù)圖9d），通過在蝕刻過程中去除輔助層3和底部區(qū)域31來暴露層2。圖10a）-d）是用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面視圖。在圖10a）-d）中，參考標(biāo)記1c表示襯底、優(yōu)選硅襯底，參考標(biāo)記2表示由透明材料構(gòu)成的層，優(yōu)選玻璃層或塑料層，并且參考標(biāo)記3表示輔助層，優(yōu)選硅層。在襯底1c中開設(shè)空腔32，所述空腔朝向下側(cè)11具有底部區(qū)域31。參考標(biāo)記5a表示可移動(dòng)的區(qū)域，其是輔助層3的一部分并且借助至少一個(gè)彈性元件9與其余的輔助層3連接。參考標(biāo)記6表示空腔。參考標(biāo)記7表示傾斜軸，可移動(dòng)的區(qū)域5a通過所述傾斜軸可以被轉(zhuǎn)動(dòng)到空腔32中。襯底1c的上側(cè)以參考標(biāo)記10表示。窗結(jié)構(gòu)以F表示。本實(shí)施方式類似于在圖9a）-d）中解釋的第五實(shí)施方式，具有以下區(qū)別：根據(jù)圖10b）c）的可移動(dòng)的區(qū)域5a通過至少一個(gè)彈性元件9與輔助層3連接并且示出與空腔32的外圍沒有重疊。第五和第六實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)是，可以同時(shí)在一個(gè)爐中處理多個(gè)晶片（用于窗的傾斜放置的批量處理）。所述實(shí)施方式同樣具有用于限定可移動(dòng)的區(qū)域的轉(zhuǎn)動(dòng)的止擋。圖11a）-d）是用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面視圖。在圖11a）-d）中，參考標(biāo)記1d表示襯底、優(yōu)選硅襯底，參考標(biāo)記2表示由透明材料構(gòu)成的層，優(yōu)選玻璃層或塑料層。在襯底1d中開設(shè)空腔33，所述空腔朝向下側(cè)11敞開。參考標(biāo)記5d表示可移動(dòng)的區(qū)域，其通過至少一個(gè)彈性元件9a與襯底1d連接。參考標(biāo)記34表示空腔。襯底1d的上側(cè)以參考標(biāo)記10表示。窗結(jié)構(gòu)以F表示。以下生產(chǎn)步驟的順序不是強(qiáng)制確定的并且可以與其不同地進(jìn)行。在第一步驟中，根據(jù)圖11a）借助蝕刻過程在襯底1d中開設(shè)空腔33。在第二步驟中，由襯底1d和層2構(gòu)造復(fù)合體，所述層2應(yīng)由透明的、可熱變形的材料組成。在第三步驟中，根據(jù)圖11b）在輔助層3中產(chǎn)生可移動(dòng)的區(qū)域5d并且施加至少一個(gè)彈性元件9a。在第四步驟中，適當(dāng)加熱總復(fù)合體并且從下側(cè)11向空腔33施加低壓，從而使可移動(dòng)的區(qū)域5d在單側(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)到空腔33中，圖11c）。在窗結(jié)構(gòu)F的下側(cè)上的可移動(dòng)的區(qū)域5d防止在熱塑變形期間具有吸入面的層2的熔化。在第五步驟中，根據(jù)圖11d），通過去除可移動(dòng)的區(qū)域5d和扭轉(zhuǎn)元件9a來暴露層2。可以借助在微機(jī)械中使用的、普遍的鍵合方法——例如借助玻璃焊劑或粘接劑的鍵合、共晶鍵合或陽極鍵合將所產(chǎn)生的光學(xué)窗裝置與MEMS或MOEM晶片連接。對于所解釋的實(shí)施方式而言特別有利的是，窗結(jié)構(gòu)F在襯底1、1a、1b、1c、1d中下沉并且由此受到保護(hù)。窗裝置在再加工中不會(huì)受到損壞，因?yàn)榭梢员苊鈩澓邸汉垡约案街念w粒。這尤其適于玻璃焊劑晶片鍵合，其中借助高機(jī)械壓力彼此按壓窗裝置和MOMEMS晶片。圖12a）-e）是用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面視圖。在圖12a）-e）中，參考標(biāo)記1e表示襯底、優(yōu)選硅襯底，參考標(biāo)記2表示由透明材料構(gòu)成的層，優(yōu)選玻璃層或塑料層。參考標(biāo)記1e1、1e2、1e3和1e4表示夾緊區(qū)域，其由襯底1e構(gòu)成，其中凹槽50位于這些夾緊區(qū)域之間。夾緊區(qū)域的棱邊以參考標(biāo)記K1、K2、K3和K4表示。窗結(jié)構(gòu)以F表示。以下生產(chǎn)步驟的順序不是強(qiáng)制確定的并且可以與其不同地進(jìn)行。在第一步驟中，根據(jù)圖12b）由襯底1e產(chǎn)生至少四個(gè)合適的夾緊區(qū)域1e1、1e2、1e3和1e4，所述至少四個(gè)合適的夾緊區(qū)域通過合適的結(jié)構(gòu)化方法——例如通過KOH蝕刻、通過具有所謂的ARDE效果（AspectRationDependentEtching：縱橫比決定蝕刻）的溝槽蝕刻設(shè)置傾斜的面。所述傾斜的面的表面在此對于窗結(jié)構(gòu)F的光學(xué)品質(zhì)是不重要的。在第二步驟中，根據(jù)圖12c）將夾緊區(qū)域成對地（1e1，1e2）、（1e3，1e4）設(shè)置在由可熱變形的、透明的材料組成的層2的兩側(cè)上，從而構(gòu)成凹槽50。在第三步驟中，例如通過陽極鍵合或直接鍵合由夾緊區(qū)域1e1、1e2、1e3和1e4與層2構(gòu)成復(fù)合體。也可以如下制造元件1e1、1e2、1e3和1e4，其中在第一步驟中借助通常的鍵合方法在層2的前側(cè)和背側(cè)上分別施加一個(gè)襯底1e并且在第二步驟中通過研磨來制造棱邊K1、K2、K3、K4以及凹槽50。在第四步驟中，根據(jù)圖12d）實(shí)現(xiàn)層2的變形，其方式是合適地加熱復(fù)合體并且借助兩側(cè)的機(jī)械壓力使復(fù)合體變形，從而成對設(shè)置的夾緊區(qū)域（1e1，1e2）和（1e3，1e4）如此彼此對準(zhǔn)，使得它們在變形之后以相同的定向齊平地并排設(shè)置并且夾緊區(qū)域的棱邊K1、K2和K3、K4在層2的兩側(cè)上構(gòu)成直線。所述過程可以借助商業(yè)常用的鍵合器溫度控制且壓力控制地實(shí)現(xiàn)。在此，能夠?qū)崿F(xiàn)多個(gè)晶片彼此堆疊（批量處理）。在第五步驟中，根據(jù)圖12e），通過蝕刻去除來去除襯底1e，以暴露窗結(jié)構(gòu)F。圖13a）-f）是用于解釋光學(xué)窗裝置的根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施方式的制造方法的示意性橫截面圖。在圖13a）-f）中，參考標(biāo)記1表示襯底、優(yōu)選硅襯底，參考標(biāo)記2表示由透明材料構(gòu)成的層，優(yōu)選玻璃層或塑料層，并且參考標(biāo)記3表示輔助層，優(yōu)選硅層。參考標(biāo)記4表示襯底1中的通孔并且參考標(biāo)記5表示可移動(dòng)的區(qū)域，其是輔助層3的一部分。參考標(biāo)記7表示傾斜軸，可移動(dòng)的區(qū)域5通過所述傾斜軸可以被轉(zhuǎn)動(dòng)到通孔4中?？梢苿?dòng)的區(qū)域5示出與通孔4的外圍的重疊8。襯底1的上側(cè)以參考標(biāo)記10表示并且其下側(cè)以參考標(biāo)記11表示。窗結(jié)構(gòu)以F表示。參考標(biāo)記V表示襯底1中的凹部。在第一步驟中，根據(jù)圖13a）在具有凹部V的襯底1中蝕刻通孔4。在第二步驟中，根據(jù)圖13b）例如通過陽極鍵合制造由層2和輔助層3組成的晶片復(fù)合體。在根據(jù)圖13c）的第三步驟中，例如通過借助隨后的DRIE過程減薄輔助層3來由輔助層3產(chǎn)生可移動(dòng)的區(qū)域5。在根據(jù)圖13d）的第四步驟中，拼接由輔助層3的可移動(dòng)的區(qū)域5、層2和襯底1組成的復(fù)合體1。在根據(jù)圖13e）的第五步驟中，圍繞襯底1的凹部V中的傾斜軸7轉(zhuǎn)動(dòng)可移動(dòng)的區(qū)域5。在第六步驟中，根據(jù)圖13f）蝕刻去除輔助層3的可移動(dòng)的區(qū)域5，從而暴露窗結(jié)構(gòu)F。盡管已經(jīng)根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。特別是，所提到的材料和拓?fù)鋬H僅是示例性的并且不限于所解釋的示例。所提到的實(shí)施方式的一種處理選擇是在窗結(jié)構(gòu)F的區(qū)域中產(chǎn)生層2的納米結(jié)構(gòu)化表面，用于減小不期望的反射。為此，施加在層2上的材料在其與層2連接之前在朝向?qū)?的一側(cè)上設(shè)有納米結(jié)構(gòu)。這例如借助KOH蝕刻或溝槽蝕刻進(jìn)行。在塑性變形期間進(jìn)行層2的納米結(jié)構(gòu)化。在塑性變形之后，蝕刻去除窗結(jié)構(gòu)F的相應(yīng)材料。