專利名稱：具有mems器件的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
具有MEMS器件的裝置
背景技術(shù)：
MEMS器件(MEMS=微機電系統(tǒng))必須被保護(hù)免受機械和其他環(huán)境影響并且為此需要一種特別形式的封裝，在該封裝中，微機械機構(gòu)優(yōu)選布置在空腔中，從而實現(xiàn)在移動的或振動的結(jié)構(gòu)運行期間的不受干擾的功能。作為附加的要求，MEMS器件可能需要一種密封的封裝，該封裝尤其是相對于氣體和潮氣是密封的。已知用于制造空腔殼體的不同技術(shù)，這些技術(shù)證實了不同的優(yōu)點和缺點。在新一代的所謂CSP封裝(CSP=芯片尺寸的封裝)中，具有MEMS器件結(jié)構(gòu)的芯片以倒裝芯片裝置的形式施加在載體上。框形的、包圍MEMS芯片的器件結(jié)構(gòu)的框用作為間隔結(jié)構(gòu)。接著可以用聚合物覆蓋該倒裝芯片裝置，例如借助于層壓體或者澆注體。 當(dāng)將覆蓋晶片放到包圍MEMS芯片的器件結(jié)構(gòu)的間隔結(jié)構(gòu)上時，獲得一種更加密封的和更加簡單地制造的封裝，其中器件結(jié)構(gòu)被包含在這樣得到的封裝的空腔中。這種覆蓋晶片可以由硅樹脂、玻璃或者壓電材料構(gòu)成并且優(yōu)選與MEMS芯片的材料一致。相應(yīng)的框可以由聚合物、金屬或者金屬合金構(gòu)成。還有可能的是，配備具有已經(jīng)預(yù)先結(jié)構(gòu)化的凹槽的覆蓋晶片并且將該覆蓋晶片作為罩形的覆蓋體放到MEMS芯片上。連接可以借助于粘合劑或者其他晶片接合方法來進(jìn)行。但是，所述其他晶片接合方法通常包括可能導(dǎo)致MEMS器件損壞的高溫步驟。用于制造封裝的其他方法包含復(fù)雜的和耗費的步驟，這些方法在大規(guī)模制造中難以實施或者不必要地為封裝提高費用并且從而提高成本。

實用新型內(nèi)容本實用新型的任務(wù)因此是，說明一種具有至少一個MEMS器件的裝置，該裝置可用簡單和成本有利的方式來制造并且為MEMS器件實現(xiàn)了氣密的封裝。該任務(wù)根據(jù)本實用新型通過根據(jù)權(quán)利要求I的裝置來解決。本實用新型的有利構(gòu)型從其他權(quán)利要求中得出。提出對于所述裝置的封裝使用至少一個PFPE層作為密封體或覆蓋體，所述密封體或覆蓋體通過具有功能組的全氟聚醚的聚合獲得。MEMS器件在此可以布置在載體上并且在所述裝置中通過封裝相對于周圍環(huán)境得到保護(hù)。所述PFPE層在封裝中用作為密封層。在US 2007/0254278中，PFPE作為材料由于其化學(xué)惰性已經(jīng)被提議用于制造微結(jié)構(gòu)地在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中使用的所謂的微流體設(shè)備。PFPE層包括由全氟分叉或者不分叉的烷基鏈構(gòu)成的聚醚。聚醚可以在聚醚的氧橋之間包括不同長度的分叉或者不分叉的鏈環(huán)。同樣地，PFPE可以具有在醚橋上分叉的結(jié)構(gòu)。相對于環(huán)境影響密封的并且在本實用新型中使用的PFPE層優(yōu)選完全聚合并且三維交聯(lián)。這樣交聯(lián)的PFPE層可以從短鏈的“單體”中獲得，這些短鏈的“單體”在末端配備有可聚合或可交聯(lián)的功能組。優(yōu)選地，在交聯(lián)/聚合時形成碳-碳鍵，從而單體的功能組被相應(yīng)地選擇并且例如包括烯烴雙鍵?？梢杂糜谥圃霵FPE層的單體本身是全氟聚醚，其例如配備有甲基丙烯酸酯組作為可交聯(lián)的功能組。利用可交聯(lián)的苯乙烯組的功能化也是可能的。在聚醚的全氟烷基殘留上，PFPE層的聚合材料具有強疏水的特性并且因此實現(xiàn)了氣密密封層的構(gòu)造。該PFPE層此外與特氟龍(Teflon) 類似地是化學(xué)惰性的并且因此在腐蝕性環(huán)境中也不會被侵蝕。為MEMS器件的常用襯底材料構(gòu)造緊密和密封的連接并且因此可以良好地作為密封體以及連接或粘接層使用。另一優(yōu)點是，所述單體在室溫時是流體的并且不要求溶劑來進(jìn)行處理。因此，在完全聚合的情況下，PFPE層不導(dǎo)致氣體析出，在升高的溫度時也是如此。化學(xué)穩(wěn)定性此外與熱穩(wěn)定性相聯(lián)系，從而在升高的溫度時也可以沒有分解產(chǎn)物或者其他氣體析出從PFPE層 中漏出并且在此封裝的氣密性也不可能被破壞。PFPE層可以通過施加流體的單體而被施加到要密封或者要覆蓋的表面上并且接著借助于輻射被聚合。輻射/曝光可以利用掩模來進(jìn)行或者結(jié)構(gòu)化地進(jìn)行，使得聚合可以導(dǎo)致結(jié)構(gòu)化的PFPE層。然而還有可能的是，PFPE層在中間載體上被施加并且預(yù)先聚合或轉(zhuǎn)化到部分交聯(lián)的狀態(tài)中、必要時結(jié)構(gòu)化。接著，預(yù)先聚合或部分交聯(lián)的PFPE層——其于是例如具有凝膠狀的亞穩(wěn)定的一致性——被轉(zhuǎn)移到具有MEMS器件的裝置上。在那里，相對軟的部分交聯(lián)的PFPE層與基底上的不平坦匹配并且因此可以補償直至幾μ m高度的階梯或緊密地貼近這樣的階梯。PTFE層因此也可以用于使不平坦的表面平坦化并且因此代替附加的平坦化層。在通過輻射下的聚合而使PFPE層最終并且完全硬化之前，可以在第一 PFPE層上施加另外的PFPE層，該另外的PFPE層于是在硬化時與該第一層化學(xué)交聯(lián)。PFPE層在一種實施中大面積地施加在所述裝置上。在此，PFPE層至少覆蓋MEMS器件或者其器件結(jié)構(gòu)。如果MEMS器件安裝或者布置在載體上，則PFPE層優(yōu)選覆蓋MEMS器件和整個載體的至少部分。這于是在所述MEMS器件作為所謂的裸露MEMS器件安裝在襯底上時具有優(yōu)點。通過這種方式還可能的是，除了 MEMS器件還一起覆蓋布置在襯底上的其他器件。在另一實施中，對PFPE層進(jìn)行結(jié)構(gòu)化。所述PFPE層可以在該形式中位于載體和MEMS器件上或者僅位于MEMS器件或載體上，覆蓋所述裝置的僅僅一部分。在一種實施中，PFPE層結(jié)構(gòu)化地布置位于MEMS器件或者載體上并且是用于覆蓋體的密封的中間隔層(Zwischenlage)。除了載體或MEMS器件與覆蓋體之間的密封功能以夕卜，所述中間隔層還可以滿足連接和粘接功能，尤其是當(dāng)在制造所述裝置時作為最后一步將PFPE層施加到襯底或者載體上之后PFPE層在襯底或載體上進(jìn)行完全交聯(lián)時。在此，產(chǎn)生PFPE層到常見載體和襯底材料、尤其是到陶瓷、壓電晶體以及到金屬和玻璃的固定連接。位于作為中間隔層的PFPE層上的覆蓋體因此可以包括陶瓷或結(jié)晶材料的板或者小板。對于其特性可受到機械張力損害的特別敏感的MEMS器件來說，當(dāng)MEMS器件的襯底或者載體包括與覆蓋體相同的結(jié)晶或陶瓷材料時，獲得變形特別小的封裝。當(dāng)PFPE層框形地結(jié)構(gòu)化并且在此構(gòu)造用于覆蓋體的實現(xiàn)空腔的間隔結(jié)構(gòu)時，PFPE層可以特別有利地構(gòu)造為中間隔層?？蛐谓Y(jié)構(gòu)化的PFPE層可以布置在MEMS器件的表面上并且包圍器件的器件結(jié)構(gòu)或者該PFPE層可以布置在載體的表面上并且至少包圍整個MEMS器件。所述覆蓋體于是密封地布置在框形結(jié)構(gòu)化的PFPE層上并且與該PFPE層固定連接，使得在覆蓋體、PFPE層與MEMS器件或載體的表面之間構(gòu)造氣密密封的空腔。PFPE層可以包圍至少第一和第二結(jié)構(gòu)化的部分層，這兩個層相疊并且彼此化學(xué)連接。第一和第二 PFPE層于是可以構(gòu)造三維結(jié)構(gòu)。在一個實施中，PFPE層構(gòu)造了罩形式的三維結(jié)構(gòu),所述罩在一側(cè)具有開放的凹槽,所述凹槽在罩被放到載體或MEMS器件上時包圍用于MEMS器件結(jié)構(gòu)或者用于MEMS器件的空腔。所述罩于是密封地放在MEMS器件或者載體上并且因此保護(hù)MEMS器件或其器件結(jié)構(gòu)免受環(huán)境影響。部分層可以在此被施加并且被結(jié)構(gòu)化，然后在該部分層上產(chǎn)生和結(jié)構(gòu)化下一部分層。通過這種方式實現(xiàn)了，產(chǎn)生由不同結(jié)構(gòu)化的和相疊布置的部分層構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)。PFPE層的三維結(jié)構(gòu)可以在一側(cè)上具有多個凹槽，這實現(xiàn)了對相應(yīng)數(shù)量的空腔的構(gòu)造，在這些空腔中于是分別布置要封裝的或要氣密密封的器件。每個元件可以是MEMS器件·或者另一要密封的器件或者其一部分。PFPE層也可以大面積地作為密封層施加在以倒裝芯片技術(shù)安裝在載體上的MEMS器件上。所述MEMS器件可以被選擇為微機械開關(guān)、可變電容器、傳感器(例如壓力傳感器或話筒)、或者用聲波工作的器件(如SAW(=surface acoustic wave,表面聲波)、BAW(=bulkacoustic wave,體聲波)或者 GBAW (=guided acoustic wave,引導(dǎo)聲波)器件)。其他 MEMS器件也是適合的。在載體上可以設(shè)置另外的器件，這些器件與MEMS器件和共同的密封體一起被密封。但是還可能的是，這些器件中的僅僅單個器件用PFPE層來密封或者恰好只有MEMS器件用PFPE層來密封。附加的器件可以是半導(dǎo)體器件、MEMS器件或者無源器件或者集成地包括無源和有源器件的模塊。集成的無源器件例如可以用多層結(jié)構(gòu)的形式構(gòu)造，其中結(jié)構(gòu)化的金屬層交替地用介電并且尤其是陶瓷層布置。金屬化部平面之間的貫通接觸部提供電連接，使得多個無源的器件結(jié)構(gòu)可以集成在這樣的器件中。用于密封和屏蔽目的的另外的覆蓋層可以直接構(gòu)造在覆蓋PFPE層上。這種另外的覆蓋層優(yōu)選是可以用薄層方法施加并且具有氣密特性的覆蓋層。因此，例如金屬層或者由氣相沉積的介電層——例如氧化物層、氮化物層和類似物——適合作為另外的覆蓋層?？赡艿倪€有，PFPE層布置在由其他材料構(gòu)造的第一覆蓋層上。第一覆蓋層例如可以是用于MEMS器件的本身已知的薄膜封裝的最上層，也已知為零級封裝(Zero LevelPackage)。在這種封裝中，借助于薄膜方法產(chǎn)生這樣的層構(gòu)造，該層構(gòu)造包括用于敏感MEMS器件結(jié)構(gòu)的空腔。所述空腔例如可以由犧牲層產(chǎn)生，所述犧牲層與所提到的第一覆蓋層相疊。通過優(yōu)選側(cè)向的蝕刻開孔或者通道，犧牲層的材料可以被剝離或者蝕刻除去。所述蝕刻開孔或者通道然后可以被封閉。PTFE層可以用作為封閉層。在一個實施中，MEMS器件是HF器件，例如HF濾波器。所述裝置的可能制造至少包括將PFPE層施加到MEMS器件或者載體上的步驟，其中所述PFPE層除了配備可交聯(lián)組的全氟聚醚以外還包含光引發(fā)劑(Fotoinitiator)。另一制造步驟包括借助于輻射、例如借助于UV光來交聯(lián)PFPE層。所述交聯(lián)可以通過聚合可交聯(lián)的烯烴組、例如苯乙烯或甲基丙烯酸酯組來進(jìn)行。所述交聯(lián)可以直接在所述裝置上進(jìn)行。但是可能的還有，所述交聯(lián)被分成多個子步驟，其中除了最后一個子步驟之外的所有子步驟都導(dǎo)致PFPE層的不完全的交聯(lián)。分成子步驟所具有的優(yōu)點是，通過這種方式可以相疊地施加并且稍后彼此連接多個可以不同地結(jié)構(gòu)化的部分層。在借助于足夠的輻射持續(xù)時間或輻射強度達(dá)到完全交聯(lián)的最后一步中，也產(chǎn)生了 PFPE層到所有材料的良好連接，這些材料在所述裝置中與PFPE層緊密接觸。

下面根據(jù)實施例和所屬附圖進(jìn)一步闡述本實用新型。這些圖僅僅是示意性的并且不按照正確比例來實施，從而不能從圖中獲得絕對的或相對的尺寸。圖IA至ID示出在載體和PFPE層上具有MEMS器件的不同裝置，圖2A至2C示出MEMS器件的不同裝置，其中覆蓋體直接放在MEMS器件上，圖3A至3E示出在載體和包括PFPE層的覆蓋體上具有多個器件的裝置的不同實施，圖4A至4C示出具有SAW器件的本實用新型裝置。
具體實施方式
圖IA示出本實用新型裝置的簡單實施，其中MEMS器件MB以倒裝芯片裝置的形式安裝在載體TR上。電和機械固定通過凸點(Bump)、例如通過焊料凸點或者釘頭凸點進(jìn)行。所述凸點在此也起到間隔保持器的作用，從而在載體TR與MEMS器件MB之間保留間隙并且MEMS器件的朝下的移動的或振動的器件結(jié)構(gòu)可以在機械上不受損傷地工作。為了相對于環(huán)境影響對MEMS器件MB進(jìn)行密封，在MEMS器件MB的上側(cè)上布置構(gòu)造為覆蓋層AS的PFPE層。該覆蓋層與MEMS器件MB的邊沿重疊并且用載體TR封閉。該PFPE層PS利用常規(guī)的載體材料——例如利用陶瓷、玻璃或者金屬——達(dá)到緊密的、密封的和牢固的連接，從而利用這樣的覆蓋層AS為MEMS器件產(chǎn)生了氣密密封的和具有空腔HR的空腔殼體。同時在側(cè)面密封了所述間隙，從而在PFPE層PS下方在載體TR與MEMS器件MB之間構(gòu)造了密封的空腔HR。圖IB示出另一裝置，其中MEMS器件MB再次安裝在載體上。該MEMS器件用覆蓋罩AK覆蓋并且在此構(gòu)造空腔HR，在該空腔中布置MEMS裝置MB。為了對空腔HR進(jìn)行可靠的密封，在覆蓋罩AK與載體TR之間布置有結(jié)構(gòu)化的中間層(Zwischenschicht)ZS，該中間層包括PFPE層PS或者由PFPE層PS構(gòu)成。該覆蓋罩AK可以由機械上足夠牢固的和可結(jié)構(gòu)化的材料構(gòu)成。優(yōu)選地，該覆蓋罩AK由覆蓋晶片結(jié)構(gòu)化，例如由玻璃或者陶瓷板由半導(dǎo)體晶體或者任意其他材料作為固體可結(jié)構(gòu)化的材料。這所具有的優(yōu)點是，通過這種方式可以由覆蓋晶片、例如通過在覆蓋晶片的底側(cè)中構(gòu)造相應(yīng)的凹槽結(jié)構(gòu)化出多個覆蓋罩，這些覆蓋罩然后根據(jù)使用放在多個MEMS器件上并且在完全工藝化之后才被分隔成各個器件。構(gòu)造為中間層ZS的PFPE成PS可以在載體TR上或者在覆蓋罩AK的底側(cè)上被結(jié)構(gòu)化或者作為已經(jīng)被結(jié)構(gòu)化的層施加在載體TR或覆蓋晶片上。[0045]圖IC示出裝置的另一實施，其中MEMS器件MB安裝在載體TR上。經(jīng)過結(jié)構(gòu)化的PFPE層PS構(gòu)造了中間層ZS，該中間層ZS在載體TR上包圍MEMS器件并且同時構(gòu)造了間隔元件，構(gòu)造為覆蓋晶片AW的覆蓋體位于該間隔元件上。該實施所具有的優(yōu)點是，該覆蓋晶片不必被結(jié)構(gòu)化并且可以作為平坦和薄的晶片放上。僅僅對中間層ZS結(jié)構(gòu)化，這又可以直接在載體TR上、直接在覆蓋晶片AW上或者與這兩部分分開地通過在載體與覆蓋晶片之間對PFPE層及其后來的布置進(jìn)行單獨的部分交聯(lián)來進(jìn)行。當(dāng)中間層ZS的高度大于MEMS器件在載體TR表面上的高度時，這里也保證了足夠的空腔HR。圖ID示出載體上的MEMS器件MB，該MEMS器件用PFPE層PS覆蓋，該PFPE層被構(gòu)造為覆蓋罩AK。這種覆蓋罩AK可以由PFPE層的多個部分層構(gòu)成，這些部分層被單個結(jié)構(gòu)化并且在最后的交聯(lián)中彼此連接成三維結(jié)構(gòu)、即同樣連接成覆蓋罩。在根據(jù)圖IB至ID的實施中，可以保持開放的是，以何種精確程度將MEMS器件安 裝在載體TR上。該MEMS器件可以被粘上、焊上或者以倒裝芯片結(jié)構(gòu)方式與載體連接。在前兩個變型中，至載體TR的電連接可以借助于接合線進(jìn)行。還可以有以SMD技術(shù)的安裝。圖2A至2C示出本實用新型的裝置的不同實施，其中器件結(jié)構(gòu)的密封直接在MEMS器件MB上進(jìn)行并且因此可以已經(jīng)在MEMS晶片層上進(jìn)行，也就是在分隔MEMS器件之前進(jìn)行。在這些圖中，MEMS器件布置在載體TR上，但是也可以在沒有載體的情況下示出根據(jù)本實用新型的完整的裝置。在圖2A中，在MEMS器件MB上布置覆蓋罩AK，該覆蓋罩包括PFPE層PS。覆蓋罩AK在其下方包圍空腔HR，在該空腔中布置器件結(jié)構(gòu)BES并且所述器件結(jié)構(gòu)因此可以不受干擾地工作。覆蓋罩AK可以完全由PFPE層PS構(gòu)成，或者可以包括PFPE層作為部分層。尤其是可以在PFPE層PS下方布置另一材料的另外的層。可能的是，例如PFPE層是薄膜封裝的最上面的密封層，該薄膜封裝也已知為零級封裝。對于這樣集成制造的并且為MEMS器件結(jié)構(gòu)保留空腔HR的封裝來說，已知有不同的方法。在晶片層封裝中，可以包封多個在MEMS晶片上預(yù)先結(jié)構(gòu)化的MEMS器件或與配備用于覆蓋罩AK的或與配備凹槽的PFPE層PS —起包封MEMS器件結(jié)構(gòu)。在分隔MEMS器件之后，每個MEMS器件都具有自己的覆蓋罩AK。圖2B示出借助于直接放在MEMS器件MB上的被結(jié)構(gòu)化為中間層ZS的PFPE層對器件結(jié)構(gòu)BES的覆蓋，該PFPE層構(gòu)造了圍繞器件結(jié)構(gòu)BES的框并且構(gòu)造為覆蓋晶片AW的覆蓋體位于該PFPE層上。這里，中間層ZS也充當(dāng)間隔保持器，使得在MEMS器件MB與覆蓋晶片AW之間構(gòu)造有用于器件結(jié)構(gòu)BES的空腔HR。圖2C示出具有MEMS器件MB的裝置，其中器件結(jié)構(gòu)BES用結(jié)構(gòu)化的覆蓋罩AK覆蓋，該覆蓋罩AK例如由硬的、優(yōu)選陶瓷的或者結(jié)晶的材料構(gòu)造。結(jié)構(gòu)化為中間層ZS的PFPE層PS布置在覆蓋罩AK與MEMS器件MB的表面之間并且負(fù)責(zé)所述罩下的空腔HR的密封封閉。圖3A至3E示出所述裝置的實施，其中MEMS器件和至少一個另外的器件WB布置在載體TR上。根據(jù)圖3A，這兩個器件用共同的覆蓋層AS覆蓋，該覆蓋層包括PFPE層作為唯一的層或者作為層復(fù)合體的部分層。該覆蓋層AS環(huán)繞這些器件與載體RS密封地進(jìn)行封閉并且因此負(fù)責(zé)載體上器件的密封包封。在根據(jù)圖3B的實施中，只有MEMS器件MB由覆蓋層AS覆蓋。圖3C示出一種裝置，其中MEMS器件MB和另一器件WB集成在一個封裝中，該封裝由中間隔層ZS和尤其是覆蓋晶片AW的覆蓋體構(gòu)成。中間隔層ZS由PFPE層PS結(jié)構(gòu)化，放在載體TR上并且框形地包圍器件。該中間隔層ZL同時用作為間隔保持器和用于優(yōu)選硬的覆蓋體AW的支架，從而在中間層中構(gòu)成的每個框與覆蓋體一起包圍用于相應(yīng)的器件的空腔HR。圖3D示出一種裝置，其中結(jié)構(gòu)化的PFPE層PS作為密封的中間隔層ZS布置在覆蓋體、例如結(jié)構(gòu)化的覆蓋晶片AW與載體之間。在覆蓋體AW下方分別包圍有用于相應(yīng)的器件MB、WB的空腔HR，該空腔主要由覆蓋體中的凹槽構(gòu)成。圖3E示出一種裝置，其中具有凹槽的結(jié)構(gòu)化的覆蓋體AW完全由PFPE層構(gòu)成，該 PFPE層直接放在載體上。在這里可以放棄中間隔層。覆蓋體AW可以由多個結(jié)構(gòu)化的部分層構(gòu)造。圖4A示出一種裝置，其中詳細(xì)示出結(jié)構(gòu)和載體TR的可能功能。載體TR由介電層多層地構(gòu)造，在這些介電層之間布置結(jié)構(gòu)化的金屬化平面。不同的金屬化平面通過貫通接觸部彼此連接。在載體TR的上側(cè)上，設(shè)置用于MEMS部件MB和必要時另外的器件的連接金屬化部。在載體TR的底側(cè)上設(shè)置外部接觸部KA，借助于所述外部接觸部KA，該裝置可以與電路環(huán)境例如通過焊接來連接。MEMS器件MB經(jīng)由凸點與載體TR的電連接面機械和電連接。器件結(jié)構(gòu)BES朝下并且布置在載體TR的表面與MEMS器件MB之間的在那里保留的窄的間隙中。在側(cè)面，MEMS器件與載體TR之間的間隙借助于覆蓋層AS密封，該覆蓋層AS大面積地放在MEMS器件和載體的上側(cè)上并且由PFPE層PS構(gòu)造。該覆蓋層AS可以利用近似統(tǒng)一的層厚度并且與表面共形地(oberfIjichenkonform)來施加。但是,覆蓋層AS也可以以更大的層厚度來施加，例如以直至達(dá)到MEMS器件的上棱的層厚度來施加，使得MEMS器件實際上被包埋在覆蓋層AS以下。MEMS器件在這里示出為SAW器件，其包括壓電襯底和金屬器件結(jié)構(gòu)以及襯底底側(cè)上的連接墊。但是，MEMS器件也可以是BAW器件，其中具有BAW諧振器的層結(jié)構(gòu)構(gòu)造在包括例如結(jié)晶硅的襯底的表面上。該MEMS器件也可以是GBAW器件，其中類似于SAW的器件結(jié)構(gòu)利用附加的層來覆蓋。圖4B示出另一構(gòu)型，其中相對薄地由PFPE層PS構(gòu)造的覆蓋層AS配備有另一覆蓋層WA，該另一覆蓋層WA在這里例如作為澆注材料施加，其完全覆蓋MEMS器件并且具有平坦表面。這樣的另一覆蓋體WA例如可以作為澆注材料并且例如通過壓鑄來施加。圖4C示出裝置的另一構(gòu)型，該裝置具有施加在覆蓋層AS上的、薄的并且與表面共形地施加的層形式的另一覆蓋體WA。這樣的薄層優(yōu)選借助于來自氣相的薄層方法來施加，例如借助于CVD方法、等離子體沉積方法或者噴濺。所述薄層可以包括例如SiO2或者另一介電材料。還可能的是，施加作為金屬層的另外的覆蓋層WA并且為此從溶液中沉積出該覆蓋層。還可能的是，施加來自氣相的基礎(chǔ)金屬化部并且將該基礎(chǔ)金屬化部在溶液中電鍍地或者無電流地強化。另一金屬覆蓋層WA可以用于電磁屏蔽。金屬層還可以提高整個封裝的穩(wěn)定性并且因此提高要求。本實用新型不限于在圖中所示和所描述的實施例。但是，所有這些實施都是一般性的，即裝置的密封通過MEMS器件的封裝借助于PFPE層來進(jìn)行。該PFPE層可以進(jìn)行唯一的密封和覆蓋或者可以如所述那樣構(gòu)造為中間層或者連接層。本實用新型的裝置也可以包括所述或者所示實施例的子組合。附圖標(biāo)記列表MB MEMS 器件TR 載體PS PFPE 層·[0072]ZS 密封的中間層Aff 覆蓋晶片BES MEMS 器件結(jié)構(gòu)HR 空腔AK 覆蓋罩WA 另外的覆蓋層(金屬層、介電層)AS 覆蓋層Bff 另外的器件
權(quán)利要求1.具有至少一個MEMS器件的裝置， -包括至少包圍MEMS器件并且相對于周圍環(huán)境密封的封裝， -其中所述封裝作為密封體包括由借助于功能組聚合的全氟聚醚構(gòu)成的PFPE層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的裝置， 其中所述PFPE層被結(jié)構(gòu)化并且覆蓋所述裝置的一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2的裝置， 其中所述MEMS器件布置在載體上， 其中所述PFPE層大面積地覆蓋所述MEMS器件，至少部分地位于所述載體上并且相對于載體密封MEMS器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的裝置， 其中所述PFPE層經(jīng)結(jié)構(gòu)化地施加在MEMS器件或者載體上并且為布置在所述PFPE層上的覆蓋體構(gòu)造密封的中間隔層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的裝置， 其中所述覆蓋體包括陶瓷或者結(jié)晶材料的板或小板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5的裝置， 其中所述MEMS器件或者所述載體與所述覆蓋體包括相同的結(jié)晶或者陶瓷材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求I一 6之一的裝置， 其中所述PFPE層被框形地結(jié)構(gòu)化，并且要么位于MEMS器件的表面上并且包圍所述MEMS器件的器件結(jié)構(gòu)，要么位于載體的表面上并且包圍至少所述MEMS器件，并且其中所述覆蓋體密封地位于框形結(jié)構(gòu)化的PFPE層上，使得在覆蓋體、PFPE層與MEMS器件或載體的表面之間構(gòu)造空腔。
8.根據(jù)權(quán)利要求I一 7之一的裝置， 其中所述PFPE層被結(jié)構(gòu)化并且至少包括第一和第二結(jié)構(gòu)化的部分層， 其中所述第二結(jié)構(gòu)化的部分層位于第一部分層上并且化學(xué)地與該第一部分層連接， 其中第一和第二 PFPE部分層一起構(gòu)造三維結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的裝置， 其中所述三維結(jié)構(gòu)構(gòu)造罩的形式，在該罩中定義一側(cè)打開的凹槽，其中所述罩相對于MEMS器件或者載體的表面密封地放在所述MEMS器件上或者所述載體上，使得器件結(jié)構(gòu)或者整個MEMS器件都布置在凹槽中并且相對于環(huán)境影響得到保護(hù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9的裝置， 其中所述三維結(jié)構(gòu)在一側(cè)具有多個凹槽，在所述凹槽中分別布置器件或者M(jìn)EMS器件的器件結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求I一 10之一的裝置， 其中所述PTFE層大面積地作為密封層施加在以倒裝芯片技術(shù)安裝在載體上的MEMS器件上。
12.根據(jù)權(quán)利要求I一 11之一的裝置， 其中在載體上設(shè)置另外的器件并且借助于大面積的或者結(jié)構(gòu)化的PTFE層對所述器件中的至少一個進(jìn)行密封。
13.根據(jù)權(quán)利要求I一 12之一的裝置，其中所述PTFE層覆蓋MEMS器件或者該MEMS器件的器件結(jié)構(gòu)， 其中直接在PTFE層上使用用于密封或屏蔽目的的另外的覆蓋層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的裝置， 其中所述另外的覆蓋層是金屬層或者由氣相沉積的介電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求I一 14之一的裝置， 其中所述MEMS器件是具有移動部分的微結(jié)構(gòu)化的機電器件、傳感器或者用聲波工作的器件。
16.根據(jù)權(quán)利要求I一 15之一的裝置， 其中所述MEMS器件是HF器件。
17.根據(jù)權(quán)利要求I一 16之一的裝置， 其中PTFE層的功能組是交聯(lián)的甲基丙烯酸酯組。
專利摘要具有MEMS器件的裝置。提出一種裝置和用于具有至少一個MEMS器件的裝置的制造方法，所述裝置包括封裝，該封裝密封地包圍MEMS器件并且相對于環(huán)境影響密封。該封裝作為密封體包括借助于功能組聚合的全氟聚醚構(gòu)成的PFPE層。
文檔編號B81B7/00GK202705026SQ201220233459
公開日2013年1月30日 申請日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月23日
發(fā)明者G.亨 申請人:埃普科斯股份有限公司