專利名稱：功能化微機(jī)械器件中所含流體管道的方法、含其的微機(jī)械器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于使一個(gè)或多個(gè)流體管道功能化的方法，所述流體管道覆蓋有例如由硅制成的不透明壁。本發(fā)明還涉及一種包含能被功能化的流體管道的器件，并且還涉及它們的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
在下文的描述中，表述“流體管道”應(yīng)理解意為包括外圍壁的管狀結(jié)構(gòu)，該外圍壁橫向限定流體能在其中循環(huán)的空間，并且包括入口和出口。流體管道的橫剖面能為任何恒定的或不沿著管道的形狀(圓形、多邊形等)。毛細(xì)管、導(dǎo)管、管路都是本發(fā)明中使用的流體管道概念的同義詞。表面的功能化(functionalization)是將一個(gè)或多個(gè)興趣分子緊固到表面上,從而它/它們保留它/它們的所有或部分性質(zhì)的操作。因此，表面的功能化以興趣分子及用于將它緊固到表面上的相關(guān)方法都能提供為前提。在現(xiàn)有技術(shù)中已知若干類型的表面功能化方法。傳統(tǒng)地，它們主要是通過化學(xué)反應(yīng)使將被功能化的表面修飾，該化學(xué)反應(yīng)旨在產(chǎn)生關(guān)于探針分子能被再活化的官能團(tuán)。然后所述探針分子用于識(shí)別靶體，最終檢測靶體的出現(xiàn)。在這些表面功能化中遇到的主要困難在于反應(yīng)性化學(xué)官能團(tuán)的選擇，使這些官能團(tuán)結(jié)合以實(shí)現(xiàn)使探針在支撐物(support)表面上不動(dòng)。例如，必須考慮支撐物表面的化學(xué)特性。在硅基底的情況下，廣泛使用硅烷類分子。然后使用表現(xiàn)出能通過表面的硅烷醇和可以或不可以被可能經(jīng)化學(xué)修飾過的探針分子掩蓋的反應(yīng)性官能團(tuán)與由硅制成的支撐物反應(yīng)的硅烷官能團(tuán)。一旦將硅烷固定在支撐物的表面上，通過利用互補(bǔ)的反應(yīng)性官能團(tuán)使上述探針分子定位于硅烷分子上。為了在例如由硅制成的支撐物上限定必須經(jīng)歷功能化的區(qū)域，傳統(tǒng)地利用通過自動(dòng)機(jī)(或“點(diǎn)射(spotting)”)的局部反應(yīng)的技術(shù)，該技術(shù)能精確定位硅烷的噴射以及因此限定通過不同特性的硅烷功能化的連續(xù)區(qū)域和孤立區(qū)域。盡管如此，在點(diǎn)射不能到達(dá)的支撐物表面的情況下不能考慮該技術(shù)，特別是在旨在使位于密封腔體內(nèi)表面上的表面區(qū)域離散的情況下。使用這種假設(shè)，能提供例如，在將支撐物放入更復(fù)雜的器件中之前局部改變支撐物表面的可潤濕性以隨后優(yōu)選地將包括硅烷的試劑導(dǎo)向可潤濕性的改性區(qū)域。此外，能通過引入電連接的并且能用于電嫁接的金屬觸點(diǎn)來修飾支撐物表面。然而，上述技術(shù)需要對(duì)表面的結(jié)構(gòu)進(jìn)行顯著的修飾，增加了已經(jīng)足夠復(fù)雜的微機(jī)械器件的生產(chǎn)的復(fù)雜性。還存在具有被光致變性的基團(tuán)掩蓋的官能團(tuán)的硅烷。固定到支撐物表面上后，所述硅烷被去保護(hù)以釋放官能團(tuán)，該官能團(tuán)自身對(duì)于由探針分子攜帶的互補(bǔ)官能團(tuán)是反應(yīng)性的。通過利用選擇性曝光(insolation),光去保護(hù)(photodeprotection)能被局部化并且能區(qū)分支撐物表面上的區(qū)域。使用這種類型的硅烷，應(yīng)該明白需要使表面容易獲得曝光條件，由此當(dāng)將被選擇性功能化的表面形成閉合腔體的部分，且該閉合腔體的壁是不透明的，例如由硅制成或由另一種不透明材料制成時(shí)，出現(xiàn)問題。大部分通過已知的光化學(xué)裝置功能化的方法應(yīng)用于直接光照進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)的平面表面的功能化。因?yàn)樯鲜霰砻娴墓庹帐侵苯拥?，支撐物的特性僅涉及化學(xué)反應(yīng)本身，而不涉及通過光照活化它的可能性。因此使用的支撐物能由塑料、玻璃、硅或任何其他不透明的材料制成。毛細(xì)管形式或通道形式的閉合腔體(例如流體管道)的內(nèi)部或管狀支撐物的內(nèi)部的功能化需要使用對(duì)光照透明的材料。事實(shí)上，為光照流體管道的內(nèi)表面，光必須穿過壁，這構(gòu)成間接光照表面。其中，一種用于使其中具有毛細(xì)管形式的基底功能化的方法已經(jīng)在文件W02006/024722中描述。通過利用紫外燈曝光將化合物的反應(yīng)性官能團(tuán)去保護(hù)，然后使毛細(xì)管的活化表面與興趣生物分子的溶液接觸，產(chǎn)生毛細(xì)管的功能化。充分活化的毛細(xì)管必須由玻璃制成并且對(duì)UV光透明。總之，因此在如微機(jī)械器件中能遇到的，在閉合腔體內(nèi)，特別是在覆蓋有硅層或其他不透明材料的流體管道內(nèi)，不能考慮將標(biāo)準(zhǔn)的功能化技術(shù)用于局部嫁接興趣分子(例如，探針)。這些器件例如從文件FR2931549中已知。因此，需要提出一種有效的方法能使流體管道或通道功能化，該流體管道或通道包括至少一層不透明層的壁，即在本發(fā)明中該層對(duì)光去保護(hù)的光(通常為紫外光)不透明，該壁可以或可不包含在諸如申請(qǐng)F(tuán)R2931549中描述的那種器件的器件中。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種用于使流體管道功能化的方法，所述流體管道的壁包括不透明層。因此，本發(fā)明的主題是一種用于使設(shè)置有流體管道的微機(jī)械器件功能化的方法，所述流體管道包括外圍壁，所述外圍壁具有在所述管道外部的表面和內(nèi)表面，所述內(nèi)表面限定流體能在其中循環(huán)的空間，所述外圍壁至少部分地包括硅層；其特征在于，所述方法包括下列步驟a)提供器件，所述器件的外圍壁至少部分地包括至少局部具有大于IOOnm且小于200nm，有利地具有160 180nm之間厚度的硅層；c)至少硅烷化所述流體管道的內(nèi)表面；d)通過在具有大于IOOnm且小于200nm，有利地具有160 180nm之間的厚度的點(diǎn)處曝光所述外圍壁，而至少在硅烷化的器件的內(nèi)表面上局部地選擇性光去保護(hù)。按照慣例，上述步驟按字母順序進(jìn)行。有利地，所述方法可包括步驟b):至少水化所述流體管道的內(nèi)表面。有利地，所述器件是微機(jī)械器件，諸如以用作重量傳感器的共振器為例。根據(jù)本發(fā)明的方法的具體特征，在硅烷化步驟前，水化所述流體管道的內(nèi)表面。水化步驟可包括將所述器件浸入基于醇和金屬氫氧化物的溶液或醇酸溶液中。根據(jù)本發(fā)明另一發(fā)展，在硅烷化前，所述流體管道的內(nèi)表面通過氧等離子體處理。根據(jù)本發(fā)明的具體特征，硅烷化步驟可包括將所述器件浸入含光敏硅烷的溶液中。在所述娃燒化步驟中使用的娃燒可以是光敏輕基胺娃燒(oxyaminesilane)。根據(jù)本發(fā)明，表述“光敏硅烷”應(yīng)理解意為包括能與硅類表面反應(yīng)的硅烷化基團(tuán)和保護(hù)用于嫁接探針分子的反應(yīng)性官能團(tuán)的光致不穩(wěn)定基團(tuán)的硅烷類分子。根據(jù)本發(fā)明的方法的其他具體特征所述曝光能通過紫外燈產(chǎn)生。優(yōu)選該燈具有100W的功率，和20 25mW/cm2，優(yōu)選大約24mW/cm2的強(qiáng)度；曝光能連續(xù)或同時(shí)進(jìn)行；曝光時(shí)間通常在5 30秒之間；連續(xù)曝光能用穿過寬度能調(diào)節(jié)的機(jī)械孔徑的紫外光線產(chǎn)生；連續(xù)曝光或同時(shí)曝光能在覆蓋有對(duì)硅烷的照射波長不透過的圖案層的器件上產(chǎn)生；連續(xù)曝光或同時(shí)曝光能通過利用包括能過濾UV光的微米圖案的石英光刻掩模產(chǎn)生；連續(xù)曝光或同時(shí)曝光能通過與不透明圖案掩模組合使用光刻掩模產(chǎn)生；通過光刻掩?；蛲ㄟ^不透明圖案曝光能同時(shí)以定模板(solid plate)產(chǎn)生。根據(jù)另一實(shí)施方式，本發(fā)明的方法還包括通過使由將被嫁接的分子和硅烷攜帶的成對(duì)的化學(xué)官能團(tuán)結(jié)合(implement),將至少一個(gè)分子嫁接到固定在流體管道的至少一個(gè)表面上的硅烷上的步驟。換句話說，去保護(hù)的硅烷能與化學(xué)修飾或未化學(xué)修飾的探針分子反應(yīng)以使所述探針分子在所述流體管道的內(nèi)表面上固定。根據(jù)本發(fā)明的方法的其他特征將被嫁接的分子可以是選自核酸、脂質(zhì)和/或蛋白質(zhì)的大分子；將被嫁接的分子可以是低聚核苷酸類探針。根據(jù)又一實(shí)施方式，本發(fā)明的方法還可包括雜化步驟，隨后是熒光模式讀取步驟。根據(jù)又一實(shí)施方式，本發(fā)明的方法還可包括雜化步驟，隨后是雜化的檢測和/或表征步驟。具體地，該檢測步驟能利用電子裝置完成。本發(fā)明的另一目的是提供一種包含流體管道的微機(jī)械器件，所述流體管道的壁至少部分地包括不透明材料層，并且所述流體管道能通過本發(fā)明的方法功能化。因此，本發(fā)明的另一主題是提供一種能通過本發(fā)明的方法功能化的微機(jī)械器件，所述器件設(shè)置有包括外圍壁的流體管道，所述外圍壁具有在所述管道外部的表面和內(nèi)表面，所述內(nèi)表面限定流體能在其中循環(huán)的空間，所述外圍壁至少部分地包括至少局部具有大于IOOnm且小于200nm,優(yōu)選具有160 180nm之間的厚度的娃層，并且所述內(nèi)表面被娃烷化。根據(jù)所述器件的其他特征硅烷化的內(nèi)表面在壁的厚度大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選在160 180nm之間的點(diǎn)處可至少局部地去保護(hù)；局部地去保護(hù)的硅烷化的內(nèi)表面可包括嫁接的分子；
所述嫁接的分子可以是探針。術(shù)語“探針”應(yīng)理解意為適合檢測特定靶體的分子。根據(jù)具體的實(shí)施方式，本發(fā)明的器件可為用于流體介質(zhì)中顆粒的重量檢測，所述器件包括平面電機(jī)械振蕩器、振蕩器支撐裝置以及用于驅(qū)動(dòng)(actuate)所述振蕩器的裝置，所述裝置設(shè)置為確保所述振蕩器的振動(dòng)；所述器件還包括用于流體流過的通道；所述電機(jī)械振蕩器包括流體連接到所述通道的上游和下游的貫通的(through)流體管道；所述管道具有限定流體能在其中循環(huán)的空間的內(nèi)表面，并且至少部分地由外圍壁限定；所述外圍壁包括至少局部具有大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選具有160 180nm之間的厚度的硅層。根據(jù)所述器件的具體特征硅烷化的內(nèi)表面在壁的厚度大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選在160 180nm之間的
點(diǎn)處可至少局部地去保護(hù)；局部去保護(hù)的硅烷化的內(nèi)表面可包括通過使分子與硅烷的光去保護(hù)官能團(tuán)接觸而嫁接的所述分子；嫁接的分子可以是探針；電機(jī)械振蕩器可具有選自盤、環(huán)以及多邊形，優(yōu)選正方形的形狀；所述振蕩器可為正方形形狀，并具有使寬度與厚度的比值在10 30之間，優(yōu)選為10的寬度和厚度；所述電機(jī)械振蕩器可得自由多晶材料制成的基底的層；所述電機(jī)械振蕩器可優(yōu)選得自由單晶材料制成的基底；所述基底可以是硅基的；所述電機(jī)械振蕩器可包括或可得自通過VPD (氣相沉積)、蒸鍍或電解增長法(electrolytic growth method)沉積的金屬；所述振蕩器的貫通的流體管道和/或所述通道包含橫截面具有選自圓形、橢圓形以及多邊形形狀的柱狀物；包括硅層的所述外圍壁可包括金屬材料，以為了能以示蹤形式通過換能(壓電金屬、電容、熱彈性)檢測的目的。有利地，所述金屬材料可具有用于光去保護(hù)的掩模功能以及在本發(fā)明上下文中的檢測功能。本發(fā)明還涉及一種用于生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明的器件的方法，所述方法包括下列步驟選擇基底，所述基底適用于設(shè)想的重量檢測，所述基底至少部分地包括硅層；由所述基底生產(chǎn)平面的且至少部分地包括硅層的電機(jī)械振蕩器；在所述振蕩器內(nèi)生產(chǎn)流體管道，使得至少部分地包括所述硅層的壁至少局部地具有大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選160 180nm之間的厚度；生產(chǎn)用于流體流過的通道,將所述通道流體連接(fluidically connected)到形成在振蕩器中的所述流體管道；至少硅烷化所述流體管道的內(nèi)表面。本發(fā)明還涉及一種用于通過光化學(xué)功能化設(shè)置有至少一個(gè)流體管道的器件的方法的用途，所述流體管道具有至少部分地對(duì)曝光使用的波長不透過的壁，所述曝光是為了觸發(fā)光化學(xué)反應(yīng)，其中，所述器件設(shè)置有流體管道，所述流體管道的外圍壁至少部分地包括至少局部具有大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選160 180nm之間厚度的硅層。


本發(fā)明的其他特征將在參考附圖的下列詳細(xì)描述中列舉，這些附圖分別顯示圖1是包括流體管道的器件的一部分的截面示意圖，所述流體管道能根據(jù)本發(fā)明的方法功能化；圖2是連續(xù)曝光中的與圖1的器件類似的器件的截面示意圖(圖2b)和平面圖(圖 2a);圖3是連續(xù)曝光中的與圖1的器件類似的器件的截面示意圖(圖3b)和平面圖(圖3a)，在該連續(xù)曝光中使用不透明圖案掩模；圖4是連續(xù)曝光中的與圖1的器件類似的器件的截面示意圖(圖4b)和平面圖(圖4a)，在該連續(xù)曝光中使用光刻掩模；圖5是連續(xù)曝光中的與圖1的器件類似的器件的截面示意圖(圖5b)和平面圖(圖5a)，在該連續(xù)曝光中與不透明圖案掩模組合使用光刻掩模；圖6是同時(shí)曝光中的與圖1的器件類似的器件的截面示意圖(圖6b)和平面圖(圖6a),在該作為定模板的同時(shí)曝光中使用光刻掩模；圖7是同時(shí)曝光中的與圖1的器件類似的器件的截面示意圖(圖7b)和平面圖(圖7a)，在該作為定模板的同時(shí)曝光中使用不透明圖案掩模；圖8是連續(xù)曝光后，與圖1的器件類似的器件在探針固定步驟過程中的截面示意圖(圖8b)和平面圖(圖8a);圖9是在使用不透明圖案掩模的連續(xù)曝光后，與圖1的器件類似的器件在探針固定步驟過程中的截面示意圖(圖9b)和平面圖(圖9a);圖10是能根據(jù)本發(fā)明的方法功能化的器件的示范性實(shí)施方式的透視示意圖；圖11是示出圖10器件的流體管道的內(nèi)部的透視示意圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的器件的示范性實(shí)施方式的截面示意圖；圖13是與圖10和圖11的器件類似的器件的透視示意圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明的器件的示范性實(shí)施方式的截面示意圖，該器件包括在流體管道的硅層上的結(jié)構(gòu)化的金屬層。
具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明的功能化方法對(duì)諸如圖1中顯示的微機(jī)械器件的功能化有用。該器件設(shè)置有包括外圍壁5的至少一個(gè)流體管道lb，該外圍壁5具有在管道外部的表面2和內(nèi)表面3，該內(nèi)表面限定流體能在其中循環(huán)的空間。外圍壁5至少部分地包括至少局部具有大于IOOnm且小于200nm,優(yōu)選160 180nm之間厚度e的娃層。根據(jù)本發(fā)明的功能化方法包括提供如圖1中顯示的器件的第一步驟，接著是水化該器件的流體管道的至少一個(gè)表面的步驟。水化步驟包括將設(shè)置有流體管道I的器件浸入溶液中，該溶液通過流體口 E和S滲入到管道中。該溶液是具有堿性pH或酸性pH的水性溶液或醇-水性溶液。其中，可能使用基于乙醇和氫氧化鈉的溶液(lg NaOH, 4mL H2O, 3mLEt0H)。將該器件置于上述溶液中一小時(shí)，然后用純水清洗，并且在氮?dú)庵懈稍铩；蛘?，能使用O2等離子體。
對(duì)充分水化的器件進(jìn)行硅烷化步驟。硅烷化步驟包括將器件浸入含IOmM光敏硅烷的溶液中，該溶液通過流體口滲入或“遮蓋(mat)”通道內(nèi)部。將該器件浸入含三氯乙烯的溶液中，并且培養(yǎng)6 48小時(shí)的時(shí)間段，在環(huán)境溫度下平均培養(yǎng)大約12小時(shí)。在硅烷化溶劑(例如三氯乙烯)中清洗后，然后用乙醇清洗，將該器件在氮?dú)庀赂稍?。在該階段，除用防止硅烷化的材料在該器件的表面上形成的保護(hù)區(qū)域外，硅烷覆蓋了該器件的所有表面。使用的硅烷是光敏羥基胺硅烷，其合成和化學(xué)式如下·所述
權(quán)利要求
1.一種方法，所述方法用于使設(shè)置有流體管道(Ib)的微機(jī)械器件功能化，所述流體管道(Ib)包括外圍壁(5)，所述外圍壁(5)具有在所述管道外部的表面(2)和內(nèi)表面(3)，所述內(nèi)表面(3)限定流體能在其中循環(huán)的空間(Ib)，所述外圍壁至少部分地包括硅層(5a)，其特征在于，所述方法包括下列步驟 a)提供器件，所述器件的外圍壁(5)至少部分地包括至少局部具有大于IOOnm且小于200nm，有利地具有160 180nm的厚度(e)的硅層(5a)； c)至少硅烷化所述流體管道的內(nèi)表面； d)通過在具有大于IOOnm且小于200nm，有利地具有160 180nm之間的厚度(e)的點(diǎn)處曝光所述外圍壁(5)，而至少在硅烷化的器件的內(nèi)表面上局部地選擇性光去保護(hù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法包括步驟b):至少水化所述流體管道的內(nèi)表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，水化步驟包括將所述器件浸入基于醇和金屬氫氧化物的溶液中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，硅烷化步驟包括將所述器件浸入含光敏硅烷的溶液中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在所述硅烷化步驟中使用的硅烷是光敏羥基胺硅烷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述曝光通過紫外燈產(chǎn)生。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述紫外燈具有100W的功率和20 25mW/cm2之間，優(yōu)選24mW/cm2的強(qiáng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述步驟d)中的曝光連續(xù)地進(jìn)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，連續(xù)曝光用穿過寬度能調(diào)節(jié)的機(jī)械孔徑的紫外光線產(chǎn)生。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在所述步驟d)中的曝光通過光刻掩?；虿煌该鲌D案作為定模板產(chǎn)生。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述曝光在覆蓋有對(duì)所述硅烷的照射波長不透過的圖案層的器件上產(chǎn)生。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述曝光通過使用包括能過濾紫外光的微米級(jí)圖案的石英光刻掩模產(chǎn)生。
13.根據(jù)權(quán)利要求11和12所述的方法，其中，所述曝光通過與不透明圖案掩模組合使用光刻掩模來產(chǎn)生。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，所述方法還包括下列步驟 e)通過使由將被嫁接的分子和所述流體管道的至少一個(gè)表面攜帶的成對(duì)的化學(xué)官能團(tuán)結(jié)合，將至少一個(gè)分子嫁接到所述流體管道的所述至少一個(gè)表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述將被嫁接的分子是選自核酸、脂質(zhì)和/或蛋白質(zhì)的大分子。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在所述步驟e)中，所述將被嫁接的分子是低聚核苷酸探針。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，還包括隨后是熒光模式讀取步驟的雜化步驟。
18.一種用于實(shí)施根據(jù)權(quán)利要求1 17中任一項(xiàng)所述的方法的微機(jī)械器件，所述器件設(shè)置有包括外圍壁(5)的流體管道(Ib)，所述外圍壁(5)具有在所述管道外部的表面(2)和內(nèi)表面(3)，所述內(nèi)表面(3)限定流體(4’ )能在其中循環(huán)的空間； 其特征在于，所述外圍壁至少部分地包括至少局部具有大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選具有160 180nm之間的厚度的娃層，并且所述內(nèi)表面被娃燒化。
19.一種微機(jī)械器件，所述微機(jī)械器件能通過權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)所述的方法得至IJ，其中，硅烷化的內(nèi)表面在壁的厚度為大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選在160 180nm之間的點(diǎn)處至少局部地去保護(hù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，局部去保護(hù)的硅烷化的內(nèi)表面包括嫁接的分子。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的器件，其中，所述嫁接的分子是探針。
22.根據(jù)權(quán)利要求18至21中任一項(xiàng)所述的器件，所述器件用于流體介質(zhì)中顆粒的重量檢測；所述器件包括平面電機(jī)械振蕩器(I)、振蕩器支撐裝置以及用于驅(qū)動(dòng)所述振蕩器的裝置，所述裝置設(shè)置為確保所述振蕩器(I)在所述振蕩器(I)的平面內(nèi)振動(dòng)；所述器件還包括用于流體流過的通道(4);所述平面電機(jī)械振蕩器(I)包括流體連接到所述通道的上游和下游的貫通的腔體(Ib);所述管道具有限定流體能在其中循環(huán)的空間的內(nèi)表面，并且至少部分地由外圍壁限定；所述外圍壁包括至少局部具有大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選具有160 180nm之間的厚度的娃層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的器件，其中，硅烷化的內(nèi)表面在壁的厚度在大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選在160 180nm之間的點(diǎn)處至少局部地去保護(hù)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其中，局部去保護(hù)的硅烷化的內(nèi)表面包括嫁接的分子。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的器件，其中，所述嫁接的分子是探針。
26.根據(jù)權(quán)利要求22至25中任一項(xiàng)所述的器件，其中，所述電機(jī)械振蕩器具有選自盤、環(huán)以及多邊形，優(yōu)選正方形的形狀。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，其中，所述振蕩器為正方形形狀，并具有使寬度(Lsq)與厚度(Tsq)的比值(Lsq/Tsq)在10 30之間，優(yōu)選為30的寬度和厚度。
28.根據(jù)權(quán)利要求22至27中任一項(xiàng)所述的器件，其中，所述電機(jī)械振蕩器得自由多晶材料制成的基底。
29.根據(jù)權(quán)利要求22至27中任一項(xiàng)所述的器件，其中，所述電機(jī)械振蕩器得自單晶材料制成的基底。
30.根據(jù)權(quán)利要求22或29中任一項(xiàng)所述的器件，其中，所述基底是硅基的。
31.根據(jù)權(quán)利要求22至30中任一項(xiàng)所述的器件，其中，所述振蕩器的貫通的流體管道和/或所述通道包含橫截面具有選自圓形、橢圓形以及多邊形的形狀的柱狀物。
32.一種用于生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求18至31中任一項(xiàng)所述的器件的方法，所述方法包括下列步驟 a)選擇基底，所述基底適用于設(shè)想的重量檢測，所述基底至少部分地包括硅層； b)由所述基底產(chǎn)生至少部分地包括所述硅層的電平面振蕩器(I)；c)在所述振蕩器內(nèi)產(chǎn)生流體管道(Ib)，使得包括所述硅層的壁的部分至少局部具有大于IOOnm且小于200nm，優(yōu)選160 180nm之間的厚度； d)產(chǎn)生 用于流體流過的通道(4)，將所述通道流體連接到形成在所述振蕩器中的所述流體管道(Ib)； e)至少硅烷化所述流體管道的內(nèi)表面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于使微機(jī)械器件中的流體管道(1b)功能化的方法，所述流體管道的壁包括不透明層。為此目的，本發(fā)明提供一種用于使設(shè)置有流體管道的微機(jī)械器件功能化的方法，所述流體管道包括外圍壁(5)，所述外圍壁具有在所述管道外面的表面(2)和內(nèi)表面(3)，所述內(nèi)表面限定流體能在其中循環(huán)的空間(1b)，所述外圍壁至少部分地包括硅層(5a)。所述方法包括下列步驟a)提供器件，所述器件的外圍壁(5)至少部分地包括至少局部具有大于100nm且小于200nm，有利地為160～180nm厚度(e)的硅層(5a)；c)至少硅烷化所述流體管道的內(nèi)表面；d)通過在所述壁上具有大于100nm且小于200nm，有利地為160～180nm厚度的點(diǎn)處使所述外圍壁曝光，而至少在硅烷化器件的內(nèi)表面上局部地、選擇性地光去保護(hù)。
文檔編號(hào)B81C1/00GK103025648SQ201180032552
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月29日
發(fā)明者文森特·阿加什, 安東尼·歐昂, 弗朗索瓦絲·維內(nèi) 申請(qǐng)人:原子能和替代能源委員會(huì)