專利名稱：分支納米線和用于制造分支納米線的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及納米線。具體而言，本發(fā)明的實施例涉及半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
納米線是可以用來構(gòu)造超小尺度電路的納米結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的各種實施例但是并非所有實施例，提供一種裝置，該裝置包括主納米線，具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一載流子濃度，而第二部分具有與第一載流子濃度不同的第二載流子濃度；以及多個分支納米線，每個分支納米線從主納米線的第一部分發(fā)散。主納米線可以伸長并且具有長度。多個分支納米線可以在沿著主納米線的長度的基本上固定距離處從主納米線發(fā)散。主納米線可以包括與主納米線的長度基本上垂直的結(jié)。結(jié)可以分離主納米線的第一部分與主納米線的第二部分。每個分支納米線的至少一部分可以具有第一載流子濃度。每個分支納米線可以包括將具有第一載流子濃度的部分與具有第三載流子濃度的部分分離。第三載流子濃度可以不同于第一載流子濃度和第二載流子濃度。第一載流子濃度、第二載流子濃度和第三載流子濃度可以使得存在跨整個裝置的至少一個內(nèi)建電勢差。根據(jù)本發(fā)明的各種實施例但是并非所有實施例，提供一種裝置，該裝置包括具有長度的伸長主納米線；以及多個分支納米線，每個分支納米線在沿著伸長主納米線的長度的基本上固定距離處從伸長主納米線發(fā)散?；旧瞎潭ň嚯x可以在伸長主納米線的長度末端。每個分支納米線可以從伸長主納米線的長度的末端發(fā)散。該裝置還可以包括將具有不同載流子濃度的納米線部分分離的至少一個結(jié)。該裝置可以包括將伸長主納米線中的具有不同載流子濃度的第一部分和第二部分分離的結(jié)。該裝置可以包括多個結(jié)。每個結(jié)可以分離具有第一載流子濃度的分支納米線部分和具有第二載流子濃度的伸長主納米線部分。每個結(jié)可以位于在分支納米線與伸長主納米線之間的界面。取而代之，每個結(jié)可以位于從在分支納米線與伸長主納米線之間的界面遠(yuǎn)離的位置。根據(jù)本發(fā)明的各種實施例但是并非所有實施例，提供一種方法，該方法包括生長主納米線；并且經(jīng)過掩模中的孔向主納米線施加另外的材料以便使用另外的材料從主納米線生長多個分支納米線。主納米線可以具有長度。掩模中的孔可以使另外的材料能夠在沿著長度的基本上固定距離處施加到主納米線?；旧瞎潭ň嚯x處可以在主納米線的長度的末端。
可以通過經(jīng)過掩模中的孔施加材料來生長主納米線。掩?？梢韵拗浦骷{米線如何生長。掩模可以不限制分支納米線如何從主納米線生長。可以生長主納米線而未使用掩模。一種方法還可以包括使用另外的材料從主納米線生長多個分支納米線?？梢允褂秒姌O沉積來生長主納米線?？梢允褂闷w液體固體工藝來生長分支納米線。


為了更好地理解本發(fā)明實施例的各種例子，現(xiàn)在將僅通過示例參照以下附圖，其中圖1圖示了一個裝置和圓柱坐標(biāo)系；圖2圖示了一個裝置的第一二維示意圖；圖3圖示了一個裝置的第二二維示意圖；圖4圖示了一種方法；以及圖5圖示了在一個裝置生長時的各種階段。
具體實施例方式附示了裝置10，該裝置10包括具有長度L的伸長主納米線13 ；以及多個分支納米線20，每個分支納米線在沿著伸長主納米線13的長度L的基本上固定距離處從伸長主納米線13發(fā)散。附圖也圖示了裝置10，該裝置10包括主納米線13，具有第一部分18和第二部分 14，第一部分18具有第一載流子濃度，而第二部分14具有與第一載流子濃度不同的第二載流子濃度；以及多個分支納米線20，每個分支納米線從主納米線13的第一部分18發(fā)散。圖1圖示了裝置10。裝置10可以例如是納米結(jié)構(gòu)。該納米結(jié)構(gòu)可以是用于在電路系統(tǒng)中使用的納米部件。例如裝置10的部分或者全部可以由半導(dǎo)體材料制成。裝置10包括主納米線13和多個分支納米線20。主納米線13和分支納米線20可以一體形成。主納米線13可以伸長并且形狀可以例如大致為圓柱體。在所示例子中，主納米線 13具有平滑彎曲外表面15，盡管情況無需如此。圓柱體具有長度L和直徑/寬度D。主納米線13的直徑/寬度D可以例如為在300納米(nm)與1微米之間的某值。主納米線13 的長度L可以是直徑/寬度的多倍。圖1也圖示了用標(biāo)號30表示的圓柱坐標(biāo)系(P，φ，ζ)。ζ軸32限定相對于坐標(biāo)系30的原點12的高度。P限定與ζ軸32的徑向距離。φ限定繞著ζ軸32的方位角。出于示例目的，在圖1中也示出了 χ和y軸。在這一例子中，從χ軸逆時針測量方位角屮。在這一例子中，圓柱坐標(biāo)系30的原點12視為在主納米線13的末端處的表面11的中心(如圖1中所示)。在這一實例中，表面11是在主納米線13的長度L的一端處的面。 圓柱坐標(biāo)系30可以用來限定在裝置10內(nèi)或者周圍的點。每個分支納米線20可以在沿著主納米線13的長度L的基本上固定距離處從主納米線13發(fā)散。例如分支納米線20可以從主納米線13的由ζ軸32上的基本上固定值以及 P和φ的可變值限定的分段發(fā)散。每個分支納米線20可以例如具有在2nm與IOOnm之間某值的寬度/直徑。在圖1中所示例子中，每個分支納米線20從在主納米線13的末端處的表面17發(fā)散。在這一實例中，表面17是在主納米線13的長度L的末端處的面。表面17實際上表示在主納米線13與分支納米線20之間的界面。每個納米線20從在表面17上的不同點發(fā)散。對于這些點中的每個點，ζ = L，并且P和φ可以取在表面17的邊界內(nèi)的多個值中的任何值。分支納米線20從其發(fā)散的表面17在主納米線13的與圓柱坐標(biāo)系30的原點所在表面11相反的末端。在本發(fā)明的一些其它實施例中，一些或者所有分支納米線20可以不從主納米線 13的末端處的表面17發(fā)散。例如分支納米線20可以從主納米線13的由ζ軸上的與L不相等的基本上固定值以及ρ和φ的可變值限定的分段發(fā)散。取而代之，一些或者所有分支納米線20可以在沿著Z軸32的各種不同點從主納米線13的外表面15發(fā)散。圖2圖示了形式與圖1中所示形式相同的裝置10的二維示意圖的例子。在這一例子中，主納米線13包括將主納米線13的第一部分18與主納米線13的第二部分14分離的結(jié)。虛線16圖示了結(jié)的位置。在這一例子中，結(jié)16基本上垂直于主納米線13的長度L 并且基本上平行于主納米線13的直徑/寬度D和端表面11、17。在這一例子中，每個分支納米線20也包括結(jié)。圖1中的虛線25圖示了結(jié)。每個結(jié)25將分支納米線的第一部分22與分支納米線的第二部分M分離。主納米線13和分支納米線20中的結(jié)16、25可以分離不同類型的半導(dǎo)體材料。例如主納米線13的第一部分18和分支納米線20的第一部分22可以是第一類型的半導(dǎo)體材料。主納米線13的第二部分14可以是第二類型的半導(dǎo)體材料。分支納米線20的第二部分M可以是第三類型的半導(dǎo)體材料。第一類型的半導(dǎo)體材料可以具有第一載流子濃度；第二類型的半導(dǎo)體材料可以具有第二載流子濃度；而第三類型的半導(dǎo)體材料可以具有第三載流子濃度。第一半導(dǎo)體材料、第二半導(dǎo)體材料和第三半導(dǎo)體材料可以具有相同“基半導(dǎo)體材料”(該材料可以例如是IV族半導(dǎo)體(比如硅或者鍺)或者包括II-VI或者III-V族半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體)、但是具有不同摻雜水平和/或不同摻雜劑。如果第一半導(dǎo)體材料、 第二半導(dǎo)體材料和第三半導(dǎo)體材料具有不同摻雜水平和/或不同摻雜劑，則第一半導(dǎo)體材料、第二半導(dǎo)體材料和第三半導(dǎo)體材料的第一載流子濃度、第二載流子濃度和第三載流子濃度視為不同。例如在一些實施方式中，裝置10可以具有p-i-n結(jié)構(gòu)。在這些實施方式中，第三類型的半導(dǎo)體材料(分支納米線20的第二部分M的形成材料)為ρ型材料。第一類型的半導(dǎo)體材料(主納米線13的第一部分18和分支納米線20的第一部分220的形成材料) 為本征半導(dǎo)體。第二類型的半導(dǎo)體材料(主納米線13的第二部分14的形成材料)為η型材料。如果裝置10具有p-i-n結(jié)構(gòu)，則分支納米線20中的結(jié)25為p_i結(jié)而主納米線13 中的結(jié)16為i-n結(jié)。當(dāng)形成p-i結(jié)25時，來自ρ型材料的空穴向本征材料中擴(kuò)散從而在ρ型材料中留下耗盡區(qū)。P型材料中的耗盡區(qū)包括負(fù)電離子。
當(dāng)i-n結(jié)16形成于主納米線13中時，來自η型材料的電子向本征材料中擴(kuò)散從而在η型材料中留下耗盡區(qū)。η型材料中的耗盡區(qū)包括正電離子。從η型材料中的正電離子到ρ型材料中的負(fù)電離子的電場意味著p-i-n結(jié)構(gòu)具有內(nèi)建電勢。p-i-n結(jié)構(gòu)實質(zhì)上充當(dāng)二極管。如果正向偏置p-i-n結(jié)構(gòu)，則它導(dǎo)電從而允許常規(guī)電流從P型材料流向η型材料。因此，如果裝置10具有p-i-n結(jié)構(gòu)，則它可以用作電路中的累加節(jié)點(用于累加信號)。取而代之，如果反向偏置P-i-n結(jié)構(gòu)，則它一般不導(dǎo)電。取而代之，在其它一些實施方式中，圖2中所示的裝置10可以具有n-i-p結(jié)構(gòu)。在這些實施方式中，分支納米線20中的結(jié)25為n-i結(jié)，而主納米線13中的結(jié)16為i-ρ結(jié)。 n-i-p結(jié)構(gòu)實質(zhì)上充當(dāng)二極管。如果正向偏置n-i-p結(jié)構(gòu)，則它導(dǎo)電從而允許常規(guī)電流從 η型材料流向ρ型材料。因此，如果裝置具有n-i-p結(jié)構(gòu)，則它可以用作電流中的拆分節(jié)點 (用于拆分信號)。取而代之，如果反向偏置n-i-p結(jié)構(gòu)，則它一般不導(dǎo)電。在另外的實施方式中，裝置10可以具有p-n-p結(jié)構(gòu)或者n-p-n結(jié)構(gòu)。在這些實施方式中，裝置10可以充當(dāng)晶體管，比如場效應(yīng)晶體管或者雙極晶體管?？梢蕴峁┛刂齐姌O以使裝置10能夠充當(dāng)晶體管。例如，如果裝置10被配置成作為場效應(yīng)晶體管來工作，則控制電極可以是柵極電極。如果裝置10被配置成作為雙極晶體管來工作，則控制電極可以是基極電極。圖3圖示了形式與圖1中所示形式相同的裝置10的二維示意圖的又一例子。在這一例子中，分支納米線20由第一半導(dǎo)體材料形成，而主納米線由不同的第二半導(dǎo)體材料形成。在這一例子中，結(jié)存在于每個分支納米線20與主納米線13之間的界面17。虛線 19圖示了結(jié)。在本發(fā)明的一些實施方式中，分支納米線20由ρ型材料制成，而主納米線13由η 型材料制成。在這些實施方式中，ρ-η結(jié)構(gòu)實質(zhì)上充當(dāng)二極管。如果正向偏置ρ-η結(jié)構(gòu)，則它導(dǎo)電，從而允許常規(guī)電流從P型材料流向η型材料。因此，如果裝置10具有ρ-η結(jié)構(gòu)，則它可以用作電路中的累加節(jié)點(用于累加信號)。在其它一些實施方式中，分支納米線20由η型材料制成，而主納米線13由ρ型材料制成。在這些實施方式中，η-ρ結(jié)構(gòu)實質(zhì)上充當(dāng)二極管。如果正向偏置η-ρ結(jié)構(gòu)，則它導(dǎo)電，從而允許常規(guī)電流從η型材料流向ρ型材料。因此，如果裝置10具有η-ρ結(jié)構(gòu)，則它可以用作電路中的拆分節(jié)點(用于拆分信號)。上文關(guān)于圖1、圖2和圖3描述的裝置10可以具有各種不同應(yīng)用。例如裝置10可以用于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)或者任何其它納米電子架構(gòu)中(例如用作累加節(jié)點)或者納米傳感器陣列中，在該納米傳感器陣列中分支納米線20可以作為單獨(dú)的傳感器來操作(例如用于檢測生物或者化學(xué)物種)并且在與主納米線的界面處將它們的單獨(dú)響應(yīng)一起累加?，F(xiàn)在將參照圖4和圖5描述根據(jù)本發(fā)明實施例的裝置10的制造方法。圖5中的第一幅圖(用標(biāo)號400表示)圖示了夾層結(jié)構(gòu)80，該結(jié)構(gòu)包括基底70、 掩模50和夾于基底70與掩模50之間的陰極60?；?0可以例如是硅晶片或者載玻片。掩模50可以例如是有孔膜，比如陽極氧化鋁膜或者聚碳酸酯膜。陰極60可以例如是濺射或者蒸發(fā)金屬膜。
掩模50的外表面51包括多個孔/小孔52。每個孔52限定經(jīng)過掩模50向陰極 60延伸的伸長室M。在圖4中所示的方法的塊410處，通過經(jīng)過掩模50中的孔施加材料來生長主納米線13。也用圖5中的標(biāo)號410表示的附圖示意地示出了這一點?？梢允褂玫谝簧L工藝來生長多個主納米線。在這一例子中，第一生長工藝為電極沉積。包括將向掩模50的室M中沉積的物質(zhì)的鹽化合物溶解于電解質(zhì)溶液中。例如， 如果希望由硅制成主納米線，則鹽化合物為硅鹽，比如四氯化硅(SiCl4)。鹽化合物在其電解質(zhì)溶液中時離解成它的組成部分(在SiCl4的情況下為Si2+和4C14_)。結(jié)構(gòu)80的陰極60是形成電路一部分的兩個電極之一。電解質(zhì)溶液包含允許在兩個電極之間電流流動的離子。包括陰極60的夾層結(jié)構(gòu)80和另一電極(陽極)浸沒于包括溶解的鹽化合物的電解質(zhì)溶液中。當(dāng)在陰極60與陽極之間施加直流時，電解質(zhì)溶液中的陽離子(在SiCl4的情況下為硅陽離子)吸附到陰極60。陽離子在到達(dá)陰極60的表面之前經(jīng)過掩模50中的孔 52行進(jìn)到室M中。陽離子在陰極60被還原并且因此以元素(不帶電)形式沉積于掩模 50的室M中。在室M中采集材料(在這一情況下為硅)造成主納米線13形成于每個室中。每個室M實際上作用為限制每個主納米線13的生長方向，從而實現(xiàn)所需主納米線形狀。每個主納米線13可以是圖1、圖2和圖3中圖示的并且上文描述的形式。為了產(chǎn)生經(jīng)摻雜的主納米線13和/或包括結(jié)(和兩個不同摻雜部分)的主納米線13，可以適當(dāng)變化鹽化合物或者可以向電解質(zhì)溶液添加附加的鹽。在圖4的塊420處，經(jīng)過掩模50中的孔向主納米線施加另外的材料，以便使用該另外的材料從主納米線生長多個分支納米線。圖5中的標(biāo)號420表示的附圖示意地示出了這一點。圖5中的附圖420中所示箭頭90圖示了向室M中已經(jīng)生長的主納米線施加另外的材料的方向。在這一例子中，在與掩模50的外表面510基本上垂直的方向上施加另外的材料。由于在掩模50仍然在主納米線周圍的位置之時施加另外的材料，所以該另外的材料的沉積實質(zhì)上限于每個主納米線的表面區(qū)域的特定部分。例如掩模50的幾何形狀可以使得每個孔使該另外的材料能夠沉積到主納米線13如下部分上，該部分是在沿著主納米線13的長度的固定距離處。在這一例子中，沉積限于每個主納米線的端表面17(見圖1、 圖2和圖3以及上文描述)。該另外的材料可以例如包括硅。在本發(fā)明的一些實施例中，該另外的材料包括催化劑。催化劑可以例如是金?？梢酝ㄟ^濺射或者蒸發(fā)金膜或者沉積金屬膠體來施加另外的材料。在已經(jīng)向主納米線施加另外的材料之后，可以使用第二生長工藝從每個分支納米線生長多個分支納米線20。第二生長工藝可以例如是汽體液體固體工藝。如上文關(guān)于圖 1、圖2和圖3描述的那樣，分支納米線20可以被摻雜并且可以包括半導(dǎo)體結(jié)。在生長分支納米線20之時掩模50可以保持或者可以不保持就位。如果掩模50 保持就位，則它不限制分支納米線20的生長方向?？梢栽谏L分支納米線20之前或者之后通過濕法化學(xué)蝕刻來去除掩模50。分支納米線20從在另外的材料被施加到的主納米線上的表面17向外生長。圖5 中的最后附圖430圖示了在已經(jīng)進(jìn)行汽體液體固體工藝之后并且在已經(jīng)去除掩模50之后的納米結(jié)構(gòu)10。每個納米結(jié)構(gòu)10包括主納米線13和多個分支納米線20。每個納米結(jié)構(gòu) 10可以采取上文參考圖1、圖2和/或圖3描述的形式之一。上述方法有利地允許在如下地方形成納米結(jié)構(gòu)10，即納米結(jié)構(gòu)10的每個分支納米線20從主納米線13的特定部分(比如從主納米線13的末端)發(fā)散處。這有利地使得結(jié)限定于主納米線13中，位于遠(yuǎn)離分支納米線20與主納米線13之間的界面之處從而使納米結(jié)構(gòu)10能夠用作累加節(jié)點或者拆分節(jié)點。圖4中的塊圖示并不必然暗示有必需或者優(yōu)選的塊順序而是可以變化塊的順序和布置。另外可以省略一些步驟。雖然已經(jīng)參照各種例子在先前段落中描述了本發(fā)明的實施例，但是應(yīng)當(dāng)理解可以做出對給出的例子的修改而不脫離如要求保護(hù)的發(fā)明范圍。例如將理解上述制造納米結(jié)構(gòu) 10的方法并不必然是制造該納米結(jié)構(gòu)的僅有方法。在替代制造方法中，可以使用汽體液體固體工藝來生長比如圖1、圖2和/或圖3 中描述的納米結(jié)構(gòu)10的主納米線13和分支納米線20。在一些替代制造方法中，并不必須在生長主納米線13之前將掩模放置就位。例如在一種替代制造方法中，可以在掩模未就位時使用汽體液體固體工藝來生長主納米線13。 在已經(jīng)生長主納米線13之后，可以例如通過旋涂聚合物膜并且氧等離子體回蝕以僅暴露主納米線13的端表面來將掩模放置就位。然后可以向主納米線13的端表面施加另外的材料(用于在生長分支納米線20時使用)。在另一替代制造方法中，使用包括金屬(比如金)和半導(dǎo)體(比如硅)的液體合金微滴來形成主納米線13?？梢酝ㄟ^使用溫度改變以使液體合金微滴形成多個固體半導(dǎo)體核來形成分支納米線20。每個固體半導(dǎo)體核形成用于后續(xù)生長分支納米線20的籽晶。在本發(fā)明的一些實施例中，裝置10中的一個或者多個結(jié)可以位于除了參考圖1、 圖2和圖3描述的位置之外的位置。如上文描述的那樣，在本發(fā)明的一些實施例中，裝置10的分支納米線20和主納米線13可以由相同“基半導(dǎo)體材料”制成。在本發(fā)明的一些替代實施例中，分支納米線20由與主納米線13不同的基半導(dǎo)體材料形成從而形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)。異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形成可以實現(xiàn)形成適當(dāng)能帶結(jié)構(gòu)以在特定方向上控制/限制電流流動?？梢栽诔嗣鞔_描述的組合之外的組合中使用在前文描述中描述的特征。雖然已經(jīng)關(guān)于某些特征描述功能，但是可以由無論是否描述的其它特征實現(xiàn)那些功能。雖然已經(jīng)參照某些實施例描述特征，但是那些特征也可以存在于無論是否描述的其它實施例中。盡管在前文說明書中著力于關(guān)注本發(fā)明的被認(rèn)為特別重要的那些特征，但是應(yīng)當(dāng)理解申請人要求保護(hù)前文提及和/或在附圖中示出的任何可授予專利權(quán)的無論是否已經(jīng)特別強(qiáng)調(diào)的特征或者特征組合。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括主納米線，具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一載流子濃度，而所述第二部分具有與所述第一載流子濃度不同的第二載流子濃度；以及多個分支納米線，每個分支納米線從所述主納米線的所述第一部分發(fā)散。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述主納米線是伸長的并且具有長度，并且所述多個分支納米線在沿著所述主納米線的長度的基本上固定距離處從所述主納米線發(fā)散。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述主納米線包括與所述主納米線的長度基本上垂直的結(jié)，所述結(jié)將所述主納米線的所述第一部分與所述主納米線的所述第二部分分離。
4.如權(quán)利要求1、2或者3所述的裝置，其中每個分支納米線的至少一部分具有所述第一載流子濃度。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中每個分支納米線包括將具有所述第一載流子濃度的所述部分與具有第三載流子濃度的部分分離的結(jié)。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第三載流子濃度不同于所述第一載流子濃度和所述第二載流子濃度。
7.如權(quán)利要求5或者6所述的裝置，其中所述第一載流子濃度、所述第二載流子濃度和所述第三載流子濃度使得存在跨所述裝置的至少一個內(nèi)建電勢差。
8.一種裝置，包括具有長度的伸長主納米線；以及多個分支納米線，每個分支納米線在沿著所述伸長主納米線的長度的基本上固定距離處從所述伸長主納米線發(fā)散。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述基本上固定距離在所述伸長主納米線的長度的末端處，并且每個分支納米線從所述伸長主納米線的長度的所述末端發(fā)散。
10.如權(quán)利要求8或者9所述的裝置，還包括將具有不同載流子濃度的納米線部分分離的至少一個結(jié)。
11.如權(quán)利要求8、9或者10所述的裝置，其中所述裝置包括將所述伸長主納米線中的具有不同載流子濃度的第一部分和第二部分分離的結(jié)。
12.如權(quán)利要求8、9或者10所述的裝置，其中所述裝置包括多個結(jié)，每個結(jié)分離具有第一載流子濃度的分支納米線部分和具有第二載流子濃度的伸長主納米線部分。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中每個結(jié)位于在分支納米線與所述伸長主納米線之間的界面處。
14.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中每個結(jié)位于從在分支納米線與所述伸長主納米線之間的界面遠(yuǎn)離的位置。
15.一種方法，包括生長主納米線；并且經(jīng)過掩模中的孔向所述主納米線施加另外的材料，以便使用所述另外的材料從所述主納米線生長多個分支納米線。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述主納米線具有長度，并且所述掩模中的所述孔使所述另外的材料能夠在沿著所述長度的基本上固定距離處施加到所述主納米線。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述基本上固定距離在所述主納米線的長度的末端。
18.如權(quán)利要求15、16或者17所述的方法，其中通過經(jīng)過所述掩模中的所述孔施加材料來生長所述主納米線，并且所述掩模限制所述主納米線如何生長，但是所述掩模不限制所述分支納米線如何從所述主納米線生長。
19.如權(quán)利要求15至18中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中生長所述主納米線而未使用掩模。
20.如權(quán)利要求15至19中的任一權(quán)利要求所述的方法，還包括 使用所述另外的材料從所述主納米線生長所述多個分支納米線。
全文摘要
一種裝置和制造該裝置的方法。該裝置包括主納米線和從主納米線發(fā)散的分支納米線。主納米線可以具有第一部分和第二部分。第一部分可以具有第一載流子濃度，而第二部分可以具有與第一載流子濃度不同的第二載流子濃度。每個分支納米線可以從主納米線的第一部分發(fā)散。每個分支納米線可以在沿著主納米線的長度的基本上固定距離處從主納米線發(fā)散。
文檔編號B82B3/00GK102414117SQ201080018843
公開日2012年4月11日 申請日期2010年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月22日
發(fā)明者R·懷特, S·哈奎 申請人:諾基亞公司