專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，尤其涉及利用MEMS (Micro ElectroMechanical Systems 微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)來形成的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
例如，存在利用了具有振動電極的駐極體電容器等的半導(dǎo)體裝置。在這樣的半導(dǎo)體裝置中，一般的構(gòu)造為，MEMS半導(dǎo)體元件和CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)半導(dǎo)體元件被安裝在襯底上，且由殼體覆蓋。在該半導(dǎo)體裝置中，聲波，通過被形成在襯底或殼體的貫通孔而進(jìn)入其內(nèi)部后，由MEMS半導(dǎo)體元件的隔膜構(gòu)造轉(zhuǎn)換為電信號，并被輸出。該半導(dǎo)體裝置是，同時被形成多個后，被劃分為每一個而單片化，從而被制造的。 在此，劃分是，通過切割法或由模具切斷的加工方法來進(jìn)行的。一般而言，在切割法中，進(jìn)行使金剛石或CBN(Cubic Boron Nitride 立方氮化硼) 的粒子被粘著的環(huán)狀的切割機(jī)高速轉(zhuǎn)換來破碎的加工。在切割法中，一邊使切削水流走，一邊進(jìn)行使切割機(jī)高速旋轉(zhuǎn)來破碎的加工，該切削水用于除去破碎屑且抑制摩擦熱。但是， 由于MEMS半導(dǎo)體元件具有的隔膜構(gòu)造和橫梁構(gòu)造是脆弱的構(gòu)造，因此，若切削水從聲孔侵入，則會有因侵入來的切削水而被破壞的情況。特別是，隨著安裝的高密度化，電子元件的小型化也進(jìn)展了，在切割法中，切削水侵入到聲孔這樣的問題越來越大。另一方面，在由模具切斷的加工方法中，切斷屑飛散。會有以下的情況，即，飛散的切斷屑侵入到聲孔附近或聲孔內(nèi)，給隔膜構(gòu)造的震動帶來壞影響，并影響到音質(zhì)。對此，如圖18示出，公開了硅電容傳聲器600，該硅電容傳聲器600包括安裝有傳聲器芯片和特殊目的型半導(dǎo)體(ASIC)芯片的襯底；以及覆蓋該襯底的金屬殼體610，在金屬殼體610或襯底一側(cè)形成有作為音響孔的第一聲孔610a或第二聲孔620a(參照下述專利文獻(xiàn)1。)。在該硅電容傳聲器600中，形成有用于與金屬殼體610接合的連接部件 621，并且，為了使金屬殼體610與襯底接合，而在該連接部件621形成有粘合劑630。(現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn))(專利文獻(xiàn))專利文獻(xiàn)1 日本國特開2007-82233號公報然而，在專利文獻(xiàn)1所公開的構(gòu)造中會有以下的情況，即，切割法中所利用的用于除去切割的破碎屑且抑制摩擦熱的切削水，侵入到第一聲孔610a或第二聲孔620a，從而 MEMS傳聲器半導(dǎo)體元件的隔膜構(gòu)造或橫梁構(gòu)造被破壞。并且，同樣，在由模具切斷的加工方法中會有以下的情況，S卩，在此發(fā)生的切斷屑從第一聲孔610a或第二聲孔620a侵入，給隔膜構(gòu)造的震動帶來壞影響，并影響到音質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
于是，為了解決所述的問題，本發(fā)明的目的在于提供能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。為了實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置，包括襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面；殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；貫通孔，被形成在所述襯底或所述殼體；以及規(guī)定的物質(zhì)， 被填充在所述貫通孔，以使所述貫通孔封閉，所述規(guī)定的物質(zhì)具有的特性是，因加熱而潤濕鋪展以使所述貫通孔開孔。并且，也可以是，包括襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面；殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；貫通孔，被形成在所述襯底或所述殼體；以及規(guī)定的物質(zhì)，潤濕鋪展到所述貫通孔或所述襯底，以使所述貫通孔開孔，所述規(guī)定的物質(zhì)具有的特性是，因加熱而潤濕鋪展。在此，優(yōu)選的是，所述規(guī)定的物質(zhì)具有，不足220°C的熔點、不足220°C的軟化溫度或不足220°C的揮發(fā)溫度。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于具有比焊料低的熔點的物質(zhì)被填充到被形成在襯底或殼體的貫通孔，因此，在為了將半導(dǎo)體裝置單片化而進(jìn)行劃分時，切斷屑以及切斷屑不會侵入到貫通孔內(nèi)。而且，例如，通過向主襯底的安裝等劃分后的加熱處理而被設(shè)置在貫通孔內(nèi)的物質(zhì)熔化，并潤濕鋪展到貫通孔周圍，從而貫通孔開孔。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。并且，為了實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置也可以，包括襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面；殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；以及貫通孔，被形成在所述襯底或所述殼體， 在所述貫通孔的內(nèi)壁設(shè)置有具有吸濕率性的吸濕物質(zhì)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在被設(shè)置在襯底或殼體的貫通孔的內(nèi)壁設(shè)置有吸濕性良好的物質(zhì)，因此，在為了將半導(dǎo)體裝置單片化而進(jìn)行由切割的劃分時，能夠使切削水附著在貫通孔的內(nèi)壁。據(jù)此，例如，由于半導(dǎo)體元件的隔膜構(gòu)造被保護(hù)，因此能夠提供可靠性高的半導(dǎo)體
直ο并且，為了實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置也可以，包括襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面；殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；以及粘合劑，被涂布在所述襯底，使所述襯底與所述殼體貼緊并固定，以使所述半導(dǎo)體元件密封，所述粘合劑的一部分，因加熱而被貫通。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，用于固定殼體的粘合劑，例如，因?qū)⒁r底安裝到主襯底時的熱，而形成有貫孔。因此，不需要在襯底或殼體預(yù)先設(shè)置貫通孔。并且，在為了將半導(dǎo)體裝置單片化而進(jìn)行劃分時，由于半導(dǎo)體裝置被密封，因此，因劃分時的加工而發(fā)生的切斷屑以及切斷屑不會侵入到貫通孔內(nèi)。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。并且，為了實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置也可以，包括襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面；殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；粘合劑，被涂布在所述半導(dǎo)體元件被安裝的所述主面的區(qū)域的周圍，使所述殼體與所述襯底貼緊并固定；以及擋壩，被形成在所述襯底的主面的、所述半導(dǎo)體元件與所述粘合劑之間，該擋壩的厚度比所述粘合劑的厚度厚，所述粘 合劑具有一個或多個切口部分，該切口部分是所述區(qū)域的周圍的沒有涂布粘合劑的部分， 所述擋壩被形成在所述一個或多個切口部分與所述半導(dǎo)體元件之間，所述切口部分，在所 述襯底與所述殼體被固定之后成為貫通孔。
〔0022〕 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，預(yù)先形成為了固定殼體而涂布在襯底的粘合劑的區(qū)域的一部分沒有 涂布粘合劑的切口部分，在襯底上形成擋壩，從而既然不需要在襯底或殼體預(yù)先設(shè)置貫通 孔，也不使在切割法的加工時發(fā)生的切削水侵入。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加 工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。
〔0023〕 并且，為了實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置也可以，包括襯底；具有壓 電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面；肋部，被固 定在所述襯底的主面中的所述半導(dǎo)體元件的周圍；板蓋，該板蓋是平面板，被固定在所述肋 部，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；貫通孔，被形成在所述襯底或所述板蓋；以及規(guī)定的物質(zhì)，被 填充在所述貫通孔，以使所述貫通孔封閉，所述規(guī)定的物質(zhì)具有的特性是，因加熱而潤濕鋪 展以使所述貫通孔開孔。
〔0024〕 根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于具有比焊料低的熔點的物質(zhì)被填充到被形成在襯底或板蓋的貫 通孔，因此，在為了將半導(dǎo)體裝置單片化而進(jìn)行劃分時，切斷屑以及切斷屑不會侵入到貫通 孔內(nèi)。而且，例如，通過向主襯底的安裝等劃分后的加熱處理而被設(shè)置在貫通孔內(nèi)的物質(zhì)熔 化，并潤濕鋪展到貫通孔周圍，從而貫通孔開孔。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加 工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。
〔0025〕 根據(jù)本發(fā)明，據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑 的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。


〔0026〕圖1是實施例1中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
〔0027〕圖2是實施例1中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。
〔0028〕圖3是實施例1的變形例1中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
〔0029〕圖4是實施例1的變形例1中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。
〔0030〕圖5是實施例1的變形例2中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
〔0031〕圖6是實施例1的變形例2中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。
〔0032〕圖7是實施例2中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
〔0033〕圖8是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
〔0034〕圖9是實施例3中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。
〔0035〕圖10是實施例4中的半導(dǎo)體裝置的上面圖。
〔0036〕圖11是實施例4中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
〔0037〕圖12是實施例5中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
〔0038〕圖13是實施例5中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。
〔0039〕圖14是實施例5中的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。
〔0040〕圖15是實施例5的變形例中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
〔0041〕圖16是實施例5的變形例中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。
圖17是具有潤濕鋪展到貫通孔內(nèi)的物質(zhì)的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖的例子。圖18是示出以往的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的實施例。(實施例1)圖1是實施例1中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。如圖1示出，半導(dǎo)體裝置100包括殼體1、半導(dǎo)體元件2、半導(dǎo)體元件4、粘合劑5、 襯底6、以及電極7。殼體1，用于覆蓋固定在襯底6的半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件4，且由粘合劑5固定在襯底6。而且，對于殼體1，通過粘合劑5而與襯底6連接的部分的形狀，被彎折在與半導(dǎo)體元件2相同方向或相反方向。并且，對于殼體1的材質(zhì)，耐熱性良好即可。可以由例如Cu、Al或Mg的金屬構(gòu)成， 也可以由例如塑料或陶瓷的非金屬構(gòu)成，并沒有特別的限制。而且，在殼體1的材質(zhì)由非金屬構(gòu)成的情況下，優(yōu)選的是，表面由Sn或Ni電鍍。半導(dǎo)體元件2是，例如具有隔膜構(gòu)造3或橫梁構(gòu)造的MEMS傳聲器半導(dǎo)體元件等的、具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，且被固定在襯底6。半導(dǎo)體元件4是CMOS半導(dǎo)體元件，且被固定在襯底6。半導(dǎo)體元件4是，例如用于模擬IC、邏輯IC、存儲IC等的CMOS半導(dǎo)體元件，但是，并不僅限于它們。粘合劑5是，用于將殼體1固定在襯底6的粘合劑，例如，由導(dǎo)電性環(huán)氧樹脂、非導(dǎo)電性環(huán)氧樹脂、銀膏、硅、氨甲酸酯、丙烯、以及焊膏之中的任一個構(gòu)成。襯底6是，環(huán)氧玻璃布層壓板(環(huán)氧玻璃布板)、聚酰亞胺玻璃布層壓板、或芳綸無紡布板等。對于襯底6，在其主面固定有半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件4，殼體1由粘合劑5固定，以覆蓋被固定的半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件4。并且，在襯底6，設(shè)置有例如成為聲孔的貫通孔10，在該貫通孔10的內(nèi)壁和該貫通孔10的周圍的與主面相反的面形成有電鍍層8。并且，在襯底6，電極7被形成在與主面相反的面。電鍍層8，被形成在貫通孔10的內(nèi)壁和襯底6的與主面相反的面一側(cè)的貫通孔10 附近。電鍍層8是，例如Au/Ni，電鍍厚度在15μπι以下，優(yōu)選的是，厚度在Ιμπι以下。電極7是，例如由Cu構(gòu)成的電極，被形成在與主面(半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件 4被固定的面)相反的面。并且，優(yōu)選的是，電極7由水溶性耐熱預(yù)焊劑或Au/Ni電鍍進(jìn)行表面處理。貫通孔10被形成在襯底6，填充物質(zhì)9被填充在電極7被形成的襯底的面一側(cè)，以使貫通孔10封閉，填充物質(zhì)9的厚度比襯底6的厚度薄，填充物質(zhì)9具有不足220°C的熔點。而且，該填充物質(zhì)9，不僅限于具有不足220°C的熔點的物質(zhì)。例如，在焊料的熔點以下即可，也可以是例如具有不足220°C的軟化溫度或不足220°C的揮發(fā)溫度的物質(zhì)。如上構(gòu)成半導(dǎo)體裝置100。
其次，利用

半導(dǎo)體裝置100被安裝的安裝體的方式。圖2是實施例1中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。而且，對于與圖1同樣的要素附上同一符號，并省略詳細(xì)說明。主襯底15是，環(huán)氧玻璃布層壓板(環(huán)氧玻璃布板)、聚酰亞胺玻璃布層壓板、或芳綸無紡布板等。同時形成的多個半導(dǎo)體裝置100，通過切割法或由模具切斷的加工方法而被劃分為每一個后，通過焊料14被安裝在主襯底15。在此，如圖2示出，填充物質(zhì)9，不與主襯底15接觸，而潤濕鋪展到貫通孔10附近的襯底6。據(jù)此，貫通孔10開孔，例如作為聲孔來發(fā)揮功能。若簡單地說明所述內(nèi)容，對于貫通孔10，比襯底6的厚度薄的厚度且具有不足 2200C的熔點的填充物質(zhì)9被填充而該貫通孔被堵住(被封閉)，但是，因半導(dǎo)體裝置100被安裝在主襯底15時的焊料14的加熱處理，而填充物質(zhì)9溶解且潤濕鋪展到貫通孔10附近的襯底6。據(jù)此，貫通孔10開孔，作為聲孔來發(fā)揮功能。在此，填充物質(zhì)9的熔點在焊料14 的熔點以下。如上所述，半導(dǎo)體裝置100，通過焊料14而被安裝在主襯底15。如上所述，同時形成的多個半導(dǎo)體裝置100，通過切割法或由模具切斷的加工方法而被劃分為每一個即單片化后，通過焊料14而被安裝在主襯底15。而且，在同時形成的多個半導(dǎo)體裝置100通過由模具切斷的加工方法而被劃分的情況下，對于被設(shè)置在襯底6的貫通孔10，由于填充物質(zhì)9被填充而被封閉，因此切斷屑不侵入到貫通孔10內(nèi)。因此，不影響到隔膜的震動以及音質(zhì)。并且，在安裝后，對于貫通孔 10，因填充了的填充物質(zhì)9潤濕鋪展，而作為聲孔來發(fā)揮功能的貫通孔開孔，因此發(fā)揮所希望的功能。另一方面，在同時形成的多個半導(dǎo)體裝置100通過切割法而被劃分的情況下，對于被設(shè)置在襯底6的貫通孔10，由于填充物質(zhì)9被填充而被封閉，因此切削水不侵入到貫通孔10內(nèi)，能夠保護(hù)隔膜構(gòu)造3。并且，在安裝后，對于貫通孔10，因封閉了該貫通孔的填充物質(zhì)9潤濕鋪展，而貫通孔開孔，因此發(fā)揮所希望的功能。如上所述，根據(jù)實施例1，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。而且，填充物質(zhì)9，雖然在安裝時潤濕鋪展，但不僅限于如上所述潤濕鋪展到貫通孔10附近的襯底。不與主襯底15接觸而潤濕鋪展，而且，能夠使貫通孔10開孔來發(fā)揮所希望的功能即可。例如，也可以是，在貫通孔10的內(nèi)壁的一部分存在殘渣。并且，對于填充物質(zhì)9，由與電鍍層8不同的成分構(gòu)成即可，也可以是與焊料14相同的成分。(變形例1)在變形例1中，說明包括與實施例1中的半導(dǎo)體裝置100不同的方式的襯底的半導(dǎo)體裝置110。圖3是實施例1的變形例1中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖4是實施例1的變形例 1中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。而且，對于與圖1或圖2同樣的要素附上同一符號，并省略詳細(xì)說明。圖3以及圖4所示的半導(dǎo)體裝置110與半導(dǎo)體裝置100的區(qū)別在于，在半導(dǎo)體裝置110中，襯底6具有凹部16。凹部16是，被設(shè)置在襯底6的與主面相反的面一側(cè)即向主襯底15的安裝面一側(cè)的貫通孔10附近的襯底的凹處的部分。在凹部16形成有電鍍層18。電鍍層18，被形成在貫通孔10的內(nèi)壁和位于襯底6的與主面相反的面一側(cè)的貫通孔10附近的凹部16。并且，如圖3示出，貫通孔10被形成在襯底6，與實施例1同樣，比襯底6的厚度薄的厚度且具有不足220°C的熔點的填充物質(zhì)9被填充在向主襯底15的安裝面一側(cè)，以使貫通孔10封閉。而且，如圖4示出，對于貫通孔10，比襯底6的厚度薄的厚度的填充物質(zhì)9被填充而該貫通孔被堵住(被封閉)，但是，因半導(dǎo)體裝置110被安裝在主襯底15時的焊料14的加熱處理，而填充物質(zhì)9溶解且潤濕鋪展到貫通孔10附近的襯底6的凹部16。據(jù)此，貫通孔10開孔。如此，如圖4示出，填充物質(zhì)9，不與主襯底15接觸，而潤濕鋪展到貫通孔10附近的襯底6的凹部16。如上構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置110，通過焊料14而被安裝在主襯底15。以上，在變形例1中，由于在襯底6設(shè)置凹部16，因此，在半導(dǎo)體裝置110被安裝在主襯底15時，填充物質(zhì)9，不與主襯底15接觸，而容易潤濕鋪展到凹部16，使貫通孔10開孔。(變形例2)在實施例1以及變形例1中，說明了貫通孔10被設(shè)置在襯底6的半導(dǎo)體裝置100 或Iio的例子，但不僅限于此。在變形例2中，說明貫通孔被設(shè)置在殼體1的半導(dǎo)體裝置 120的例子。圖5是實施例1的變形例2中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖6是實施例1的變形例 2中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。而且，對于與圖1或圖2同樣的要素附上同一符號，并省略詳細(xì)說明。圖5以及圖6所示的半導(dǎo)體裝置120與半導(dǎo)體裝置100的區(qū)別在于，在半導(dǎo)體裝置100中，貫通孔10被形成在襯底6，在半導(dǎo)體裝置120中，貫通孔11被設(shè)置在殼體1。在殼體1形成有貫通孔11，且被進(jìn)行表面處理。優(yōu)選的是，殼體1的貫通孔11附近的表面處理為Au/Ni。如圖5示出，貫通孔11被形成在殼體1，貫通孔11由與殼體1的厚度相等或殼體 1的厚度以下的厚度的填充物質(zhì)19填充而封閉。而且，如圖6示出，對于貫通孔11，填充物質(zhì)19被填充而該貫通孔被堵住，但是，因半導(dǎo)體裝置120被安裝在主襯底15時的焊料14的加熱處理，而填充物質(zhì)19溶解且潤濕鋪展到殼體1的貫通孔11周圍。據(jù)此，貫通孔11開孔。如此，如圖6示出，填充物質(zhì)19，不與襯底6以及固定在襯底6的半導(dǎo)體元件2以及半導(dǎo)體元件4接觸，而潤濕鋪展到殼體1的貫通孔11周圍。而且，對于該填充物質(zhì)19，也可以是例如熔點在260°C以下的物質(zhì)，也可以是例如 Sn-Ag-Cu, Sn-Ag, Sn-Pb,以及Sn-Bi系的焊料。并且，填充物質(zhì)19也可以是所述的填充物質(zhì)9。也就是說，對于填充物質(zhì)19也可以是，具有不足220°C的熔點的物質(zhì)、具有不足220°C的軟化溫度的物質(zhì)、或不足220°C的揮發(fā)溫度的物質(zhì)。填充物質(zhì)19的成分是與殼體1的主成分或殼體1的表層電鍍的主成分不同的成分，且在焊料的熔點以下溶解、軟化或揮發(fā)的物質(zhì)即可。如上構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置110，通過焊料14而被安裝在主襯底15。以上，根據(jù)變形例2，由于在殼體1設(shè)置貫通孔11，因此，在半導(dǎo)體裝置120被安裝在主襯底15時，填充物質(zhì)19，不與襯底6以及固定在襯底6的半導(dǎo)體元件2以及半導(dǎo)體元件4接觸，而潤濕鋪展到殼體1的貫通孔11周圍，能夠使貫通孔11開孔。(實施例2)在實施例1中，說明了具有不足焊料的熔點的熔點的物質(zhì)被填充到被形成在半導(dǎo)體裝置的貫通孔的情況的例子，但不僅限于此。以下，作為實施例2，說明在被形成在半導(dǎo)體裝置的貫通孔設(shè)置有吸濕性物質(zhì)的例子。圖7是實施例2中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。而且，對于與圖1同樣的要素附上同一符號，并省略詳細(xì)說明。圖7所示的半導(dǎo)體裝置200與半導(dǎo)體裝置100的區(qū)別在于，在半導(dǎo)體裝置200中， 不是填充物質(zhì)9被填充到貫通孔10，而是設(shè)置吸濕性良好的吸濕性物質(zhì)22。貫通孔10，被形成在襯底6，在內(nèi)壁設(shè)置有吸濕性良好的吸濕性物質(zhì)22。為了在同時形成的多個半導(dǎo)體裝置200通過切割法或由模具切斷的加工方法而被劃分為每一個即單片化時，防止切割加工時的切削水侵入到半導(dǎo)體裝置200內(nèi)部，而設(shè)置吸濕性物質(zhì)22。吸濕性物質(zhì)22是具有高吸濕率和吸濕速度的物質(zhì)，例如是由纖維材料構(gòu)成的物質(zhì)。而且，吸濕性物質(zhì)22，不僅限于由碳材料構(gòu)成的物質(zhì)，而可以是由二氧化硅(SiO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鋁(Al2O3)、以及氯化鈣(CaCl2)之中的任一個構(gòu)成的物質(zhì)。并且，如圖7示出，在吸濕性物質(zhì)22被設(shè)置在貫通孔10的內(nèi)壁后，也不堵塞貫通孔10。并且，吸濕性物質(zhì)22，在半導(dǎo)體裝置200被單片化時吸濕后，也不堵塞貫通孔10而保持開放的狀態(tài)。如上構(gòu)成半導(dǎo)體裝置200。如上所述，根據(jù)實施例2，由于在半導(dǎo)體裝置200的貫通孔10的內(nèi)壁，設(shè)置有吸濕性良好的吸濕性物質(zhì)22，因此切削水或切斷屑不侵入到貫通孔10內(nèi)，能夠保護(hù)隔膜構(gòu)造3。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。而且，說明了貫通孔10被設(shè)置在襯底6，但不僅限于此。貫通孔10也可以被設(shè)置在殼體1，在此情況下，在殼體1的貫通孔10的內(nèi)壁設(shè)置吸濕性物質(zhì)22即可。(實施例3)在實施例1以及實施例2中，說明了貫通孔被形成在半導(dǎo)體裝置的襯底或殼體的情況的例子，但不僅限于此。以下，作為實施例3，說明被形成在半導(dǎo)體裝置的貫通孔的其他的方式的例子。圖8是實施例3中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖9是實施例3中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。而且，對于與圖1或圖2同樣的要素附上同一符號，并省略詳細(xì)說明。圖8以及圖9所示的半導(dǎo)體裝置300與半導(dǎo)體裝置100的區(qū)別在于，在半導(dǎo)體裝置100中，在襯底6形成有貫通孔10，在半導(dǎo)體裝置300中，在襯底6沒有形成貫通孔，而在用于粘著殼體1和襯底6的粘合物質(zhì)33形成有貫通孔38。在半導(dǎo)體裝置300中，殼體1和襯底6由粘合物質(zhì)33固定。如圖8示出，粘合物質(zhì)33，將殼體1固定在襯底6。并且，粘合物質(zhì)33，具有獨特的特性，在半導(dǎo)體裝置300被安裝到主襯底15之前，將殼體1暫時固定在襯底6，使由殼體 1和襯底6形成的空間密封。而且，如圖9示出，粘合物質(zhì)33具有的特性是，因向主襯底15 的安裝時的熱，而形成貫通由殼體1和襯底6形成的空間的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的貫孔。而且，該貫孔作為貫通孔38來發(fā)揮功能。因此，在半導(dǎo)體裝置300中，切割加工時的切削水或模具加工時的切斷屑不進(jìn)入到由殼體1和襯底6形成的空間，且強(qiáng)度低的隔膜構(gòu)造3不會被破壞。在此，粘合物質(zhì)33，例如，可以是發(fā)生多個空洞的焊膏，或者，可以是通過加熱而成為多孔性的物質(zhì)。在半導(dǎo)體裝置300被安裝在主襯底15之后，由形成的貫孔構(gòu)成的貫通孔38，被形成在粘合殼體1和襯底6的粘合物質(zhì)33的某個部分的位置即可，也可以不確定。如上構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置300，通過焊料14而被安裝在主襯底15。如上所述，根據(jù)實施例3，由于將粘合物質(zhì)33作為用于固定殼體1和襯底6的粘合劑來使用，因此，在傳聲器半導(dǎo)體裝置300被安裝在主襯底15之后，在粘合物質(zhì)33因熱而形成貫通孔38。據(jù)此，由于在襯底6或殼體1不需要設(shè)置貫通孔，因此具有能夠降低制造成本的效果。如此，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。(實施例4)在實施例4中，說明利用由粘合劑的部分涂布而形成的切口部分的例子，以作為實施例3的其他的方式。圖10是實施例4中的半導(dǎo)體裝置的上面圖。圖11是實施例4中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。而且，對于與圖8或圖9同樣的要素附上同一符號，并省略詳細(xì)說明。圖10以及圖11所示的半導(dǎo)體裝置400與半導(dǎo)體裝置300的區(qū)別在于，在半導(dǎo)體裝置300中，在用于粘著殼體1和襯底6的粘合物質(zhì)33形成有貫通孔38，在半導(dǎo)體裝置400 中，預(yù)先形成切口部分46和擋壩(dam) 47。如圖10示出，為了使殼體1和襯底6固定，粘合劑5被涂布在具有隔膜構(gòu)造3的半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件4被安裝的襯底6上的區(qū)域的周圍。但是，粘合劑5，具有在該區(qū)域的周圍的一部分沒有涂布粘合劑的一個或多個切口部分46。切口部分46是襯底6上的所述區(qū)域的周圍的一部分，也是沒有涂布粘合劑5的區(qū)域。擋壩47是，以比切口部分46的寬度寬的大小來被形成在從粘合劑5中的切口部分46規(guī)定的距離的一個或多個擋壩。擋壩47被形成在與半導(dǎo)體元件2或半導(dǎo)體元件4之間，例如，在襯底6上，擋壩47被形成在切口部分46與處于切口部分46的近旁的半導(dǎo)體元件2或半導(dǎo)體元件4之間的直線距離上。并且，優(yōu)選的是，擋壩47的面積，比切口部分46 的斷面積大。
并且，擋壩47可以由包含樹脂成分的物質(zhì)形成，也可以由吸濕性良好的物質(zhì)形成，例如由無機(jī)物質(zhì)的二氧化硅(SiO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鋁(Al2O3)、以及氯化鈣(CaCl2) 之中的任一個形成。如上構(gòu)成半導(dǎo)體裝置400。如圖11示出，在半導(dǎo)體裝置400中，將殼體1安裝在襯底6，使粘合劑5硬化，從而將殼體1固定在襯底6。而且，在殼體1被固定在襯底6后，切口部分46成為殼體1與襯底6之間的空隙， 貫通由殼體1和襯底6形成的空間的內(nèi)側(cè)和外側(cè)。也可以將該由切口部分46而成的空隙作為聲孔(貫通孔)來利用。在此情況下，由于不需要在殼體1和襯底6設(shè)置貫通孔，因此具有能夠降低制造成本的效果。根據(jù)所述的結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體裝置400中，在用于將殼體1固定在襯底6的粘合劑5 具有由切口部分46而成的空隙，但是，由于在從該空隙一定的距離形成有擋壩47，因此能夠防止切割的切削水或模具加工時的切斷屑的侵入。(實施例5)在實施例1至4中，說明了由殼體1 (封蓋)覆蓋被固定在半導(dǎo)體裝置的襯底的半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件4的例子，但不僅限于此。例如，也可以取代殼體1，而利用肋部和板蓋。以下，作為實施例5，說明利用肋部和板蓋的情況的例子。圖12是實施例5中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。圖13是實施例5中的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。而且，對于與圖1或圖2同樣的要素附上同一符號，并省略詳細(xì)說明。圖12所示的半導(dǎo)體裝置500與半導(dǎo)體裝置100的區(qū)別在于，取代殼體1，而肋部 51和板蓋53，由粘合劑5固定在襯底6。肋部51和板蓋53，用于覆蓋固定在襯底6的半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件4，肋部 51和板蓋53由粘合劑5固定在襯底6。肋部51被設(shè)置在襯底6上面的半導(dǎo)體元件2以及半導(dǎo)體元件4的周圍，肋部51 由粘合劑5固定在襯底6。板蓋53是平面板。板蓋53被設(shè)置在肋部51上，且由粘合劑52與肋部51固定， 以覆蓋固定在襯底6的半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件4。并且，粘合劑5和粘合劑52，在肋部51和板蓋53被設(shè)置后，因熱而被硬化(熱硬化)。據(jù)此，粘合劑5，固定襯底6和肋部51，粘合劑52，固定肋部51和板蓋53。如上構(gòu)成半導(dǎo)體裝置500。而且，如圖13示出，半導(dǎo)體裝置500，通過焊料14而被安裝在主襯底15，但是，對于該半導(dǎo)體裝置500被安裝的安裝體的方式，由于與圖2同樣，因此省略說明。其次，對于制造方法，以半導(dǎo)體裝置500為例子來進(jìn)行說明。圖14是實施例5中的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。首先，在襯底6設(shè)置貫通孔61 (圖14(a))，在貫通孔61填充具有比焊料低的熔點的物質(zhì)。將另外形成的具有隔膜構(gòu)造3的半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件4固定在襯底6，為了與以后形成的電極7連接，而將被設(shè)置在襯底6的接合墊17與半導(dǎo)體元件2以及半導(dǎo)體元件4電連接。而且，在襯底6上面的半導(dǎo)體元件2以及半導(dǎo)體元件4的周圍設(shè)置肋部51，由粘合劑5固定肋部51 (圖14 (b))。而且，圖中示出，多個半導(dǎo)體元件2以及半導(dǎo)體元件4 被固定在襯底6的例子，肋部51被設(shè)置在各個半導(dǎo)體元件2以及半導(dǎo)體元件4的周圍。其次，將板蓋53設(shè)置在肋部51上，且由粘合劑52與肋部51固定，以覆蓋被固定在襯底6的半導(dǎo)體元件2和半導(dǎo)體元件4。而且，通過使粘合劑5和粘合劑52分別熱硬化， 從而使粘合劑5粘著襯底6與肋部51，使粘合劑52粘著肋部51和板蓋53 (圖14(c))。其次，由切割刀等同時切斷(圖14(d))，將半導(dǎo)體裝置500單片化(圖14(e))。在此，由于在被設(shè)置在襯底6的貫通孔61填充了具有比焊料低的熔點的物質(zhì)，因此，為了將半導(dǎo)體裝置500單片化而劃分時的切斷屑和切削水不會侵入到貫通孔內(nèi)。如上制造半導(dǎo)體裝置500。如上所述，根據(jù)實施例5，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水或切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。并且，如上所述，由于一并形成多個半導(dǎo)體裝置500之后進(jìn)行單片化，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)工序的簡化、制造成本的降低。(變形例)在實施例5中，說明了貫通孔10被設(shè)置在襯底6的半導(dǎo)體裝置500的例子，但不僅限于此。同樣，也可以以肋部51和板蓋53來取代實施例1至4的任意的半導(dǎo)體裝置的殼體1。圖15以及圖16示出，以肋部51和板蓋53來取代實施例1的變形例2中的半導(dǎo)體裝置120的殼體1的半導(dǎo)體裝置520，以作為一個例子。圖15是實施例5中的半導(dǎo)體裝置的其他的方式的截面圖。圖16是圖15示出的半導(dǎo)體裝置被安裝的安裝體的截面圖。而且，對于與圖1、圖2、圖12以及圖13同樣的要素附上同一符號，并省略詳細(xì)說明。如圖15示出，貫通孔61被形成在板蓋53，貫通孔61由與板蓋53的厚度相等或板蓋53的厚度以下的厚度的填充物質(zhì)19填充而封閉。而且，如圖16示出，對于貫通孔61，填充物質(zhì)19被填充而該貫通孔被堵住，但是， 因半導(dǎo)體裝置520被安裝在主襯底15時的焊料14的加熱處理，而填充物質(zhì)19溶解且潤濕鋪展到板蓋53的貫通孔11周圍。如此，貫通孔61開孔。如上所述，由于在板蓋53設(shè)置貫通孔61，因此，在半導(dǎo)體裝置520被安裝在主襯底 15時，填充物質(zhì)19，不與襯底6以及被固定在襯底6的半導(dǎo)體元件2以及半導(dǎo)體元件4接觸，而潤濕鋪展到板蓋53的貫通孔61周圍，能夠使貫通孔61開孔。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。具體而言，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件， 至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面；殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；貫通孔，被形成在所述襯底或所述殼體；以及規(guī)定的物質(zhì)，被填充在所述貫通孔，以使所述貫通孔封閉，所述規(guī)定的物質(zhì)具有的特性是，因加熱而潤濕鋪展以使所述貫通孔開孔。據(jù)此，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置。
而且，雖然說明了規(guī)定的物質(zhì)因加熱而潤濕鋪展到貫通孔附近的例子，但不僅限于此。如圖17示出，可以潤濕鋪展到貫通孔內(nèi)。例如，也可以潤濕鋪展到貫通孔的內(nèi)壁或所述襯底的主面的與所述貫通孔接觸的區(qū)域。并且，對于規(guī)定的物質(zhì)，不僅限于因加熱而潤濕鋪展的物質(zhì)，也可以是所述的吸濕物質(zhì)。在此情況下，與所述同樣，也可以包括在貫通孔的內(nèi)壁或所述襯底的主面的與所述貫通孔接觸的區(qū)域。以上，根據(jù)實施例說明了本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置，但是，本發(fā)明不僅限于此實施例。只要不脫離本發(fā)明的宗旨，對該實施例施行本領(lǐng)域的技術(shù)人員想到的各種變形的形態(tài)、 或組合不同的實施例中的構(gòu)成要素而構(gòu)成的形態(tài)，也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，將本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置安裝在主襯底的半導(dǎo)體安裝體也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。而且，例如，該半導(dǎo)體安裝體構(gòu)成移動電話、DSC(DigitalStill Camera 數(shù)字靜態(tài)相機(jī))等。本發(fā)明可以利用于半導(dǎo)體裝置，尤其可以利用于具有隔膜構(gòu)造或具有振動電極的駐極體電容器的半導(dǎo)體裝置。符號說明1 殼體2、4半導(dǎo)體元件3隔膜構(gòu)造5、52、630 粘合劑6 襯底7 電極8、18 電鍍層9、19填充物質(zhì)10、11、38、61 貫通孔14 焊料15主襯底17接合墊22吸濕性物質(zhì)33粘合物質(zhì)46切口部分47 擋壩51 肋部53 板蓋100、110、120、200、300、400、500、520 半導(dǎo)體裝置600硅電容傳聲器610金屬殼體610a 第一聲孔620a 第二聲孔621連接部件
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括 襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面；殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；貫通孔，被形成在所述襯底或所述殼體；以及規(guī)定的物質(zhì)，被填充在所述貫通孔，以使所述貫通孔封閉，所述規(guī)定的物質(zhì)具有的特性是，因加熱而潤濕鋪展以使所述貫通孔開孔。
2.一種半導(dǎo)體裝置，包括 襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面； 殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件； 貫通孔，被形成在所述襯底或所述殼體；以及規(guī)定的物質(zhì)，潤濕鋪展到所述貫通孔或所述襯底，以使所述貫通孔開孔， 所述規(guī)定的物質(zhì)具有的特性是，因加熱而潤濕鋪展。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，所述規(guī)定的物質(zhì)具有，不足220°C的熔點、不足220°C的軟化溫度或不足220°C的揮發(fā)溫度。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，在所述貫通孔的內(nèi)壁以及與所述主面相反一側(cè)的面的所述貫通孔的周圍，被進(jìn)行金屬電鍍。
5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，在所述襯底的與所述主面相反一側(cè)的面的所述貫通孔的周圍，形成有該襯底的一部分凹下的凹部。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括 襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面； 殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件； 貫通孔，被形成在所述襯底或所述殼體；以及在所述貫通孔的內(nèi)壁設(shè)置有具有吸濕率性的吸濕物質(zhì)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，所述吸濕物質(zhì)是，纖維材料、二氧化硅(SiO2)、氧化鈣(CaO)、氧化鋁(Al2O3)以及氯化鈣(CaCl2)之中的任一個。
8.一種半導(dǎo)體裝置，包括 襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面； 殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；以及粘合劑，被涂布在所述襯底，使所述襯底與所述殼體貼緊并固定，以使所述半導(dǎo)體元件密封，所述粘合劑的一部分，因加熱而被貫通。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，所述粘合劑具有，不足220°C的熔點、不足220°C的軟化溫度或不足220°C的揮發(fā)溫度。
10.一種半導(dǎo)體裝置，包括 襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面； 殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；粘合劑，被涂布在所述半導(dǎo)體元件被安裝的所述主面的區(qū)域的周圍，使所述殼體與所述襯底貼緊并固定；以及擋壩，被形成在所述襯底的主面的、所述半導(dǎo)體元件與所述粘合劑之間，該擋壩的厚度比所述粘合劑的厚度厚，所述粘合劑具有一個或多個切口部分，該切口部分是所述區(qū)域的周圍的沒有涂布粘合劑的部分，所述擋壩被形成在所述一個或多個切口部分與所述半導(dǎo)體元件之間， 所述切口部分，在所述襯底與所述殼體被固定之后成為貫通孔。
11.一種半導(dǎo)體裝置，包括 襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面； 殼體，被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；以及貫通孔，被形成在所述襯底或所述殼體，具有不足220°C的熔點、不足220°C的軟化溫度或不足220°C的揮發(fā)溫度的物質(zhì)，以環(huán)狀被形成在所述貫通孔的內(nèi)壁或該內(nèi)壁中的靠與所述襯底的主面相反一側(cè)的面的內(nèi)壁。
12.—種半導(dǎo)體裝置，包括 襯底；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件，至少一個該半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面；肋部，被固定在所述襯底的主面中的所述半導(dǎo)體元件的周圍；板蓋，該板蓋是平面板，被固定在所述肋部，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；貫通孔，被形成在所述襯底或所述板蓋；以及規(guī)定的物質(zhì)，被填充在所述貫通孔，以使所述貫通孔封閉，所述規(guī)定的物質(zhì)具有的特性是，因加熱而潤濕鋪展以使所述貫通孔開孔。
13.如權(quán)利要求2、6、8、10、11或12所述的半導(dǎo)體裝置， 所述半導(dǎo)體裝置包括，多個電極，該多個電極被形成在所述襯底的與所述主面相反一側(cè)的面且用于與主襯底連接，通過所述多個電極，且利用焊料，所述半導(dǎo)體裝置被安裝在所述半導(dǎo)體裝置要被安裝的主襯底。
14.一種半導(dǎo)體安裝體，包括半導(dǎo)體裝置、粘合物質(zhì)以及主襯底，所述半導(dǎo)體裝置包括襯底、具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件、殼體、以及貫通孔，在所述貫通孔的內(nèi)壁或所述襯底的主面的與所述貫通孔接觸的區(qū)域具有，因加熱而潤濕鋪展的物質(zhì)或具有吸濕率性的吸濕物質(zhì)，至少一個所述半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面，所述殼體被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件，所述貫通孔被形成在所述襯底或所述殼體，所述粘合物質(zhì)，將所述半導(dǎo)體裝置安裝在所述主襯底。
15. 一種制造方法，具有形成半導(dǎo)體裝置的工序，該半導(dǎo)體裝置包括襯底、具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件、殼體、以及貫通孔，至少一個所述半導(dǎo)體元件被安裝在所述襯底的主面，所述殼體被固定在所述襯底的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件，所述貫通孔被形成在所述襯底或所述殼體；填充規(guī)定的物質(zhì)的工序，該規(guī)定的物質(zhì)被填充在所述半導(dǎo)體裝置的所述貫通孔，以使所述貫通孔封閉；以及使所述規(guī)定的物質(zhì)因加熱而潤濕鋪展，以使所述貫通孔開孔的工序。
全文摘要
能夠防止進(jìn)行單片化的加工時的切削水以及切斷屑的侵入，且可靠性提高的半導(dǎo)體裝置包括襯底(6)；具有壓電轉(zhuǎn)換功能的半導(dǎo)體元件(2)，至少一個半導(dǎo)體元件(2)被安裝在所述襯底(6)的主面；殼體(1)，被固定在所述襯底(6)的主面，以覆蓋所述半導(dǎo)體元件；貫通孔，被形成在所述襯底(6)或所述殼體(1)；以及規(guī)定的物質(zhì)，被填充在所述貫通孔，以使所述貫通孔封閉，所述規(guī)定的物質(zhì)具有的特性是，因加熱而潤濕鋪展以使所述貫通孔開孔。
文檔編號B81B3/00GK102318369SQ20108000810
公開日2012年1月11日 申請日期2010年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月16日
發(fā)明者老田成志, 遲大赫 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社