專利名稱：多層線路導(dǎo)通型晶圓級微機電系統(tǒng)芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶圓級微機電系統(tǒng)芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種多層線路導(dǎo)通型晶圓級 微機電系統(tǒng)芯片。
背景技術(shù)：
目前晶圓級微機電系統(tǒng)(英文簡稱MEMS)芯片穿透硅通孔(英文簡稱TSV)封裝 技術(shù)制作過程中，普遍采用單層線路布線形式，通過前工序露出晶圓內(nèi)部導(dǎo)電塊(英文簡 稱pad)，濺鍍鋁，光阻涂布曝光顯影，鍍鎳，去光刻膠，去光刻膠層的鋁，刻蝕，鍍鎳金，防焊 層涂布曝光顯影，錫膏印刷，回流焊等工藝使晶圓內(nèi)外部電性互聯(lián)，制作出所需要的線路及 球柵陣列(英文簡稱BGA)焊墊，通過上述工藝制作出的晶圓級微機電系統(tǒng)(MEMS)芯片含 有一層與導(dǎo)電塊導(dǎo)通的線路，一般線路寬度及線路或焊墊間距在40-100微米范圍，焊墊邊 緣之間的間距多在300微米左右，在300微米左右的間距內(nèi)從晶圓內(nèi)外部電性互聯(lián)出三至 四條線路，且滿足線寬線距的要求，在現(xiàn)有技術(shù)條件下作業(yè)面臨多種問題，如蝕刻時有刻蝕 未凈，斷短路問題等，避開不良問題極其困難，直接影響產(chǎn)量及良率，而客戶線路的設(shè)計有 時又必須從焊墊邊緣之間間距內(nèi)引出三條或以上線路，使得生產(chǎn)工藝面臨困境，良率成本 優(yōu)勢不再，從而制約產(chǎn)品的競爭力。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供一種多層線路導(dǎo)通型晶圓級微機電系統(tǒng)芯片，可 達到客戶要求產(chǎn)品小尺寸上多線路、寬線路和小焊墊間距各方面需要。本發(fā)明為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種多層線路導(dǎo)通型晶圓級微機電系統(tǒng)芯片，包括玻璃和晶圓，以晶圓的集成電 路(英文簡稱IC)面為上端面，所述晶圓的上端面上設(shè)有集成電路焊墊和聚光區(qū)，所述晶 圓的集成電路焊墊部分兩側(cè)填充有膠而形成膠層，晶圓的上端面的集成電路焊墊和膠層通 過樹脂與玻璃鍵合，所述晶圓的下部設(shè)有與晶圓的集成電路焊墊相導(dǎo)通的線路，所述晶圓 的下部設(shè)有至少兩層線路，晶圓的各層線路之間按設(shè)計導(dǎo)通，靠近集成電路焊墊的線路與 集成電路焊墊的非導(dǎo)通處阻隔有絕緣層，各層線路之間的非導(dǎo)通處阻隔有絕緣層，靠近晶 圓下端面的線路按設(shè)計形成有若干錫球焊墊，晶圓下端面為絕緣層，所述晶圓下端面對應(yīng) 錫球焊墊的部位上設(shè)有外露出晶圓下端面的錫球，所述錫球與錫球焊墊導(dǎo)通。本發(fā)明的有益效果是由于晶圓的下部設(shè)有至少兩層按設(shè)計導(dǎo)通相互導(dǎo)通的線路 來替代原本的一層線路，從而實現(xiàn)了客戶在小尺寸上多線路，寬線路和小焊墊間距的各方 面需要；制作時可采用傳統(tǒng)的線路層間導(dǎo)通技術(shù)，有效應(yīng)對產(chǎn)品尺寸縮小化和產(chǎn)品線路密 集化，提高產(chǎn)品良率。


圖1為本發(fā)明的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式實施例一種多層線路導(dǎo)通型晶圓級微機電系統(tǒng)芯片，包括玻璃1和晶圓，以晶圓 的集成電路(IC)面為上端面，所述晶圓的上端面上設(shè)有集成電路焊墊2和聚光區(qū)3，所述晶 圓的集成電路焊墊部分兩側(cè)填充有膠4而形成膠層，晶圓的上端面的集成電路焊墊2和膠 層通過樹脂5與玻璃鍵合，所述晶圓的下部設(shè)有與晶圓的集成電路焊墊2相導(dǎo)通的線路6， 所述晶圓的下部設(shè)有至少兩層線路6，晶圓的各層線路6之間按設(shè)計導(dǎo)通，靠近集成電路焊 墊2的線路與集成電路焊墊2的非導(dǎo)通處阻隔有絕緣層7，各層線路6之間的非導(dǎo)通處阻 隔有絕緣層7，靠近晶圓下端面的線路6按設(shè)計形成有若干錫球焊墊8，晶圓下端面為絕緣 層7，所述晶圓下端面對應(yīng)錫球焊墊8的部位上設(shè)有外露出晶圓下端面的錫球9，所述錫球 9與錫球焊墊8導(dǎo)通。由于晶圓的下部設(shè)有至少兩層按設(shè)計導(dǎo)通相互導(dǎo)通的線路來替代原本的一層線 路，從而實現(xiàn)了客戶在小尺寸上多線路，寬線路和小焊墊間距的各方面需要；制作時可采用 傳統(tǒng)的線路層間導(dǎo)通技術(shù)，有效應(yīng)對產(chǎn)品尺寸縮小化和產(chǎn)品線路密集化，提高產(chǎn)品良率。
權(quán)利要求
一種多層線路導(dǎo)通型晶圓級微機電系統(tǒng)芯片，包括玻璃(1)和晶圓，以晶圓的集成電路面為上端面，所述晶圓的上端面上設(shè)有集成電路焊墊(2)和聚光區(qū)(3)，所述晶圓的集成電路焊墊部分兩側(cè)填充有膠(4)而形成膠層，晶圓的上端面的集成電路焊墊和膠層通過樹脂(5)與玻璃鍵合，所述晶圓的下部設(shè)有與晶圓的集成電路焊墊相導(dǎo)通的線路(6)，其特征是所述晶圓的下部設(shè)有至少兩層線路，晶圓的各層線路之間按設(shè)計導(dǎo)通，靠近集成電路焊墊的線路與集成電路焊墊的非導(dǎo)通處阻隔有絕緣層(7)，各層線路之間的非導(dǎo)通處阻隔有絕緣層，靠近晶圓下端面的線路按設(shè)計形成有若干錫球焊墊(8)，晶圓下端面為絕緣層，所述晶圓下端面對應(yīng)錫球焊墊的部位上設(shè)有外露出晶圓下端面的錫球(9)，所述錫球與錫球焊墊導(dǎo)通。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多層線路導(dǎo)通型晶圓級微機電系統(tǒng)芯片，晶圓的上端面上設(shè)有集成電路焊墊和聚光區(qū)，集成電路焊墊部分兩側(cè)填充有膠層，集成電路焊墊和膠層通過樹脂與玻璃鍵合，晶圓下部設(shè)有至少兩層與集成電路焊墊相導(dǎo)通的線路，晶圓的各層線路之間按設(shè)計導(dǎo)通，靠近集成電路焊墊的線路與集成電路焊墊的非導(dǎo)通處阻隔有絕緣層，各層線路之間的非導(dǎo)通處阻隔有絕緣層，靠近晶圓下端面的線路按設(shè)計形成有若干錫球焊墊，晶圓下端面為絕緣層，晶圓下端面對應(yīng)錫球焊墊的部位上設(shè)有外露出晶圓下端面的錫球，錫球與錫球焊墊導(dǎo)通。由于晶圓下部設(shè)有至少兩層相互導(dǎo)通的線路來替代原本的一層線路，實現(xiàn)了客戶在小尺寸上多線路，寬線路和小焊墊間距的各方面需要。
文檔編號B81B7/02GK101870443SQ20091003152
公開日2010年10月27日 申請日期2009年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月22日
發(fā)明者陳闖 申請人:昆山西鈦微電子科技有限公司