專(zhuān)利名稱：Mems換能器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種換能器封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種微電機(jī)系統(tǒng)MEMS 換能器封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著無(wú)線通訊的發(fā)展，全球移動(dòng)電話用戶越來(lái)越多，用戶對(duì)移動(dòng)電話 的要求已不僅滿足于通話，而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果，尤其是目 前移動(dòng)多媒體技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)電話的通話質(zhì)量更顯重要，移動(dòng)電話的 MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)作為移動(dòng)電話的語(yǔ)音拾取裝置，其設(shè)計(jì)好壞直接影 響通話質(zhì)量。
而目前應(yīng)用較多且性能較好的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)是 (Micro-Electro-Mechanical-System Microphone,孩i電才幾系統(tǒng))MEMS才灸 能器封裝結(jié)構(gòu)。如圖1所示，相關(guān)技術(shù)的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)IOO，包 括底板14，、覆蓋于底板14，的上蓋20'、由底板14，和上蓋20'共同形成 的腔體15，和收容于腔體15，內(nèi)并分別置于底板14，上的換能器12，和控制 電路16'，其中，底板14，設(shè)有第一聲腔18'，上蓋20，設(shè)有入聲孔12，，上蓋 20，為金屬材料。此種結(jié)構(gòu)的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)，由于上蓋20，為金 屬材料，所以該MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)的耐高溫性和穩(wěn)定性差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種具有良好耐高溫性和穩(wěn)定性 的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)，以提高M(jìn)EMS換能器封裝結(jié)構(gòu)的壽命。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為
一種MEMS ( Micro-Electro-Mechanical-System Microphone,孩吏電才幾 系統(tǒng))換能器封裝結(jié)構(gòu)，包括底板、覆蓋于底板的上蓋、由底板和上蓋共 同形成的后聲腔和收容于該后聲腔內(nèi)的換能器和控制電路，換能器與控制電路電連接，所述上蓋設(shè)置有入聲孔，其中，所述上蓋為陶資材料，上蓋
內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電層。
優(yōu)選的，所述入聲孔是由若干貫通上蓋的通孔矩陣組成。
優(yōu)選的，所述上蓋包括與底板相對(duì)的底壁和自底壁延伸的側(cè)壁，所述
換能器和控制電路分別設(shè)置在底壁；所述換能器包括一前聲腔，該前聲腔
與入聲孔相連。
優(yōu)選的，所述換能器和控制電路分別設(shè)置于底板。
優(yōu)選的，所述MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在上蓋側(cè)壁靠近底板
一端的焊盤(pán)，該焊盤(pán)與控制電路電連接。
優(yōu)選的，所述控制電路與焊盤(pán)通過(guò)綁定金線實(shí)現(xiàn)電連接 優(yōu)選的，換能器與控制電路通過(guò)綁定金線實(shí)現(xiàn)電連接。 本發(fā)明的有益效果在于由于上蓋采用了陶瓷材料，所以提高了本發(fā)
明提供的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)的耐高溫性和穩(wěn)定性。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，由于是由若干貫通上蓋的通孔矩陣組
成，所以該纟鼓機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)可以起到防塵、防水、防顆粒或光的功能，
避免塵土、水、顆?；蚬膺M(jìn)入該微機(jī)電系統(tǒng)麥克風(fēng)損害內(nèi)部元件，提高了
產(chǎn)品的使用壽命。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，由于換能器和控制電路分別設(shè)置在底 壁，換能器的前聲腔與入聲孔相連，增大了 MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)的后 聲腔空間，所以該MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)具有良好的靈敏度和頻響特性。


圖1是與本發(fā)明相關(guān)的一種MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)；
圖2是本發(fā)明提供的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的剖視
圖3是本發(fā)明提供的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的剖 視圖4是本發(fā)明提供的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的剖 視圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
參見(jiàn)圖2、圖3、圖4,本發(fā)明提供的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)1,主 要用于手機(jī)上，接受聲音并將聲音轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。
參見(jiàn)圖4，在本發(fā)明提供的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，MEMS換能器封裝結(jié) 構(gòu)1,主要包括底板11、覆蓋于底板11的上蓋12、由底板11和上蓋12 共同形成的后聲腔18和收容于后聲腔18內(nèi)的換能器14和控制電路15, 設(shè)置在上蓋的入聲孔13，其中，上蓋12采用陶瓷材料，上蓋12內(nèi)設(shè)置 有導(dǎo)電層。由于上蓋采用了陶瓷材料，提高了本發(fā)明提供的MEMS換能 器封裝結(jié)構(gòu)1的耐高溫性和穩(wěn)定性。
其中換能器14與控制電路15電連接。在本優(yōu)選實(shí)施例中，換能器 14與控制電路15是通過(guò)綁定金線(未標(biāo)號(hào))實(shí)現(xiàn)電連接的，當(dāng)然也可以 采取其他的方式實(shí)現(xiàn)電連接。
作為本發(fā)明提供的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，參見(jiàn)圖4, MEMS換能器封 裝結(jié)構(gòu)1的上蓋12包括與底板11相對(duì)的底壁121和自底壁121延伸的側(cè) 壁122，用于接收外部聲音信號(hào)的入聲孔13設(shè)置在底壁121，換能器14 包括一前聲腔141,換能器14和控制電路15分別設(shè)置在底壁121,入聲 孔13與換能器14的前聲腔141相連。這樣，上蓋12、底板ll和換能器 14就構(gòu)成了一密閉的后聲腔18。這樣，換能器14和控制電路15分別設(shè) 置在底壁121,換能器14的前聲腔141與入聲孔13相連，增大了 MEMS 換能器封裝結(jié)構(gòu)的后聲腔18空間，所以此種結(jié)構(gòu)的MEMS換能器封裝結(jié) 構(gòu)1具有良好的靈敏度和頻響特性。
作為本發(fā)明提供的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)1還包 括設(shè)置在上蓋12的焊盤(pán)16,該焊盤(pán)16與控制電路15電連接。焊盤(pán)16 用于與外部電路實(shí)現(xiàn)安裝連接?？刂齐娐?5與焊盤(pán)16通過(guò)綁定金線(未 標(biāo)出)實(shí)現(xiàn)電連接。當(dāng)然，也可以通過(guò)其他方式實(shí)現(xiàn)電連接。由于上蓋 12采用了陶瓷材料，所以焊盤(pán)16的位置就具有靈活性。由于上蓋12內(nèi) 設(shè)置有導(dǎo)電層，使得控制電路15與焊盤(pán)16可以實(shí)現(xiàn)電連接。
作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，參見(jiàn)圖2,在該入聲孔13為若千貫 通上蓋12的通孔矩陣，所以入聲孔13可以起到防塵、防水、防顆粒或光 的功能，避免塵土、水、顆?；蚬膺M(jìn)入該MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)1損害 內(nèi)部元件，提高了產(chǎn)品的使用壽命。當(dāng)然，如圖2所示，本發(fā)明提供的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，MEMS換能器 封裝結(jié)構(gòu)1可以包括如上所述的技術(shù)特征，即，入聲孔13為若干貫通上 蓋12的通孔矩陣，換能器14和控制電路15分別設(shè)置在底壁121,換能 器14的前聲腔141與入聲孔13相連，此種結(jié)構(gòu)的MEMS換能器封裝結(jié) 構(gòu)1既可以提高產(chǎn)品的耐高溫性及穩(wěn)定性，也可以提高產(chǎn)品的靈敏度和頻 響特性，同時(shí)又能起到防塵、防水、防顆?；蚬獾墓δ堋?br> 參見(jiàn)圖3,在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，換能器14和控制電 路15也可以分別設(shè)置于底板11。當(dāng)然，如圖3所示，本發(fā)明提供的優(yōu)選 實(shí)施例中，換能器14和控制電^各15也可以分別i殳置于底板11,入聲孔 13為若干貫通上蓋的通孔矩陣。
如上的實(shí)施例中，換能器14可以是麥克風(fēng)，也可以是受話器等。
以上所述的僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普 通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)， 但這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，微電機(jī)系統(tǒng))換能器封裝結(jié)構(gòu)，包括底板、覆蓋于底板的上蓋、由底板和上蓋共同形成的后聲腔和收容于該后聲腔內(nèi)的換能器和控制電路，換能器與控制電路電連接，所述上蓋設(shè)置有入聲孔，其特征在于所述上蓋為陶瓷材料，上蓋內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述入聲孔是由若干貫通上蓋的通孔矩陣組成。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述上蓋包括與底板相對(duì)的底壁和自底壁延伸的側(cè)壁，所述換能器和控制電 路分別設(shè)置在底壁；所述換能器包括一前聲腔，該前聲腔與入聲孔相連。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述換能器和控制電路分別設(shè)置于底板。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在上蓋側(cè)壁靠近底板一端的焊盤(pán)，該 焊盤(pán)與控制電路電連接。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述控制電路與焊盤(pán)通過(guò)綁定金線實(shí)現(xiàn)電連接
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于換 能器與控制電路通過(guò)綁定金線實(shí)現(xiàn)電連接。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種MEMS(Micro-Electro-Mechanical-SystemMicrophone，微電機(jī)系統(tǒng))換能器封裝結(jié)構(gòu)，包括底板、覆蓋于底板的上蓋、由底板和上蓋共同形成的后聲腔和收容于該后聲腔內(nèi)的換能器和控制電路，換能器與控制電路電連接，所述上蓋設(shè)置有入聲孔，所述上蓋為陶瓷材料，上蓋內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電層。本MEMS換能器封裝結(jié)構(gòu)可以提高M(jìn)EMS換能器封裝結(jié)構(gòu)的耐高溫性和穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)B81B7/00GK101415138SQ200810217340
公開(kāi)日2009年4月22日 申請(qǐng)日期2008年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者吳志江, 孟珍奎, 金鎬哲 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司