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吸波結(jié)構(gòu)的制作方法

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吸波結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種吸波結(jié)構(gòu)。所述吸波結(jié)構(gòu)包括:至少一個(gè)疊層結(jié)構(gòu),所述疊層結(jié)構(gòu)包括基板和位于基板上的電阻層,所述電阻層包括相互錯(cuò)位排列的多個(gè)十字框體結(jié)構(gòu),所述十字框體結(jié)構(gòu)由兩條框形結(jié)構(gòu)相交而成,兩條框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度不同。該吸波結(jié)構(gòu)可以用作特定頻段的電磁波的吸波材料,并且表現(xiàn)出TE波和TM波的極化選擇性,當(dāng)TE波入射時(shí)被反射的電磁波能量會(huì)在?0.53dB和?5.08dB之間,當(dāng)TM波入射時(shí)被反射的電磁波能量會(huì)低于?10GHz。
【專利說(shuō)明】
吸波結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電磁波吸收材料,更具體地涉及吸波結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]電磁波吸收材料(即吸波材料)可以吸收入射的電磁波,從而減少電磁波的反射和輻射。吸波材料可以減少電子系統(tǒng)的電磁波泄露,從而可以用于減少電子系統(tǒng)之間的干擾,改善電磁兼容性。
[0003]此外,如果將吸波材料作為飛行器的蒙皮,則可以減小飛行器的雷達(dá)散射截面積(RCS,即Radar Cross Sect1n)。例如,飛機(jī)的機(jī)翼是機(jī)體RCS的重要來(lái)源。采用吸波材料覆蓋的可以顯著減小機(jī)體的RCS,從而減小飛機(jī)的雷達(dá)可探測(cè)性,實(shí)現(xiàn)隱身效果。
[0004]根據(jù)不同的用途,吸波材料不僅要求有良好的吸波性能,而且對(duì)重量、厚度和帶寬等其他性能也有要求。單一的吸波材料難以能夠滿足帶寬和機(jī)械強(qiáng)度方面的綜合要求。吸波結(jié)構(gòu)是獲得輕質(zhì)寬頻帶吸波材料的重要手段。
[0005]然而,隨著技術(shù)發(fā)展,對(duì)吸波材料的性能要求越來(lái)越高。期望進(jìn)一步開發(fā)的吸波結(jié)構(gòu)具有改善的吸波性能以及對(duì)TE波和TM波表現(xiàn)出極化選擇性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]鑒于上述問(wèn)題,本實(shí)用新型要解決的問(wèn)題是提供一種通過(guò)電阻層的設(shè)計(jì)來(lái)改善吸波性能的濾波器。
[0007]為達(dá)到上述目的,提供一種吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:至少一個(gè)疊層結(jié)構(gòu),所述疊層結(jié)構(gòu)包括基板和位于基板上的電阻層,
[0008]其中,所述電阻層包括相互錯(cuò)位排列的多個(gè)十字框體結(jié)構(gòu),所述十字框體結(jié)構(gòu)由兩條框形結(jié)構(gòu)相交而成,兩條框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度不同。
[0009]優(yōu)選的,所述十字框體結(jié)構(gòu)多行排列,相鄰行的所述十字框體結(jié)構(gòu)錯(cuò)開設(shè)置。
[0010]優(yōu)選的,所述電阻層由多個(gè)結(jié)構(gòu)單元組成的陣列,每個(gè)結(jié)構(gòu)單元包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括由導(dǎo)電條形成的矩形框,所述矩形框的四邊均具有缺口,缺口的兩側(cè)均設(shè)置有向外延伸的導(dǎo)電線條,所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括位于所述矩形框內(nèi)的十字框體結(jié)構(gòu);所述結(jié)構(gòu)單元的第一方向?yàn)樗鼍匦慰虻拈L(zhǎng)度方向,第二方向?yàn)樗鼍匦慰虻膶挾确较颍诘谝环较蚝偷诙较蛏?,相鄰兩所述結(jié)構(gòu)單元的所述導(dǎo)電線條彼此連接形成所述相互錯(cuò)位排列的多個(gè)十字框體結(jié)構(gòu)。
[0011 ]優(yōu)選的,位于所述矩形框長(zhǎng)邊上的缺口寬度與位于所述矩形框短邊上的缺口寬度不同。
[0012]優(yōu)選的,位于所述矩形框長(zhǎng)邊上的導(dǎo)電線條長(zhǎng)度與位于所述矩形框短邊上的導(dǎo)電線條長(zhǎng)度不同。
[0013]優(yōu)選的,所述十字框體結(jié)構(gòu)包括相互垂直設(shè)置的第一框形結(jié)構(gòu)和第二框形結(jié)構(gòu),所述第一框形結(jié)構(gòu)沿所述第一方向延伸,所述第二框形結(jié)構(gòu)沿所述第二方向延伸,所述第一框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度大于所述第二框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度。
[0014]優(yōu)選的,所述第一框形結(jié)構(gòu)的寬度大于所述第二框形結(jié)構(gòu)的寬度。
[0015]優(yōu)選的,所述第一框形結(jié)構(gòu)、所述第二框形結(jié)構(gòu)、所述矩形框以及所述導(dǎo)電線條的線寬相同。
[0016]優(yōu)選的,所述十字框體結(jié)構(gòu)在所述結(jié)構(gòu)單元中居中。
[0017]優(yōu)選的,所述電阻層夾在兩個(gè)基板之間。
[0018]優(yōu)選的,所述基板為介質(zhì)基板。
[0019]優(yōu)選的,所述吸波結(jié)構(gòu)包括多個(gè)疊層結(jié)構(gòu),所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)中的電阻層的結(jié)構(gòu)相同但電阻率不同。
[0020]優(yōu)選的,所述吸波結(jié)構(gòu)包括多個(gè)疊層結(jié)構(gòu),所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)中的電阻層的結(jié)構(gòu)尺寸不同以獲得不同的電阻率。
[0021]本實(shí)用新型通過(guò)在基板上設(shè)計(jì)電阻層,通過(guò)相關(guān)疊層結(jié)構(gòu)的電磁響應(yīng)特征來(lái)改變吸波特性,從而可以改善吸波結(jié)構(gòu)的吸波性能。該吸波結(jié)構(gòu)對(duì)TE波和TM波表現(xiàn)出不同的吸收性能,在低頻時(shí)大量吸收TM波而高頻時(shí)弱吸收TM波,同時(shí)不論高頻或低頻時(shí)均弱吸收TE波,當(dāng)TE波入射時(shí)被反射的電磁波能量會(huì)在-0.53dB和-5.08dB之間,當(dāng)TM波入射時(shí)被反射的電磁波能量會(huì)低于-1 OGHz,從而獲得了極化選擇性。
【附圖說(shuō)明】
[0022]通過(guò)以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的描述,本實(shí)用新型的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚,在附圖中:
[0023]圖1示出作為對(duì)照例的吸波結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖;
[0024]圖2示出根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的吸波結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025]圖3示出在根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的吸波結(jié)構(gòu)中采用的結(jié)構(gòu)單元的俯視圖;
[0026]圖4示出根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的吸波結(jié)構(gòu)的截面圖;
[0027]圖5示出根據(jù)對(duì)照例的吸波結(jié)構(gòu)的Sll參數(shù)的仿真特性曲線;
[0028]圖6示出根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的吸波結(jié)構(gòu)的Sll參數(shù)的仿真特性曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本實(shí)用新型。在各個(gè)附圖中,相同的元件采用類似的附圖標(biāo)記來(lái)表示。為了清楚起見,附圖中的各個(gè)部分沒(méi)有按比例繪制。此外,可能未示出某些公知的部分。
[0030]應(yīng)當(dāng)理解,在描述某個(gè)結(jié)構(gòu)時(shí),當(dāng)將一層、一個(gè)區(qū)域稱為位于另一層、另一個(gè)區(qū)域“上面”或“上方”時(shí),可以指直接位于另一層、另一個(gè)區(qū)域上面,或者在其與另一層、另一個(gè)區(qū)域之間還包含其它的層或區(qū)域。并且,如果將該結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn),該一層、一個(gè)區(qū)域?qū)⑽挥诹硪粚?、另一個(gè)區(qū)域“下面”或“下方”。如果為了描述直接位于另一層、另一個(gè)區(qū)域上面的情形,本文將采用“A直接在B上面”或“A在B上面并與之鄰接”的表述方式。
[0031 ]本實(shí)用新型可以各種形式呈現(xiàn),以下將描述其中一些示例。
[0032]圖1示出作為對(duì)照例的吸波結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖。吸波結(jié)構(gòu)100包括堆疊的多個(gè)層。第一電阻層115位于第一基板112上,形成第一疊層結(jié)構(gòu)。第二電阻層125位于第二基板122上,形成第二疊層結(jié)構(gòu)。此外,第三基板116覆蓋在第一電阻層115。
[0033]第一電阻層115和第二電阻層125分別是由多個(gè)結(jié)構(gòu)單元組成的陣列。每個(gè)結(jié)構(gòu)單元包括彼此隔開的第一導(dǎo)電圖案和兩個(gè)第二導(dǎo)電圖案,第一導(dǎo)電圖案包括工字型結(jié)構(gòu)以及與工字型結(jié)構(gòu)交叉的第一線條,第一線條與工字型結(jié)構(gòu)兩端的線條相平行,第二導(dǎo)電圖案包括矩形框,分別設(shè)置于工字型結(jié)構(gòu)的兩端,矩形框上設(shè)置有開口,工字型結(jié)構(gòu)的兩端分別經(jīng)開口穿入矩形框內(nèi)。
[0034]圖2示出根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的吸波結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖4示出根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的吸波結(jié)構(gòu)的截面圖。該吸波結(jié)構(gòu)200包括堆疊的多個(gè)疊層結(jié)構(gòu),疊層結(jié)構(gòu)包括基板和位于基板上的電阻層,其中,電阻層中的第一電阻層215位于第一基板112上,形成第一疊層結(jié)構(gòu)。電阻層中的第二電阻層225位于第二基板122上,形成第二疊層結(jié)構(gòu)。電阻層中的第三電阻層235位于第三基板132上。此外,第四基板116覆蓋在第一電阻層215。
[0035]為了示出第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235,將第四基板116分離示出,圖中的箭頭指示從吸波結(jié)構(gòu)中分離相關(guān)層的移動(dòng)方向。
[0036]第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235分別包括相互錯(cuò)位排列的多個(gè)十字框體結(jié)構(gòu),十字框體結(jié)構(gòu)由兩條框形結(jié)構(gòu)相交而成,兩條框形結(jié)構(gòu)分別為第一框形結(jié)構(gòu)和第二框形結(jié)構(gòu),兩條框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度不同。進(jìn)一步的第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235十字框體結(jié)構(gòu)呈多行排列,相鄰行的十字框體結(jié)構(gòu)錯(cuò)開設(shè)置。
[0037]為方便描述具體結(jié)構(gòu),將相互錯(cuò)位排列的多個(gè)十字框體結(jié)構(gòu)劃分為多個(gè)結(jié)構(gòu)單元,第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235分別是由多個(gè)結(jié)構(gòu)單元2150陣列形成。圖3示出在根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的吸波結(jié)構(gòu)中采用的結(jié)構(gòu)單元的俯視圖。
[0038]每個(gè)結(jié)構(gòu)單元2150包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu),第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括由導(dǎo)電條形成的矩形框2153,矩形框2153的四邊均具有缺口 2154,缺口 2154的兩側(cè)均設(shè)置有向外延伸的導(dǎo)電線條2155。其中,位于矩形框2153長(zhǎng)邊上的缺口2154寬度與位于矩形框2153短邊上的缺口2154寬度可以相同,也可以不同,優(yōu)選的,位于矩形框2153長(zhǎng)邊上的缺口 2154寬度小于位于矩形框2153短邊上的缺口 2154寬度。位于矩形框2153長(zhǎng)邊上的導(dǎo)電線條2155的長(zhǎng)度與位于矩形框2153短邊上的導(dǎo)電線條2155長(zhǎng)度可以相同也可以不同,優(yōu)選的,位于矩形框2153長(zhǎng)邊上的導(dǎo)電線條2155的長(zhǎng)度大于位于矩形框2153短邊上的導(dǎo)電線條2155長(zhǎng)度。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括位于矩形框2153內(nèi)的由導(dǎo)電條形成的十字框體結(jié)構(gòu)2151 ο優(yōu)選的,十字框體結(jié)構(gòu)2151的四個(gè)端部分別與矩形框2153的四個(gè)缺口 2154對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0039]結(jié)構(gòu)單元的第一方向?yàn)榫匦慰?153的長(zhǎng)度方向,第二方向?yàn)榫匦慰?153的寬度方向,在第一方向和第二方向上,相鄰的結(jié)構(gòu)單元的導(dǎo)電線條2155彼此連接,從而形成上述的相互錯(cuò)位排列的多個(gè)十字框體結(jié)構(gòu)。十字框體結(jié)構(gòu)2151包括相互垂直設(shè)置的第一框形結(jié)構(gòu)和第二框形結(jié)構(gòu),第一框形結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸,第二框形結(jié)構(gòu)沿第二方向延伸。十字框體結(jié)構(gòu)2151呈軸對(duì)稱圖案。優(yōu)選的,在第一方向和第二方向上,十字框體結(jié)構(gòu)2151在結(jié)構(gòu)單元中居中。
[0040]在圖3所示的實(shí)例中,第一框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度大于第二框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度,第一框形結(jié)構(gòu)的寬度大于第二框形結(jié)構(gòu)的寬度,并且第一框形結(jié)構(gòu)、第二框形結(jié)構(gòu)、矩形框2153以及導(dǎo)電線條2155的線寬相同。然而,該尺寸關(guān)系并非是必須的,可以根據(jù)仿真結(jié)果而進(jìn)行適當(dāng)修改。[0041 ]該結(jié)構(gòu)單元2150的長(zhǎng)度表示為L(zhǎng)I,寬度表示為Wl。十字框體結(jié)構(gòu)2151中的第一框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度表示為L(zhǎng)2,寬度表示為W2,第二框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度表示為L(zhǎng)3,寬度表示為W3,線寬表示為wl。矩形框2153的長(zhǎng)度表示為L(zhǎng)4,寬度表示為L(zhǎng)4,位于矩形框2153長(zhǎng)邊上的缺口2154寬度為w2,位于矩形框2153短邊上的缺口 2154寬度為w3。
[0042]第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235可以由任意的導(dǎo)電材料組成。這里的導(dǎo)電材料,可以是金、銀、銅等導(dǎo)電性能良好的金屬材料,或者主要成分為金、銀、銅中的一種或兩種的合金材料,也可以是碳納米管、摻鋁氧化鋅、銦錫氧化物等可以導(dǎo)電的非金屬材料。在本實(shí)用新型中,第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235的材料優(yōu)選銅或銀。第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235可以是任意物質(zhì)形態(tài)。這里的物質(zhì)形態(tài),可以是選自固體、液體、流狀體和粉狀物中的一種,只要其可以維持特定的形狀即可。例如液體的導(dǎo)電材料可以容納在空腔、管道、膠囊之中并且限定其形狀。
[0043]第一基板112、第二基板122、第三基板132和第四基板116可以分別為介質(zhì)基板。介質(zhì)基板的材料有多種選擇,例如陶瓷、FR4、F4B(聚四氟乙烯)、HDPE(高密度聚乙烯,HighDensity Polyethylene)、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene)等。例如,介質(zhì)基板的相對(duì)介電常數(shù)大于2、損耗角正切小于0.1。第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235可以通過(guò)印刷、鍍敷、粘接、熱壓等方式附著于介質(zhì)基板上。
[0044]第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235分別具有不同的電阻率。在一個(gè)實(shí)例中,第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235分別包括相同構(gòu)造且尺寸相同的結(jié)構(gòu)單元,但由于采用的導(dǎo)電材料不同,可以獲得不同的電阻率。在采用導(dǎo)電油墨形成第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235的結(jié)構(gòu)單元時(shí),可以通過(guò)改變導(dǎo)電油墨的電阻率來(lái)獲得不同的電阻率。在另一個(gè)實(shí)例中,第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235分別包括相同構(gòu)造但尺寸不同的結(jié)構(gòu)單元,即使采用的導(dǎo)電材料相同,也可以獲得不同的電阻率。
[0045]在一個(gè)實(shí)例中,第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235是介質(zhì)基板上的圖案化金屬層。第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235通過(guò)蝕刻、電鍍、鉆刻、光亥IJ、電子刻或離子刻等多種方法附著在介質(zhì)基板上。其中,蝕刻是較優(yōu)的制造工藝,其步驟是在設(shè)計(jì)好合適的人造微結(jié)構(gòu)的平面圖案后,先將一張金屬箔片整體地附著在介質(zhì)基板上,然后通過(guò)蝕刻設(shè)備,利用溶劑與金屬的化學(xué)反應(yīng)去除掉人造微結(jié)構(gòu)預(yù)設(shè)圖案以外的箔片部分,余下的即可得到人造微結(jié)構(gòu)。在另一個(gè)實(shí)例中,第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235可以由導(dǎo)電油墨印刷形成在介質(zhì)基板上。
[0046]圖5示出根據(jù)對(duì)照例的吸波結(jié)構(gòu)的Sll參數(shù)的仿真特性曲線。該吸波結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)單元如圖1所示。
[0047]從圖5中可以看出,TE波及TM波會(huì)在3.52至13.29GHz被吸收而吸收的能量不相同。在相同頻率范圍下,TE入射波和TM入射波版吸收的能量是不相同的,這是大量吸收TM波而少量吸收TE波的帶寬雷達(dá)吸波物料
[0048]圖6示出根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的吸波結(jié)構(gòu)的Sll參數(shù)的仿真特性曲線。
[0049]該吸波結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)單元如圖3所示,其結(jié)構(gòu)如圖4所示,包括第一、第二疊層結(jié)構(gòu)和第三疊層結(jié)構(gòu)。
[0050]在仿真中,假設(shè)第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235的結(jié)構(gòu)單元的構(gòu)造相同。采用不同的材料形成第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235,使得第一電阻層215的電阻率為20 Ω/Sq,第二電阻層225的電阻率為80 Ω/Sq,第三電阻層235的電阻率為600Q/Sq。
[0051 ] 在第一電阻層215、第二電阻層225和第三電阻層235中,每個(gè)結(jié)構(gòu)單元2150的長(zhǎng)度LI和寬度Wl分別為15毫米和9毫米,厚度為0.02毫米。十字框體結(jié)構(gòu)2151中的第一框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度L2為12.5毫米,寬度W2為2毫米,第二框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度L3為3毫米,寬度W3為1.5毫米,線寬wl為0.5毫米。矩形框2153的長(zhǎng)度L4和寬度W4分別為14.5毫米和8毫米,位于矩形框2153長(zhǎng)邊上的缺口 2154寬度w2為2.5毫米,位于矩形框2153短邊上的缺口 2154寬度《3為6毫米。
[0052]第一基板112、第二基板122、第三基板132和第四基板116的材料相同,均為FR4基板,相對(duì)介電常數(shù)3.0,第四基板116的厚度為0.4毫米,其余的基板厚度為3.2毫米。
[0053]此外,為了測(cè)試電磁波反射特性,在第三基板132的與第三電阻層235相對(duì)的一個(gè)表面設(shè)置厚度為0.018毫米的銅層。
[0054]對(duì)于上述參數(shù)的吸波結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真的結(jié)果表明,TE波入射時(shí)被少量吸收而TM波入射時(shí)被大量吸收。在圖6中示出TE波和TM波的SI I仿真曲線,在仿真中,TE波和TM波的入射角度均為零,即正面入射??梢钥吹剑琓E波的SI I在3.05至22.48GHz波段是在-0.53dB和-5.08dB之間,TM波的Sll在3.05至22.48GHz波段均低于-10dB。也就是說(shuō),在相同頻率范圍下,TE入射波和TM入射波版吸收的能量是不相同的,這是大量吸收TM波而少量吸收TE波的帶寬雷達(dá)吸波物料。與對(duì)照例相比,本實(shí)施例的吸收范圍更大。
[0055]在以上的描述中,對(duì)公知的結(jié)構(gòu)要素和步驟并沒(méi)有做出詳細(xì)的說(shuō)明。但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,可以通過(guò)各種技術(shù)手段,來(lái)實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的結(jié)構(gòu)要素和步驟。另外,為了形成相同的結(jié)構(gòu)要素,本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以設(shè)計(jì)出與以上描述的方法并不完全相同的方法。另外,盡管在以上分別描述了各實(shí)施例,但是這并不意味著各個(gè)實(shí)施例中的措施不能有利地結(jié)合使用。
[0056]以上對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行了描述。但是,這些實(shí)施例僅僅是為了說(shuō)明的目的,而并非為了限制本實(shí)用新型的范圍。本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等價(jià)物限定。不脫離本實(shí)用新型的范圍,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出多種替代和修改,這些替代和修改都應(yīng)落在本實(shí)用新型的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,包括: 至少一個(gè)疊層結(jié)構(gòu),所述疊層結(jié)構(gòu)包括基板和位于基板上的電阻層, 其中,所述電阻層包括相互錯(cuò)位排列的多個(gè)十字框體結(jié)構(gòu),所述十字框體結(jié)構(gòu)由兩條框形結(jié)構(gòu)相交而成,兩條框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于:所述十字框體結(jié)構(gòu)多行排列,相鄰行的所述十字框體結(jié)構(gòu)錯(cuò)開設(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于:所述電阻層由多個(gè)結(jié)構(gòu)單元組成的陣列,每個(gè)結(jié)構(gòu)單元包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu),所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括由導(dǎo)電條形成的矩形框,所述矩形框的四邊均具有缺口,缺口的兩側(cè)均設(shè)置有向外延伸的導(dǎo)電線條,所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括位于所述矩形框內(nèi)的十字框體結(jié)構(gòu); 所述結(jié)構(gòu)單元的第一方向?yàn)樗鼍匦慰虻拈L(zhǎng)度方向,第二方向?yàn)樗鼍匦慰虻膶挾确较?,在第一方向和第二方向上,相鄰兩所述結(jié)構(gòu)單元的所述導(dǎo)電線條彼此連接形成所述相互錯(cuò)位排列的多個(gè)十字框體結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,位于所述矩形框長(zhǎng)邊上的缺口寬度與位于所述矩形框短邊上的缺口寬度不同。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,位于所述矩形框長(zhǎng)邊上的導(dǎo)電線條長(zhǎng)度與位于所述矩形框短邊上的導(dǎo)電線條長(zhǎng)度不同。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述十字框體結(jié)構(gòu)包括相互垂直設(shè)置的第一框形結(jié)構(gòu)和第二框形結(jié)構(gòu),所述第一框形結(jié)構(gòu)沿所述第一方向延伸,所述第二框形結(jié)構(gòu)沿所述第二方向延伸,所述第一框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度大于所述第二框形結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一框形結(jié)構(gòu)的寬度大于所述第二框形結(jié)構(gòu)的寬度。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一框形結(jié)構(gòu)、所述第二框形結(jié)構(gòu)、所述矩形框以及所述導(dǎo)電線條的線寬相同。9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述十字框體結(jié)構(gòu)在所述結(jié)構(gòu)單元中居中。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述電阻層夾在兩個(gè)基板之間。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述吸波結(jié)構(gòu)包括多個(gè)疊層結(jié)構(gòu),所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)中的電阻層的結(jié)構(gòu)相同但電阻率不同。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述吸波結(jié)構(gòu)包括多個(gè)疊層結(jié)構(gòu),所述多個(gè)疊層結(jié)構(gòu)中的電阻層的結(jié)構(gòu)尺寸不同以獲得不同的電阻率。
【文檔編號(hào)】H01Q17/00GK205488574SQ201521139082
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請(qǐng)人】深圳光啟高等理工研究院
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