專利名稱：傳感接觸探頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及接觸探頭，尤其涉及但不限于與鐵電體存儲(chǔ)器一起使用的接觸探頭。
背景技術(shù)：
微型懸臂(microcantilever)在微型機(jī)械設(shè)備中被用作接觸指或支承針。微型懸臂通常具有1到100微米范圍內(nèi)的尺寸，并通過MEMS(微型機(jī)電系統(tǒng))或MST(微型系統(tǒng)技術(shù))方法制成。微型懸臂的一個(gè)問題是梁末端的位置和角度傾向于有一些變化，且該可變性被視為是因?yàn)樵谥圃炱陂g加工條件的難以控制的變化。該可變性限制了使用微型懸臂的設(shè)備的制造精密度。需要一種方法和裝置來減小微型懸臂梁末端的位置和角度的可變性。
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例對(duì)這些和其它問題提供了解決方案，并在本領(lǐng)域上提供了其它優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
所公開的是傳感接觸探頭。傳感接觸探頭包括梁支承和探頭。該探頭包括從梁的支承延伸到探頭端面的彎曲梁體。探頭端面與梁支承之間有間隔。探頭端面在一角度方向上放置并朝向。
彎曲梁體包括接合在一起并具有使梁體彎曲的不同殘余應(yīng)力的第一和第二梁層。應(yīng)力釋放區(qū)域在彎曲梁體內(nèi)形成。應(yīng)力釋放區(qū)域具有調(diào)節(jié)彎曲以控制探頭端面位置和角度方向的調(diào)節(jié)應(yīng)力屬性。
在一實(shí)施例中，第一梁層包括電絕緣層，而第二梁層包括向探頭端面提供電連接的金屬層。
在另一實(shí)施例中，探頭端面是從公用的探頭支承伸出的一行多個(gè)探頭端面的第一個(gè)，且第一探頭端面的調(diào)節(jié)使第一探頭端面與其余多個(gè)探頭端面的對(duì)齊得到改進(jìn)。
在閱讀以下詳細(xì)描述并查看相關(guān)附圖之后，表征本發(fā)明各實(shí)施例的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見。


圖1示出鐵電體數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。
圖2-3示出傳感接觸探頭陣列。
圖4-7示出制造傳感接觸探頭陣列中的工藝步驟。
圖8示出用于調(diào)節(jié)傳感接觸探頭的制造夾具。
圖9-10示出傳感接觸探頭中應(yīng)力釋放區(qū)域的示例。
具體實(shí)施例方式
在以下結(jié)合圖1-10描述的實(shí)施例中，傳感接觸探頭包括由具有不同殘余應(yīng)力的兩個(gè)層形成的梁體(微型懸臂)。這兩個(gè)層被接合在一起，且不同大小的殘余應(yīng)力將該梁彎成一圓弧。彎曲梁體用作彈簧，提供使梁一端的探頭端面與該探頭端面要掃描的表面相接觸的預(yù)載力。該傳感接觸探頭可以陣列形成，以在表面上提供多點(diǎn)的同時(shí)(并行)掃描。當(dāng)陣列中的各個(gè)梁因?yàn)橹圃旃に囎兓鴽]有對(duì)齊時(shí)，可通過調(diào)節(jié)梁體內(nèi)的應(yīng)力釋放區(qū)域的應(yīng)力屬性來對(duì)齊它們?？墒褂眉す饣蚧瘜W(xué)蝕刻來調(diào)節(jié)應(yīng)力屬性。梁的陣列可彼此對(duì)齊以確保準(zhǔn)確放置和探頭端面上的均勻機(jī)械預(yù)載。傳感接觸探頭可用于掃描鐵電體存儲(chǔ)器中的信息以及其它應(yīng)用。
圖1示出其中使用本發(fā)明實(shí)施例的一示例性鐵電體數(shù)據(jù)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器10。該驅(qū)動(dòng)器10包括具有可掃描表面12的鐵電體存儲(chǔ)介質(zhì)16。懸臂梁14的陣列接觸可掃描表面12，并將數(shù)據(jù)往返傳送給可掃描表面12。諸如微型致動(dòng)器20的微型致動(dòng)器提供可掃描表面12和懸臂梁14之間的相對(duì)掃描移動(dòng)。電觸點(diǎn)18提供驅(qū)動(dòng)器10和主機(jī)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)之間的連接。
圖2-3示出在襯底214的空穴內(nèi)形成的傳感接觸探頭202、204、206、208、210、212的陣列200。圖2示出陣列200的頂(俯)視圖，而圖3示出沿圖2線3-3取得的前橫截面視圖。
襯底214提供用于傳感接觸探頭202、204、206、208、210、212的公用梁支承。襯底214在圖2-3中僅部分地示出，并可擴(kuò)展以支承未在圖2-3中示出的更多傳感接觸探頭。傳感接觸探頭202、204、206、208、210、212最好排列成如圖所示的常規(guī)矩形陣列，或斜對(duì)齊地排列。襯底214可沿X和Y軸相對(duì)于表面216(圖3)移動(dòng)，以通過傳感接觸探頭202、204、206、208、210、212提供表面216的掃描。襯底214支承于距離表面216一受控間隔Z處。該受控間隔Z通常被選為在表面216和各個(gè)傳感接觸探頭之間提供期望大小的預(yù)載力。該預(yù)載力使傳感接觸探頭202、204、206、208、210、212偏轉(zhuǎn)，使傳感接觸探頭202、204、206、208、210、212較佳地用作彈簧。襯底214和表面216之間的相對(duì)移動(dòng)可受到襯底214的移動(dòng)、表面216的移動(dòng)、或襯底214和表面216的移動(dòng)的影響。受控間隔Z可持續(xù)保持，或者受控間隔可在快速相對(duì)移動(dòng)期間暫時(shí)增大，或者將襯底“停放”在傳感接觸探頭202、204、206、208、210、212與表面216不接觸的轉(zhuǎn)換位置。在一示例性應(yīng)用中，襯底214由第一致動(dòng)器(未示出)沿X軸移動(dòng)，且表面216由第二致動(dòng)器(未示出)沿Y軸移動(dòng)。
襯底214和表面216在圖2-3中被示為扁平元件，然而，襯底214和表面216可具有諸如圓柱形的其它形狀。表面216最好包括可由探頭202、204、206、208、210、212訪問的鐵電體存儲(chǔ)器或磁性存儲(chǔ)器的表面。襯底214和表面216之間的相對(duì)移動(dòng)可以是任何適當(dāng)?shù)膾呙枰苿?dòng)，諸如隨機(jī)存取掃描、光柵掃描、或其它已知的表面掃描移動(dòng)或模式。在使用多個(gè)探頭的情況下，大量的數(shù)據(jù)位可同時(shí)(并行)讀或?qū)懸蕴峁└咚俅嫒　?br> 示例性通信通道218、220、222在襯底214的上表面上運(yùn)行，以將信息往返運(yùn)送給傳感接觸探頭208、210、212。通信通道218、220、222可包括諸如電導(dǎo)體、光波導(dǎo)或這兩者的已知通信通道。通信通道218、220、222還可用于向傳感接觸探頭208、210、212供電。通信通道218、220、222耦合到可位于襯底表面215或其它地方的電子電路(未示出)。
諸如傳感接觸探頭210的示例性傳感接觸探頭包括梁支承224(襯底214的一部分)和探頭226。探頭226包括從梁支承224延伸到與梁支承224有間隔的探頭端面230的彎曲梁體228。探頭端面230在一角度方向上放置并朝向，如以下結(jié)合圖6所述示例更詳細(xì)地描述。
如以下結(jié)合圖4-7更詳細(xì)描述的，彎曲梁體228包括接合在一起的具有不同殘余應(yīng)力的第一和第二梁層。不同的殘余應(yīng)力使梁體彎曲。當(dāng)?shù)谝缓偷诙簩釉诓煌庸l件下制成使該兩個(gè)層中的殘余應(yīng)力不同時(shí)，該第一和第二梁層可由相同材料制成。第一和第二層最好用不同材料組分制成，從而提供更為不同的殘余應(yīng)力。
應(yīng)力釋放區(qū)域232在彎曲梁體228中形成，應(yīng)力釋放區(qū)域232具有調(diào)節(jié)彎曲梁體228的彎曲以控制探頭端面230的位置和角度方向的調(diào)節(jié)應(yīng)力屬性。在制造陣列200后，會(huì)發(fā)現(xiàn)陣列中的一個(gè)或多個(gè)探頭端面未與陣列中的其它探頭端面最佳地對(duì)齊，從而不會(huì)以與其它探頭端面相同的力和角度方向接觸表面216。如以下所詳述的，未對(duì)齊的傳感接觸探頭通過調(diào)節(jié)應(yīng)力釋放區(qū)域232的應(yīng)力屬性而得以正確對(duì)齊。應(yīng)力釋放區(qū)域232可包括激光燒蝕區(qū)域、激光誘導(dǎo)塑流區(qū)域、化學(xué)蝕刻區(qū)域、或其它已知的可調(diào)節(jié)的應(yīng)力釋放區(qū)域。
圖4-7示出制造與圖2-3所示的傳感接觸探頭210相當(dāng)?shù)膫鞲薪佑|探頭的工藝步驟。圖4示出前橫截面視圖，而圖5示出傳感接觸探頭400在第一制造階段的側(cè)向橫截面視圖。
在圖4-5中，襯底402具有上表面404，其上沉積有通信通道406。該通信通道406包括鉭的有圖案的薄膜層，它用作用于電接觸鐵電體存儲(chǔ)器表面的電導(dǎo)體。襯底402包括一氧化鋁層。鉭薄膜層406可使用任何適當(dāng)?shù)腗EMS光刻法來形成圖案。鉭薄膜406的厚度最好為約0.5微米的數(shù)量級(jí)。
在完成沉積工藝之后，鉭薄膜406處于沿與上表面404平行的線的殘余機(jī)械應(yīng)力的狀態(tài)中，有或沒有雙軸應(yīng)力。在鉭薄膜406下面的襯底402的一部分也處于沿與上表面404平行的線的殘余機(jī)械應(yīng)力的狀態(tài)中。鉭薄膜406中殘余應(yīng)力的大小與襯底402的下層部分中殘余應(yīng)力的大小不同。鉭薄膜406通過沉積工藝連續(xù)接合到襯底上表面404，以形成無縫體。連續(xù)接合消除或有效限制了徐變(creep)，徐變可使多個(gè)層彼此相對(duì)滑動(dòng)并釋放殘余應(yīng)力差。不同的殘余應(yīng)力在襯底402和薄膜層中保持。
襯底402經(jīng)顯微機(jī)械加工在襯底402中形成空穴408，該空穴在鉭薄膜406的一部分之下。氧化鋁層410留在鉭薄膜406下方。在一較佳實(shí)施例中，氧化鋁層410具有0.5微米的厚度。
圖6示出前橫截面視圖，且圖7示出傳感接觸探頭450在第一制造階段之后的第二制造階段時(shí)的側(cè)向橫截面視圖。
在圖6-7中，可有選擇地在鉭薄膜406周圍的區(qū)域中去除氧化鋁層410，留下在鉭梁層454之下的氧化鋁梁層452。有選擇的去除可通過蝕刻或其它已知的MEMS成形法來完成。氧化鋁梁層452和鉭梁層454一起組成了彎曲梁體456。彎曲梁體456從探頭端面460延伸到作為襯底402一部分的梁支承462。
氧化鋁梁層452和鉭梁層454中的不同殘余應(yīng)力使梁體456彎曲。探頭端面460彎過角度θ。該角度θ超過45°，且最好接近90°并接近期望的角度方向。探頭端面460處于接近期望位置的笛卡爾位置X、Z。然而，發(fā)現(xiàn)笛卡爾位置和角度方向會(huì)因?yàn)橹T如梁的厚度的工藝參數(shù)的變化而變化。需要對(duì)探頭端面的笛卡爾位置和角度方向作微調(diào)以便于獲得期望的角度方向、期望的笛卡爾位置、或兩者。
應(yīng)力釋放區(qū)域S2在梁體456內(nèi)形成。應(yīng)力釋放區(qū)域S2具有可調(diào)的應(yīng)力釋放區(qū)域以便于將探頭端面460的位置和角度方向調(diào)節(jié)為期望值。應(yīng)力釋放屬性最好包括應(yīng)力釋放區(qū)域的機(jī)械削弱。該機(jī)械削弱可包括因?yàn)榧す鉄g或化學(xué)蝕刻的永久削弱。機(jī)械削弱可有選擇地包括在激光誘導(dǎo)塑流期間因加熱引起的削弱。在冷卻后，材料因不同形狀而重獲其強(qiáng)度，且應(yīng)力場(chǎng)也已改變。
應(yīng)力釋放區(qū)域的位置可被選擇為在沿梁體456的長(zhǎng)度S上的不同位置，諸如S1、S2、S3。所選擇的位置控制X、Z中的相對(duì)偏轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)量。所選擇的位置還影響Z、θ中的相對(duì)變化量。該調(diào)節(jié)在調(diào)節(jié)多個(gè)傳感接觸探頭的陣列(如圖2-3所示)中的選定傳感接觸探頭、使觸點(diǎn)陣列有統(tǒng)一的定位(受X調(diào)節(jié)影響)和統(tǒng)一的預(yù)載量(受Z調(diào)節(jié)影響)時(shí)特別有用。在一較佳實(shí)施例中，梁體456的厚度為1微米，寬度為25微米、而長(zhǎng)度為75微米。鉭中典型的初始應(yīng)力為100M帕的數(shù)量級(jí)，而氧化鋁梁層452中的典型初始應(yīng)力為1G帕的數(shù)量級(jí)。應(yīng)力釋放區(qū)域的槽寬通常為1微米，槽深為0.25微米。調(diào)節(jié)提供了0到1微米范圍內(nèi)的Z的變化。
氧化鋁梁層452包括電絕緣層，而鉭梁層454包括提供與探頭端面460的電連接的金屬層。
在一較佳排列中，探頭端面460是從公用的探頭支承伸出的一行多個(gè)探頭端面的第一個(gè)。該第一探頭端面460的調(diào)節(jié)使第一探頭端面460與其余多個(gè)探頭端面的對(duì)齊得到改進(jìn)。在一較佳排列中，傳感接觸探頭450還包括具有存儲(chǔ)介質(zhì)表面(諸如圖3中表面216)的鐵電體存儲(chǔ)介質(zhì)，且多個(gè)探頭端面與鐵電體存儲(chǔ)介質(zhì)表面216接觸以向表面216提供多個(gè)電觸點(diǎn)。
探頭端面460可有選擇地包括用于掃描磁性介質(zhì)的磁頭、或用于傳感與表面的接觸的機(jī)械接觸傳感器。
圖4-7示出一種制造傳感接觸探頭的陣列的方法。第一層452具有第一表面404，而第二層454具有接合到第一表面404的第二表面462。第一層452和第二層454具有不同的內(nèi)部應(yīng)力。第一和第二層452、454成形為限定多個(gè)梁的陣列，這些梁具有由第一層支承的第一梁端部462，并具有包括探頭端面460的第二梁端部。梁的陣列因不同的內(nèi)部應(yīng)力彎曲以提供探頭端面460的位置和角度方向。在梁陣列的至少一個(gè)梁上提供了具有應(yīng)力釋放屬性的應(yīng)力釋放區(qū)域。調(diào)節(jié)該應(yīng)力釋放屬性以調(diào)節(jié)所述至少一個(gè)梁上的探頭端面的位置和角度方向。
圖8示出了可用來使用激光器調(diào)節(jié)彎曲梁體806中的應(yīng)力屬性的調(diào)節(jié)夾具800。調(diào)節(jié)夾具800包括可調(diào)地導(dǎo)向彎曲梁體806的激光器802、804。應(yīng)力釋放區(qū)域K1可由激光器802沿彎曲梁體806上表面上的長(zhǎng)度K形成。應(yīng)力釋放區(qū)域S1、S2、S3可由激光器804沿彎曲梁體806的長(zhǎng)度S形成。來自激光器802、804的激光脈沖的強(qiáng)度和持續(xù)時(shí)間可被設(shè)置成提供應(yīng)力釋放區(qū)域的激光燒蝕和激光誘導(dǎo)塑流。力和位置傳感器808傳感探頭端面810上的力和位置。力和位置傳感器808由微型致動(dòng)器812定位。處理器814控制微型致動(dòng)器812以及激光器802、804的方向、強(qiáng)度和持續(xù)時(shí)間。在操作時(shí)，調(diào)節(jié)夾具傳感探頭端面810的初始力和位置。如果力和位置不正確，則處理器814計(jì)算使用激光器802、804之一或兩者的調(diào)節(jié)。在作出調(diào)節(jié)之后，再次傳感力和位置，并且按需進(jìn)行第二次調(diào)節(jié)以將力和位置變成期望大小。在完成陣列中一個(gè)彎曲梁體的調(diào)節(jié)之后，夾具可移到需要調(diào)節(jié)的陣列中的第二個(gè)彎曲梁體。整個(gè)陣列都可得到調(diào)節(jié)以便與要掃描的表面適當(dāng)接觸。
圖9示意性地示出多類應(yīng)力釋放區(qū)域的各個(gè)示例。應(yīng)力釋放區(qū)域900包括通道902中的激光燒蝕區(qū)域。應(yīng)力釋放區(qū)域904包括化學(xué)蝕刻到絕緣襯底層906中的槽。應(yīng)力釋放區(qū)域908包括襯底層906中的激光誘導(dǎo)塑流區(qū)域。
圖10示出圖9中應(yīng)力釋放區(qū)域908的放大視圖。區(qū)域908已被加熱成塑態(tài)，然后冷卻，且應(yīng)力線910不穿過應(yīng)力釋放區(qū)域908。
可以理解，盡管本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的許多特征和優(yōu)點(diǎn)、以及本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和功能的細(xì)節(jié)已在前面描述中進(jìn)行了闡述，但本公開僅是說明性的，且可在本發(fā)明的原理內(nèi)作詳細(xì)的、特別是有關(guān)各部件的結(jié)構(gòu)和排列的改變，其全部范圍由所附權(quán)利要求所表達(dá)的條款的廣泛一般含義指示。例如，特定元件可取決于傳感接觸探頭的特定應(yīng)用改變，同時(shí)基本上保持相同的功能而不背離本發(fā)明的范圍和精神。此外，盡管本文中所述的較佳實(shí)施例涉及鐵電體存儲(chǔ)器的掃描系統(tǒng)，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明的示教可應(yīng)用于其它機(jī)械掃描系統(tǒng)，而不背離本發(fā)明的范圍和精神。
權(quán)利要求
1.一種傳感接觸探頭，包括梁支承和探頭，包括從梁的支承延伸到與所述梁支承有間隔的探頭端面的彎曲梁體，所述探頭端面在一角度方向上放置并朝向該角度方向；所述彎曲梁體包括接合在一起并具有使所述梁體彎曲的不同殘余應(yīng)力的第一和第二梁層；以及在所述彎曲梁體內(nèi)形成的應(yīng)力釋放區(qū)域，所述應(yīng)力釋放區(qū)域具有調(diào)節(jié)彎曲以控制探頭端面位置和角度方向的調(diào)節(jié)應(yīng)力屬性。
2.如權(quán)利要求1所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述應(yīng)力釋放區(qū)域從激光燒蝕區(qū)域、激光誘導(dǎo)塑流區(qū)域、以及化學(xué)蝕刻區(qū)域組成的組中選擇。
3.如權(quán)利要求1所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述第一梁層包括電絕緣層，且第二梁層包括提供與所述探頭端面的電連接的金屬層。
4.如權(quán)利要求1所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述第一梁層包括氧化鋁，且第二梁層包括鉭。
5.如權(quán)利要求1所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述探頭端面是從多個(gè)探頭端面的行所公用的探頭支承伸出的一行多個(gè)探頭端面的第一個(gè)，且第一探頭端面的調(diào)節(jié)使第一探頭端面與其余多個(gè)探頭端面的對(duì)齊得到改進(jìn)。
6.如權(quán)利要求5所述的傳感接觸探頭，其特征在于，還包括具有一陣列表面的鐵電體存儲(chǔ)器陣列，其中所述多個(gè)探頭端面接觸所述鐵電體存儲(chǔ)器表面以向所述陣列表面提供多個(gè)電觸點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求1所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述梁包括將輻射傳送到所述探頭端面的光波導(dǎo)。
8.如權(quán)利要求1所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述探頭端面包括磁頭。
9.如權(quán)利要求1所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述探頭端面包括機(jī)械接觸傳感器。
10.如權(quán)利要求1所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述探頭支承和第一梁層包括材料的無縫體。
11.一種制造傳感接觸探頭陣列的方法，所述方法包括提供具有第一表面的第一層，并提供具有接合到所述第一表面的第二表面的第二層，所述第一和第二層具有不同內(nèi)部應(yīng)力；使所述第一和第二層成形為具有多個(gè)梁的陣列，所述梁具有由所述第一層支承的第一梁端部，并具有包括探頭端面陣列的第二梁端部，所述梁陣列因不同的內(nèi)部應(yīng)力彎曲以提供所述探頭端面的位置和角度方向；在所述梁陣列的至少一個(gè)梁上提供具有應(yīng)力釋放屬性的應(yīng)力釋放區(qū)域，并調(diào)節(jié)所述應(yīng)力釋放屬性以調(diào)節(jié)探頭端面在所述至少一個(gè)梁上的位置和角度方向。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述應(yīng)力釋放屬性的調(diào)節(jié)包括從激光燒蝕、激光誘導(dǎo)塑流、以及化學(xué)蝕刻組成的組中選擇的調(diào)節(jié)工藝。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括由電絕緣材料形成所述第一層；以及由提供與所述探頭端部的電連接的金屬層形成所述第二層。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述調(diào)節(jié)使所述一個(gè)探頭端面與所述陣列中的其它探頭端面的對(duì)齊得到改進(jìn)。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，還包括用所述探頭端面接觸鐵電體存儲(chǔ)器陣列。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，還包括相對(duì)于所述探頭端面移動(dòng)所述鐵電體存儲(chǔ)器陣列，以提供所述鐵電體存儲(chǔ)器陣列的掃描。
17.一種傳感接觸探頭，包括梁支承和探頭，包括從所述梁支承延伸到與所述梁支承有間隔的探頭端面的彎曲梁體，所述探頭端面在一角度方向上放置并朝向該角度方向；所述梁體包括接合在一起并具有使所述梁體彎曲的不同殘余應(yīng)力的第一和第二梁層；以及在所述彎曲梁內(nèi)形成的應(yīng)力釋放裝置，所述應(yīng)力釋放裝置調(diào)節(jié)彎曲以控制所述探頭端面位置和角度方向。
18.如權(quán)利要求17所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述應(yīng)力釋放裝置從激光燒蝕區(qū)域、激光誘導(dǎo)塑流區(qū)域、以及化學(xué)蝕刻區(qū)域組成的組中選擇。
19.如權(quán)利要求17所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述第一梁層包括電絕緣層，且第二梁層包括提供與所述探頭端面的電連接的金屬層。
20.如權(quán)利要求17所述的傳感接觸探頭，其特征在于，所述第一梁層包括氧化鋁，且第二梁層包括鉭。
全文摘要
一種傳感接觸探頭包括梁支承和探頭。該探頭具有從梁的支承延伸到探頭端面的彎曲梁體，該探頭端面在一角度方向上放置并朝向。彎曲梁體包括接合在一起并具有使梁體彎曲的不同殘余應(yīng)力的第一和第二梁層。應(yīng)力釋放區(qū)域在彎曲梁體內(nèi)形成。應(yīng)力釋放區(qū)域具有調(diào)節(jié)彎曲以控制探頭端面位置和角度方向的調(diào)節(jié)應(yīng)力屬性。
文檔編號(hào)B81C1/00GK1899950SQ20061010572
公開日2007年1月24日 申請(qǐng)日期2006年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月18日
發(fā)明者E·C·蓋奇, Y－T·赫斯亞, W·彭, J·D·凱利 申請(qǐng)人:西加特技術(shù)有限責(zé)任公司