專利名稱：帶有雙膜片的微機(jī)械膜片傳感器的制作方法
帶有雙膜片的微機(jī)械膜片傳感器現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明涉及一種根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求前序部分的、用于制造微機(jī)械膜 片傳感器的方法以及一種用該方法制造的微機(jī)械膜片傳感器。為了檢測不同的物理量(壓力、溫度、空氣質(zhì)量、加速度、轉(zhuǎn)速)， 特別是在機(jī)動車領(lǐng)域再三使用帶有微機(jī)械傳感器元件的部件。典型的 是，在此經(jīng)常使用在膜片上的測量元件，這些膜片設(shè)置在一個空穴上面。 為了制造膜片或者空穴，除了所謂的表面微機(jī)械(其中由犧牲層和功能 層構(gòu)成的層堆疊被淀積、結(jié)構(gòu)化并且選擇性地被去除)，還公開了所謂 的塊或體微機(jī)械，其中結(jié)構(gòu)由完整的材料中加工出。由EP 1 043 770 Al公開了一種方法，其中首先借助第一刻蝕步驟 在襯底中產(chǎn)生至少一個溝。在溝的壁鈍化之后，在第二各向異性的刻蝕 步驟的框架中形成空穴。空穴的擴(kuò)大可以在同樣是各向異性的第三刻蝕 步驟中進(jìn)行，其中在多個并排的溝之間的壁被去除。在DE 102 00 40 433 56 Al中描述了如何借助單個的槽刻蝕過程來 產(chǎn)生被掩埋的空穴。在此，槽刻蝕過程具有第一槽刻蝕步驟，其產(chǎn)生凹 陷。在該第一槽刻蝕步驟中，蝕刻步驟以兩個階段中進(jìn)行。在此，交替 地在第一階段中首先產(chǎn)生一個凹處，該凹處的壁在第二階段中用鈍化物 覆蓋。通過重復(fù)這兩個階段，由此產(chǎn)生了凹陷。隨后在第二槽刻蝕步驟 中產(chǎn)生空穴，其中所述凹陷用作至空穴的進(jìn)入孔。這通過這種方式來實(shí) 現(xiàn)，即在第二槽刻蝕步驟中，第一階段的刻蝕過程明顯較長地實(shí)施，而 不進(jìn)行鈍化。通過重復(fù)該槽刻蝕過程的步驟，可以在襯底中產(chǎn)生多個相 疊的空穴。
由EP 1441 561 A2公開了另一種方法，其中凹進(jìn)或者空穴可以被交 互地生成。為了該目的，在襯底上首先施加不同的層。借助掩蔽的金屬 層，將凹陷引入所施加的層序列中。凹陷的引入借助各向異性的干刻蝕 方法來進(jìn)行。通過接著的各向同性的蝕刻方法，例如通過等離子體刻蝕， 從凹陷出發(fā)在襯底中在所施加的層下方產(chǎn)生相互連接的空腔。在另外的 步驟中，可以從襯底的背面產(chǎn)生在襯底中的凹槽。通過另外的各向異性 刻蝕過程，可以最終將兩個空腔彼此相連。發(fā)明優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明描述了一種用于制造微機(jī)械的膜片傳感器的方法以及一種借助該方法制造的微機(jī)械膜片傳感器。在此規(guī)定，微機(jī)械的膜片傳感器 具有至少一個第一膜片和一個基本上位于該第一膜片之上的第二膜片。此外規(guī)定，微機(jī)械的膜片傳感器具有第一空腔和基本上位于該第一空腔 之上的第二空腔。為了制造膜片傳感器，規(guī)定在襯底上首先產(chǎn)生第一 保護(hù)層。在該第一保護(hù)層中，產(chǎn)生至少一個孔，該孔穿過整個第一保護(hù) 層直到襯底。隨后將第一膜片層施加到該第一保護(hù)層上并且結(jié)構(gòu)化。該 第一膜片層至少部分地設(shè)置有第二保護(hù)層。在第二保護(hù)層中同樣至少產(chǎn) 生一個孔，其直到第一膜片層。隨后將一個犧牲層施加到第二保護(hù)層上， 該犧牲層至少部分地被一個第三保護(hù)層覆蓋。將一個第二膜片層施加到 該第三保護(hù)層上，其中特別是規(guī)定，第二膜片層設(shè)置在犧牲層之上。將 至少一個孔加工到第二膜片層中，該孔穿過第二膜片層和第三保護(hù)層直 到犧牲層。本發(fā)明的核心在于，膜片傳感器的兩個空腔在一個唯一的刻 蝕步驟中通過去除掉(Herausloesen)犧牲層、第一膜片層和襯底的一 部分來產(chǎn)生。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，膜片的釋放(Freistellung)或者雙膜片的制造 可以在表面微機(jī)械工藝中借助唯一的刻蝕步驟從晶片或者襯底的正面 產(chǎn)生。對于膜片傳感器的功能參數(shù)具有影響的幾何結(jié)構(gòu)(例如膜片的距
離、穿孔(Perforationen)、膜片的厚度等等)在此在預(yù)先過程中分別逐 個被確定并且不再通過釋放改變。因?yàn)榫蛘咭r底在表面微機(jī)械過程 中僅僅從正面加工，所以晶片處理能夠在標(biāo)準(zhǔn)化的設(shè)備上進(jìn)行。在此， 與晶片在兩側(cè)被操作和處理的體微機(jī)械(volumenmikromechanischen) 過程相比，易碎的微機(jī)械結(jié)構(gòu)的損壞可能性較低，因?yàn)椴恍枰プ【?或者說將過程相對所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)重新定向。在本發(fā)明的一種擴(kuò)展方案中規(guī)定，在第一保護(hù)層的孔之下產(chǎn)生在襯 底中的第一空腔。通過去除掉犧牲層產(chǎn)生的第二空腔在此位于第一和第 二膜片(層)之間。所建議的膜片傳感器的第一膜片基本上通過第一膜片層或者第二 膜片基本上通過第二膜片層形成。然而，也可以規(guī)定，兩個膜片具有附 加的層，例如以保護(hù)層的形式。在本發(fā)明的另一種構(gòu)型中規(guī)定，第二和第三保護(hù)層這樣地結(jié)構(gòu)化， 使得其包圍所述第二空腔區(qū)域中的犧牲層。通過使用不腐蝕保護(hù)層的刻 蝕過程，可以在通過第二和第三保護(hù)層限定邊界的區(qū)域內(nèi)部實(shí)現(xiàn)第二空 腔的確定的生成。在本發(fā)明的一種改進(jìn)方案中規(guī)定，第一和第二保護(hù)層包圍第一膜 片，并且由此確定其橫向和垂直的延伸。為了制造膜片傳感器，規(guī)定-襯底具有半導(dǎo)體材料，特別是硅，和/或-保護(hù)層中的至少一個具有氧化物，特別是熱氧化物，和/或-第一膜片層具有硅，和/或-犧牲層具有硅或者硅鍺和/或-第二膜片層具有金屬層。有利的是，規(guī)定第一和/或第二膜片層借助CVD方法來產(chǎn)生。特別 是可以規(guī)定，兩個膜片層的至少一個通過LPCVD沉積來生成。設(shè)置在 層堆疊的最上方的膜片層可以由多個層構(gòu)成。這樣例如可以規(guī)定，膜片
層設(shè)置有附加的鈍化層抵抗環(huán)境影響。第一和/或第二膜片層的結(jié)構(gòu)化借 助槽工藝來實(shí)現(xiàn)。有利的是，所有的方法步驟、特別是刻蝕過程，都從 襯底的正面進(jìn)行。在此，刻蝕過程可以借助含有氟的化合物、例如含氟的等離子體(SF6、 NF3)或者優(yōu)選地通過自發(fā)刻蝕的氣體如Cl&或者 XeF2來進(jìn)行。為了封閉第一膜片層中的孔，規(guī)定根據(jù)孔的直徑選擇保 護(hù)層的厚度。在此特別規(guī)定，第二保護(hù)層的厚度大于在第一膜片層中的 孔的直徑的一半。在襯底中的第一空腔的橫向和垂直延伸有利地通過刻 蝕步驟的刻蝕持續(xù)時間來確定。 一種另外的可能的工藝步驟在于，這些 穿過第二膜片層和該第三保護(hù)層的孔通過施加一個另外的層來封閉，使 得通過這些孔產(chǎn)生的空腔被封閉。在本發(fā)明的一種擴(kuò)展方案中規(guī)定，被掩埋的第一膜片被電接觸。在 此規(guī)定，為了形成電接觸，在第二保護(hù)層中產(chǎn)生一個直到第一膜片層的 孔。在施加犧牲層之后，它被這樣地結(jié)構(gòu)化，使得在犧牲層中產(chǎn)生一個 電絕緣的區(qū)域，該區(qū)域在以后可以被電接觸。隨后施加第三保護(hù)層，其 很大程度地包圍犧牲層中的電絕緣區(qū)域。為了所述接觸，規(guī)定，在第三 保護(hù)層中設(shè)置凹槽(Ausnehmung)，其一直達(dá)到犧牲層中的電絕緣區(qū)域。 最后，為了犧牲層中的該被隔離區(qū)域的接觸或者為了第一膜片的接觸， 在凹槽的區(qū)域中將一個可導(dǎo)電的、空間上受限的層施加到第三保護(hù)層 上。這例如可以以鍵合焊盤的形式出現(xiàn)。在此規(guī)定，該可導(dǎo)電的、空間 上受限的層不具有至第二膜片層的電連接。通過制造兩個相疊的被釋放膜片，這樣可以生成微機(jī)械的膜片傳感 器，其中兩個膜片可以彼此獨(dú)立地偏移。有利的是，第一和第二空腔彼此相連接。這例如可以通過在第一膜 片中的孔實(shí)現(xiàn)。通過所建議的用于制造雙膜片的表面微機(jī)械工藝可以改進(jìn)制造公 差，特別是膜片結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)。此外，該方案作為表面微機(jī)械工藝顯 著減小了處理和加工開銷并且由此降低了制造成本。背面的特殊處理通
常是體微機(jī)械工藝的重要組成部分，它關(guān)系到對機(jī)械處理(例如Pin-lift) 來說的死面(Totflaechen)以及由于正面上的損傷導(dǎo)致的產(chǎn)量損失。在 極端情況下，晶片背面的處理或者借助穿過晶片的通孔的處理(所謂的 貫穿晶片刻蝕)會需要使用昂貴的承載體技術(shù)(Traegertechnik)，其中 晶片必須被安裝到承載體(晶片、薄膜、夾盤)上并且借助該承載體被 處理。在構(gòu)造傳感器的層時，制造公差和加工安全性很重要。這樣，這 些過程通常針對樣品在省略考慮過程公差對器件特性的相互作用的情 況下簡化地描述。這樣，例如可以通過兩個時間刻蝕過程來實(shí)現(xiàn)兩個膜 片的釋放，其中一個時間刻蝕過程從晶片正面進(jìn)行，另一個從晶片背面 進(jìn)行。因?yàn)閮蓚€過程表現(xiàn)出關(guān)于刻蝕速率的變化并且附加地通過晶片處 理產(chǎn)生差別，所以器件公差并未由于晶片處理而被排除。借助所提出的 發(fā)明，由此可以展現(xiàn)具有高產(chǎn)量的受控的批量生產(chǎn)，因?yàn)椴恍枰鲱?型的費(fèi)事的晶片處理并且兩個膜片的釋放通過僅僅一個唯一的刻蝕步 驟實(shí)現(xiàn)。由此可以將工藝波動的影響與膜片傳感器的功能參數(shù)分離。附la至lg示意性示出了帶有雙膜片的膜片傳感器的制造方法。 圖2示出了制成的膜片傳感器的構(gòu)造。
具體實(shí)施方式
為了制造根據(jù)本發(fā)明的膜片傳感器，在一個實(shí)施例中，將三個功能 層相繼地施加到襯底上。這些功能層涉及下部的膜片、膜片之間的犧牲 層以及上部膜片。除了三個功能層之外，還需要中間層，它們將功能元 件彼此分開。下部的膜片、即第一膜片以及犧牲層優(yōu)選由硅構(gòu)成，因?yàn)樵跔奚鼘?刻蝕時兩個層至少部分被去除，以便釋放膜片。替代地，也可以使用如 SiGe的材料，其可以在犧牲層刻蝕時被去除。上部的膜片、即第二膜片
可以由不同的材料構(gòu)成，尤其是硅。 一個優(yōu)選的選擇是處于小的拉應(yīng)力下的膜片，例如ONO結(jié)構(gòu)(可能具有金屬敷層)，如在質(zhì)量流量傳感器 中所使用那樣。然而也可以使用其它的組合，如氧化物/金屬膜片或者由 絕緣子和導(dǎo)電層構(gòu)成的多層的層，以便為電容性電路提供電線路或者電 極。根據(jù)本發(fā)明的微機(jī)械膜片傳感器的一種可能的制造方法借助圖la 至lg示意性地示出。如在圖la中所示，膜片傳感器的層構(gòu)造通過將不 同的層施加到硅襯底晶片100的正面105上來進(jìn)行。在第一步驟中，硅 襯底晶片100的表面通過沉積氧化物110來保護(hù)。該氧化物例如可以借 助熱氧化來產(chǎn)生。在該第一保護(hù)層110中，可以設(shè)置一個或多個通孔 120，它們可以用于隨后的第一空腔的產(chǎn)生。接著，將第一膜片層130施加到第一保護(hù)層110上或施加到孔120 中，如在圖lb中所示。第一膜片層130以后形成下部的膜片400。該第 一膜片層130的施加借助外延方法或者借助硅的LPCVD沉積來實(shí)現(xiàn)。 在此，第一膜片層130的層厚通過在層沉積期間的工藝參數(shù)確定。如在 圖lc中所示，第一膜片層130例如通過槽刻蝕工藝來結(jié)構(gòu)化。結(jié)果得 到膜片的限定了區(qū)域140的穿？L，這些區(qū)域可以在犧牲層刻蝕時被去除。 這些區(qū)域通過槽刻蝕溝道(Trenchaetzgraeben) 145與真正的膜片層400 分離。在結(jié)構(gòu)化的第一膜片層130上施加一個另外的保護(hù)層150 (見圖 ld)。通過第一膜片層的例如借助氧化物層的覆蓋，槽刻蝕溝道145同 樣被完全填充。這可以通過熱氧化來實(shí)現(xiàn)，其中第二保護(hù)層150的層厚 或者氧化物厚度應(yīng)該大于槽溝的溝道寬的一半，由此使得槽溝可以被完 全填充(見圖ld中的155)。為了建立犧牲層與膜片的待刻蝕區(qū)域、即 在第一膜片層130中的穿孔(140)的連接，氧化物層150同樣可以被 結(jié)構(gòu)化。在此，可以在第一膜片400的區(qū)域中產(chǎn)生通孔160。為了第一 膜片400的電接觸，可以規(guī)定，在第一保護(hù)層中或者在氧化物層150中 同樣至少設(shè)置一個通孔165。
如在圖le中所示，將犧牲層170沉積到第二保護(hù)層150上并且結(jié) 構(gòu)化。在此，這些工藝步驟可以與下部的膜片層130的沉積和結(jié)構(gòu)化類 似地進(jìn)行。通過犧牲層170的結(jié)構(gòu)化，可以確定用于第二空腔310的區(qū) 域。此外，可以在犧牲層170內(nèi)部設(shè)置區(qū)域200用于下部的膜片400的 電接觸。 一個另外的保護(hù)層或者氧化物層180將犧牲層170封閉，并且 同時在橫向上通過用氧化物層180的氧化物填充的槽溝175形成犧牲層 刻蝕的邊界，使得只有確定的區(qū)域被掏蝕(imteraetzt)，其中確定了在 布局中或者在層構(gòu)造中的膜片剛性。在第三保護(hù)層180中可以設(shè)置通孔 190，以便例如提供用于犧牲層刻蝕的通道或者以便能夠?qū)崿F(xiàn)至被掩埋 的結(jié)構(gòu)的電接觸。接著，施加上部的膜片層210作為最上部的層。其可以由單個的層 構(gòu)成(例如用于形成金屬電極的金屬層)或者由"層包"(帶有金屬層 的ONO膜片，在表面上帶有氧化物鈍化的硅層等等)構(gòu)成。此外，還 可以規(guī)定，最上部的保護(hù)層180是上部的膜片410的一部分。通常，在 層結(jié)構(gòu)中上部的膜片410包含至少一個金屬覆層210，其也可以用于制 造用于器件的電接觸的鍵合焊盤220。替代地，也可以設(shè)置附加的、滿 足相同的目的的金屬化結(jié)構(gòu)。在圖lf中的層210在此應(yīng)該代表上部的 膜片410的整個應(yīng)用特定的層結(jié)構(gòu)，其中第三保護(hù)層180可能同樣可以 算作膜片。在圖lg中示出了，產(chǎn)生穿過上部的膜片和第三保護(hù)層180的通孔 230，作為刻蝕介質(zhì)直到犧牲層170的通道。替代地，可以規(guī)定，在第 三保護(hù)層180中，在施加第二膜片層210之前已經(jīng)可以設(shè)置通孔230， 這些通孔通過第二膜片層210的合適的結(jié)構(gòu)化可以用作用于隨后的刻蝕 步驟的通道孔。在此，用于犧牲層刻蝕的刻蝕步驟優(yōu)選地借助選擇性地 刻蝕硅的氣體、例如含氟的等離子體(SF6， NF3)或者優(yōu)選地通過自發(fā) 刻蝕的氣體如ClF3或者XeF2進(jìn)行。在刻蝕步驟的犧牲層刻蝕中，將膜 片400和410之間的犧牲層170、實(shí)現(xiàn)至襯底的通道的區(qū)域140以及硅
襯底100的位于膜片400或者區(qū)域140之下的部分刻蝕掉。 通孔230可以在另外的步驟中借助另外的層來封閉。 替代地，也可以僅僅去除第一膜片400的一部分或者僅僅去除犧牲層170。這可以通過在中間氧化物層或者保護(hù)層中定位通孔來實(shí)現(xiàn)。 為了觸點(diǎn)接通第一膜片400，可以規(guī)定在犧牲層170中的區(qū)域200可以通過特別是金屬的鍵合焊盤220被接觸，其中所述區(qū)域200通過兩個用氧化物填充的槽溝205與犧牲層電絕緣。全部的所描述的方法步驟能夠?qū)崿F(xiàn)晶片的從正面的表面微機(jī)械加工。由此，在標(biāo)準(zhǔn)化的設(shè)備上的晶片處理是可能的，而不必旋轉(zhuǎn)晶片。由此，與晶片必須在兩側(cè)被操作和處理的體機(jī)械工藝相比，易碎的微機(jī)械結(jié)構(gòu)的損壞可能性較低。
權(quán)利要求
1.用于制造微機(jī)械膜片傳感器的方法，所述微機(jī)械膜片傳感器至少具有一個第一膜片(400)和一個基本上位于該第一膜片上方的第二膜片(410)，以及一個第一空腔(300)和一個基本上位于該第一空腔(300)上方的第二空腔(310)，其中為了制造膜片傳感器，設(shè)置這些方法步驟在襯底(100)上產(chǎn)生一個第一保護(hù)層(110)，在該第一層(110)中產(chǎn)生至少一個孔(120)直到該襯底(100)，將一個第一膜片層(130)施加到該第一保護(hù)層(110)上，將該第一膜片層(130)結(jié)構(gòu)化，在該第一膜片層(130)的至少一部分上產(chǎn)生一個第二保護(hù)層(150)，在該第二保護(hù)層(150)中產(chǎn)生至少一個孔(160，165)直到該第一膜片層(130)，將一個犧牲層(170)施加到該第二保護(hù)層(150)上，在該犧牲層(170)的至少一部分上產(chǎn)生一個第三保護(hù)層(180)，施加一個第二膜片層(210)，在該第二膜片層(210)和該第三保護(hù)層(180)中產(chǎn)生至少一個孔(230)直到犧牲層(170)，其特征在于，在一個刻蝕步驟中通過去除掉該犧牲層(170)的、該第一膜片層(140)的以及該襯底(100)的一部分來產(chǎn)生這兩個空腔(300，310)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，通過所述一個刻蝕歩 驟釋放兩個膜片。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其特征在于，在該襯底中在第一保護(hù)層中的孔的下方產(chǎn)生所述第一空腔，以及 在第一和第二膜片之間產(chǎn)生該第二空腔。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于， 該第一膜片基本上通過該第一膜片層形成，和/或 該第二膜片基本上通過該第二膜片層形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，第二和第三保護(hù)層為 該第二空腔的產(chǎn)生限定界限。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，第一和第二保護(hù)層確 定該第一膜片的延伸，其中特別規(guī)定，第一和第二保護(hù)層至少部分地 包圍該第一膜片。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于， 所述襯底具有半導(dǎo)體材料、特別是硅，和減 這些保護(hù)層中的至少一個具有氧化物、特別是熱氧化物，和/或 該第一膜片層具有硅，和/或 該犧牲層具有Si或者SiGe，和/或 該第二膜片層具有一個金屬層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其特征在于，第一和/或第二膜片層外延地和/或借助LPCVD沉積來產(chǎn)生，和/或該第二膜片層由多個層產(chǎn)生，和/或 第一和/或第二膜片層借助槽工藝被結(jié)構(gòu)化，和/或 該刻蝕過程從該襯底的正面(105)進(jìn)行，和/或 該刻蝕過程借助呈SF6、 NF3、 ClF3或者XeF2形式的含氟化合物 來進(jìn)行，和/或該第二保護(hù)層的厚度根據(jù)在該第一膜片層中的孔的直徑來選擇， 其中特別規(guī)定，該第二保護(hù)層的厚度大于在該第一膜片層中的孔的直 徑的一半，和/或該第一空腔(300)的橫向和垂直的延伸與該刻蝕步驟的刻蝕持 續(xù)時間相關(guān)，和/或在該第二膜片層(210)中和在該第三保護(hù)層(180)中的孔(230) 通過施加一個另外的層來封閉。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，該第一膜片被電接觸， 其中規(guī)定，為了形成電接觸，在該第二保護(hù)層(150)中產(chǎn)生一個直到第一膜片層(130)的孔 (165)，以及這樣地將該犧牲層(170)結(jié)構(gòu)化，使得產(chǎn)生一個電絕緣的區(qū)域，以及該第三保護(hù)層很大程度地包圍在該犧牲層中的該電絕緣區(qū)域，其 中規(guī)定，在該第三保護(hù)層中產(chǎn)生一個直到該電絕緣區(qū)域的凹槽，在所述凹槽的區(qū)域中將一個可導(dǎo)電的、空間上受限的層施加到該 第三保護(hù)層上。
10. 微機(jī)械膜片傳感器，特別是根據(jù)權(quán)利要求l至9之一制造， 至少具有一個襯底(100)和 一個第一膜片(400)和一個基本上位于該第一膜片上方的第二膜片(410)，和 一個在該襯底(100)中的第一空腔(300)和 一個在第一和第二膜片之間的第二空腔(310)，其中規(guī)定，該第 二空腔基本上位于該第一空腔上方， 其特征在于，不僅該第一膜片而且該第二膜片都具有生長到該襯底上的材料， 其中特別是規(guī)定，所述材料外延地生長。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的微機(jī)械膜片傳感器，其特征在于，這兩 個膜片可以彼此無關(guān)地偏移。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10的微機(jī)械膜片傳感器，其特征在于，該第 一膜片中的至少一個孔將該第一空腔和該第二空腔相連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10的微機(jī)械膜片傳感器，其特征在于， 該第二空腔的壁和/或該第一膜片中的孔的壁 具有氧化物。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10的微機(jī)械膜片傳感器，其特征在于，該第二膜片具有一個金屬層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10的微機(jī)械膜片傳感器，其特征在于，從該 襯底的正面設(shè)置有該第一膜片的電接觸，其中特別規(guī)定，在該微機(jī)械 膜片傳感器的表面上設(shè)置有一個可導(dǎo)電的、空間上受限的層，它與該 第二膜片電絕緣并且具有至該第一膜片的電接觸。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10的微機(jī)械膜片傳感器，其特征在于，該第 二膜片具有一個第三保護(hù)層(180),其中規(guī)定，在該第二膜片和該第 三保護(hù)層中設(shè)置共同的孔(230)，這些孔通過該第三保護(hù)層上的一個 另外的層封閉。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種用于制造微機(jī)械膜片傳感器的方法以及一種借助所述方法制造的微機(jī)械膜片傳感器。在此規(guī)定，微機(jī)械膜片傳感器具有至少一個第一膜片和一個基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外還規(guī)定，微機(jī)械膜片傳感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。
文檔編號B81B3/00GK101119924SQ200580048189
公開日2008年2月6日 申請日期2005年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月18日
發(fā)明者C·舍林, H·施塔爾, H·韋伯, M·伊林, S·魏斯 申請人:羅伯特·博世有限公司