專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別涉及通過切片而被分割成各個(gè)芯片的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
圖13是執(zhí)行元件的示意圖，(a)示出了平面圖，(b)是沿(a)中的線B-B的截面圖。
在圖13中，執(zhí)行元件50是包括基板51、固定部52、導(dǎo)電層53和電極墊片54、55的層積構(gòu)造。導(dǎo)電層53形成為圓板狀，并由固定部52按懸臂梁的支撐方式支撐，以便與基板51之間形成間隙區(qū)域57。導(dǎo)電層53響應(yīng)于所輸入的提供給電極墊片的電信號，以固定部52為支點(diǎn)上下移動(dòng)。
如圖14所示，當(dāng)在作為基板51的硅晶片103上形成多個(gè)圖13所示的執(zhí)行元件50之后，利用切片技術(shù)將各個(gè)元件切斷分割成半導(dǎo)體芯片，然后將引線框連接在該半導(dǎo)體芯片上并進(jìn)行封裝。如圖14所示的立體圖和圖15所示的截面圖，切片技術(shù)是通過如下來進(jìn)行的，即使敷滿金剛石粉末的刀片101高速旋轉(zhuǎn)，從而在噴射洗滌水102的同時(shí)切斷硅晶片103。但是，在切斷硅晶片103時(shí)，切屑等異物104四處飛濺。
由于在使執(zhí)行元件50芯片化時(shí)，若上述異物104附著在導(dǎo)電層53上，則會(huì)妨礙元件的動(dòng)作，所以需要防止異物104附著在導(dǎo)電層53上。因此，增加切片時(shí)洗滌水102的水量會(huì)比較有效，但是，若增加洗滌水用量，則有可能由于洗滌水102對導(dǎo)電層53施加物理外力而引起導(dǎo)電層53的破損。
因此如圖16所示，在各個(gè)執(zhí)行元件50的導(dǎo)電層53上粘貼用于表面保護(hù)的保護(hù)膠帶9，從而在由保護(hù)膠帶9保護(hù)執(zhí)行元件50表面的情況下進(jìn)行切片。
但由于導(dǎo)電層53的形狀的原因，當(dāng)從上面看時(shí)，相鄰接的元件之間的間隔有寬有窄，所以保護(hù)膠帶9的粘著性也有好有壞。另外，在間隔寬的部分和間隔窄的部分，用刀片101進(jìn)行切片時(shí)對保護(hù)膠帶9的力的作用方式不同。因此在切片時(shí)會(huì)產(chǎn)生保護(hù)膠帶9的浮動(dòng)或剝落。其結(jié)果是，含有異物104的洗滌水102從保護(hù)膠帶9的浮動(dòng)或剝落的部分進(jìn)入執(zhí)行元件50的內(nèi)部，從而導(dǎo)致異物104附著在導(dǎo)電層53上，引起執(zhí)行元件50的構(gòu)造體的損壞。
在日本專利文獻(xiàn)特開平06-347475號公報(bào)中記載有下述方法，即在加速度傳感器中用蓋子覆蓋基板上所形成的固定部和可動(dòng)部，由此防止在基板切片時(shí)灰塵、切屑、水等混入或侵入固定部和可動(dòng)部內(nèi)。
在日本專利文獻(xiàn)特開平06-347475號公報(bào)所記載的加速度傳感器中，由于固定電極被蓋子覆蓋，所以無法在固定電極上進(jìn)行引線接合，因此將用于輸入輸出信號的電極墊片設(shè)在蓋子之外，固定電極和電極墊片通過引出電極來連接。因此，雖然可通過設(shè)置蓋子來保護(hù)固定電極和可動(dòng)電極，但由于電極墊片露出，所以在切斷基板時(shí)容易切壞電極墊片，造成斷路。
另外，當(dāng)灰塵、切屑附著在電極墊片上之后，電阻值會(huì)變大，從而有可能造成焊接障礙，使可靠性下降。并且，當(dāng)電極墊片遇水后，會(huì)產(chǎn)生金屬變質(zhì)從而導(dǎo)致焊接的接合力下降等問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠穩(wěn)定地切斷芯片而保護(hù)膠帶不會(huì)在切片時(shí)浮動(dòng)或剝離的半導(dǎo)體裝置。
此外，本發(fā)明的另一目的在于提供一種不會(huì)使切屑等異物進(jìn)入，從而不會(huì)引起構(gòu)造體破損的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明是一種通過切片而被分割成各個(gè)芯片的半導(dǎo)體裝置，其包括具有沿切片線的邊的基板；被形成在所述基板上的半導(dǎo)體元件；被形成在所述基板上，并位于所述半導(dǎo)體元件和所述邊之間的堤部；以及被形成在所述半導(dǎo)體元件上，并被形成為比所述堤部的最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，用于輸入輸出信號的輸入輸出用電極墊片。
因此，由于通過相鄰接的堤部穩(wěn)定地支撐保護(hù)膜，所以在進(jìn)行切片以切斷該部分時(shí)，可在保護(hù)膜無剝落或浮動(dòng)的情況下穩(wěn)定地切斷芯片。另外，由于輸入輸出用電極墊片被形成為比堤部的最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，所以不會(huì)在切斷基板時(shí)切傷電極墊片而導(dǎo)致斷路，還可以消除灰塵、切屑附著在輸入輸出用電極墊片上的擔(dān)心，還可以防止輸入輸出用電極墊片遇水導(dǎo)致金屬變質(zhì)從而使焊接的粘著力下降。
優(yōu)選堤部相對于邊平行并連續(xù)延伸。由此可沿堤部穩(wěn)定地進(jìn)行切片。
優(yōu)選堤部被形成為包圍半導(dǎo)體元件的整個(gè)周圍。通過設(shè)計(jì)這種堤部，即使由切片產(chǎn)生的異物進(jìn)入保護(hù)膜的下面，也會(huì)由于堤部的阻擋而防止該異物進(jìn)入半導(dǎo)體元件內(nèi)。
優(yōu)選半導(dǎo)體元件包括絕緣層和形成在絕緣膜上的導(dǎo)電層，堤部包括絕緣層和形成在絕緣層上的導(dǎo)電層，半導(dǎo)體元件的絕緣層和堤部的絕緣層在同一工序中形成，半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電層和堤部的導(dǎo)電層在同一工序中形成。這樣，由于能夠在同一工序中形成，所以不需要新的工序，從而可抑制由設(shè)置堤部而產(chǎn)生的成本增加。
優(yōu)選輸入輸出用電極墊片被形成在半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電層上；半導(dǎo)體裝置還包括堤部用電極墊片，堤部用電極墊片形成在堤部的導(dǎo)電層上，且比其最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，并與輸入輸出用電極墊片電連接，從而使堤部的導(dǎo)電層與半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電層的電位差接近于零。
通過使堤部的導(dǎo)電層和半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電層的電位差接近于零，可以防止兩導(dǎo)電層之間所產(chǎn)生的寄生電容帶來的負(fù)面影響。另外還可消除靜電引力的影響。
本發(fā)明的另一方面包括基板；由固定部支撐，以便在與基板之間形成間隙的構(gòu)造體；以及被形成在基板上，并位于沒有被固定部支撐的結(jié)構(gòu)體的部分和基板的外邊緣之間的堤部。
在成為異物侵入通路的基板和構(gòu)造體之間的間隙部分設(shè)置堤部，可抑制異物的侵入。
優(yōu)選形成多個(gè)堤部，以便包圍構(gòu)造體的周圍。由此，異物從任一方向都不會(huì)侵入到半導(dǎo)體元件內(nèi)。
優(yōu)選半導(dǎo)體裝置包括輸入輸出用電極墊片，該輸入輸出用電極墊片被形成在構(gòu)造體上，并被形成為比堤部的最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，用于輸入輸出信號。通過將輸入輸出用電極墊片設(shè)置為比堤部的最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，可以在切割基板時(shí)避免損傷輸入輸出用電極墊片。
優(yōu)選在構(gòu)造體的周圍設(shè)置多個(gè)堤部，以便包圍構(gòu)造體；輸入輸出用電極墊片被設(shè)置為比通過多個(gè)堤部的最外壁的假想外延更靠內(nèi)側(cè)。由此，能夠在切割基板時(shí)避免損傷輸入輸出用電極墊片。
優(yōu)選構(gòu)造體包括形成在固定部上的導(dǎo)電層；堤部包括絕緣層和形成在絕緣層上的導(dǎo)電層；構(gòu)造體的固定部和堤部的絕緣層在同一工序中形成；構(gòu)造體的導(dǎo)電層和堤部的導(dǎo)電層在同一工序中形成。這樣，由于可以在同一工序中形成，所以不需要新的工序，從而可抑制由設(shè)置堤部而導(dǎo)致的成本增加。
輸入輸出用電極墊片形成在構(gòu)造體的導(dǎo)電層上；半導(dǎo)體裝置還包括堤部用電極墊片，該電極墊片形成在堤部的導(dǎo)電層上，并與輸入輸出用電極墊片電連接，從而使堤部的導(dǎo)電層與構(gòu)造體的導(dǎo)電層的電位差接近于零。
通過使堤部的導(dǎo)電層和構(gòu)造體的導(dǎo)電層的電位差接近于零，可以防止兩導(dǎo)電層之間生成的寄生電容所產(chǎn)生的負(fù)面影響。
優(yōu)選半導(dǎo)體裝置還包括使堤部的導(dǎo)電層與構(gòu)造體的導(dǎo)電層的電位差接近于零的等電位單元。通過使兩導(dǎo)電層之間的電位差接近于零，兩導(dǎo)電層之間生成的寄生電容不作為電容器發(fā)揮作用，因此能夠消除寄生電容的負(fù)面影響。
優(yōu)選半導(dǎo)體裝置還包括與輸入輸出用電極墊片連接，并用于檢測構(gòu)造體和基板之間的阻抗變化的阻抗檢測單元。通過檢測出構(gòu)造體和基板之間的阻抗變化可將半導(dǎo)體裝置用作電容檢測型傳感器。
優(yōu)選比堤部更靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域的上部開著口。即使設(shè)置堤部，其內(nèi)側(cè)的區(qū)域上部也開著口，因此可對各個(gè)電極進(jìn)行引線接合。


圖1是示出本發(fā)明第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖；
圖2是沿圖1的線A-A的截面圖；圖3是示出對形成了多個(gè)圖1所示的半導(dǎo)體裝置的硅晶片進(jìn)行切片的狀態(tài)的截面圖；圖4是本發(fā)明第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖5是本發(fā)明第三實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖6是本發(fā)明第四實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖7是本發(fā)明第五實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖8是本發(fā)明第六實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖9是本發(fā)明第七實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖10是本發(fā)明第八實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的截面圖；圖11是本發(fā)明第九實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖；圖12是連續(xù)示出圖9和圖10所示的半導(dǎo)體裝置的制造過程的圖；圖13是現(xiàn)有執(zhí)行元件的示意圖；圖14是現(xiàn)有切片工序的示意圖；圖15是示出以現(xiàn)有的切片工序?qū)杈M(jìn)行切片的工序的截面圖；圖16是示出在用保護(hù)膠帶覆蓋元件表面的狀態(tài)下進(jìn)行切片的工序的截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是示出本發(fā)明第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖2是沿圖1的線A-A的截面圖。
在圖1中，構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的執(zhí)行元件50是包括基板51、固定部52、作為構(gòu)造體的導(dǎo)電層53、用于輸入輸出信號的電極墊片54、55以及堤部56的層積構(gòu)造。導(dǎo)電層53形成為圓板狀，并由固定部52按懸臂梁的支撐方式支撐，以便與基板51之間形成間隙區(qū)域57。導(dǎo)電層53響應(yīng)于被提供給電極墊片54、55的電信號以固定部52為支點(diǎn)上下移動(dòng)。另外，作為構(gòu)造體，可用絕緣層或半導(dǎo)體層來代替導(dǎo)電層53。
基板51被形成為具有沿切片線的四條邊的矩形形狀；堤部56被形成在執(zhí)行元件50和基板51的各邊之間，以便包圍執(zhí)行元件50的周圍。堤部56是具有四條邊的矩形形狀，且各條邊平行于基板51的各邊并連續(xù)延伸。另外，堤部56的高度被形成為高于導(dǎo)電層53的上表面。在導(dǎo)電層53上形成有電極墊片54，在基板51上形成有電極墊片55。堤部56最好是包圍整個(gè)執(zhí)行元件50的周圍。
因此，電極墊片54、55都形成在堤部56內(nèi)。由于切片之后在電極墊片54、55上進(jìn)行引線接合，所以堤部56上沒有設(shè)置蓋子，開著口。
另外可在制造固定部52時(shí)在同一工序中用同樣的材料形成堤部56。
圖3是示意性示出對形成了多個(gè)圖1所示的執(zhí)行元件50的硅晶片60進(jìn)行切片的狀態(tài)的截面圖。在硅晶片60上形成有多個(gè)具有在圖1中說明的層積構(gòu)造的執(zhí)行元件50，并在堤部56上緊密粘貼有保護(hù)膠帶9。然后，在相鄰接的執(zhí)行元件50的堤部56、56之間，用如同被引導(dǎo)的刀片101沿基板51的邊切割硅晶片60，從而切成一塊一塊的半導(dǎo)體芯片。
由于可使各個(gè)執(zhí)行元件50之間的堤部56、56的間隔相等從而沒有階梯部，所以當(dāng)用刀片101沿切片線進(jìn)行切片時(shí)，可以使作用在保護(hù)膠帶9上的力均勻。從而不會(huì)產(chǎn)生保護(hù)膠帶9的浮動(dòng)和剝落。并且，由于即使含有異物104的洗滌水從保護(hù)膠帶9的切斷部分漏到下部，也會(huì)留在相鄰接的堤部56、56之間，所以異物104不會(huì)進(jìn)入執(zhí)行元件50的內(nèi)部，從而可以防止損壞執(zhí)行元件50的構(gòu)造體。
另外，由于所有的電極墊片54、55的位置都比堤部56的最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，所以不會(huì)在切片時(shí)被刀片101傷害而產(chǎn)生破損。另外，由于在堤部56上貼有保護(hù)膠帶9，所以灰塵、切屑不會(huì)附著在堤部56內(nèi)的電極墊片54、55上。其結(jié)果是不會(huì)由于灰塵、切屑附著在電極墊片54、55上而使電阻值變大，從而造成焊接障礙，使可靠性下降；也不會(huì)產(chǎn)生由于電極墊片54、55遇水而使金屬變質(zhì)，從而焊接的接合力下降等問題。
另外，由于最后要去除保護(hù)膠帶，所以沒有在比堤部56更靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域上部設(shè)置蓋子，而是開著口，因此不會(huì)對切片之后在電極墊片54、55上進(jìn)行引線接合造成障礙。
另外，在圖1所示的實(shí)施方式中，形成有包圍執(zhí)行元件50的周圍的矩形堤部56，但并限定于此，堤部56也可形成在位于導(dǎo)電層53的沒有被固定部52支撐的部分和基板51的外邊緣之間的基板上。即，由于固定物52自身可阻止異物104的侵入，所以也可形成堤部56，使得異物104不會(huì)從不被固定部52支撐的其它部分侵入。
圖4是本發(fā)明第二實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖。在圖4所示的實(shí)施方式中，將與基板1的四條邊平行且獨(dú)立的四個(gè)堤部121形成在執(zhí)行元件50和基板各邊之間，并且不包圍整個(gè)執(zhí)行元件50的周圍。
這樣，即使只是將堤部121形成得與基板1的各邊平行，而不包圍整個(gè)執(zhí)行元件50的周圍，也可以通過堤部121來提高圖3所示的保護(hù)膠帶9的粘著性，從而能夠在用刀片101切割硅晶片時(shí)使作用在保護(hù)膠帶9上的力均勻。此外還可減輕粘貼保護(hù)膠帶時(shí)給執(zhí)行元件50帶來的負(fù)擔(dān)。
另外，由于在該實(shí)施方式中電極墊片54、55也被設(shè)置得比堤部121更靠內(nèi)側(cè)，所以在切片時(shí)電極墊片54、55不會(huì)受到刀片101的傷害而破損，也不會(huì)附著異物104。
圖5是本發(fā)明第三實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖。在該圖5所示的第三實(shí)施方式中，堤部122形成為圓柱狀，并包圍整個(gè)執(zhí)行元件50的周圍和電極墊片54、55。由此，即使圖3所示的保護(hù)膠帶9的切斷部下垂，使得含有異物104的洗滌水從保護(hù)膠帶9的切斷部分漏到下部，也會(huì)留在相鄰接的堤部122、122之間，因此異物104不會(huì)進(jìn)入執(zhí)行元件50的內(nèi)部。
從而可以防止由于保護(hù)能力的下降而引起的執(zhí)行元件50的構(gòu)造體的破損。并且，也不會(huì)損傷電極墊片54、55或附著異物104。
另外，堤部的形狀可以變形，而不限于圖1所示的長方形的堤部56和圖5所示的圓柱形的堤部122。重要的是，無論是哪種形狀，只要是包圍執(zhí)行元件50的周圍的形狀即可。
圖6是本發(fā)明第四實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖。與在圖5所示的實(shí)施方式中形成堤部122，以包圍執(zhí)行元件50和電極墊片54、55的周圍相對，在圖6所示的實(shí)施方式中，在基板51的兩個(gè)地方設(shè)置固定部52，并由這些固定部52支撐導(dǎo)電層57。為了使異物不從設(shè)在固定部52、52各自之間的間隙部分進(jìn)入，將具有長度d2的堤部123設(shè)置在執(zhí)行元件50a和基板51的外邊緣之間，其中，d2比該間隙部分較窄一側(cè)的寬度d1長。堤部124被形成為コ形，包圍著除寬度為d1的間隙部分以外的寬的間隙部分。
這樣，通過與形成在固定部52之間的間隙部分相對設(shè)置堤部123、124，能夠阻止異物104進(jìn)入到執(zhí)行元件50a的基板51和導(dǎo)電層57之間的間隙區(qū)域。
圖7是本發(fā)明第五實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖。在該實(shí)施方式中，代替圖6所示的堤部123而形成為短圓弧狀的堤部125和形成為長圓弧狀的堤部126與在固定部52之間形成的間隙部分相對配置。通過沒置這樣的堤部125、126，也可阻止異物104進(jìn)入執(zhí)行元件50的間隙區(qū)域。
圖8是本發(fā)明第六實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖。在該實(shí)施方式中，與在固定部52、52之間形成的間隙部分相對并靠近地配置多個(gè)堤部127，所述堤部127與各間隙部分相對，并被形成為長度比間隙部分的寬度d1短。雖然堤部127的長度比間隙部分的寬度d1短，但由于與間隙部分靠近配置，所以可以阻止異物104進(jìn)入執(zhí)行元件50的間隙區(qū)域。
另外在圖8中，形成在導(dǎo)電層57上的電極墊片54和形成在基板51上的電極墊片55都被設(shè)置成比經(jīng)過堤部127的最外壁表面的假想外延PL更靠內(nèi)側(cè)。這樣，由于電極墊片54、55的位置比堤部56的外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，所以在切片時(shí)不會(huì)被刀片101傷害而破損。
圖9是本發(fā)明第七實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
在前述圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，由于形成堤部56，所以在堤部56和與之相對的作為構(gòu)造體的導(dǎo)電層53的側(cè)邊之間產(chǎn)生寄生電容Ci，從而當(dāng)半導(dǎo)體裝置作為執(zhí)行元件動(dòng)作時(shí)，該動(dòng)作會(huì)因寄生電容Ci而延遲。
因此，在圖9所示的實(shí)施方式中能夠防止由于將半導(dǎo)體裝置用作執(zhí)行器時(shí)寄生電容Ci的影響而導(dǎo)致動(dòng)作的延遲。在該示例中，以絕緣層71和導(dǎo)電層72的層積構(gòu)造形成堤部70，并在導(dǎo)電層72上形成堤部用的電極墊片73，該電極墊片73比堤部70的最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，然后用作為等電位手段的導(dǎo)線74來連接作為構(gòu)造體的導(dǎo)電層53上所形成的電極墊片54和堤部70的電極墊片73，從而使導(dǎo)電層53和72等電位，二者之間的電位差接近于零。
這樣，通過使導(dǎo)電層53和72等電位，使得在堤部70的導(dǎo)電層72和與之相對的導(dǎo)電層53的側(cè)面之間產(chǎn)生的寄生電容Ci不發(fā)揮電容器的作用，因此能夠消除動(dòng)作延遲等負(fù)面影響。
另外，由于形成在堤部70上的電極墊片73被設(shè)置成比堤部70的外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，并且圖3所示的保護(hù)膠帶9被緊密粘貼在基板51之上，所以在切割基板51時(shí)能夠消除電極墊片73的損傷。
圖10是本發(fā)明第八實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
當(dāng)將圖1所示的半導(dǎo)體裝置用作電容檢測型傳感器時(shí)，在堤部56和與之相對的導(dǎo)電層53的側(cè)面之間生成的寄生電容Ci和在導(dǎo)電層53和基板51之間生成的電容C與電容變化ΔC之和被并聯(lián)連接。寄生電容Ci被用作電容器，該寄生電容Ci導(dǎo)致靈敏度下降，并成為輸入換算噪聲水平惡化的主要原因。
因此，本實(shí)施方式能夠排除作為電容式檢測傳感器使用時(shí)由寄生電容Ci所導(dǎo)致的負(fù)面影響。和圖9相同，以絕緣層71和導(dǎo)電層72的層積構(gòu)造來形成堤部70，并在導(dǎo)電層72上形成電極墊片73，該電極墊片73比堤部70的外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，然后在形成在導(dǎo)電層53上的電極墊片54和電極墊片73之間連接電容式傳感器檢測電路75。電容式傳感器檢測電路75由電壓跟隨電路構(gòu)成，該電壓跟隨電路的運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端與導(dǎo)電層53的電極墊片54連接，運(yùn)算放大器的另一輸入端與輸出端連接。電壓跟隨電路的輸出端在與堤部70的電極墊片73連接的同時(shí)，還與輸出端子76連接。向基板51上的電極墊片55提供偏置電壓，這一點(diǎn)圖中未示出。
由于電壓跟隨電路的增益為1，所以導(dǎo)電層53和72可等效為大體相同的電位，從而二者之間的電位差接近于零。其結(jié)果是，可從表觀上消除寄生電容Ci對檢測電容的影響，從而電容式傳感器檢測電路75只能夠檢測出在導(dǎo)電層35和基板51之間生成的電容C和電容變化ΔC之和，因此能夠在提高靈敏度的同時(shí)降低輸入換算噪聲水平。
另外，作為電容式傳感器電路75并不限于電壓跟隨電路，只要能夠?qū)?dǎo)電層53和72設(shè)定為大體相同的電位，使用其他電路也可以。
另外，圖9和圖10所示的實(shí)施方式不只是圖1所示的半導(dǎo)體裝置，也可應(yīng)用于圖4～圖8所示的半導(dǎo)體裝置。
圖11是本發(fā)明第九實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置的平面圖。在該實(shí)施方式中，一體構(gòu)成堤部70的導(dǎo)電層72和圓板狀的導(dǎo)電層53。這樣，通過使導(dǎo)電層53和72一體化，可不需要圖9所示的導(dǎo)線74。
圖12是連續(xù)示出圖9和圖10所示的半導(dǎo)體裝置的制造過程的圖。首先，準(zhǔn)備圖12(a)所示的基板201，然后如圖12(b)所示在基板201上形成絕緣層202，再如圖12(c)所示在絕緣層202上形成導(dǎo)電層203。由該導(dǎo)電層203形成圖9和圖10所示的作為構(gòu)造體的導(dǎo)電層53和堤部70的導(dǎo)電層72。對導(dǎo)電層203涂布光致抗蝕劑，并通過光刻技術(shù)除去不需要的部分以形成抗蝕圖，然后將抗蝕圖作為掩模，通過蝕刻來形成圖12(d)所示的導(dǎo)電層53和堤部70的導(dǎo)電層72。如圖12(e)所示，通過對絕緣層202進(jìn)行預(yù)期的蝕刻而在導(dǎo)電層53和基板201之間形成間隙區(qū)域57，在該蝕刻之后，由殘留在導(dǎo)電層53的一部分外周上的絕緣層202形成固定部52和包圍導(dǎo)電層53的堤部70的絕緣層71。另外，基板201為圖9和圖10所示的基板51。
如上所述，堤部70的導(dǎo)電層72可通過與導(dǎo)電層53相同的材料在同一工序中形成，堤部70的絕緣層71也可通過與固定部52相同的材料在同一工序中形成。由此，由于不需要為了形成堤部70而使用新材料，也不需要增加工序，所以不會(huì)因設(shè)置層積構(gòu)造的堤部70而加大成本。
以上參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限定于圖示的實(shí)施方式?？稍谂c本發(fā)明相同的范圍內(nèi)、或者相等同的范圍內(nèi)對圖示的實(shí)施方式進(jìn)行各種修正或變形。
工業(yè)實(shí)用性由于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置能夠在阻止異物進(jìn)入基板和導(dǎo)電層之間的間隙區(qū)域的同時(shí)，通過切片來形成半導(dǎo)體芯片，所以不會(huì)引起元件的構(gòu)造體破損，從而可有效用于執(zhí)行元件或電容檢測型傳感器。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其通過切片而被分割成各個(gè)芯片，所述半導(dǎo)體裝置包括基板，其具有沿切片線的邊；半導(dǎo)體元件，其被形成在所述基板上；堤部，其被形成在所述基板上，并位于所述半導(dǎo)體元件和所述邊之間；以及輸入輸出用電極墊片，其被形成在所述半導(dǎo)體元件上，并被形成為比所述堤部的最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，用于輸入輸出信號。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述堤部相對于所述邊平行并連續(xù)延伸。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述堤部被形成為包圍所述半導(dǎo)體元件的周圍。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體元件包括絕緣層和形成在所述絕緣層上的導(dǎo)電層；所述堤部包括絕緣層和形成在所述絕緣層上的導(dǎo)電層；所述半導(dǎo)體元件的絕緣層和所述堤部的絕緣層在同一工序中形成；所述半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電層和所述堤部的導(dǎo)電層在同一工序中形成。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述輸入輸出用電極墊片被形成在所述半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電層上；所述半導(dǎo)體裝置還包括堤部用電極墊片，所述堤部用電極墊片形成在所述堤部的導(dǎo)電層上，且比其最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，并且所述堤部用電極墊片與所述輸入輸出用電極墊片電連接，從而使所述堤部的導(dǎo)電層與所述半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電層的電位差接近于零。
6.一種半導(dǎo)體裝置，包括基板；構(gòu)造體，其由固定部支撐，以便在與所述基板之間形成間隙；以及堤部，其被形成在基板上，并位于沒有被所述固定部支撐的結(jié)構(gòu)體的部分和所述基板的外邊緣之間。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，形成多個(gè)所述堤部，以便包圍所述構(gòu)造體的周圍。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，包括輸入輸出用電極墊片，其被形成在所述構(gòu)造體上，并被形成為比所述堤部的最外壁表面更靠內(nèi)側(cè)，用于輸入輸出信號。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在所述構(gòu)造體的周圍設(shè)置多個(gè)所述堤部，以便包圍所述構(gòu)造體；所述輸入輸出用電極墊片被設(shè)置為比通過所述多個(gè)堤部的最外壁的假想外延更靠內(nèi)側(cè)。
10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述構(gòu)造體包括形成在所述固定部上的導(dǎo)電層；所述堤部包括絕緣層和形成在所述絕緣層上的導(dǎo)電層；所述構(gòu)造體的固定部和所述堤部的絕緣層在同一工序中形成；所述構(gòu)造體的導(dǎo)電層和所述堤部的導(dǎo)電層在同一工序中形成。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述輸入輸出用電極墊片被形成在所述構(gòu)造體的導(dǎo)電層上；所述半導(dǎo)體裝置還包括堤部用電極墊片，所述堤部用電極墊片形成在所述堤部的導(dǎo)電層上，并與所述輸入輸出用電極墊片電連接，從而使所述堤部的導(dǎo)電層與所述構(gòu)造體的導(dǎo)電層的電位差接近于零。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，還包括使所述堤部的導(dǎo)電層與所述構(gòu)造體的導(dǎo)電層的電位差接近于零的等電位單元。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，還包括阻抗檢測單元，其與所述輸入輸出用電極墊片連接，并用于檢測所述構(gòu)造體和所述基板之間的阻抗變化。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，比所述堤部更靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域的上部開著口。
全文摘要
基板(51)被形成為具有四條沿切片線的邊的矩形形狀，堤部(56)被形成為包圍執(zhí)行元件(50)和輸入輸出用的電極墊片(54)、(55)的整個(gè)周圍。堤部(56)是具有四條邊的矩形形狀，且各條邊分別平行于基板(51)的各邊并連續(xù)延伸。由于通過堤部(56)可提高保護(hù)膠帶(9)的粘著性，所以可阻止切片時(shí)產(chǎn)生的異物104附著在執(zhí)行元件(50)和電極墊片(54)、(55)上。
文檔編號B81C1/00GK1839467SQ20058000077
公開日2006年9月27日 申請日期2005年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月27日
發(fā)明者加川健一, 八壁正巳 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社