一種半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)及具有其的半導(dǎo)體電嘴的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及半導(dǎo)體電嘴技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)及具 有其的半導(dǎo)體電嘴。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體電嘴是飛機發(fā)動機的重要附件，現(xiàn)有技術(shù)中，半導(dǎo)體電嘴的優(yōu)點是性能穩(wěn) 定，使用壽命長;缺點是半導(dǎo)體塊容易發(fā)生擊穿現(xiàn)象，導(dǎo)致半導(dǎo)體電嘴無法正常工作。不同 的半導(dǎo)體電嘴的放電端結(jié)構(gòu)不同，但其基本結(jié)構(gòu)一致，均是由中心電極、側(cè)電極、半導(dǎo)體塊 組成，所不同的是半導(dǎo)體塊周圍的其它零件或材料，比如有的半導(dǎo)體電嘴緊挨半導(dǎo)體塊后 端用無機密封膠進行密封;有的半導(dǎo)體塊的后半部分裝配在絕緣體當中，密封膠位于電嘴 的中部;有的半導(dǎo)體塊周圍有云母板;有的周圍沒有云母板。
[0003] 在發(fā)動機實際使用過程中，因為使用條件的變化或半導(dǎo)體電嘴本身狀態(tài)的變化， 導(dǎo)致一小部分半導(dǎo)體塊會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，半導(dǎo)體電嘴不工作，從而使發(fā)動機不能正常工作， 給飛行人員及飛機造成很大的安全隱患。
[0004] 因此，希望有一種技術(shù)方案來克服或至少減輕現(xiàn)有技術(shù)的至少一個上述問題。 【實用新型內(nèi)容】
[0005] 本實用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)來克服或至少減輕現(xiàn)有 技術(shù)中的至少一個上述問題。
[0006] 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體電 嘴放電端結(jié)構(gòu)包括：中心電極放電端;半導(dǎo)體塊，所述半導(dǎo)體塊中空，所述中心電極放電端 設(shè)置在所述半導(dǎo)體塊內(nèi)；側(cè)電極，所述側(cè)電極中空，所述半導(dǎo)體塊設(shè)置在所述側(cè)電極內(nèi)部； 其中，所述中心電極放電端包括冒蓋以及中心電極放電端本體，所述冒蓋設(shè)置在所述中心 電極的放電端，所述中心電極放電端本體外壁上設(shè)置有絕緣涂層。
[0007] 優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體塊的外壁以及遠離所述冒蓋的一端的端面上設(shè)置有絕緣涂 層。
[0008] 優(yōu)選地，所述中心電極放電端本體外壁上設(shè)置的絕緣涂層為琺瑯涂層。
[0009] 優(yōu)選地，所述琺瑯涂層通過涂覆并燒結(jié)的方式設(shè)置在中心電極放電端本體外壁 上。
[0010] 優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體塊的外壁以及遠離所述冒蓋的一端的端面上設(shè)置的絕緣涂層 為高溫釉。
[0011] 優(yōu)選地，所述高溫釉通過涂覆并燒結(jié)的方式設(shè)置在半導(dǎo)體塊的外壁以及遠離所述 冒蓋的一端的端面上。
[0012] 優(yōu)選地，所述燒結(jié)溫度為1400度。
[0013] 優(yōu)選地，所述燒結(jié)溫度為1550度。
[0014] 本實用新型還提供了一種半導(dǎo)體電嘴，所述半導(dǎo)體電嘴包括如上所述的半導(dǎo)體電 嘴放電端結(jié)構(gòu)。
[0015] 本實用新型的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)在中心電極放電端本體外壁上設(shè)置有絕緣 涂層，能夠保證半導(dǎo)體塊與側(cè)電極外圓部位的絕緣，且其效果相對于原設(shè)計結(jié)構(gòu)中的云母 板的防擊穿效果更好。
【附圖說明】
[0016] 圖1是根據(jù)本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]附圖標記：

【具體實施方式】
[0019] 為使本實用新型實施的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型 實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行更加詳細的描述。在附圖中，自始 至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。所描述的實 施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。下面通過參考附圖描述的實施例 是示例性的，旨在用于解釋本實用新型，而不能理解為對本實用新型的限制?；诒緦嵱眯?型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施 例，都屬于本實用新型保護的范圍。下面結(jié)合附圖對本實用新型的實施例進行詳細說明。
[0020] 在本實用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語"中心"、"縱向"、"橫向"、"前"、"后"、 "左"、"右"、"豎直"、"水平"、"頂"、"底" "內(nèi)"、"外"等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所 示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指 的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實用 新型保護范圍的限制。
[0021] 圖1是根據(jù)本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022] 本實用新型提供了一種半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)包括 中心電極放電端1、半導(dǎo)體塊2以及側(cè)電極3。其中，半導(dǎo)體塊2中空，中心電極放電端1設(shè)置在 半導(dǎo)體塊2內(nèi)；側(cè)電極3中空，半導(dǎo)體塊2設(shè)置在側(cè)電極3內(nèi)部;其中，中心電極放電端1包括冒 蓋11以及中心電極放電端本體12，冒蓋11設(shè)置在中心電極放電端1的端部，中心電極放電端 本體12外壁上設(shè)置有絕緣涂層。
[0023] 在本實施例中，半導(dǎo)體塊2的外壁以及遠離冒蓋11的一端的端面上設(shè)置有絕緣涂 層。
[0024] 有利的是，參見圖1，在本實施例中，中心電極放電端本體12外壁上設(shè)置的絕緣涂 層為琺瑯涂層。
[0025] 有利的是，琺瑯涂層通過涂覆并燒結(jié)的方式設(shè)置在中心電極放電端本體12外壁 上。
[0026] 在本實施例中，半導(dǎo)體塊2的外壁以及遠離冒蓋11的一端的端面上設(shè)置的絕緣涂 層為高溫釉。
[0027]在本實施例中，高溫釉通過涂覆并燒結(jié)的方式設(shè)置在半導(dǎo)體塊2的外壁以及遠離 所述冒蓋11的一端的端面上。
[0028]有利的是，燒結(jié)溫度為1400度。
[0029]在本實施例中，所述燒結(jié)溫度為1550度。
[0030] 本實用新型還提供了一種半導(dǎo)體電嘴，所述半導(dǎo)體電嘴包括如上所述的半導(dǎo)體電 嘴放電端結(jié)構(gòu)。
[0031] 本實用新型的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)能夠使半導(dǎo)體電嘴工作更可靠、更穩(wěn)定、工 作壽命更長。原因有以下幾點：⑴中心電極上涂覆并燒結(jié)一種耐高溫的絕緣涂層FL013琺 瑯，該涂層工作溫度可達ll〇〇°C以上，能夠滿足半導(dǎo)體電嘴工作需要，這能夠保證中心電極 與半導(dǎo)體塊之間的絕緣性。⑵在半導(dǎo)體塊外圓及非放電端面涂覆并燒結(jié)絕緣的高溫釉，高 溫釉可在ll〇〇°C以上長期工作且保持絕緣性能，這能夠保證半導(dǎo)體塊與側(cè)電極外圓部位的 絕緣。這種雙重絕緣處理保險系數(shù)高，即使有一處絕緣出現(xiàn)問題，也不會發(fā)生擊穿現(xiàn)象。另 外增強絕緣處理以后，能夠減少漏電流，保證半導(dǎo)體電嘴穩(wěn)定工作，提高半導(dǎo)體電嘴使用壽 命。
[0032] 在本實施例中的琺瑯是由Si02、BaC03、CaC03、Zn0、Mn02等按一定比例混合、煅燒、 球磨、過篩而成，然后涂覆在中心電極上，并在1400°C下燒結(jié)而成，具有良好的絕緣性。 [0033] 本實施例中的半導(dǎo)體塊由六1203、3丨02、3丨(：、1%0、1102、2抑2等材料，按一定比例混 合、煅燒、球磨、過篩，經(jīng)造粒、塑化而成，然后用模具干壓成要求的尺寸，再在真空爐中1550 °C下燒結(jié)而成，半導(dǎo)體塊上涂敷高溫釉。
[0034]本實施例的半導(dǎo)體塊上涂敷的高溫釉，是由鉀長石、石英砂、高嶺土、氧化鎂等按 一定比例經(jīng)煅燒、球磨、過篩而成。涂覆在半導(dǎo)體塊上，在1300°C下燒結(jié)而成，燒成后絕緣性 能良好。
[0035] 本實施例的側(cè)電極的材料為高溫合金。
[0036] 最后需要指出的是：以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限 制。盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理 解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進 行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例 技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)包括： 中心電極放電端(1); 半導(dǎo)體塊（2)，所述半導(dǎo)體塊（2)中空，所述中心電極放電端（1)設(shè)置在所述半導(dǎo)體塊 (2)內(nèi)； 側(cè)電極(3)，所述側(cè)電極(3)中空，所述半導(dǎo)體塊(2)設(shè)置在所述側(cè)電極(3)內(nèi)部;其中， 所述中心電極放電端（1)包括冒蓋（11)以及中心電極放電端本體（12)，所述冒蓋（11) 設(shè)置在所述中心電極放電端（1)的端部，所述中心電極放電端本體（12)外壁上設(shè)置有絕緣 涂層。2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體塊(2)的外壁 以及遠離所述冒蓋(11)的一端的端面上設(shè)置有絕緣涂層。3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中心電極放電端本體 (12)外壁上設(shè)置的絕緣涂層為琺瑯涂層。4. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述琺瑯涂層通過涂覆并 燒結(jié)的方式設(shè)置在中心電極放電端本體(12)外壁上。5. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體塊(2)的外壁 以及遠離所述冒蓋(11)的一端的端面上設(shè)置的絕緣涂層為高溫釉。6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高溫釉通過涂覆并燒 結(jié)的方式設(shè)置在半導(dǎo)體塊(2)的外壁以及遠離所述冒蓋(11)的一端的端面上。7. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述燒結(jié)溫度為1400度。8. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述燒結(jié)溫度為1550度。9. 一種半導(dǎo)體電嘴，其特征在于，所述半導(dǎo)體電嘴包括如權(quán)利要求1至8中任意一項所 述的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)及具有其的半導(dǎo)體電嘴。所述半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)包括：中心電極放電端(1)；半導(dǎo)體塊(2)，所述半導(dǎo)體塊(2)中空，所述中心電極放電端(1)設(shè)置在所述半導(dǎo)體塊(2)內(nèi)；側(cè)電極(3)，所述側(cè)電極(3)中空，所述半導(dǎo)體塊(2)設(shè)置在所述側(cè)電極(3)內(nèi)部；其中，所述中心電極放電端(1)包括冒蓋(11)以及中心電極放電端本體(12)，所述冒蓋(11)設(shè)置在所述中心電極放電端(1)的端部，所述中心電極放電端本體(12)外壁上設(shè)置有絕緣涂層。本實用新型的半導(dǎo)體電嘴放電端結(jié)構(gòu)在中心電極放電端本體外壁上設(shè)置有絕緣涂層，能夠保證半導(dǎo)體塊與側(cè)電極外圓部位的絕緣。
【IPC分類】F02C7/266
【公開號】CN205117514
【申請?zhí)枴緾N201520911098
【發(fā)明人】萬思明, 胡冬蘭
【申請人】陜西航空電氣有限責任公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年11月16日