渦輪葉片冷卻通道形成的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及渦輪葉片冷卻通道形成。本發(fā)明的實(shí)施例大致涉及渦輪葉片，并且更具體而言，涉及在渦輪葉片表面上的冷卻通道的形成和包括此類冷卻通道的渦輪葉片。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種形成沿渦輪葉片表面的冷卻通道的方法，該方法包括：將第一掩模材料應(yīng)用到渦輪葉片的表面的第一部分；將第一阻隔層形成在第一掩模材料頂上，且形成在渦輪葉片的表面的第二部分頂上；移除第一掩模材料和第一掩模材料頂上的阻隔層來(lái)露出渦輪葉片的表面的第一部分；并且蝕刻渦輪葉片的表面的第一部分來(lái)形成沿渦輪葉片的表面的冷卻通道。
【專利說(shuō)明】渦輪葉片冷卻通道形成
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例大致涉及渦輪葉片，且更具體而言，涉及渦輪葉片表面上的冷卻通道的形成和包括此類冷卻通道的渦輪葉片。
【背景技術(shù)】
[0002]用于高溫應(yīng)用中的渦輪葉片通常為鎳基超級(jí)合金，且覆蓋有金屬連結(jié)涂層和陶瓷熱障涂層。相比于形成冷卻通道的已知構(gòu)造和方法，本發(fā)明的實(shí)施例便于改善渦輪葉片的冷卻。相比于使用鎳合金，這又允許在具有較高溫度的熱氣體路徑中使用渦輪葉片、使用較薄的熱障涂層、和降低成本。在一些情況下，由于渦輪葉片的主動(dòng)冷卻中的更多發(fā)生在葉片表面處，故渦輪葉片內(nèi)的冷卻通道可簡(jiǎn)化。此外，可同時(shí)地制造全部冷卻通道，這相比于已知的冷卻通道形成方法(諸如利用水射流或放電加工)降低了成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種形成沿渦輪葉片表面的冷卻通道的方法，該方法包括:將第一掩模材料應(yīng)用到渦輪葉片的表面的第一部分；將第一阻隔層形成在第一掩模材料頂上，且形成在渦輪葉片的表面的第二部分頂上；移除第一掩模材料和第一掩模材料頂上的阻隔層來(lái)露出渦輪葉片的表面的第一部分；并且蝕刻渦輪葉片的表面的第一部分來(lái)形成沿渦輪葉片的表面的冷卻通道。
[0004]在另一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種涂布渦輪葉片的方法，該方法包括:對(duì)渦輪葉片表面的金屬層鍍鋁；將鍍鋁金屬層轉(zhuǎn)變成鋁化物層；并且從鋁化物層移除鋁，從而形成多孔金屬層。
[0005]在又一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供了一種渦輪葉片，其包括:鎳基超級(jí)合金翼型件；翼型件表面上的氧化多孔金屬層；和氧化多孔材料上的熱障涂層。
[0006]一種形成沿渦輪葉片表面的冷卻通道的方法，該方法包括:將第一掩模材料應(yīng)用到渦輪葉片的表面的第一部分；將第一阻隔層形成在第一掩模材料的頂上，且形成在渦輪葉片的表面的第二部分的頂上；移除第一掩模材料和第一掩模材料頂上的阻隔層來(lái)露出渦輪葉片的表面的第一部分；并且蝕刻渦輪葉片的表面的第一部分來(lái)形成沿渦輪葉片的表面的冷卻通道。
[0007]優(yōu)選地，該方法還包括:將金屬連結(jié)涂層應(yīng)用到渦輪葉片的表面，金屬連結(jié)涂層足以覆蓋冷卻通道但不填充冷卻通道。
[0008]優(yōu)選地，該方法還包括:形成冷卻通道與渦輪葉片內(nèi)的冷卻源之間的通路。
[0009]優(yōu)選地，該方法還包括:利用第二掩模材料填充冷卻通道；
將高溫金屬層沉積在第二掩模材料和渦輪葉片的表面的第二部分的頂上；將第三掩模材料沉積在高溫金屬層的頂上；將第二阻隔層沉積在第三掩模材料和高溫金屬層的頂上；移除第三掩模材料和第三掩模材料的頂上的第二阻隔層；蝕刻高溫金屬層直到第二掩模材料；并且移除第二掩模材料。[0010]優(yōu)選地，該方法還包括:將金屬連結(jié)涂層應(yīng)用到渦輪葉片的表面，金屬連結(jié)涂層足以覆蓋冷卻通道但不填充冷卻通道。
[0011]優(yōu)選地，冷卻通道具有第一寬度，且蝕刻高溫金屬層包括將高溫金屬層蝕刻至小于第一寬度的第二寬度，使得高溫金屬層的至少一部分在冷卻通道上延伸。
[0012]優(yōu)選地,高溫金屬層包括多孔金屬層。
[0013]優(yōu)選地，沉積高溫金屬層包括通過(guò)以下步驟形成多孔金屬層:對(duì)高溫金屬層鍍鋁；將該鍍鋁的高溫金屬層轉(zhuǎn)變成鋁化物層；并且從鋁化物層移除鋁來(lái)形成多孔金屬層。
[0014]優(yōu)選地，鍍鋁包括以下步驟中的至少一個(gè):將高溫金屬層浸在鋁浴中，將鋁噴涂沉積到高溫金屬層上，或?qū)X汽相沉積到高溫金屬層上。
[0015]優(yōu)選地，從鋁化物層移除鋁包括使用苛性溶液從鋁化物層浸出鋁。
[0016]優(yōu)選地，該方法還包括:氧化多孔金屬層。
[0017]優(yōu)選地,第一掩模材料選自由以下材料構(gòu)成的集合:光致抗蝕劑或聚合材料。
[0018]優(yōu)選地，第一阻隔層包括從由以下材料構(gòu)成的集合中選擇的至少一種材料:氮氧化鈦、Ti02、TaO2JiN, S12、氧化鋁和耐高溫金屬氧化物。
[0019]一種涂布渦輪葉片的方法，該方法包括:對(duì)渦輪葉片表面的金屬層鍍鋁；將該鍍鋁的金屬層轉(zhuǎn)變成鋁化物層；并且從鋁化物層移除鋁，從而形成多孔金屬層。
[0020]優(yōu)選地，該方法還包括:氧化多孔金屬層。
[0021]優(yōu)選地，該方法還包括:將連結(jié)涂層或熱障涂層中的至少一者應(yīng)用到氧化多孔金屬層。
[0022]優(yōu)選地，金屬層選自由以下材料構(gòu)成的集合:渦輪葉片的鎳基超級(jí)合金、應(yīng)用至渦輪葉片表面的鎳基合金、和渦輪葉片表面的頂上的金屬連結(jié)涂層。
[0023]優(yōu)選地，鍍鋁包括以下步驟中的至少一者:將金屬層浸在鋁浴中，將鋁噴涂沉積到金屬層上，或?qū)X汽相沉積到金屬層上；將該鍍鋁金屬層轉(zhuǎn)變成鋁化物層包括將鍍鋁金屬層加熱至大約660°C與大約1200°C之間的溫度；并且從鋁化物層移除鋁包括使用苛性溶液從鋁化物層浸出鋁。
[0024]一種渦輪葉片，包括:鎳基超級(jí)合金翼型件；翼型件的表面上的氧化多孔金屬層；和氧化多孔材料上的連結(jié)涂層或熱障涂層中的至少一者。
[0025]優(yōu)選地，渦輪葉片還包括:沿翼型件的表面的至少一個(gè)冷卻通道；和至少一個(gè)冷卻通道與渦輪葉片內(nèi)的冷卻劑源之間的至少一個(gè)通路。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]從結(jié)合繪出本發(fā)明的各種實(shí)施例的附圖而作出的本發(fā)明的各種方面的以下詳細(xì)說(shuō)明中，將更容易理解本發(fā)明的這些和其他特征，在附圖中:
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的渦輪葉片的透視圖。
[0027]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的流程圖和截面?zhèn)纫晥D。
[0028]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的方法的流程圖和截面?zhèn)纫晥D。
[0029]圖4和5示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成的冷卻通道的示意性俯視圖。
[0030]圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的步驟的截面?zhèn)纫晥D。
[0031]圖7-9示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成的冷卻通道的示意性俯視圖。[0032]圖10示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的方法的流程圖。
[0033]應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明的附圖并不按比例。附圖意圖僅繪出本發(fā)明的典型方面，且因此不應(yīng)被認(rèn)為限制本發(fā)明的范圍。在附圖中，相似的標(biāo)號(hào)表示附圖之間的相似元件。
[0034]部件列表 I渦輪葉片
8前表面 10,110表面 12第一部分 14第二部分 20、120冷卻通道 22,122 開(kāi)口 30第一掩模材料 32第二掩模材料 34第三掩模材料 40、140第一阻隔層 42、142第二阻隔層 50、150高溫金屬層 60、62、160懸垂部 70連結(jié)涂層 72熱障涂層 121 壁。
【具體實(shí)施方式】
[0035]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的渦輪葉片I的一部分的截面?zhèn)纫晥D。渦輪葉片I包括前表面8和后表面10。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方法，多個(gè)冷卻通道20已沿后表面10形成。連結(jié)涂層70和熱障涂層72形成在后表面10的頂上，且覆蓋該多個(gè)冷卻通道20。盡管冷卻通道20僅示為沿圖1中的后表面10，但應(yīng)當(dāng)理解的是，冷卻通道可類似地不沿后表面10，而是沿前表面8布置，或者除后表面10外，沿前表面8布置。
[0036]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的方法的流程圖和隨附的截面?zhèn)纫晥D。在SI處，第一掩模材料30沉積在渦輪葉片的表面10頂上。適用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使用的掩模材料包括例如光致抗蝕劑(photoresist)或聚合材料。第一掩模材料30可使用例如包括浸潰、噴涂或汽相沉積的多個(gè)方法或技術(shù)來(lái)沉積。所使用的特定方法或技術(shù)將至少部分地取決于第一掩模材料30。第一掩模材料30可離散地沉積，或可越過(guò)較大區(qū)域沉積，且然后形成圖案。如圖2所示，第一掩模材料30覆蓋表面10的第一部分12，從而使第二部分14保持露出。第一部分12包括表面10的其中將形成冷卻通道的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域。第二部分14包括表面10的其中將不形成冷卻通道的區(qū)域，且可包括除第一部分12以外的表面10中的一些或全部。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的是，可使用除公開(kāi)的那些以外的材料和沉積技術(shù)。
[0037]在S2處，第一阻隔層40形成在表面10頂上，從而覆蓋表面10的第一掩模材料30和第二部分14 二者。第一阻隔層40可例如包括氮氧化鈦、T12, TaO2, TiN, S12和高熔點(diǎn)氧化物(諸如氧化鋁)。第一阻隔層40可使用例如包括化學(xué)汽相沉積、濺射或反應(yīng)濺射的任何數(shù)目的方法或技術(shù)來(lái)形成。所使用的特定方法或技術(shù)將至少部分地取決于第一阻隔層40。在S3處,連同第一掩模材料30頂上的阻隔層40的部分一起移除第一掩模材料30,從而露出表面10的第一部分12。然后，在S4處，第一部分12可蝕刻，以形成表面10中的冷卻通道20。蝕刻第一部分12可包括任意數(shù)目的方法或技術(shù)(例如包括液體化學(xué)蝕刻和反應(yīng)離子蝕刻)。
[0038]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，冷卻通道20可被進(jìn)一步處理來(lái)形成冷卻通道20上方的懸垂結(jié)構(gòu)。這有效地縮小了至冷卻通道20的開(kāi)口，這在一些情形中可為合乎需要的。圖3示出形成此類懸垂結(jié)構(gòu)的方法的流程圖和隨附的截面?zhèn)纫晥D。在S5處，利用第二掩模材料32填充冷卻通道20。第二掩模材料32可與第一掩模材料30 (圖2)相同，或可為不同的掩模材料。類似地，第二掩模材料32可使用與第一掩模材料30相同的方法或技術(shù)或通過(guò)不同的方法或技術(shù)來(lái)沉積。
[0039]在S6處，高溫金屬層50沉積、形成或應(yīng)用到第二掩模材料32和第一阻隔層40頂上。例如，高溫金屬層50可包括鎳基超級(jí)合金或耐高溫金屬(refractory metal),且可使用任意數(shù)目的方法或技術(shù)(諸如汽相沉積、濺射或電化學(xué)沉積)來(lái)沉積、形成或應(yīng)用。
[0040]然后，在S7處，第三掩模材料34和第二阻隔層42沉積或形成在高溫金屬層50頂上。如在圖3中可見(jiàn)，第三掩模材料34沉積，使得在至少一個(gè)維度中，它的寬度小于冷卻通道20的寬度。第三掩模材料34和第二阻隔層42的沉積或形成類似于圖2的第一掩模材料30和第一阻隔層40的沉積或形成。第三掩模材料34可與第一掩模材料30或第二掩模材料32相同，或可為不同掩模材料，且可使用相同或不同的方法或技術(shù)來(lái)沉積。類似地，第二阻隔層42可與第一阻隔層40相同，或可為不同掩模材料，且可使用相同或不同的方法或技術(shù)來(lái)沉積。
[0041]在S8處，類似于圖2的S3處的第一掩模材料40和第一阻隔層40的一部分的移除，第三掩模材料34和第三掩模材料34頂上的第二阻隔層42的一部分被移除。在S9處，高溫金屬層50在通過(guò)移除第三掩模材料34和第二阻隔層42而露出處被蝕刻，從而形成開(kāi)口 22，第二掩模材料32穿過(guò)開(kāi)口 22從冷卻通道20移除。如在圖3中可見(jiàn)，相比于冷卻通道20，第三掩模材料34的較小尺寸導(dǎo)致高溫金屬層50和第二阻隔層42在冷卻通道20上方的懸垂部60、62。
[0042]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的冷卻通道20的俯視圖。為了易于圖示和說(shuō)明，僅示出第二阻隔層42。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的是，高溫金屬層50位于第二阻隔層42下方。在圖4中，懸垂部60、62存在于開(kāi)口 22附近,且在冷卻通道20的一部分之上。其它構(gòu)造是可能的。在圖5中，例如，懸垂部60圍繞大致正方形的開(kāi)口 22連續(xù)。
[0043]圖6示出本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的截面視圖。在此，開(kāi)口 122偏移，且與冷卻通道120的壁121大致齊平。因此，單個(gè)懸垂部160形成在冷卻通道120上方。圖7_9示出根據(jù)此實(shí)施例的相對(duì)于冷卻通道120的開(kāi)口 122的各種布置的俯視圖。
[0044]在圖3-9中，開(kāi)口 22、122示為大致為正方形或矩形形狀。然而，這既不是必需的也不是重要的，且根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例形成的開(kāi)口可具有任意數(shù)目的二維形狀。
[0045]在本發(fā)明的任意實(shí)施例中，一旦表面10、110被蝕刻以形成冷卻通道20、120，則金屬連結(jié)涂層(諸如MCrAlY)可以以一種方式應(yīng)用，該方式足以覆蓋第一阻隔層40或第二阻隔層140，以及覆蓋冷卻通道20、120的表面，但不填充冷卻通道20、120。類似地，在本發(fā)明的任意實(shí)施例中，形成的冷卻通道20、120可聯(lián)結(jié)于例如渦輪葉片I內(nèi)的冷卻流體(諸如空氣或蒸汽)源(圖1)。例如，一旦形成冷卻通道20、120，則可從冷卻通道20、120的底部表面直到渦輪葉片中心中的冷卻空氣源形成通路(諸如通過(guò)鉆孔)。
[0046]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，高溫金屬層50、150包括多孔金屬層。使用此類多孔金屬減小了之后的處理步驟期間應(yīng)用到渦輪葉片上的熱障涂層(TBC)中的應(yīng)力，因?yàn)樗葴u輪葉片自身或TBC順應(yīng)性都更好。相比于類似的非多孔金屬層，多孔金屬層還減小了熱擴(kuò)散率。這增大了熱氣體與渦輪葉片之間的溫度下降。
[0047]圖10示出根據(jù)實(shí)施例的在渦輪葉片上形成多孔金屬層的方法的流程圖。在SlO處，對(duì)金屬層(例如，圖3中的42)鍍鋁。這可使用任意數(shù)目的方法或技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如，包括將金屬層浸潰在鋁浴中，將鋁噴涂沉積在金屬層上，或?qū)X汽相沉積在金屬層上。
[0048]在Sll處，將鍍鋁金屬層轉(zhuǎn)變成鋁化物層。通常，可通過(guò)在不存在氧的情況下將鍍鋁金屬層加熱至大約660°C至大約1200°C之間的溫度來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0049]在S12處，將鋁從鋁化物層移除來(lái)形成多孔金屬層。鋁可使用任意數(shù)目的方法或技術(shù)來(lái)移除，但通常通過(guò)將苛性溶液(caustic solut1n)應(yīng)用至鋁化物層來(lái)移除。在金屬層為鎳合金的情況下，由此形成的多孔金屬層包括多孔鎳合金層。
[0050]多個(gè)附加的過(guò)程可在多孔金屬層上執(zhí)行。例如，在S13處，多孔金屬層可以可選地通過(guò)氧化來(lái)鈍化。例如，在金屬層將暴露于高溫的情況下，這可能是合乎需要的，因?yàn)槎嗫捉饘賹拥母弑砻鎱^(qū)域可能自燃。例如，可通過(guò)在大約400°C的空氣中加熱來(lái)實(shí)現(xiàn)氧化多孔金屬層。
[0051]在S14處，連結(jié)涂層和/或熱障涂層可以可選地應(yīng)用到在S12處形成的多孔金屬層或在S13處形成的氧化多孔金屬層。
[0052]如在本文中所述，多孔金屬層由高溫金屬層50、150形成，但其它金屬層可類似地制造成多孔的，以提供增大的順應(yīng)性。例如，渦輪葉片自身的鎳基超級(jí)合金可使用上述方法或類似方法來(lái)制造成多孔的。此外，渦輪葉片可涂布有鎳基耐熱合金層，其然后使用上所方法或類似方法制造成多孔的。
[0053]在任何情況下，附加層可沉積在多孔金屬層的頂上來(lái)完成渦輪葉片的最后加工。例如，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，渦輪葉片包括鎳基超級(jí)合金翼型件、翼型件表面上的氧化多孔金屬層、連結(jié)涂層、和氧化多孔材料之上的熱障涂層。
[0054]本文所使用的術(shù)語(yǔ)僅用于說(shuō)明特定實(shí)施例的目的，且并不意圖限制本公開(kāi)內(nèi)容。如本文所使用的，單數(shù)形式“一個(gè)”或“一種”和“該”意圖也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另外指出。還將理解的是，用語(yǔ)“包括(comprise) ”和/或“包括(comprising) ”在用于本說(shuō)明書(shū)中時(shí)，指定存在聲明的特征、整體、步驟、操作、元件和/或構(gòu)件，但并不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、構(gòu)件和/或其組合。
[0055]本書(shū)面說(shuō)明使用示例以公開(kāi)本發(fā)明，包括最佳實(shí)施方式，并且還使任何本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明，包括制造并且使用任何裝置或系統(tǒng)，并執(zhí)行任何合并的方法。本發(fā)明的可申請(qǐng)專利的范圍由權(quán)利要求限定，并且可包括由本領(lǐng)域技術(shù)人員想到的其它示例。如果這些其他示例包括不與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言不同的結(jié)構(gòu)元件，或者如果這些其他示例包括與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言無(wú)顯著差別的等同結(jié)構(gòu)元件，則這些其他示例意圖在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種形成沿渦輪葉片表面的冷卻通道的方法，所述方法包括: 將第一掩模材料應(yīng)用到渦輪葉片的表面的第一部分； 將第一阻隔層形成在所述第一掩模材料的頂上，且形成在所述渦輪葉片的表面的第二部分的頂上； 移除所述第一掩模材料和所述第一掩模材料頂上的阻隔層來(lái)露出所述渦輪葉片的表面的第一部分；并且 蝕刻所述渦輪葉片的表面的第一部分來(lái)形成沿所述渦輪葉片的表面的冷卻通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括: 將金屬連結(jié)涂層應(yīng)用到所述渦輪葉片的表面，所述金屬連結(jié)涂層足以覆蓋所述冷卻通道但不填充所述冷卻通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括: 形成所述冷卻通道與所述渦輪葉片內(nèi)的冷卻源之間的通路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括: 利用第二掩模材料填充所述冷卻通道； 將高溫金屬層沉積在所述第二掩模材料和所述渦輪葉片的表面的第二部分的頂上； 將第三掩模材料沉積在所述高溫金屬層的頂上； 將第二阻隔層沉積在所述第三掩模材料和所述高溫金屬層的頂上； 移除所述第三掩模材料和所述第三掩模材料的頂上的所述第二阻隔層； 蝕刻所述高溫金屬層直到所述第二掩模材料；并且 移除所述第二掩模材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，還包括: 將金屬連結(jié)涂層應(yīng)用到所述渦輪葉片的表面，所述金屬連結(jié)涂層足以覆蓋所述冷卻通道但不填充所述冷卻通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述冷卻通道具有第一寬度，且蝕刻所述高溫金屬層包括將所述高溫金屬層蝕刻至小于所述第一寬度的第二寬度，使得所述高溫金屬層的至少一部分在所述冷卻通道上延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述高溫金屬層包括多孔金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，沉積所述高溫金屬層包括通過(guò)以下步驟形成多孔金屬層: 對(duì)所述高溫金屬層鍍鋁； 將該鍍鋁的高溫金屬層轉(zhuǎn)變成鋁化物層；并且 從所述鋁化物層移除鋁來(lái)形成所述多孔金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，鍍鋁包括以下步驟中的至少一個(gè):將所述高溫金屬層浸在鋁浴中，將鋁噴涂沉積到所述高溫金屬層上，或?qū)X汽相沉積到所述高溫金屬層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，從所述鋁化物層移除鋁包括使用苛性溶液從所述鋁化物層浸出鋁。
【文檔編號(hào)】F01D5/18GK104033187SQ201410081979
【公開(kāi)日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月8日
【發(fā)明者】D.B.克諾爾, K.B.莫里 申請(qǐng)人:通用電氣公司