霍爾效應推進器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種霍爾效應推進器，特別是一種具有可傾斜推力的霍爾效應推進器(1)，其中，磁路的末級包括內(nèi)極(18)，該內(nèi)極相對于外極(15)在下游處軸向地偏移，使得所述磁場(M)相對于推進器(1)的橫斷面傾斜。
【專利說明】霍爾效應推進器
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及霍爾效應推進器領域。
[0002]本發(fā)明更具體地涉及可操縱推力的霍爾效應推進器，其具有環(huán)形通道、陽極、噴射回路、磁路和陰極。該環(huán)形通道由兩個具有一中心軸線的同心壁限定，具有一開放端和一封閉端，并包括處于封閉端旁的上游段，該上游段被徑向壁細分為多個分開的間隔區(qū)。該陽極位于環(huán)形通道的封閉端處。該噴射回路適用于將推進氣體(例如諸如氙)噴射到該環(huán)形通道的間隔區(qū)中，并且包括至少一個獨立的用于每個間隔區(qū)的流速調(diào)節(jié)器裝置。該磁路適用于在該環(huán)形通道的開放端處形成磁場。該陰極位于該環(huán)形通道的開放端的外部。
[0003]在本文中，術語“上游”和“下游”被定義為相對于推進氣體沿著由所述環(huán)形通道的中心軸線限定的軸線的通常流動方向。
【背景技術】
[0004]通常，在這種霍爾效應推進器處于工作狀態(tài)時，電子由陰極發(fā)射并朝向位于環(huán)形通道的底部的陽極被吸引，且在位于兩壁之間的螺旋軌道中被磁場捕獲，由此形成虛擬陰極柵。電子由這種磁罩朝向陽極逃逸，并與通過噴射回路被噴射至環(huán)形通道內(nèi)的推進氣體中的原子發(fā)生碰撞，從而形成離子化等離子體。
[0005]等離子體中的正離子被存在于陽極和虛擬陰極柵之間的電場加速，該虛擬陰極柵由被位于環(huán)形通道的開放端處的磁場所捕獲的電子云形成。因為這類正離子的質(zhì)量遠大于電子的質(zhì)量，所以這些離子的軌跡很難被磁場影響。這種等離子流中的正離子最終會被陰極所發(fā)射的或是在等離子體電離過程中已經(jīng)產(chǎn)生的電子在磁場的下游處中和。
[0006]霍爾效應推進器已開始被應用于航天器的運行姿態(tài)和軌跡控制系統(tǒng)(AOCSs)中，尤其是被應用于地球同步衛(wèi)星的AOCSs中。從上述功能上看，霍爾效應推進器的優(yōu)點在于能夠精確地控制運載工具(航天器)的運行姿態(tài)和/或位置，同時與傳統(tǒng)系統(tǒng)相比(傳統(tǒng)系統(tǒng)利用諸如像反作用輪之類的慣性器件且與用于減飽和目的的化學推進器結合)，明顯地質(zhì)量更小并且復雜程度更低。
[0007]通常情況下霍爾效應推進器的推力是不可操縱的，必須要同時使用多個霍爾效應推進器以獲得在期望方向上的推力，以便改變航天器的指向和/或位置。這尤其意味著用于推進器的電源供電電路相當復雜。可選地，也有文獻表示可將霍爾效應推進器安裝在樞軸座上，用于操縱推進器的推力，例如在2005年美國Princeton的29th InternationalElectric Propulsion Conference (第 29 屆國際電力推進會議)中 H.Grey, S.Provost, Μ.Glogowski 和A.Demaire 所發(fā)表的文獻“Inmarsat4Flplasma propulsion system initialflight operations”(IECP-2005-282)所描述的。然而，這樣的樞軸座卻有相當可觀的力學復雜性，且要求其運動部件在非常嚴苛的航天器環(huán)境中總是承受堵塞的風險。
[0008]為了減少這些缺陷，美國專利第5845880號提出一種霍爾效應推進器，其可通過最后磁級(last magnetic stage)來操縱,該最后磁級被細分為多個可獨立啟動的區(qū)段。因此，推力的方位可通過改變磁場而被改變，其缺點是要圍繞環(huán)形陰極的開放端的整個邊界維持磁罩，并由此維持虛擬陰極柵。此外，電源為針對功率可變的最后磁級供電也在一定程度上增加了推進器的復雜性。
[0009]2008 年 5 月 5 日至 8 日在希臘 Heraklion 舉辦的 Space PropulsionConference (航天推進會議)上出版的由0.Duchemin, M.Saverdi與D.Estublier所著文獻“Performance and lifetime assessment of a thrust steering device for thePPS1350Hall effect plasma thruster” 中，以及 2009 年 9 月至 10 月第 25 卷第 5 期出版的 “Journal of Propulsion and Power，，中的文獻“Performance modeling of a thrustvectoring device for Hall effect thrusters”中，描述了針對可操縱推力的霍爾效應推進器的實驗；這種可操縱推力的霍爾效應推進器與美國專利第5845880號的霍爾效應推進器類似，但是除了被細分為多個可獨立啟動的區(qū)段的最后磁級之外，還額外包括多個推進氣體噴射噴嘴；這些推進氣體噴射噴嘴分布在環(huán)形通道中且流速調(diào)節(jié)獨立，以便使噴射至環(huán)形通道內(nèi)的氣體發(fā)生改變和不均勻分配。然而，這些文獻中所描述的通過噴射至環(huán)形通道內(nèi)的氣體的不均勻流速來操縱推力卻相對無效，并且考慮到流速調(diào)節(jié)器裝置帶來的額外的復雜性，這甚至令人感到沮喪。
[0010]歐洲的專利申請EP1021073A1同樣也描述了一種可操縱推力的霍爾效應推進器，其具有分布在環(huán)形通道中并具有獨立流速調(diào)節(jié)裝置的多個推進氣體噴射噴嘴。此外，在該推進器中，環(huán)形通道被徑向壁分隔為多個間隔區(qū)。然而在該文獻中提出，環(huán)形通道中氣體流速不均勻分布的目的是為了橫向地移動推進軸線而非改變其方向。磁路具有一帶有內(nèi)極的末級，該內(nèi)極相對于外極在上游處軸向地偏移，由此使推進氣體的離子流集中。與美國專利第5845880號相同，推力通過不均勻的磁場來操縱，最后磁級也同樣會被細分為多個獨立啟動的區(qū)段。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的是提供一種霍爾效應推進器，其能夠以一種更有效的方式操縱推力，而不必依賴于控制磁場或在以機械方式使推進器樞轉(zhuǎn)。
[0012]在至少一個實施例中，所述目的通過以下方式達成:在磁路的末級包括內(nèi)極和對面的外極，內(nèi)極相對于外極在下游處軸向地偏移，使得磁場相對于推進器的橫斷面傾斜。
[0013]依靠這些配置，由被磁場捕獲的電子形成的虛擬陰極柵也是傾斜的，并且以這種方式沿多個發(fā)散方向，對應于環(huán)形通道的多個間隔區(qū)中的每個間隔區(qū)，驅(qū)動多個推進氣體射流。不同于會聚式射流，這些發(fā)散式射流不會表現(xiàn)出互相干涉的缺點，從而能夠使每個間隔區(qū)的相聯(lián)系的推進方向基本上與其它間隔區(qū)的方向不同，并因此能夠控制來自推進器的整個推力的方向，以借助被噴射至每個間隔區(qū)中的氣體的不均勻流速分配，使推進器更有效地被操縱。
[0014]在第二方案中，該環(huán)形通道具有位于開放端旁的下游段，且子午面沿下游方向偏離，以限制被電離的推進氣體的分散射流對所述壁(尤其是外壁)的腐蝕。
[0015]在第三方案中，該環(huán)形通道為非軸對稱的。具體地，該環(huán)形通道的橫截面可具有一主對稱軸線和一副對稱軸線,該副對稱軸線垂直于并短于該主對稱軸線。因為與每個間隔區(qū)相關的推力的橫向分量基本上垂直于該環(huán)形通道的邊界，所以這樣一種非對稱的構造(比其它方向，較有利于在一些橫向方向上的推進氣流速且由此較有利于在一些橫向方向上的推力)尤其適合應用于例如控制地球同步衛(wèi)星的軌道，其推進器沿一特定橫向方向的操縱能力需要被給予與相對于其它橫向方向相比更高的優(yōu)先權。然而，在替代的實施例中，也可設想使用對稱形狀。
[0016]在第四方案中，至少一個獨立的流速調(diào)節(jié)器裝置連接至控制單元，由此使該流速調(diào)節(jié)器裝置能夠被控制、多個這類裝置被一起控制、甚至多個霍爾效應推進器被一起控制(假若它們?nèi)窟B接至同一控制單元的話)。
[0017]在第五方案中，同心壁由陶瓷材料制成，因為陶瓷材料的電磁特性和抗腐蝕的能力，所以在此特別合適。
[0018]本發(fā)明還提供了一種航天器，其整合有上述可操縱推力的霍爾效應推進器，該推進器用于控制航天器的運行姿態(tài)和/或軌道，并且本發(fā)明涉及一種借助霍爾效應推進器來產(chǎn)生可操縱推力的方法。
[0019]實現(xiàn)該方法的至少一個實施方案包括如下步驟:由位于環(huán)形通道的開放端的外部的陰極發(fā)射電子，該環(huán)形通道由具有中心軸線的兩個同心壁限定；借助磁路在該環(huán)形通道的開放端處形成磁場，以捕獲從該陰極發(fā)射的電子，由此在該環(huán)形通道的開放端和處在封閉端處的陽極之間形成電場；經(jīng)由噴射回路將推進氣體噴射至該環(huán)形通道的上游段中，該上游段被徑向壁細分為多個分開的間隔區(qū)，每個間隔區(qū)接收由調(diào)節(jié)器裝置獨立調(diào)節(jié)的氣流；借助從該磁場朝向該陽極逃逸的電子來使推進氣體電離；借助電場使被電離的推進氣體沿著軸向朝向該環(huán)形通道的開放端加速；以及最終，借助虛擬陰極柵使被電離的推進氣體向外徑向地偏轉(zhuǎn)，該虛擬陰極柵相對于該推進器的橫斷面傾斜并且是由被所述磁路的末級捕獲的電子形成的，所述磁路的末級包括內(nèi)極和對面的外極，且內(nèi)極相對于外極在下游處軸向地偏移。
[0020]在此方法中，多個獨立的閥可通過控制單元來控制，并且推力的模量和/或方向可被控制，以便控制整合有霍爾效應推進器的航天器的運行軌道和/或姿態(tài)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]通過閱讀以非限定性示例的方式對實施例給出的詳細描述，可良好地理解本發(fā)明及其優(yōu)點。該描述涉及多個附圖，其中:
[0022]圖1示出了該實施例中可操縱推力的霍爾效應推進器的立體圖；
[0023]圖1A示出了圖1中可操縱推力的霍爾效應推進器的俯視圖；
[0024]圖1B示出了在圖1A中的IB-1B線上截取的可操縱推力的霍爾效應推進器的縱切面；
[0025]圖2A、圖2B、圖2C示出了圖1中推進器發(fā)生橫向推進的示意性俯視圖；
[0026]圖3示出了裝有如圖1所示的可操縱推力的霍爾效應推進器的地球同步衛(wèi)星的示意性立體圖，該可操縱推力的霍爾效應推進器用于控制地球同步衛(wèi)星的運行姿態(tài)和軌道。
【具體實施方式】
[0027]圖1、圖1A和圖1B示出了一實施例中的同一霍爾效應推進器I的不同視圖。推進器I具有環(huán)形通道2，該環(huán)形通道由圍繞中心軸線Z’的兩個同心壁3、4限定，這些同心壁由陶瓷材料制成。環(huán)形通道2具有一開放端5和一封閉端6。在封閉端6旁，徑向壁7將環(huán)形通道2的上游段2a細分為分開的間隔區(qū)8。在封閉端6，環(huán)形通道2還有一陽極9和一噴嘴10，陽極9可從多個間隔區(qū)8中被分隔出來，噴嘴10則用于將推進氣體噴射到每個間隔區(qū)8中。噴嘴10通過噴射回路11連接至推進氣體源，噴射回路11包括獨立的用于每一個噴嘴10的流速調(diào)節(jié)器裝置12。例如，每一個裝置12可為鉛筆閥(pencil valve)或熱力毛細管(thermo-capillary);熱力毛細管即帶有加熱裝置從而能夠主動控制自身溫度、且由此主動控制其內(nèi)部流速的毛細管。這些裝置12也可與被動節(jié)流器結合。推進氣體通常是氙，其具有分子量高和電離電勢相對較低的優(yōu)點。不過在其它的霍爾效應推進器中，許多種類的推進氣體都可以使用。
[0028]在環(huán)形通道2的開放端5旁，環(huán)形通道2具有向外側(cè)向傾斜的下游段2b。因此，在該下游段2b中，內(nèi)壁3和外壁4兩者向外傾斜，從而使在內(nèi)壁3和外壁之間限定出的子午面P同樣地向外傾斜，并因此沿下游方向偏離。
[0029]推進器I也有磁路。圍繞著外壁4，磁路包括磁芯13，磁芯13被線圈14環(huán)繞并終結于外極15，外極15靠近環(huán)形通道2的開放端5。磁路還具有中央磁芯16，中央磁芯16位于推進器I的中心處，該磁芯被線圈17環(huán)繞并終結于內(nèi)極18 ;內(nèi)極18的極性與外極15相反，并位于環(huán)形通道2的開 放端5附近面對外極15，由此在內(nèi)極與外極之間產(chǎn)生徑向磁場M。相對于中心軸線Z’，內(nèi)極18對于外極15處在下游，使得磁場M相對于橫斷面傾斜，并基本上垂直于子午面P。最后，推進器I還有一空心陰極19，空心陰極19位于環(huán)形通道2的開放端5的下游。
[0030]環(huán)形通道2并不是軸對稱的。尤其是在所示實施例中，該環(huán)形通道2的橫截面呈跑道形，其具有主對稱軸線X’和較短的副對稱軸線Y’。因此，該橫截面呈現(xiàn)出兩個直線段和兩個使直線段相連的半圓段。因此子午面P在直線段中平坦，而在半圓段中則呈圓錐形。不過其它形狀也可以作為選擇，包括那些非軸對稱的形狀(例如橢圓形橫截面)以及軸對稱的形狀。
[0031]在操作中，在位于環(huán)形通道2的開放端5的下游的空心陰極19和位于環(huán)形通道2的封閉端的陽極9之間，會產(chǎn)生通常處于150V至800V的范圍內(nèi)的電壓。因此，空心陰極19開始發(fā)射電子，這些電子大部分被捕獲于由磁場M形成的磁罩中，磁場M典型地在100高斯至300高斯的量級。被捕獲在這一磁罩中的電子由此形成虛擬陰極柵。因此在環(huán)形通道中，在陽極9和該虛擬陰極柵之間產(chǎn)生電場E。
[0032]高能電子通常具有處于10電子伏(eV)至40eV的范圍內(nèi)的能量，高能電子從磁罩朝向陽極9逃逸，同時推進氣體通過噴嘴10被噴射至間隔區(qū)8中。這些電子與該推進氣體的原子碰撞以使推進氣體電離，推進氣體隨后通過電場E而朝向環(huán)形通道2的開放端5被加速。由于推進氣體的離子質(zhì)量比電子質(zhì)量大若干量級，所以磁場M無法以相同方式限制這些離子。然而，磁場M的傾斜，因此還有由該磁場M捕獲的電子形成的虛擬陰極柵的傾斜，使得電場E的橫向分量增大，從而使經(jīng)過下游段2b以及環(huán)形通道2的開放端5的被電離的推進氣體在向外方向上顯著偏轉(zhuǎn)。推進氣體被噴射至每個間隔區(qū)8內(nèi)，因此產(chǎn)生分推力F。，分推力F。具有一軸向分量Fc^ax以及一橫向分量Fcuat,該軸向分量平行于中心軸線Z’，該橫向分量處在針對每一個間隔區(qū)并且垂直于環(huán)形通道2的輪廓線的方向上。
[0033]來自推進器I的總推力F是對應于所有被推進氣體噴射的間隔區(qū)8的多個分推力Fc之和。若這些分推力F。對稱，則它們的橫向分量Fcuat相互抵消，并且總推力基本上沿著中心軸線C的方向。但是若一個間隔區(qū)8由流速大于相對的間隔區(qū)8的推進氣體來推動，則對應于流速大的推進氣體的間隔區(qū)8的分推力F。就會勝過對應于相對的間隔區(qū)8的分推力。因此，總推力F就會產(chǎn)生橫向分量Flat。
[0034]轉(zhuǎn)向圖2A至圖2C，能夠更清晰的看到，推進氣體的總流速在各個間隔區(qū)8中的分配，是如何影響來自推進器I的總推力F的橫向分量Flat的方向和模量的。因此一種情況示于圖2A，其中，處在主對稱軸線X’的一側(cè)的間隔區(qū)8中的流速大于處在相對側(cè)的間隔區(qū)中的流速。結果，位于主對稱軸線X’的一側(cè)的這些間隔區(qū)的分推力也同樣地較大，且來自推進器I的總推力F存在垂直于該主對稱軸線X’延伸的橫向分量Flat。圖2B示出了另一種情況，其中，處在副對稱軸線Y’的一側(cè)的間隔區(qū)8中的流速大于處在相對側(cè)的間隔區(qū)中的流速。因此在這第二種情況下，推進器I的總推力F存在垂直于副對稱軸線Y’延伸的橫向分量Flat。但是由于推進器I的非軸對稱形狀，此方向上的橫向分量Flat要小于前一種所述情況。最終，可以控制噴射到各個間隔區(qū)8的推進氣體，以便在中心軸線Z’周圍360°的范圍上操縱推力的橫向分量Flat。因此，圖2C示出了第三種情形，其中，在推進器I的三個象限中噴射推進氣體，以產(chǎn)生相對于對稱軸線X’和Y’兩者傾斜的橫向分量Flat。
[0035]圖3示出了人造衛(wèi)星20，其具有兩個可操縱推力的霍爾效應推進器I，霍爾效應推進器I用于控制人造衛(wèi)星的運行姿態(tài)和軌道。如圖所示的人造衛(wèi)星20是地球同步衛(wèi)星，其運行姿態(tài)關于三個軸線被維持，并沿著軌道22 (基本上是赤道線)相對于方位軸線Z和南-北軸線Y以基本上固定的方式運行。為此目的，第一推進器I被固定于人造衛(wèi)星的底面20a，第二推進器I被固定于人造衛(wèi)星的頂面20b。這兩個推進器I被連接至至少一個推進氣體箱(未示出)和至少一個電源(未示出)，推進氣體箱和電源分別用以向推進器供給推進氣體和電力。這兩個推進器I還連接至一控制單元(未示出)；該控制單元連接至姿態(tài)與/或位置傳感器，例如像行星傳感器、太陽(恒星)傳感器、地球或地平線傳感器、慣性傳感器、磁力計、重力計等等。因此該控制單元能夠判斷人造衛(wèi)星20的運行軌跡和姿態(tài)，并能夠應用事先記錄的或從地面基站傳輸?shù)饺嗽煨l(wèi)星20的指令程序，來控制推進器I以修改或調(diào)整人造衛(wèi)星20的運行軌跡與/或姿態(tài)。典型地，這樣的地球同步衛(wèi)星的太陽能板23被安裝在沿著指向南-北軸線Y的臂上，以便通過在人造衛(wèi)星20的運行軌道中關于南-北軸線Y旋轉(zhuǎn)板面23，來更好地跟蹤太陽。
[0036]在如圖示出的人造衛(wèi)星20中，每一個推進器I的中心軸線Z’與方位軸線Z對準，主對稱軸線X’與東-西軸線X平行，而且副對稱軸線Y’與南-北軸線Y平行。因此兩個推進器I的主推進方向與方位軸線Z對準，以保持運行軌道。同時，這兩個推進器I能夠沿南-北方向提供較大推力，沿東-西方向提供較小的橫向推力。來自推進器I的沿南-北方向的橫向推力用于控制軌道22的傾斜角，也用于為人造衛(wèi)星20圍繞其東-西軸線X提供操縱扭矩。來自推進器I的沿東-西方向的橫向推力則主要用于圍繞衛(wèi)星的南-北軸線Y操縱人造衛(wèi)星20。重要的是應看到，由于太陽能板23的位置，人造衛(wèi)星20上圍繞東-西軸X的慣量矩，通常大于其圍繞南-北軸Y的慣量矩。推進器I的非對稱形狀也因此良好地適應于圍繞軸X和Y操縱人造衛(wèi)星20。
[0037]雖然以上是參考特定實施例來描述本發(fā)明的，但很明顯也可以嘗試各種對實施例的修正和改變，并且其沒有超越本發(fā)明的權利要求所限定的一般范圍。特別地，各個示出的實施例的獨立特征可以被結合起來形成補充的實施例。因此，以上的說明和附圖更應該被看作是說明性質(zhì)的而非限定性質(zhì)的。
【權利要求】
1.一種可操縱推力的霍爾效應推進器(1)，包括: 環(huán)形通道(2)，由具有一中心軸線(Z’)的兩個同心壁(3、4)限定，所述環(huán)形通道(2)具有一開放端(5)和一封閉端(6)，且具有在所述封閉端(6)旁的上游段(2a)，所述上游段被徑向壁(7)細分為多個分開的間隔區(qū)(8)； 陽極(9)，位于所述環(huán)形通道(2)的所述封閉端(6)處； 噴射回路(11)，用于將推進氣體噴射至所述環(huán)形通道(2)的所述間隔區(qū)(8)中，該回路包括至少一個獨立的用于每個間隔區(qū)(8)的流速調(diào)節(jié)器裝置(12)； 磁路，用于在所述環(huán)形通道(2)的所述開放端(5)處產(chǎn)生磁場(M);以及 陰極(19)，位于所述環(huán)形通道(2)的所述開放端(5)的下游； 所述推進器的特征在于，在所述磁路的末級中包括內(nèi)極(18)和對面的外極(15)，所述內(nèi)極(18)相對于所述外極(15)在下游處軸向地偏移，使得所述磁場(M)相對于所述推進器(1)的橫斷面傾斜。
2.根據(jù)前述權利要求所述的霍爾效應推進器(1)，其中，所述環(huán)形通道(2)具有位于所述開放端(5)旁的下游段(2b)，且子午面(P)沿下游方向偏離。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的霍爾效應推進器(1)，其中，所述環(huán)形通道(2)為非軸對稱的。
4.根據(jù)權利要求3所述的霍爾效應推進器(1)，其中，所述環(huán)形通道(2)呈現(xiàn)出具有一主對稱軸線(X’)和一副對稱軸線(Y’)的橫截面，并且所述副對稱軸線(Y’)垂直于并短于所述主對稱軸線(X’)。
5.根據(jù)權利要求1-4中任一項所述的霍爾效應推進器(1)，其中，至少一個獨立的流速調(diào)節(jié)器裝置(12)連接至控制單元。
6.根據(jù)權利要求1-5中任一項所述的霍爾效應推進器，其中，所述同心壁(3、4)由陶瓷材料制成。
7.一種航天器(20)，其整合有至少一個根據(jù)權利要求1-6中任一項所述的可操縱推力的霍爾效應推進器(1)，用于控制所述航天器(20)的運行姿態(tài)和/或軌道。
8.一種借助霍爾效應推進器(1)來產(chǎn)生可操縱推力的方法，所述方法包括如下步驟: 由位于環(huán)形通道(2)的開放端(5)的下游的陰極(19)發(fā)射電子，所述環(huán)形通道(2)由具有一中心軸線(Z’)的兩個同心壁(3、4)限定； 借助磁路在所述環(huán)形通道(2)的所述開放端(5)處產(chǎn)生徑向磁場(M)，以捕獲從所述陰極(19)發(fā)射出的電子，由此在所述環(huán)形通道(2)的所述開放端(5)和處在封閉端(6)處的陽極(9)之間產(chǎn)生電場(E)； 經(jīng)由噴射回路(11)將推進氣體噴射至所述環(huán)形通道(2)的上游段(2a)中，所述上游段被徑向壁⑵細分為多個分開的間隔區(qū)(8)，每個間隔區(qū)⑶接收由至少一個調(diào)節(jié)器裝置(12)獨立調(diào)節(jié)的氣流； 借助從所述磁場(M)朝向所述陽極(9)逃逸的電子來使推進氣體電離； 借助電場(E)使被電離的推進氣體沿著軸向朝向所述環(huán)形通道(2)的所述開放端(5)加速； 借助虛擬陰極柵使被電離的推進氣體向外徑向地偏轉(zhuǎn)，所述虛擬陰極柵相對于所述推進器(1)的橫斷面傾斜并且是由被所述磁路的末級捕獲的電子形成的，所述磁路的末級包括內(nèi)極(18)和對面的外極(15)，且所述內(nèi)極(18)相對于所述外極(15)在下游處軸向地偏移。
9.根據(jù)權利要求8所述的產(chǎn)生可操縱推力的方法，其中，通過控制單元來控制至少一個調(diào)節(jié)器裝置(12)。
10.根據(jù)權利要求8或9所述的產(chǎn)生可操縱推力的方法，其中，推力的模量和/或方向被控制，以控制整合有所述霍爾效應推進器(I)的航天器(20)的運行軌道和/或姿態(tài)。
【文檔編號】F03H1/00GK103987964SQ201280057438
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2012年11月19日 優(yōu)先權日:2011年11月22日
【發(fā)明者】F·R·J·瑪徹德斯, 安東尼·克勞得·博納德·洛蘭, V·M·韋爾 申請人:斯奈克瑪公司