1.一種電場(chǎng)筒，其特征在于：具有筒體，所述筒體內(nèi)沿軸向方向設(shè)有導(dǎo)電芯，所述導(dǎo)電芯具有高電阻段和低電阻段，所述高電阻段單位長(zhǎng)度的電阻大于所述低電阻段單位長(zhǎng)度的電阻，且所述高電阻段的平均橫截面積小于所述低電阻段的平均橫截面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)筒，其特征在于：所述高電阻段和低電阻段的材料均為不銹鋼，當(dāng)所述高電阻段為桿狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述高電阻段的外徑范圍為1～2mm，當(dāng)所述低電阻段為桿狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述低電阻斷的外徑范圍為3～6mm，當(dāng)所述低電阻段為管狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述低電阻段的外徑范圍為80～220mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)筒，其特征在于：所述高電阻段材料的電阻率大于所述低電阻段材料的電阻率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電場(chǎng)筒，其特征在于：所述高電阻段的長(zhǎng)度范圍為0.3～1.8m，所述低電阻段的長(zhǎng)度范圍為0.5～3m。
5.一種廢氣處理器的電場(chǎng)裝置，具有電場(chǎng)室，所述電場(chǎng)室的兩端分別設(shè)有進(jìn)風(fēng)口和出風(fēng)口，其特征在于：所述電場(chǎng)室內(nèi)具有電場(chǎng)筒架，所述電場(chǎng)筒架上固定有若干電場(chǎng)筒，所述電場(chǎng)筒具有筒體，所述筒體內(nèi)沿軸向方向設(shè)有導(dǎo)電芯，所述導(dǎo)電芯具有高電阻段和低電阻段，所述高電阻段單位長(zhǎng)度的電阻大于所述低電阻段單位長(zhǎng)度的電阻，所述高電阻段的平均橫截面積小于所述低電阻段的平均橫截面積，所述電場(chǎng)室內(nèi)的上部具有上電極，所述電場(chǎng)室內(nèi)的下部具有下電極，所述導(dǎo)電芯的兩端分別接在所述上電極和所述下電極上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的廢氣處理器的電場(chǎng)裝置，其特征在于：所述高電阻段和低電阻段的材料均為不銹鋼，當(dāng)所述高電阻段為桿狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述高電阻段的外徑范圍為1～2mm，當(dāng)所述低電阻段為桿狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述低電阻斷的外徑范圍為3～6mm，當(dāng)所述低電阻段為管狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述低電阻段的外徑范圍為80～220mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的廢氣處理器的電場(chǎng)裝置，其特征在于：所述高電阻段的材料的電阻率大于所述低電阻段的材料的電阻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的廢氣處理器的電場(chǎng)裝置，其特征在于：所述高電阻段的長(zhǎng)度范圍為0.3～1.8m，所述低電阻段的長(zhǎng)度范圍為0.5～3m。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的廢氣處理器的電場(chǎng)裝置，其特征在于：所述電場(chǎng)筒架包括上架和下架，所述上架和所述下架均固定在所述電場(chǎng)室的內(nèi)壁上，所述電場(chǎng)筒的兩端分別固定在所述上架和所述下架上，且所述電場(chǎng)筒呈蜂窩狀垂直排布在電場(chǎng)室內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的廢氣處理器的電場(chǎng)裝置，其特征在于：所述電場(chǎng)室具有第一腔室和第二腔室，所述第一腔室和第二腔室的下部具有通氣道，所述第一腔室內(nèi)的所述導(dǎo)電芯的上部為高電阻段而下部為低電阻段，所述第二腔室內(nèi)的所述導(dǎo)電芯的上部為低電阻段而下部為高電阻段。