本發(fā)明涉及二氧化硅提純設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置。

背景技術(shù)：

納米二氧化硅因?yàn)榫哂泻芎玫哪湍バ?，以及可以?qiáng)烈地反射紫外線，當(dāng)加入到樹脂薄膜時(shí)可大大減少紫外線對薄膜的降解作用，從而達(dá)到延緩材料老化，并提高薄膜的硬度和抗摩擦能力，因此被廣泛的應(yīng)用到了薄膜的合和添加中。

因?yàn)榧{米材料對純度要求很高，因此在加工納米二氧化硅粉末之前需要用各種純化設(shè)備對石英石進(jìn)行提純，以滿足納米二氧化硅的性能需求；現(xiàn)有的石英石純化工藝通常按照以下流程進(jìn)行；擦洗脫泥→磁選→浮選→酸浸→微生物浸出。其中磁選主要用于除去石英砂中的磁性礦物，如可以通過強(qiáng)磁性機(jī)除去赤鐵礦、褐鐵礦、黑云母等弱磁性礦物，而強(qiáng)磁性礦物如磁鐵礦則可以通過弱磁選機(jī)除去。

現(xiàn)有的磁選設(shè)備主要是干粉振動式、筒式和輥式等類型，以上幾種類型的磁選機(jī)在清理吸附在磁鐵上的物質(zhì)比較麻煩，通常不是利用高壓水進(jìn)行沖洗就是需要通過卸鐵裝置來清理吸附在機(jī)器上的磁性物質(zhì)，此種操作不僅費(fèi)時(shí)費(fèi)力還浪費(fèi)資源。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決背景技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置，能夠有效的清除石英砂內(nèi)所含磁性物質(zhì)，提高石英砂的純度，工作效率高。

本發(fā)明提出的一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置，包括箱體、箱蓋、導(dǎo)氣裝置，其中：

箱體內(nèi)設(shè)有橫隔板，橫隔板將箱體內(nèi)部分隔成第一腔室、第二腔室，橫隔板上設(shè)有第一開口、第二開口，第一開口內(nèi)設(shè)有第一活動門，第二開口內(nèi)設(shè)有第二活動門；第一腔室靠近橫隔板一端設(shè)有斜板，斜板與第一腔室側(cè)壁之間圍成一通道，斜板上設(shè)有通孔，第一腔室側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口，進(jìn)氣口與通道相通；第二腔室內(nèi)設(shè)有豎隔板，豎隔板將第二腔室分隔成產(chǎn)品室和雜質(zhì)室，第一開口與產(chǎn)品室相通，第二開口與雜質(zhì)室相通，產(chǎn)品室內(nèi)設(shè)有第一出料口，雜質(zhì)室內(nèi)設(shè)有第二出料口；

箱蓋與第一腔室遠(yuǎn)離橫隔板一端可拆卸連接，箱蓋靠近第一腔室一側(cè)分布有多根柱體，柱體內(nèi)均設(shè)有電磁鐵，電磁鐵與外部電源連接；

導(dǎo)氣裝置與進(jìn)氣口接通。

優(yōu)選的，箱蓋可相對于箱體做轉(zhuǎn)動運(yùn)動。

優(yōu)選的，第一腔室遠(yuǎn)離橫隔板一端側(cè)壁山設(shè)有環(huán)形滑槽，箱蓋上靠近第一腔室一端設(shè)有與環(huán)形滑槽滑動配合的環(huán)形凸起，箱蓋與驅(qū)動裝置連接。

優(yōu)選的，導(dǎo)氣裝置包括導(dǎo)氣管和風(fēng)機(jī)，導(dǎo)氣管一端與進(jìn)氣口相通，另一端與風(fēng)機(jī)相接。

優(yōu)選的，斜板為倒圓臺形，斜板一端與橫隔板固定連接，另一端與第一腔室內(nèi)壁固定連接。

在本發(fā)明中，箱體內(nèi)設(shè)有橫隔板，橫隔板將箱體內(nèi)部分隔成第一腔室、第二腔室，橫隔板上設(shè)有第一開口、第二開口；第一腔室靠近橫隔板一端設(shè)有斜板，斜板與第一腔室側(cè)壁之間圍成一通道，斜板上設(shè)有通孔，第一腔室側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口，進(jìn)氣口與通道相通；第二腔室內(nèi)設(shè)有豎隔板，豎隔板將第二腔室分隔成產(chǎn)品室和雜質(zhì)室，第一開口與產(chǎn)品室相通，第二開口與雜質(zhì)室相通；箱蓋與第一腔室遠(yuǎn)離橫隔板一端活動連接，箱蓋靠近第一腔室一側(cè)分布有多根柱體，柱體內(nèi)均設(shè)有電磁鐵，電磁鐵與外部電源連接；導(dǎo)氣裝置與進(jìn)氣口接通。本發(fā)明工作時(shí)，先將箱蓋打開，關(guān)閉第一活動門、第二活動門，將適量待提純的二氧化硅加進(jìn)第一腔室內(nèi)，蓋上箱蓋，電磁鐵與外部電源接通，導(dǎo)氣裝置向第一腔室內(nèi)導(dǎo)入空氣，使二氧化硅不斷跳動，磁性物質(zhì)就不會受到二氧化硅的阻擋從而吸附到柱體上，磁性礦物全部吸附到柱體上時(shí)，先打開第一活動門，二氧化硅從第一開口進(jìn)入產(chǎn)品室并從第一出料口出料，二氧化硅出料完成之后，關(guān)閉第一活動門，打開第二活動門，將電磁鐵與外部電源斷開，柱體上吸附的磁選物質(zhì)脫落從第二開口進(jìn)入雜質(zhì)室并從第二出料口出料。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，能夠有效的清除二氧化硅內(nèi)所含的磁性物質(zhì)，提高二氧化硅的質(zhì)量，工作效率高。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明提出的一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置工作時(shí)結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

參照圖1、圖2，本發(fā)明提出一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置，包括箱體1、箱蓋2、導(dǎo)氣裝置，其中：

箱體1內(nèi)設(shè)有橫隔板4，橫隔板4將箱體1內(nèi)部分隔成第一腔室11、第二腔室，橫隔板4上設(shè)有第一開口41、第二開口42，第一開口41內(nèi)設(shè)有第一活動門43，第二開口42內(nèi)設(shè)有第二活動門44；第一腔室11靠近橫隔板4一端設(shè)有斜板6，斜板6為倒圓臺形，斜板6一端與橫隔板4固定連接，另一端與第一腔室11內(nèi)壁固定連接；斜板6與第一腔室11側(cè)壁之間圍成一通道113，斜板6上設(shè)有通孔61，第一腔室11側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口112，進(jìn)氣口112與通道113相通；第二腔室內(nèi)設(shè)有豎隔板5，豎隔板5將第二腔室分隔成產(chǎn)品室12和雜質(zhì)室13，第一開口41與產(chǎn)品室12相通，第二開口42與雜質(zhì)室13相通，產(chǎn)品室12內(nèi)設(shè)有第一出料口121，雜質(zhì)室13內(nèi)設(shè)有第二出料口131。

第一腔室11遠(yuǎn)離橫隔板4一端側(cè)壁上設(shè)有環(huán)形滑槽111，箱蓋2上靠近第一腔室11一端設(shè)有與環(huán)形滑槽111滑動配合的環(huán)形凸起23，箱蓋2與驅(qū)動裝置7連接。箱蓋2靠近第一腔室11一側(cè)分布有多根柱體21，柱體21內(nèi)均設(shè)有電磁鐵22，電磁鐵22與外部電源連接。

如圖1、圖2所示，本實(shí)施例中導(dǎo)氣裝置包括導(dǎo)氣管31和風(fēng)機(jī)32，導(dǎo)氣管31一端與進(jìn)氣口112相通，另一端與風(fēng)機(jī)32相接。

本發(fā)明提出的一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置，工作時(shí)，先將箱蓋2打開，關(guān)閉第一活動門43、第二活動門44，將適量待提純的二氧化硅加進(jìn)第一腔室11內(nèi)，蓋上箱蓋2，電磁鐵22與外部電源接通，驅(qū)動裝置7驅(qū)動箱蓋2轉(zhuǎn)動，柱體21與二氧化硅充分接觸，導(dǎo)氣裝置向第一腔室11內(nèi)導(dǎo)入空氣，使二氧化硅不斷跳動，磁性物質(zhì)就不會受到二氧化硅的阻擋從而吸附到柱體21上，磁性礦物全部吸附到柱體21上時(shí)，先打開第一活動門43，二氧化硅從第一開口41進(jìn)入產(chǎn)品室12并從第一出料口121出料，二氧化硅出料完成之后，關(guān)閉第一活動門43，打開第二活動門44，將電磁鐵22與外部電源斷開，柱體21上吸附的磁選物質(zhì)脫落從第二開口42進(jìn)入雜質(zhì)室13并從第二出料口131出料。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，能夠有效的清除二氧化硅內(nèi)所含的磁性物質(zhì)，提高二氧化硅的純度，工作效率高。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出了一種二氧化硅生產(chǎn)用提純裝置，包括箱體、箱蓋、導(dǎo)氣裝置，箱體內(nèi)設(shè)有橫隔板，橫隔板將箱體內(nèi)部分隔成第一腔室、第二腔室，橫隔板上設(shè)有第一開口、第二開口；第一腔室靠近橫隔板一端設(shè)有斜板，斜板與第一腔室側(cè)壁之間圍成一通道，斜板上設(shè)有通孔，第一腔室側(cè)壁上設(shè)有進(jìn)氣口，進(jìn)氣口與通道相通；第二腔室內(nèi)設(shè)有豎隔板，豎隔板將第二腔室分隔成產(chǎn)品室和雜質(zhì)室，第一開口與產(chǎn)品室相通，第二開口與雜質(zhì)室相通；箱蓋與第一腔室遠(yuǎn)離橫隔板一端活動連接，箱蓋靠近第一腔室一側(cè)分布有多根柱體，柱體內(nèi)均設(shè)有電磁鐵，導(dǎo)氣裝置與進(jìn)氣口接通。本發(fā)明能夠有效的清除二氧化硅內(nèi)所含的磁性物質(zhì)，提高二氧化硅的純度。

技術(shù)研發(fā)人員：程志
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽正豐再生資源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.25
技術(shù)公布日：2017.10.27