一種新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，包括晶漿出料管和晶體富集器，其中，晶漿出料管安裝在循環(huán)管下降管的彎頭后的管道底部，晶漿出料管與彎頭之間的距離為循環(huán)管下降管管徑的1~3倍；晶體富集器由一塊前擋板、一塊上蓋板、兩塊側(cè)擋板以及若干塊后擋板組成，安裝在晶漿出料管管口上方的管道內(nèi)。由于晶體偏析現(xiàn)象以及晶體富集器的富集作用，本發(fā)明出料液的固含量可以比強制循環(huán)蒸發(fā)器中的固含量提高50%以上。
【專利說明】
一種新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及強制循環(huán)蒸發(fā)器，特別是涉及一種強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]強制循環(huán)蒸發(fā)器由換熱器、分離器、強制循環(huán)栗以及循環(huán)管組成。目前，大多數(shù)的強制循環(huán)蒸發(fā)器的晶漿出料管安裝在循環(huán)管下降管的上方，出料液的固含量與在強制循環(huán)蒸發(fā)器中循環(huán)的晶漿的固含量相同，晶漿出料后往往需要稠厚設(shè)備進一步提高固含量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種可以提高出料液固含量的新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下。
[0005]—種新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，包括晶漿出料管和晶體富集器，其中，晶漿出料管安裝在循環(huán)管下降管的彎頭后的管道底部;所述晶漿出料管與彎頭之間的距離為循環(huán)管下降管管徑的I?3倍;所述晶體富集器由一塊前擋板、一塊上蓋板、兩塊側(cè)擋板以及若干塊后擋板組成，安裝在晶漿出料管管口上方的管道內(nèi)。
[0006]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述前擋板的形狀為長方形，長邊長度為循環(huán)管下降管管徑的0.2?0.25倍，短邊長度為晶漿出料管管徑的1.2?2.0倍。
[0007]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述上蓋板的形狀為等腰梯形，高為晶漿出料管管徑的3?5倍，上底長度與前擋板的短邊長度一致，兩腰之間的夾角為30°?45°。
[0008]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述側(cè)擋板的形狀為直角梯形，高為循環(huán)管下降管管徑的0.25?0.3倍，下底與腰之間的夾角為30°?45°。
[0009]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述后擋板的形狀為直角梯形，高為循環(huán)管下降管管徑的0.25?0.3倍，下底長度為循環(huán)管下降管管徑的0.3?0.5倍，下底與腰之間的夾角為30°?45° ο
[0010]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述上蓋板的兩腰分別與兩塊側(cè)擋板的上底焊接;所述前擋板的長邊分別與兩塊側(cè)擋板的高焊接;所述前擋板的其中一條短邊以及兩塊側(cè)擋板的下底以及若干塊后擋板的下底分別焊接在管道內(nèi)。
[0011]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述前擋板與上蓋板之間有一個方形孔。
[0012]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述兩塊側(cè)擋板以斜腰迎著晶漿流動方向焊接在管道內(nèi)，兩塊側(cè)擋板的斜腰之間的最大距離為循環(huán)管下降管管徑的0.4?0.6倍。
[0013]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述若干塊后擋板以斜腰迎著晶漿流動方向焊接在兩塊側(cè)擋板之間，且相鄰兩塊后擋板之間的距離、后擋板與側(cè)擋板之間的最小距離以及后擋板與上蓋板之間的距離均小于晶漿出料管管徑。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:在強制循環(huán)蒸發(fā)器中，晶漿在流經(jīng)循環(huán)管下降管的彎頭時，由于重力和離心力的作用會發(fā)生明顯的晶體偏析現(xiàn)象，晶體會在彎頭后的管道底部富集。本發(fā)明晶漿出料管安裝在循環(huán)管下降管的彎頭后的管道底部，并采用晶體富集器進一步富集，出料液的固含量可以比強制循環(huán)蒸發(fā)器中的固含量提高50%以上。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明的晶漿出料裝置的安裝示意圖；
圖2為本發(fā)明的晶體富集器的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖中:1-晶漿出料管;2-晶體富集器;3-循環(huán)管下降管;4-彎頭;5-晶體;21-前擋板;22-上蓋板;23-側(cè)擋板;24-后擋板。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0017]如圖1所示，一種新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，包括晶漿出料管I和晶體富集器2。晶漿出料管I安裝在循環(huán)管下降管3的彎頭4后的管道底部，晶漿出料管I與彎頭4之間的距離為循環(huán)管下降管3管徑的I?3倍;晶體富集器2安裝在晶漿出料管I管口上方的管道內(nèi)。
[0018]在強制循環(huán)蒸發(fā)器中，晶漿在流經(jīng)循環(huán)管下降管的彎頭時，由于重力和離心力的作用會發(fā)生明顯的晶體偏析現(xiàn)象，晶體5會在彎頭后的管道底部富集，如圖1所示。本發(fā)明的晶漿出料裝置安裝在晶體富集處，晶漿出料裝置的出料液的固含量遠遠高于在強制循環(huán)蒸發(fā)器中循環(huán)的晶漿的固含量。因此，與【背景技術(shù)】所述的傳統(tǒng)晶漿出料裝置相比，采用本發(fā)明的晶漿出料裝置可以提高出料液的固含量；當要求達到相同的出料液固含量時，采用本發(fā)明的晶漿出料裝置有助于降低強制循環(huán)蒸發(fā)器的運行能耗。
[0019]如圖2所示，晶體富集器2由一塊前擋板21、一塊上蓋板22、兩塊側(cè)擋板23以及若干塊后擋板24組成。其中，前擋板21為長方形，長邊長度為循環(huán)管下降管3管徑的0.2?0.25倍，短邊長度為晶漿出料管I管徑的1.2?2.0倍;上蓋板22為等腰梯形，高為晶漿出料管I管徑的3?5倍，上底長度與前擋板21的短邊長度一致，兩腰之間的夾角為30° ~45°;側(cè)擋板23為直角梯形，高為循環(huán)管下降管3管徑的0.25?0.3倍，下底與腰之間的夾角為30° ~45°;后擋板24為直角梯形，高為循環(huán)管下降管3管徑的0.25-0.3倍，下底長度為循環(huán)管下降管3管徑的0.3?
0.5倍，下底與腰之間的夾角為30°?45°。
[0020]上蓋板22的兩腰分別與兩塊側(cè)擋板23的上底焊接，前擋板21的長邊分別與兩塊側(cè)擋板23的高焊接，前擋板21的其中一條短邊與管道焊接;前擋板21與上蓋板22之間留有一個方形孔，作為晶體富集器2中的晶漿稀液的出口通道。兩塊側(cè)擋板23的下底以腰迎著晶漿流動方向焊接在管道內(nèi)，兩塊側(cè)擋板23的腰之間的最大距離為循環(huán)管下降管3管徑的0.4?
0.6倍。
[0021]后擋板24的下底以腰迎著晶漿流動方向焊接在兩塊側(cè)擋板23之間的管道內(nèi)。后擋板24的數(shù)量取決于晶漿出料管I以及循環(huán)管下降管3的管徑，其主要作用是防止結(jié)塊的晶體進入晶體富集器2，造成晶體富集器2或者晶漿出料管I堵塞。后擋板24的設(shè)置應(yīng)使相鄰兩塊后擋板24之間的距離、后擋板24與側(cè)擋板23之間的最小距離以及后擋板24與上蓋板22之間的距離均小于晶漿出料管I的管徑。
【主權(quán)項】
1.一種新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，包括晶漿出料管(I)和晶體富集器(2)，其特征在于:晶漿出料管(I)安裝在循環(huán)管下降管(3)的彎頭(4)后的管道底部;所述晶漿出料管(I)與彎頭(4)之間的距離為循環(huán)管下降管(3)管徑的I?3倍;所述晶體富集器(2)由一塊前擋板(21)、一塊上蓋板(22)、兩塊側(cè)擋板(23)以及若干塊后擋板(24)組成，安裝在晶漿出料管(I)管口上方的管道內(nèi)。2.如權(quán)利要求1所述的新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，其特征在于:所述前擋板(21)的形狀為長方形，長邊長度為循環(huán)管下降管(3)管徑的0.2?0.25倍，短邊長度為晶漿出料管(I)管徑的1.2?2.0倍。3.如權(quán)利要求1所述的新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，其特征在于:所述上蓋板(22)的形狀為等腰梯形，高為晶漿出料管(I)管徑的3?5倍，上底長度與前擋板(21)的短邊長度一致，兩腰之間的夾角為30°?45°。4.如權(quán)利要求1所述的新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，其特征在于:所述側(cè)擋板(23)的形狀為直角梯形，高為循環(huán)管下降管(3)管徑的0.25?0.3倍，下底與腰之間的夾角為30。?45。ο5.如權(quán)利要求1所述的新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，其特征在于:所述后擋板(24)的形狀為直角梯形，高為循環(huán)管下降管(3)管徑的0.25?0.3倍，下底長度為循環(huán)管下降管(3)管徑的0.3?0.5倍，下底與腰之間的夾角為30°?45°。6.如權(quán)利要求1所述的新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，其特征在于:所述上蓋板(22)的兩腰分別與兩塊側(cè)擋板(23)的上底焊接;所述前擋板(21)的長邊分別與兩塊側(cè)擋板(23)的高焊接;所述前擋板(21)的其中一條短邊、兩塊側(cè)擋板(23)的下底以及若干塊后擋板(24)的下底分別焊接在管道內(nèi)。7.如權(quán)利要求1或6所述的新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，其特征在于:所述前擋板(21)與上蓋板(22)之間有一個方形孔。8.如權(quán)利要求1或6所述的新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶I漿出料裝置，其特征在于:所述兩塊側(cè)擋板(23)以斜腰迎著晶漿流動方向焊接在管道內(nèi)，兩塊側(cè)擋板(23)的側(cè)腰之間的最大距離為循環(huán)管下降管(3)管徑的0.4?0.6倍。9.如權(quán)利要求1或6所述的新型強制循環(huán)蒸發(fā)器晶漿出料裝置，其特征在于:所述若干塊后擋板(24)以斜腰迎著晶漿流動方向焊接在兩塊側(cè)擋板(23)之間，且相鄰兩塊后擋板(24)之間的距離、后擋板(24)與側(cè)擋板(23)之間的最小距離以及后擋板(24)與上蓋板(22)之間的距離均小于晶漿出料管(I)管徑。
【文檔編號】B01D1/12GK105833551SQ201610326145
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年5月17日
【發(fā)明人】姜廣義, 區(qū)瑞錕, 李健生
【申請人】廣州市心德實業(yè)有限公司, 姜廣義, 區(qū)瑞錕, 李健生