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超聲換能器殼體的制作方法

文檔序號(hào):40448064發(fā)布日期:2024-12-24 16:04閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種壓電微加工超聲換能器pmut,其被布置成與非晶態(tài)介質(zhì)接口,使得:在使用中,到達(dá)所述pmut的超聲信號(hào)或來(lái)自所述pmut的超聲信號(hào)穿過(guò)所述非晶態(tài)介質(zhì),所述非晶態(tài)介質(zhì)包括分布在其中的多個(gè)離散反射器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的pmut,其被布置成與聲學(xué)諧振腔接口,所述聲學(xué)諧振腔包括所述非晶態(tài)介質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的pmut,其中,所述離散反射器形成網(wǎng)板或多孔膜。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的pmut,其中,所述離散反射器以二維分布。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的pmut,其中,所述離散反射器的位置在使用中是可調(diào)節(jié)的,以調(diào)節(jié)所述聲學(xué)諧振腔的聲學(xué)特性。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的pmut,其中,所述離散反射器是金屬的,并且使用磁場(chǎng)來(lái)調(diào)節(jié)所述離散反射器的位置。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項(xiàng)所述的pmut,其中,壓電收縮元件布置在所述聲學(xué)諧振腔周?chē)?/p>

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的pmut,其中,所述腔的特性被布置成隨著由所述pmut發(fā)射的信號(hào)的頻率在啁啾發(fā)射期間改變而被調(diào)節(jié)。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的pmut,其中,所述pmut包括:位于單個(gè)公共半導(dǎo)體管芯上的專(zhuān)用超聲發(fā)射器和至少一個(gè)單獨(dú)的超聲接收器。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的pmut,其中,所述pmut被安裝成能夠通過(guò)致動(dòng)器移動(dòng)。

11.一種使用如前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的pmut或者包括如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的多個(gè)pmut的pmut陣列進(jìn)行成像的方法,所述方法包括:

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述確定步驟包括:

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法,其中,所述聲學(xué)傳遞函數(shù)包括定向脈沖響應(yīng)。

14.一種使用壓電微加工超聲換能器、pmut或pmut陣列進(jìn)行成像的方法,包括:

15.一種用于發(fā)射和接收超聲信號(hào)的系統(tǒng),包括:

16.一種布置結(jié)構(gòu),包括:根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的多個(gè)pmut。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的布置結(jié)構(gòu),其中,所述多個(gè)pmut被布置成陣列。

18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的布置結(jié)構(gòu),其中,所述pmut間隔開(kāi)λ/2,其中,λ是所述pmut發(fā)射或接收的頻率范圍內(nèi)的中心頻率的波長(zhǎng)。

19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的布置結(jié)構(gòu),其中,所述陣列被安裝成能夠通過(guò)致動(dòng)器移動(dòng)。

20.根據(jù)權(quán)利要求17至19中任一項(xiàng)所述的布置結(jié)構(gòu),其中,所述陣列是不平坦的。

21.根據(jù)權(quán)利要求17至20中任一項(xiàng)所述的布置結(jié)構(gòu),其中,所述陣列中的不同pmut具有不同的尺寸。

22.一種使用權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)的pmut進(jìn)行成像的方法。

23.一種壓電微加工超聲換能器pmut,其被布置成與聲學(xué)諧振腔接口,其中,所述聲學(xué)諧振腔具有至少一種聲學(xué)特性,所述聲學(xué)特性在使用中能夠根據(jù)所述pmut發(fā)射或接收的信號(hào)進(jìn)行調(diào)節(jié)。

24.一種布置結(jié)構(gòu),包括:多個(gè)pmut,所述多個(gè)pmut被布置成與相應(yīng)的聲管接口,所述pmut以鑲嵌陣列布置。

25.多個(gè)聲學(xué)諧振腔,每個(gè)聲學(xué)諧振腔包括被布置成與所述聲學(xué)諧振腔接口的pmut陣列,并且還包括具有離散聲反射器的非晶態(tài)介質(zhì)。


技術(shù)總結(jié)
一種壓電微加工超聲換能器PMUT(302)與非晶態(tài)介質(zhì)接口,使得在使用中到達(dá)PMUT(302)的超聲信號(hào)或來(lái)自PMUT(302)的超聲信號(hào)穿過(guò)非晶態(tài)介質(zhì)。非晶態(tài)介質(zhì)具有分布在其中的多個(gè)離散反射器(110a、110b、111a、111b)。使用PMUT或PMUT陣列(302)進(jìn)行成像的方法包括以下步驟:確定與離散反射器(110a、110b、111a、111b)的影響相對(duì)應(yīng)的聲學(xué)傳遞函數(shù),所述離散反射器定位于PMUT或PMUT陣列(302)與要成像的場(chǎng)景之間;使用PMUT或PMUT陣列(302)通過(guò)發(fā)射超聲信號(hào)并在所述超聲信號(hào)經(jīng)歷一次或多次反射之后在PMUT或PMUT陣列(302)處接收所述超聲信號(hào)來(lái)對(duì)所述場(chǎng)景進(jìn)行成像;以及通過(guò)將所述聲學(xué)傳遞函數(shù)的逆函數(shù)應(yīng)用于接收到的超聲信號(hào)來(lái)處理所述接收到的超聲信號(hào)以生成圖像。

技術(shù)研發(fā)人員:托比亞斯·達(dá)爾,弗羅德·泰霍爾特
受保護(hù)的技術(shù)使用者:斯特凡TTO有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/23
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