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一種高效多晶自噴坩堝的噴涂工藝的制作方法

文檔序號(hào):11506526閱讀:294來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明屬于噴涂工藝領(lǐng)域,具體涉及一種高效多晶自噴坩堝的噴涂工藝。



背景技術(shù):

坩堝噴涂是利用不同于其它噴涂技術(shù)和方法,坩堝噴涂是涂裝坩堝通過(guò)加熱使其液態(tài)混合物(氮化硅)迅速附著在坩堝表面。涂裝坩堝的方法可分為加熱噴涂與滾涂?jī)煞N方法涂覆工藝,但滾涂涂裝其技術(shù)工藝簡(jiǎn)單,涂裝涂層不均,時(shí)間長(zhǎng),氮化硅使用量大,成本高,所以本發(fā)明使用較先進(jìn)工藝熱噴涂技術(shù)。

氮化硅分子式為si3n4,是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì),本身具有潤(rùn)滑性,并且耐磨損;除氫氟酸外,它不與其他無(wú)機(jī)酸反應(yīng),抗腐蝕能力強(qiáng),高溫時(shí)抗氧化。而且它還能抵抗冷沖擊,有空氣中加熱到1000℃以上,急劇冷卻再急劇加熱,也不會(huì)碎裂。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

發(fā)明目的:為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種高效多晶自噴坩堝的噴涂工藝,避免坩堝與硅料發(fā)生反應(yīng)而出現(xiàn)溢流、粘鍋等現(xiàn)象;優(yōu)化噴涂工藝減少氮化硅的使用量,噴涂均勻,能夠降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)方案:一種高效多晶自噴坩堝的噴涂工藝,包括如下步驟:坩堝檢查——坩堝加熱——配粉——攪拌——試噴——噴涂——冷卻;其中:

所述坩堝加熱中:坩堝加熱溫度恒定在80±2℃;

所述配粉中:按質(zhì)量的配比配置如下種類的物品:氮化硅粉為500-700份,di水用量為1400-1600份,硅溶膠為100-300份;

所述攪拌中:用量杯量取配粉步驟中規(guī)定容積的di水和硅溶膠進(jìn)行攪拌,攪拌速度為500-600轉(zhuǎn)/min,攪拌時(shí)間為3-8min,攪拌均勻;然后加入配粉步驟中規(guī)定重量的氮化硅粉,以同樣的速度攪拌8-13min;

所述試噴中:噴槍壓力范圍是25psi-35psi,先在紙板上試噴,當(dāng)噴射的液體在紙板上呈均勻霧狀分布,寬度在3-5cm,表明噴槍可以用于正式噴涂;

所述噴涂中:噴槍離距所需的噴涂表面垂直距離為30-40cm,定位著落坩堝寬度為15-20cm,通過(guò)橫豎交叉狀態(tài)均勻噴涂,待底層干后方再噴涂第二遍,在噴涂過(guò)程中一次噴涂厚度控制在小于0.01mm內(nèi),坩堝噴涂溫度在40℃-65℃。

作為優(yōu)化:所述配粉中:按質(zhì)量的配比配置如下種類的物品:氮化硅粉為600份,di水用量為1500份,硅溶膠為200份。

作為優(yōu)化:所述攪拌中:用量杯量取配粉步驟中規(guī)定容積的di水和硅溶膠進(jìn)行攪拌,攪拌速度為550轉(zhuǎn)/min,攪拌時(shí)間為5min,攪拌均勻;然后加入配粉步驟中規(guī)定重量的氮化硅粉,以同樣的速度攪拌10min。

作為優(yōu)化:所述試噴中:噴槍壓力范圍是30psi,先在紙板上試噴,當(dāng)噴射的液體在紙板上呈均勻霧狀分布,寬度在4cm,表明噴槍可以用于正式噴涂。

作為優(yōu)化:所述噴涂中:噴槍離距所需的噴涂表面垂直距離為35cm,定位著落坩堝寬度為18cm,通過(guò)橫豎交叉狀態(tài)均勻噴涂,待底層干后方再噴涂第二遍,在噴涂過(guò)程中一次噴涂厚度控制在小于0.01mm內(nèi),坩堝噴涂溫度在55℃。

有益效果:本發(fā)明中的坩堝噴涂用純水和硅膠把粉末噴料氮化硅涂噴在坩堝表面,在加熱作用下,使液態(tài)氮化硅均勻的吸附坩堝表面,形成粉狀涂層,涂層目的是保護(hù)石英坩堝在高溫下石英坩堝與硅隔離,使液態(tài)硅不與石英坩堝反應(yīng),而使石英坩堝破裂,及冷確后最終保證硅碇脫膜完整性。

其中,使用純水和硅膠把氮化硅噴在坩堝的內(nèi)表面,使其吸附在坩堝內(nèi)壁和底部,在鑄錠過(guò)程中隔離坩堝與硅料,避免坩堝與硅料發(fā)生反應(yīng)而出現(xiàn)溢流、粘鍋等現(xiàn)象。

本發(fā)明是將配制好的硅液涂料用凈化的壓縮空氣進(jìn)行噴涂,噴槍壓力為25psi-35psi,噴涂距離為30-40cm,定位著落坩堝寬度為15-20cm,在噴涂過(guò)程中一般一次噴涂厚度控制在小于0.01mm內(nèi),否則在加熱過(guò)程中易出現(xiàn)硅裂.起泡.針孔等,坩堝噴涂溫度在40℃-65℃控制內(nèi)。

具體實(shí)施方式

下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠更好的理解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征,從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚的界定。本發(fā)明所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例,基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

具體實(shí)施例1

一種高效多晶自噴坩堝的噴涂工藝,包括如下步驟:坩堝檢查——坩堝加熱——配粉——攪拌——試噴——噴涂——冷卻;其中:

所述坩堝加熱中:坩堝加熱溫度恒定在78℃;

所述配粉中:按質(zhì)量的配比配置如下種類的物品:氮化硅粉為500份,di水用量為1400份,硅溶膠為100份;

所述攪拌中:用量杯量取配粉步驟中規(guī)定容積的di水和硅溶膠進(jìn)行攪拌,攪拌速度為500轉(zhuǎn)/min,攪拌時(shí)間為3min,攪拌均勻;然后加入配粉步驟中規(guī)定重量的氮化硅粉,以同樣的速度攪拌8min;

所述試噴中:噴槍壓力范圍是25psi,先在紙板上試噴,當(dāng)噴射的液體在紙板上呈均勻霧狀分布,寬度在3cm,表明噴槍可以用于正式噴涂;

所述噴涂中:噴槍離距所需的噴涂表面垂直距離為30cm,定位著落坩堝寬度為15cm,通過(guò)橫豎交叉狀態(tài)均勻噴涂,待底層干后方再噴涂第二遍,在噴涂過(guò)程中一次噴涂厚度控制在小于0.01mm內(nèi),坩堝噴涂溫度在40℃。

具體實(shí)施例2

一種高效多晶自噴坩堝的噴涂工藝,包括如下步驟:坩堝檢查——坩堝加熱——配粉——攪拌——試噴——噴涂——冷卻;其中:

所述坩堝加熱中:坩堝加熱溫度恒定在82℃;

所述配粉中:按質(zhì)量的配比配置如下種類的物品:氮化硅粉為500-700份,di水用量為1600份,硅溶膠為300份;

所述攪拌中:用量杯量取配粉步驟中規(guī)定容積的di水和硅溶膠進(jìn)行攪拌,攪拌速度為600轉(zhuǎn)/min,攪拌時(shí)間為8min,攪拌均勻;然后加入配粉步驟中規(guī)定重量的氮化硅粉,以同樣的速度攪拌13min;

所述試噴中:噴槍壓力范圍是35psi,先在紙板上試噴,當(dāng)噴射的液體在紙板上呈均勻霧狀分布,寬度在5cm,表明噴槍可以用于正式噴涂;

所述噴涂中:噴槍離距所需的噴涂表面垂直距離為40cm,定位著落坩堝寬度為20cm,通過(guò)橫豎交叉狀態(tài)均勻噴涂,待底層干后方再噴涂第二遍,在噴涂過(guò)程中一次噴涂厚度控制在小于0.01mm內(nèi),坩堝噴涂溫度在65℃。

具體實(shí)施例3

一種高效多晶自噴坩堝的噴涂工藝,包括如下步驟:坩堝檢查——坩堝加熱——配粉——攪拌——試噴——噴涂——冷卻;其中:

所述坩堝加熱中:坩堝加熱溫度恒定在80℃;

所述配粉中:按質(zhì)量的配比配置如下種類的物品:氮化硅粉為600份,di水用量為1500份,硅溶膠為200份;

所述攪拌中:用量杯量取配粉步驟中規(guī)定容積的di水和硅溶膠進(jìn)行攪拌,攪拌速度為550轉(zhuǎn)/min,攪拌時(shí)間為5min,攪拌均勻;然后加入配粉步驟中規(guī)定重量的氮化硅粉,以同樣的速度攪拌10min;

所述試噴中:噴槍壓力范圍是30psi,先在紙板上試噴,當(dāng)噴射的液體在紙板上呈均勻霧狀分布,寬度在4cm,表明噴槍可以用于正式噴涂;

所述噴涂中:噴槍離距所需的噴涂表面垂直距離為35cm,定位著落坩堝寬度為18cm,通過(guò)橫豎交叉狀態(tài)均勻噴涂,待底層干后方再噴涂第二遍,在噴涂過(guò)程中一次噴涂厚度控制在小于0.01mm內(nèi),坩堝噴涂溫度在55℃。

本發(fā)明是將配制好的硅液涂料用凈化的壓縮空氣進(jìn)行噴涂,噴槍壓力為25psi-35psi,噴涂距離為30-40cm,定位著落坩堝寬度為15-20cm,在噴涂過(guò)程中一般一次噴涂厚度控制在小于0.01mm內(nèi),否則在加熱過(guò)程中易出現(xiàn)硅裂.起泡.針孔等,坩堝噴涂溫度在40℃-65℃控制內(nèi)。

本發(fā)明中的坩堝噴涂用純水和硅膠把粉末噴料氮化硅涂噴在坩堝表面,在加熱作用下,使液態(tài)氮化硅均勻的吸附坩堝表面,形成粉狀涂層,涂層目的是保護(hù)石英坩堝在高溫下石英坩堝與硅隔離,使液態(tài)硅不與石英坩堝反應(yīng),而使石英坩堝破裂,及冷確后最終保證硅碇脫膜完整性。其中,使用純水和硅膠把氮化硅噴在坩堝的內(nèi)表面,使其吸附在坩堝內(nèi)壁和底部,在鑄錠過(guò)程中隔離坩堝與硅料,避免坩堝與硅料發(fā)生反應(yīng)而出現(xiàn)溢流、粘鍋等現(xiàn)象。

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