本實用新型涉及半導體加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種真空旋涂設(shè)備，將高粘度液體材料均勻涂布在晶圓表面。

背景技術(shù)：

目前功率器件制作過程中，需要在晶圓表面刻蝕深槽，深度數(shù)微米甚至數(shù)十微米。而深槽內(nèi)需要用液態(tài)聚酰亞胺等介電材料填充，由于液態(tài)聚酰亞胺粘度大，很難填充到深槽底部。其填充后的示意圖如圖1所示，其中1’為晶圓，2’為涂布材料，3’為晶圓上刻蝕的深槽，4’為涂布材料不能完全填充深槽形成的孔洞，未填充完全的孔洞會造成功率器件的失效。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中涂布材料無法完全填充刻蝕深槽，導致功率器件失效的問題，本實用新型的目的是提供一種真空旋涂設(shè)備。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案：一種真空旋涂設(shè)備，其特征在于，包括腔體，位于腔體外壁上的門體，所述腔體與抽真空設(shè)備連接，所述腔體內(nèi)設(shè)置有旋轉(zhuǎn)部件和位于旋轉(zhuǎn)部件上的靜電吸附工作臺，所述靜電吸附工作臺用于放置待旋涂部件，所述腔體頂部設(shè)置有噴嘴，用于噴出液體于待旋涂部件的表面。

優(yōu)選的是，所述待旋涂部件為晶圓。

優(yōu)選的是，所述晶圓上刻蝕有深槽。

優(yōu)選的是，所述液體為聚酰亞胺。

采用上述方案，將待旋涂部件置于靜電吸附工作臺上，關(guān)閉腔體外壁上的門體，通過抽真空設(shè)備使腔體中的真空度達到10^-3托，噴嘴噴出液體在待旋涂部件上，打開靜電吸附工作臺的電源，產(chǎn)生靜電吸附，打開旋轉(zhuǎn)部件，使得工作臺以1000-5000轉(zhuǎn)/分旋轉(zhuǎn)15-20秒后，在靜電吸附和旋轉(zhuǎn)部件的作用下，噴嘴噴出的液體分散于待旋涂部件表面，由于液體粘度較大，無法完全填充待旋涂部件內(nèi)的深槽；打開門體，將待旋涂部件傳送出腔體，由于待旋涂部件外表面是大氣壓，而待旋涂部件未被填充的深槽內(nèi)是真空負壓，在壓力差的作用下，液體迅速吸入深槽，形成完好的填充。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型實現(xiàn)的有益效果：本實用新型真空旋涂設(shè)備處于真空狀態(tài)時，噴嘴噴出的液體在靜電吸附工作臺和旋轉(zhuǎn)部件的雙重作用下，均勻分散于待旋涂部件表面，而待旋涂部件的深槽則未完全填充，打開真空旋涂設(shè)備的門體，待旋涂部件外表面是大氣壓，而待旋涂部件未被填充的深槽內(nèi)則為真空負壓，在壓力差的作用，深槽形成完好填充；本實用新型真空旋涂設(shè)備實現(xiàn)帶有深槽部件的完美填充，保證待旋涂部件的正常使用。

附圖說明

以下結(jié)合附圖和具體實施方式來進一步詳細說明本實用新型：

圖1是傳統(tǒng)設(shè)備噴涂的晶圓結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型真空旋涂設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實用新型真空旋涂設(shè)備噴涂方法示意圖；

圖4是本實用新型真空旋涂設(shè)備噴涂的晶圓結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：腔體1，門體2，旋轉(zhuǎn)部件3，靜電吸附工作臺4，晶圓5，噴嘴6，深槽7。

具體實施方式

如圖2所示，一種真空旋涂設(shè)備，包括腔體1，位于腔體1外壁上的門體2，所述腔體1與抽真空設(shè)備連接，所述腔體1內(nèi)設(shè)置有旋轉(zhuǎn)部件3和位于旋轉(zhuǎn)部件3上的靜電吸附工作臺4，所述靜電吸附工作臺4用于放置待旋涂部件，所述腔體1頂部設(shè)置有噴嘴6，用于噴出液體于待旋涂部件的表面。

其中，所述待旋涂部件為刻蝕有深槽7的晶圓5。

其中，所述液體為聚酰亞胺。

如圖3所示，真空旋涂設(shè)備對晶圓5進行噴涂的方法，包括如下步驟：

S1，將表面刻蝕有深槽7的晶圓5傳送至靜電吸附工作臺4上；

S2，關(guān)閉門體2，打開抽真空設(shè)備，使得腔體1內(nèi)的真空度為10^-3托；

S3，噴嘴6噴出液體到晶圓5表面；

S4，打開靜電吸附工作臺4的電源，產(chǎn)生靜電吸附；

S5，打開旋轉(zhuǎn)部件3，使得靜電吸附工作臺4以1000-5000轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)15-20秒；

S6，打開門體2，將晶圓5傳送出腔體1。

在S5步驟完成后，由于液體粘度較大，無法進入深槽7底部，深槽7外表面被液體包裹，但是此時的液體沒有經(jīng)過烘烤，還具有流動性，當S6步驟結(jié)束后，真空消除，液體包裹的深槽7是真空負壓，而材料外表面是大氣壓，在壓力差的作用下，液體迅速吸入深槽7，形成完好填充。

如圖4，晶圓5及晶圓5表面刻蝕的深槽7內(nèi)均填充有液體，形成深槽7的完全填充，保證晶圓5的正常使用。

上述的具體實施方式只是示例性的，是為了更好地使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解本專利，不能理解為是對本專利包括范圍的限制；只要是根據(jù)本專利所揭示精神的所作的任何等同變更或修飾，均落入本專利包括的范圍。