本文的一些示例涉及電容式微加工超聲換能器(CMUT)，諸如可用于超聲成像。

背景

超聲換能器被廣泛地用于包括超聲成像的許多不同領域。在許多現(xiàn)代醫(yī)療成像應用中，超聲換能器由壓電材料制成。一種常用的壓電材料是鋯鈦酸鉛(PZT)。然而，PZT的阻抗通常高于兆瑞利，而人體組織的阻抗為大約1.5兆瑞利。為了減少這種巨大的阻抗失配，通常在PZT換能器和被成像的組織之間放置一個或多個匹配層。由于通?；谒姆种徊ㄩL原理來選擇匹配層，具有匹配層的PZT換能器的帶寬可被限制成80％或更少的帶寬。

通常，超聲換能器以一維(1D)陣列布置。例如，1D陣列換能器可包括僅以一維(例如，橫向維度)布置的多個元件。然而，在另一維度(例如，垂直(elevation)維度)中，1D換能器的孔徑是固定的。由于孔徑尺寸隨著穿透深度增加以維持均勻的縱向切片厚度，1D傳感器的成像性能由于其固定的縱向孔徑而折衷。對于該問題的一個解決方案是使用1.5D換能器陣列。例如，1.5D換能器陣列可包括在縱向維度中的至少兩個子元件。兩個相鄰子元件之間的間隔可遠大于波長。而且，子元件的數(shù)量可隨著穿透深度增加以獲得從近場到遠場的最佳成像性能。1.5D陣列的元件和子元件的數(shù)量通常顯著大于相應的成像系統(tǒng)的通道的數(shù)量。因此，可使用高壓模擬開關以便選擇1.5D陣列的期望子孔徑。

技術實現(xiàn)要素：

本文中的一些實現(xiàn)方式包括能夠用于包括超聲成像的各種應用的電容式微加工超聲換能器(CMUT)的技術和布置。例如，由于構(gòu)成各個CMUT元件的CMUT單元的性質(zhì)的變化，與CMUT陣列中的各個CMUT元件相關聯(lián)的中心頻率可從CMUT陣列的中心朝向邊緣減小。因此，在一些情況下，本文中的超聲系統(tǒng)可包括用于實現(xiàn)超寬帶寬、可變間距和/或連續(xù)垂直變跡(apodization)的多個子元件。

附圖說明

參考所附附圖來說明具體實施方式。在附圖中，附圖標記最左邊的數(shù)字標識該附圖標記首次出現(xiàn)的附圖。在不同附圖中使用相同的附圖標記來指示相似或相同的項或特征。

圖1示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的具有CMUT陣列的示例超聲成像系統(tǒng)。

圖2示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的CMUT陣列的示例結(jié)構(gòu)。

圖3是示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的中心頻率可在垂直方向中如何變化的一個示例的示例曲線圖。

圖4示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的中心子元件的示例構(gòu)造的平面圖。

圖5示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的具有采用不同中心頻率的多個區(qū)域的子元件的示例構(gòu)造的平面圖。

圖6示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的中心子元件的示例構(gòu)造的平面圖。

圖7示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的子元件的示例構(gòu)造的平面圖。

圖8示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的沿著圖6的線8-8和/或圖7的線8-8所觀看到的示例截面圖。

圖9示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的具有不同頻率和腔輪廓的兩個CMUT單元的截面圖的替代構(gòu)造。

圖10示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的從中心朝向邊緣改變CMUT單元的腔輪廓以實現(xiàn)變化的性能(例如，傳輸功率、接收靈敏度或/和頻率等)的示例。

圖11示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的從中心朝向邊緣改變CMUT單元的腔輪廓以實現(xiàn)變化的性能(例如，傳輸功率、接收靈敏度或/和頻率等)的示例。

圖12示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的具有在垂直維度中的三個子元件的CMUT陣列的示例。

圖13示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的具有在垂直維度中的三個子元件的CMUT陣列的示例。

圖14示出了顯示根據(jù)一些實現(xiàn)方式的對應于不同操作頻率的三個示例變跡分布的曲線圖。

圖15是分別示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的三個帶通濾波器的示例頻率響應的一組三個曲線圖。

圖16示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的用于選擇期望子元件的多路復用器的示例。

圖17是示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的示例過程的流程圖。

具體實施方式

本文中的一些實現(xiàn)方式包括能夠用于包括超聲成像的各種超聲應用的CMUT的技術和布置。本文中的CMUT換能器能夠在沒有匹配層的情況下進行操作，因此可以極寬帶寬(例如大于或等于100％)操作。作為一個示例，根據(jù)本文中的一些實現(xiàn)方式的CMUT陣列可在垂直維度中具有超過兩個子元件，諸如在1.25D、1.5D、1.75D、和2D CMUT換能器陣列的情況下。例如，在本文的示例中，1.5D陣列可包括在垂直維度中具有超過兩個子元件的CMUT陣列，并且子元件中的一些彼此電連接。

本文中的一些實現(xiàn)方式可適用于能夠用于超聲成像(諸如用于醫(yī)學成像應用)的CMUT陣列。作為一個示例，所公開的具有多個子元件的通用CMUT陣列通過提供超寬帶寬、可變間距、連續(xù)垂直變跡和可變孔徑尺寸可用于廣泛的臨床應用。例如，可通過改變換能器元件上的各個CMUT單元的性質(zhì)實現(xiàn)超寬帶寬。進一步，在一些情況下可使用高壓模擬開關來改變各種操作頻率的間距。此外，可通過對所傳輸?shù)暮退邮盏男盘枒貌煌瑤挒V波器來實現(xiàn)連續(xù)垂直變跡。在一些示例中，本文中的CMUT可被并入能夠用于超聲成像應用的超聲探測器中。

中心頻率和換能效率是CMUT的兩個有用的性能參數(shù)。中心頻率還可被稱為-6dB中心頻率。如果-6dB帶寬的下限頻率是f_low，并且-6dB帶寬的上限頻率是f_high，則中心頻率是(f_low+f_high)/2。在一些情況下，中心頻率也可由-10dB或-20dB帶寬定義。不管是哪種定義，中心頻率通常由CMUT單元結(jié)構(gòu)的諧振頻率(例如，在CMUT單元中的腔之上的膜的諧振頻率)確定。CMUT單元結(jié)構(gòu)的諧振頻率越高，則中心頻率越高。CMUT可用于將(TX)聲功率傳輸?shù)浇橘|(zhì)中，或從介質(zhì)接收(RX)聲學信號，或以上兩者。

而且，在本文的實現(xiàn)方式中，換能效率可包括CMUT傳輸效率、接收靈敏度、或以上兩者(即，回路靈敏度)。例如，傳輸效率和接收靈敏度兩者可通過換能空間內(nèi)的電場強度(即，包括CMUT腔的CMUT的兩個電極之間的間隙)確定。較高的電強度導致較高的傳輸效率和較高的接收靈敏度。對于給定的施加電壓，諸如偏置電壓，在換能空間中的電強度可通過腔尺寸(例如，深度、形狀、輪廓等)確定。

為了討論的目的，在超聲成像的環(huán)境下描述一些示例實現(xiàn)方式。然而，本文中的實現(xiàn)方式不限于所提供的特定示例，并且可以擴展到其他應用、其他系統(tǒng)、用于使用的其他環(huán)境、其他陣列配置等,如根據(jù)本文的公開內(nèi)容對本領域的技術人員將是明顯的。

圖1示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的包括CMUT陣列的示例超聲成像系統(tǒng)100。在該示例中，系統(tǒng)100包括CMUT陣列102。在一些情況下，CMUT陣列102可以是如下面另外討論的在垂直維度中具有超過兩個子元件的1.5D CMUT陣列。系統(tǒng)100進一步包括成像系統(tǒng)104、濾波器組106、和與CMUT陣列102通信的多路復用器108。在一些示例中，系統(tǒng)100可包括，或可包括在用于執(zhí)行超聲成像的超聲探測器中。進一步，系統(tǒng)100可包括多個傳輸和接收通道110。作為一個示例，CMUT陣列102可包括與多路復用器108通信的128路傳輸和接收通道110。此外，CMUT陣列102可包括N×M子元件112，例如，其中N是元件的數(shù)量，以及M是用于每個元件的沿著垂直方向的子元件的數(shù)量。在一些示例中，子元件112中的至少一些的性質(zhì)可以變化，并且在一些情況下，子元件112內(nèi)的CMUT單元的性質(zhì)可以變化。

在一些實例中，多路復用器108可包括大量的開關114，在一些情況下，開關114可以是高壓模擬開關。而且，濾波器組106可包括用于傳輸和接收通道兩者的多個濾波器116。濾波器116中的至少一些可以是帶通濾波器并且濾波器116可以是模擬或數(shù)字的。

成像系統(tǒng)104可包括一個或多個處理器118以及計算機可讀的介質(zhì)120。例如，處理器(多個)118可被實現(xiàn)成一個或多個微處理器、微控制器、數(shù)字信號處理器、邏輯電路、和/或基于操作指令來操縱信號的其他設備。計算機可讀介質(zhì)120可以是有形非瞬態(tài)計算機存儲介質(zhì)并且可包括易失性和非易失性存儲器、計算機存儲設備、和/或以任何類型的技術實現(xiàn)的用于存儲信息(諸如，從CMUT陣列102接收的信號和/或處理器可執(zhí)行的指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模塊、或其它數(shù)據(jù))的可移動和不可移動的介質(zhì)。進一步，當本文中所提及的非瞬態(tài)計算機可讀介質(zhì)不包括諸如能量、載波信號、電磁波、和信號本身之類的介質(zhì)。

在一些示例中，成像系統(tǒng)104可包括，或可連接至顯示器122和/或各種其他輸入和/或輸出部件，諸如用于可視化由CMUT陣列102所接收的信號。而且，如124處所指示的，除了與濾波器組106通信之外，成像系統(tǒng)104在一些情況下還可與多路復用器108直接通信，諸如用于控制開關114。

圖2示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的CMUT陣列102的示例構(gòu)造的平面圖。在一些示例中，CMUT陣列102可以是包括N×M子元件的1.5D CMUT陣列。如所示的，CMUT陣列102包括多個元件202。每個元件202包括M個子元件204、206、208、201、212、214、216,…。相應子元件204-216的性質(zhì)(諸如，尺寸、形狀、頻率范圍等)可被設計成與子元件204-216的其他元件相似或不同。進一步，在一些示例中，附加的子元件可被包括在每個元件202中，如圓點218所指示的。

在所示的示例中，在每個單獨的元件202中的子元件可關于中心子元件204對稱地布置。因此，子元件206和208可具有相同或相似的性質(zhì)，子元件210和212可具有相同或相似的性質(zhì)，以及子元件214和216可具有相同或相似的性質(zhì)。而且，在大多數(shù)情況下，對稱的子元件206和208、210和212、以及214和216電連接在一起作為一對，例如，子元件206和子元件208可電連接在一起，子元件210和子元件212可電連接在一起，子元件214和子元件216可電連接在一起，等等。作為一個示例，兩個成對的子元件的底部電極和頂部電極可彼此電連接。例如，成對的子元件可被電連接以使得傳輸信號同時通過兩個電連接的子元件遞送。類似地，所反射的超聲能量可同時通過兩個電連接的子元件接收。

如上所提及的，在橫向方向220中有N個元件202。如由圓點222所指示的，元件202的數(shù)量可至少部分地取決于CMUT陣列102的期望尺寸。此外，在垂直方向224中，每個元件202中有M個子元件。在一些示例中，當存在較大數(shù)量M的子元件被包括在CMUT陣列102的元件202中時，CMUT陣列102的孔徑大于當存在較少子元件被包括在CMUT陣列102的元件202中時的孔徑。在一些示例中，CMUT的孔徑可被控制成動態(tài)地改變。因此，可通過在陣列102中使用較大數(shù)量的子元件206-218在垂直方向中使孔徑尺寸更大，以在接收階段期間隨著行進時間或深度增加而實時傳輸和/或接收超聲能量。

動態(tài)垂直孔徑增長允許成像系統(tǒng)在從近場到遠場的整個顯示深度中維持高圖像質(zhì)量。具有較大的孔徑尺寸可使得能夠在介質(zhì)中的較大深度處成像。成像深度與孔徑尺寸的比率被稱為F數(shù)。此外，子元件的尺寸或其它性質(zhì)可被設計成使得垂直孔徑以恒定速率增長或使F數(shù)保持恒定。替代地，垂直孔徑可以恒定的百分率增加。例如，孔徑生長速率對于M＝3可以為大于100％，對于M＝5可以為50％，對于M＝7可以為25-33％等。在一些情況下，諸如當子元件的數(shù)量M小于5時，中心子元件204可在垂直方向224上比其它子元件206-218在縱向方向224上的長度長。例如，在所示的示例中，中心子元件204可以是相鄰子元件206和208的大約兩倍長。

在醫(yī)學超聲成像應用中可緊密地控制操作頻率。一方面，期望具有更高的操作頻率，因為這可以產(chǎn)生更好的成像分辨率；另一方面，由于獲得超聲能量的較深的穿透，可能更期望使用更低的操作頻率。本文中的一些示例通過利用具有不同中心頻率的子元件來解決這些沖突的目標。由于近場成像可采用小的垂直孔徑，因此可期望有具有更高中心頻率的中心子元件。然而，隨著成像深度增加，可采用更大的垂直孔徑和更低的中心頻率。因此，在本文的實現(xiàn)方式中，邊緣子元件的中心頻率從陣列102的中心226朝向邊緣228、230兩者減小。

在本文的一些實現(xiàn)方式中，相應子元件204-218的中心頻率可與其他相應子元件204-218的中心頻率不同。例如，更靠近CMUT陣列102的垂直方向224上的中心226的子元件的中心頻率比更靠近CMUT陣列102的上邊緣228和下邊緣230的子元件的中心頻率高。例如，中心子元件204的中心頻率可高于子元件206和208的中心頻率。此外，子元件206和208的中心頻率可分別高于子元件210和212的中心頻率，等等。

圖3是示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的中心頻率可在垂直方向中如何變化的一個示例的曲線圖300。在該示例中，中心頻率可以是單調(diào)遞減函數(shù)，并且可在垂直方向224中從CMUT陣列102的中心226到邊緣228變化。在一些情況下，中心頻率可類似地從CMUT陣列102的中心226朝向另一邊緣230變化，諸如在曲線圖300的鏡像中(圖3中未示出)。曲線圖300包括示例實心階梯線302，其表示從中心226朝向邊緣228的一半的CMUT元件202的頻率的減小。階梯線302顯示每個子元件204、206、210、218和214可以具有與子元件204、206、210、218和214中的其他子元件不同的中心頻率。在該示例中，階梯線頻率表示302顯示中心子元件204具有最高中心頻率，以及基于朝向邊緣228減小的相應子元件206、210和214的中心頻率，階梯線302在每下一個相應子元件206、210和214處依次減小。此外，示出了階梯線302具有在304處的對應于子元件218的虛線。如上所提及的，在一些示例中，子元件218可包括任何數(shù)量的附加子元件，并且也可朝向邊緣228逐漸減小。

曲線圖300還示出實線曲線306，其可以表示CMUT元件202在垂直方向224上的理想示例頻率曲線。一般而言，頻率曲線306是從中心226到邊緣228的單調(diào)遞減函數(shù)，其通過分別從一個子元件204-210到下一子元件206-214的中心頻率的階梯式變化來逼近。例如，頻率曲線306可以是高斯函數(shù)或類似凱撒(Kaiser)窗的漢明(Hamming)窗。因此，從一個子元件204-218到下一子元件的頻率變化可被配置成逼近理想頻率曲線306。

而且，在一些示例中，如由點狀階梯線308所指示的，本文中的各個子元件204-218可被設計成在每個子元件內(nèi)具有產(chǎn)生不同中心頻率的不同區(qū)域。使各個子元件204-214有具有不同中心頻率的不同區(qū)域可使CMUT元件202能夠更接近地逼近理想頻率曲線306。例如，子元件204可包括區(qū)域310、312和314，每個區(qū)域可被配置為具有如分別由點狀階梯線308的臺階部分316、318和320所示的不同的中心頻率。類似地，在該示例中，子元件206包括具有連續(xù)減小頻率的三個區(qū)域322、324和326，子元件210有具有連續(xù)減小頻率的三個區(qū)域328、330和332，以及子元件214具有兩個區(qū)域334和336，其中區(qū)域336具有比區(qū)域334低的中心頻率。

圖4示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的中心子元件204的示例的平面圖。在該示例中，中心子元件204包括多個區(qū)域，例如中心區(qū)域402，以及區(qū)域404、406、408、410、412和414。與中心區(qū)域402相關聯(lián)的中心頻率可高于與區(qū)域404和406相關聯(lián)的中心頻率。與區(qū)域404和406相關聯(lián)的中心頻率可分別高于與區(qū)域408和410相關聯(lián)的中心頻率。與區(qū)域408和410相關聯(lián)的中心頻率可分別高于與區(qū)域412和414相關聯(lián)的中心頻率。因此，區(qū)域402-414的中心頻率在垂直方向224上從中心226朝向邊緣228和230連續(xù)且對稱地減小。如下面另外討論的，區(qū)域402-414中的每一個區(qū)域可由具有與區(qū)域402-414中的其它區(qū)域的CMUT單元不同的頻率性質(zhì)的一個或多個單獨的CMUT單元組成。

圖5示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的具有采用不同中心頻率的多個區(qū)域的子元件206、210、214的示例構(gòu)造的平面圖。在該示例中，子元件206、210和/或214可各包括多個區(qū)域，諸如區(qū)域502、504、506和508。與區(qū)域502相關聯(lián)的中心頻率可高于與區(qū)域504相關聯(lián)的中心頻率。與區(qū)域504相關聯(lián)的中心頻率可高于與區(qū)域506相關聯(lián)的中心頻率。與區(qū)域506相關聯(lián)的中心頻率可高于與區(qū)域508相關聯(lián)的中心頻率。因此，區(qū)域502-508的中心頻率在垂直方向224上從中心226朝向邊緣228連續(xù)減小。圖2的子元件208、212和/或216可在鏡像中被類似地配置成朝向邊緣230(圖5中未示出)減小中心頻率。

圖6示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的示例中心子元件204的構(gòu)造的平面圖。在該示例中，如上面關于圖4所討論的,中心子元件204包括區(qū)域402-414。每個區(qū)域402-414可由一個或多個單獨的CMUT單元組成。例如，與PZT換能器不同，每個CMUT元件或子元件可以由多個CMUT單元組成。通過使用在子元件204的每個區(qū)域402-414中具有不同性質(zhì)(例如，換能效率、頻率等)的不同CMUT單元，本文中的實現(xiàn)方式使得能夠構(gòu)造在不同的子元件中和在不同子元件中的不同區(qū)域中具有不同中心頻率的CMUT子元件。

在一些示例中，本文中的CMUT單元可以具有按所設計的諧振頻率振動的膜振動結(jié)構(gòu)。例如，可以至少部分地通過CMUT單元的振動結(jié)構(gòu)的機械性質(zhì)來控制CMUT單元的中心頻率。對于具有振動膜的CMUT單元，可基于膜的諧振頻率(諸如，膜的第一諧振頻率)配置中心頻率。作為一個示例，如下面另外討論的，如果CMUT單元的膜的厚度是均勻的，則CMUT單元的諧振頻率可對應于CMUT單元的膜在橫向和垂直方向上的尺寸，即，膜的尺寸由在膜下方的CMUT單元的腔的尺寸限定。而且，可在本文的實現(xiàn)方式中使用的CMUT單元的類型不限于在一些示例中所示出的那些，但是可以擴展到其他類型的CMUT單元，如將對受益于本文的公開內(nèi)容的本領域技術人員是顯而易見的。

在圖6的示例中，正方形/矩形CMUT單元用作示例性CMUT單元，并且CMUT單元的尺寸(例如，如圖6所示,當在平面中觀看時,覆蓋腔區(qū)域的可移動膜區(qū)域)在垂直維度224上從中心226朝向邊緣228、230增加。膜尺寸的大小由膜下方的腔尺寸限定。在該示例中，當在平面中觀看時，中心區(qū)域402中的多個CMUT單元602可比區(qū)域404中的多個CMUT單元604和在區(qū)域406中的多個CMUT單元606尺寸更小，即，基于相應的CMUT單元腔的尺寸的比較。例如，假定膜厚度恒定，由于每個單元602的膜在具有比每個CMUT單元604和606的腔的尺寸更小的尺寸的腔上延伸，因此CMUT單元602可具有更高的諧振頻率，因此也具有比CMUT單元604和606更高的中心頻率。

類似地，區(qū)域408包括多個CMUT單元608,多個CMUT單元608具有比CMUT單元604的膜面積大的膜，或者以其他方式具有較低的諧振頻率；以及區(qū)域410包括多個CMUT單元610，多個CMUT單元610具有比CMUT單元606的膜面積大的膜，或者以其他方式具有較低的諧振頻率，同樣具有較低的中心頻率。區(qū)域412包括多個CMUT單元612，多個CMUT單元612具有比CMUT單元608的膜面積大的膜，或者以其他方式具有較低的諧振頻率；以及區(qū)域414包括多個CMUT單元614，多個CMUT單元614具有比CMUT單元610的膜面積大的膜，或者以其他方式具有較低的諧振頻率。因此，通過增加從中心226朝向邊緣228、230的CMUT單元在垂直方向上的尺寸(例如，當在平面中觀看時膜的面積)，相應區(qū)域402-414的諧振頻率以及由此中心頻率可以如以上關于圖3和圖4所討論的減小。

此外或替代地，如圖6所示，當在平面中觀看時，與具有正方形或以其他方式矩形形狀的CMUT單元不同，CMUT單元602-614可具有各種其它形狀或諸如六邊形、圓形、三角形、梯形等形狀的任何組合的膜(腔)。

作為另一替代，與改變單元腔(膜)的尺寸不同，可改變膜的厚度(或者厚度分布，如果膜不均勻)以改變CMUT單元的諧振頻率，或在一些示例中不同的膜厚度、厚度分布和/或不同的單元腔尺寸的組合可被用于改變CMUT單元604-614的諧振頻率。進一步，在其他示例中，膜厚度分布(膜可以被加重、結(jié)構(gòu)化的或以其它方式圖案化)可被設計成控制不同區(qū)域402-414中的CMUT單元的相應膜的諧振性質(zhì)。

圖7示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的圖5的子元件206、210和214的示例構(gòu)造的平面圖。例如，子元件206、210和/或214可以有具有不同中心頻率的多個區(qū)域。在該示例中，每個區(qū)域502、504、506和508包括至少一個矩形CMUT單元。因此，區(qū)域502包括CMUT單元702，區(qū)域504包括具有比CMUT單元702小的諧振頻率的CMUT單元704，區(qū)域506包括具有比CMUT單元704小的諧振頻率的CMUT單元706，以及區(qū)域508包括具有比CMUT單元706小的諧振頻率的CMUT單元708。因此，當矩形CMUT單元膜的短邊的尺寸分別增加時，區(qū)域502、504、506和508的中心頻率可在垂直維度224上從中心226朝向邊緣228減小。此外，如以上關于圖5所提及的，在一些示例中，子元件208、212和216可分別是子元件206、210和214的鏡像。此外，子元件206、210、214中的一些可包括具有不同中心頻率的更多或更少的區(qū)域。

圖8示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的沿著圖6的線8-8和/或圖7的線8-8所觀看到的示例截面圖800。在該示例中，第一CMUT單元604或702和第二CMUT單元606或704分別形成于公共襯底802上。在一些示例中，襯底802可以由導電材料形成，并且可以用作第一CMUT單元604或702以及第二CMUT單元606或704的公共的第一電極或底部電極。在其他示例中，諸如在襯底由非導電材料形成的情況下，諸如在沉積可選的絕緣層804之前，可在襯底802的上表面上沉積導電材料的層(圖8中未示出)以用作底部電極。此外，圖8中所示的兩個CMUT單元可以不一定是相鄰單元。兩個單元之間的關系通?？杀幻枋鰹椋壕哂休^高頻率的第一CMUT單元更接近CMUT陣列的中心226，以及具有較低頻率的第二CMUT單元更接近CMUT陣列的邊緣228(或在其他示例中，邊緣230)。

膜806可被設置在襯底802上，并且可由側(cè)壁808支撐，以分別提供第一CMUT單元604或702的第一腔810，以及提供第二CMUT單元606或704的第二腔812。在所示示例中，膜806在第一腔810和第二腔812兩者上具有均勻厚度。膜806可由單層或多層組成，并且至少一個層可由導電材料制成，以使得膜806能夠用作第二或上電極。設置在第一腔810上的膜806的部分具有比設置在第二腔812上的膜806的部分的寬度W2小的寬度W1。因此，如以上關于圖6和/或圖7所示的，設置在第一腔810上的膜806的可移動部分具有比設置在第二腔812上的膜806的可移動部分小的面積。例如，如圖6和7所示，第一CMUT單元604或702具有分別小于或等于第二CMUT單元606或704的橫向長度的橫向長度。因此，具有腔810的第一CMUT單元604或702的諧振頻率分別高于具有腔812的第二CMUT單元606或704的諧振頻率。因此，通過改變腔(膜)的尺寸(例如，當在平面圖中觀看時，如在圖6和圖7中，或當在截面中觀看時，如在圖8中)，從第一CMUT單元604或702到第二CMUT單元606或704的相應CMUT單元的中心頻率可分別不同，以實現(xiàn)關于圖2所描述的頻率分布。

替代地，在一些示例中，膜806的厚度在腔810和812上是不均勻的。例如，代替改變膜806的尺寸和腔810、812的尺寸，膜厚度分布可在不同的CMUT單元上是不同的，而在腔810和812的橫向方向上的寬度W1和W2以及長度可以是相同的。因此，在CMUT單元上在垂直方向中朝向邊緣228和230連續(xù)形成較薄的膜厚度或更柔韌的膜也可用于實現(xiàn)圖3所示的頻率分布。圖9示出了具有不均勻膜厚度的CMUT單元的一個示例。

此外，第一CUT單元604、702可具有比第二CMUT 608、704的深度D2小的深度D1。如下面關于圖10和圖11另外討論的，該深度差也可分別對第一CMUT單元602、702和第二CMUT單元608、704之間的換能效率的差起作用。

圖9示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的具有不同頻率的兩個CMUT單元的截面圖900的替代構(gòu)造。例如，第一CMUT單元902可對應于具有更高諧振頻率的CMUT單元，并且第二CMUT單元904可對應于具有比第一CMUT單元902低的諧振頻率的CMUT單元。此外，圖9中所示的兩個CMUT單元可以不一定是相鄰單元。兩個單元之間的關系通?？杀幻枋鰹椋壕哂休^高頻率的第一CMUT單元更接近CMUT陣列的中心226，以及具有較低頻率的第二CMUT單元更接近CMUT陣列的邊緣228(或在其他示例中，邊緣230)。

CMUT單元902和904可分別與以上關于圖8所討論的CMUT單元604、702和608、704類似地構(gòu)造，并且可以包括襯底802、可選的絕緣層804、側(cè)壁808、第一腔810和第二腔812。而且，在該示例中，第一腔810的寬度W1可等于第二腔812的寬度W2，并且腔810和812在橫向方向上的長度也可以是相同的。

膜906可包括可由單層或多層組成的第一層908，并且導電材料中的至少一層用作第二電極。第一層908可延伸以接觸側(cè)壁808，并且在一些示例中，可以用于分別密封CMUT單元902和904的腔810和812。在該示例中，膜906還包括在第一腔810上形成的第一圖案化層910，以及在第二腔812上形成的第二圖案化層912。圖案化層910和912使膜906在第一腔810和第二腔812上不均勻。因此，可控制圖案化層910和912的構(gòu)造，以控制在第一腔810上和第二腔812上的膜906的機械性質(zhì)(例如，頻率，等效彈簧常數(shù)等)。例如，第一圖案化層910的圖案可被設計成使第一CMUT單元902能夠以比具有形成于其上的第二圖案化層912的第二CMUT單元904的諧振頻率高的頻率諧振。作為一個示例，圖案化層910可使第一腔810之上的膜906的部分比具有第二圖案化層912的第二腔812之上的膜906的部分硬。

存在可用于獲得在第一腔810和第二腔812之上的膜906的各種水平的柔韌性和/或質(zhì)量的許多圖案構(gòu)造。在2013年7月9日授予Yongli Huang的題為“Micromachined Ultrasonic Transducers(微加工超聲換能器)”的美國專利No.8,483,014中描述了可用于層908、910和/或912以用于控制膜性質(zhì)的圖案的一些非限制示例描述，該專利通過引用結(jié)合于此。此外，第一層908和/或圖案化層910和912兩者可被不同地設計以實現(xiàn)CMUT單元902和904的不同頻率，和/或膜的一部分可不被圖案化。

此外，具有不同頻率的CMUT單元902和904的崩潰(collapse)電壓可被設計成相似的。例如，CMUT單元604、702、902和608、704、904可分別被設計成在崩潰電壓的15％的變化內(nèi)。例如，可通過使用不同的腔深度和形狀來實現(xiàn)具有不同膜性質(zhì)的CMUT單元的相似的崩潰電壓。圖8和9顯示了若干示例腔構(gòu)造。例如，在圖8中，第一腔810具有比第二腔812的深度D2小的深度D1。因此，對于較小的膜面積，深度D1比對應于較大膜尺寸的深度D2淺。

作為另一示例，在圖9中，腔810和812有具有第一深度的第一區(qū)域914和具有第二、較深深度的第二區(qū)域916，第一區(qū)域914和第二區(qū)域916可通過在襯底802上形成臺階來形成。第二區(qū)域916的相對寬度W3和W4可在第一CMUT單元902和第二CMUT單元904之間是不同的，使得相似的電壓電平可在腔810和812中具有不同的電場，以實現(xiàn)每個單元的期望的崩潰電壓而不管單元之間的硬度差異。例如，具有不同膜硬度的兩個單元可具有相似的崩潰電壓。在一些示例中，本文中的CMUT單元可包括由具有不同深度和寬度的超過兩個區(qū)域形成的腔，以實現(xiàn)期望的腔輪廓，從而在不同單元中的腔中產(chǎn)生不同的電場。因此，圖8和9中所示的結(jié)構(gòu)可用于控制電場，以用于實現(xiàn)相應CMUT單元的期望的崩潰電壓。

此外，在本文的CMUT陣列的一些示例中，更接近中心的CMUT單元可具有比沿著垂直方向更接近于邊緣的CMUT單元高的換能效率，以實現(xiàn)期望的變跡分布。例如，可以至少部分地基于CMUT單元的兩個電極之間的電場來確定CMUT單元的換能效率。例如，較高的電場可導致較高的轉(zhuǎn)換效率。對于給定的施加電壓，電場可由相應CMUT單元的腔深度和形狀來確定。因此，圖8和圖9所示的單元結(jié)構(gòu)還可被用于實現(xiàn)CMUT陣列102中的不同CMUT單元的兩個電極之間的電場的差異。

圖10示出了改變單元構(gòu)造以針對更接近于中心226的CMUT單元實現(xiàn)較高的換能效率，以及針對更接近于邊緣228且更遠離中心226的CMUT單元實現(xiàn)較低的換能效率。在圖10的示例中，第一CMUT單元1002更接近于中心226，第二CMUT單元1004比第一CMUT單元1002遠離中心226，以及第三CMUT單元1006比第一CMUT單元1002和第二CMUT單元1004更遠離中心226并更接近邊緣228。第一CMUT單元1002有具有第一深度D1的第一腔1008，第二CMUT單元1004有具有第二深度D2的第二腔1010，以及第三CMUT單元1006有具有第三深度D3的第三腔1012。在該示例中，CMUT單元1002-1006可對應于以上討論的CMUT單元的任何組，并且不一定彼此直接相鄰。

在該示例中，三個CMUT單元1002-1006可具有基本相同的結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)的膜806尺寸可被設計為不同的或相同的。例如，如果單元具有不同的尺寸(例如，W1≠W2≠W3)，則CMUT單元的諧振頻率可以是不同的。在垂直方向224上更接近于中心226的CMUT單元通?？杀辉O計成具有比更接近于邊緣的CMUT單元高的諧振頻率。在其他示例中，CMUT單元可具有相同的諧振頻率，腔1008-1012的相應寬度可以是相同的，即W1＝W2＝W3。類似地，腔1008-1012的相應長度(圖10中未示出)可以是相同的。

在所示示例中，相應腔1008-1012的相應深度D1-D3從中心226朝向邊緣228增加。因此，電極之間(例如，在襯底802上或?qū)谝r底802的底部電極，以及在膜806上或?qū)谀?06的頂部電極)的相應換能間隙如通過不同腔深度(即，D3>D2>D1)所定義地變化。對于給定(或相同)的施加電壓，換能間隙越窄(即，深度越小)，則電場越高，并且對應的CMUT單元的換能效率越高。因此，第一CMUT單元1002的換能效率高于第二CMUT單元1004和第三CMUT單元1006的換能效率。類似地，第二CMUT單元1004的換能效率高于第三CMUT單元1006的換能效率。而且，在一些示例中，CMUT單元1002-1006中的兩個或多個可以在相同子元件的不同區(qū)域中，而不是在不同的子元件中。

圖11示出了改變單元構(gòu)造以針對更接近于中心226的CMUT單元實現(xiàn)較高的換能效率，以及針對更接近于邊緣228且更遠離中心226的CMUT單元實現(xiàn)較低的換能效率。在圖11的示例中，第一CMUT單元1102更接近于中心226，第二CMUT單元1104比第一CMUT單元1002遠離中心226，以及第三CMUT單元1106比第一CMUT單元1102和第二CMUT單元1104更遠離中心226并更接近邊緣228。第一CMUT單元1102具有第一腔1108，第二CMUT單元1104具有第二腔1110，以及第三CMUT單元1106具有第三腔1112。在該示例中，CMUT單元1102-1106可對應于以上討論的CMUT單元的任何組，并且不一定彼此直接相鄰。此外，腔1108-1112可具有至少兩個不同水平的變化的深度。因此，腔1108-1112中的每一個有具有第一深度D1的第一區(qū)域914和有具有第二、更深深度D2的第二區(qū)域916，第一區(qū)域914和第二區(qū)域916可通過在襯底802上形成臺階來形成。

在圖11的示例中，三個CMUT單元1102-1106可在若干維度上具有不同或基本相同的結(jié)構(gòu)。膜結(jié)構(gòu)906和912的尺寸可被設計為不同或相同的，以提供不同或相同的諧振頻率。對于具有不同諧振頻率的CMUT單元的示例，CMUT單元可具有不同的相應腔寬度(例如W1≠W2≠W3)或者其他特征(諸如層912)可以是不同的，或者兩者都不同。因此，CMUT單元的諧振頻率可以是不同的。在垂直方向224上更接近于中心226的CMUT單元通?？杀辉O計成具有比更接近于邊緣的CMUT單元高的諧振頻率。在其他示例中，諸如當單元具有相同的諧振頻率時，腔1108-1112的相應寬度可以是相同的，即W1＝W2＝W3。類似地，腔1108-1112的相應長度(圖11中未示出)可以是相同的。進一步，相應膜906上的相應圖案化層912可以是相同的。

無論三個CMUT單元1102-1106的膜結(jié)構(gòu)906和912的尺寸是否相同，相應腔1108-1112的第一深度D1和第二深度D2也可以是相同的。然而，在該示例中，三個CMUT單元1102-1106具有不同寬度的相應區(qū)域916，區(qū)域916的寬度從中心226朝向邊緣228增加。例如，第一CMUT單元1102的區(qū)域916的寬度W4小于第二CMUT單元1104的區(qū)域916的寬度W5和第三CMUT單元1106的區(qū)域916的寬度W6，即，W6>W5>W4。因此，對于給定(或相同)的施加電壓，具有寬度W6的第三CMUT單元1106的區(qū)域916處的電場比分別具有較小的寬度W5和W4的第二CMUT單元1104和第一CMUT單元1102的區(qū)域916處的電場1102弱。因此，具有較寬D2區(qū)域916(具有寬度W6)的CMUT單元1106具有比具有較窄D2區(qū)域916(具有寬度W5)的第二CMUT單元1104弱的總電場(或平均電場)，并進而具有比具有更窄的D2區(qū)916(具有寬度W4)的第一CMUT單元1102更弱的總電場(或平均電場)。因此，CMUT單元1106的換能效率低于CMUT單元1104的換能效率，CMUT單元1104的換能效率低于CMUT單元1102的轉(zhuǎn)換效率。換句話說，由于W6>W5>W4，因此CMUT單元的換能效率從邊緣228向中心226增加。此外，在一些示例中，CMUT單元1102-1106中的兩個或多個單元可在相同子元件的不同區(qū)域中，而不是在不同子元件中。而且，雖然本文已經(jīng)描述了若干示例腔構(gòu)造，但是許多其它構(gòu)造將對受益于本文公開內(nèi)容的本領域技術人員將是顯而易見的。

圖12示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的其中每個CMUT元件1204在垂直維度224中具有三個子元件的CMUT陣列1202的示例實現(xiàn)方式。在一些示例中，CMUT陣列1202可對應于CMUT陣列102，并且可用于圖1的系統(tǒng)中。如圖12所示，三個子元件包括中心子元件204和關于中心子元件204對稱布置的第一相鄰子元件206和第二相鄰子元件208。在該示例中，第一相鄰子元件206和第二相鄰子元件208可以彼此電連接以能夠作為單個子元件進行處理。如上所述，子元件204、206和208的中心頻率可在垂直方向224上從中心226分別朝向邊緣228和230減小。此外，在該示例中，所有三個子元件204、206和208都是矩形的。

圖13示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的在垂直維度224中具有三個子元件的示例CMUT陣列1302。在一些示例中，CMUT陣列1302可以對應于CMUT陣列102，并且可用于圖1的系統(tǒng)中。CMUT陣列1302包括多個(N個)元件1304。每個元件1304包括中心子元件204和兩個相鄰子元件1304和1306，元件1304和1306在垂直維度224中對稱地設置在中心子元件204的任一側(cè)上。在該示例中，當在平面中觀看時，兩個相鄰子元件1304和1306是梯形的形狀，而中心子元件204保持矩形。

在圖13的示例中，每個元件1304包括對稱設置的梯形子元件1306和1308，梯形子元件1306和1308的寬度W隨著子元件1306和1308接近CMUT陣列1302的相應邊緣228和230而減小。因此，子元件1306和1308的梯形形狀使得子元件1306和1308的有效面積朝向邊緣228和230減小，并且因此產(chǎn)生線性變跡分布。變跡分布是窗口函數(shù)，其在中心權重大且朝向兩個邊緣權重小。在超聲成像中，可利用變跡來形成超聲波束圖案并且減小旁瓣水平以獲得更好的圖像質(zhì)量。例如，在陣列1302的中心226處的中心子元件204可比在陣列1302的邊緣附近的子元件1306和1308振動得更強，這可以產(chǎn)生具有最小旁瓣的聲場。當然，中心和相鄰子元件可以形成為具有能夠產(chǎn)生期望的變跡分布的其他形狀。除了形狀變化之外，每個子元件或子元件內(nèi)的區(qū)域的單元密度可從中心226到邊緣228和230變化。例如，單元密度可以從中心226到邊緣228和230單調(diào)減小以在垂直維度上產(chǎn)生期望的變跡分布。

圖14示出了顯示根據(jù)一些實現(xiàn)方式的對應于不同操作頻率的三個示例變跡分布的曲線圖1400。曲線圖1400示出了可采用本文中的CMUT陣列102、1302的不同操作頻率生成的用于對應的垂直孔徑的三個不同的變跡分布。當在較低頻率下操作時，CMUT陣列的中心部分較不敏感，而邊緣部分較敏感，這導致如虛線1402所示的輕微變跡分布。隨著操作頻率增加到中值頻率，CMUT陣列的中心部分變得較敏感，而邊緣部分變得較不敏感，如實線1404所示。進一步，隨著操作頻率增加到更高的頻率，中心部分變得甚至更加敏感，而邊緣部分變得甚至更不敏感，這導致如短劃線1406所示的積極變跡分布。

圖15是示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的三個帶通濾波器的示例頻率響應的一組三個曲線圖1500。在圖15的示例中，高頻帶通濾波器可用于近場，而在接收階段低頻帶通濾波器可用于遠場，而中頻帶通濾波器可用于近場和遠場之間。因此，第一曲線圖1502示出了低頻帶通濾波器的頻率響應相對于頻率的示例；第二曲線圖1504示出了中頻帶通濾波器的頻率響應相對于頻率的示例；以及第三曲線圖1506示出了高頻帶通濾波器的頻率響應相對于頻率的示例?？梢酝ㄟ^使用諸如可包括在以上關于圖1所討論的濾波器組106中的不同的低、中值和高帶通濾波器來完成操作頻率選擇。例如，可至少部分地基于期望的成像深度應用相應的濾波器來對電傳輸脈沖進行濾波。

在一些實現(xiàn)方式中，發(fā)射帶通濾波器可采用波形發(fā)生器來數(shù)字地實現(xiàn)。替代地，在其它實現(xiàn)方式中，發(fā)射帶通濾波器可用采用包括電容器、電感器和電阻器的模擬部件來實現(xiàn)。在一些情況下，接收帶通濾波器可采用一組匹配濾波器數(shù)字地實現(xiàn)，該一組匹配濾波器的中心頻率隨著穿透深度而下移(downshift)。此外或替代地，可使用與頻率相關的解調(diào)組合的低通濾波器來實現(xiàn)接收帶通濾波器。在任何情況下，本文的實現(xiàn)方式將濾波與頻率變化的子元件組合以產(chǎn)生期望的變跡分布，以提供能夠在超寬帶寬和各種操作頻率下操作的超聲成像。

圖16示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的用于選擇期望子元件的多路復用器108的示例。在圖16的示例中，多路復用器108包括由成像系統(tǒng)104控制的多個高壓模擬開關，如上文關于圖1所討論的。該示例中的系統(tǒng)可以具有128個通道，并且CMUT陣列可包括3×256個子元素(即，M＝3和N＝256)。在一些示例中，圖16的CMUT陣列可對應于以上分別關于圖12和13討論的CMUT陣列1202和1302。在其他示例中，諸如以上關于圖2的CMUT陣列102所討論的，M可以大于3。圖16示出了切換前四個元件1602(0)、1602(1)、1602(2)和1602(3)以及元件1602(128)和1602(129)的多路復用器。每個元件1602可分別包括中心子元件，例如中心子元件204(E_c)和兩個相鄰或邊緣子元件(E_e)，諸如元件206或1306以及元件208或1308。

對于高頻成像，如果K₀接通且K₁₂₈斷開，則通道0可連接至元件0 1602(0)，或者如果K₁₂₈接通且K₀斷開，則通道0可連接至元件128 1602(128)；如果K₁接通并且K₁₂₉斷開，則通道1可連接至元件1 1602(1)，或者如果K₁₂₉接通并且K₁斷開，則通道1可連接至元件129 1602(129)，等等。如果K₀₁接通且K₁斷開，則通道0連接至元件0 1602(0)和元件1 1602(1)；如果K₁₂和K₂₃接通并且K₁和K₂斷開，則通道1可連接至元件2 1602(2)和元件3 1602(3)兩者，等等。對于近場成像，僅中心子元件204連接至對應的通道。對于遠場成像，當K_ec0、K_ec1、K_ec2、K_ec3、...K_ec128、K_ec129、...接通時，所有三個子元件204和206、1306和208、1308分別連接到對應的通道。

雖然這里描述了128個通道、256個元件和3個子元件，但是本文中的示例可以用于任何數(shù)量的通道、任何數(shù)量的元件和任何數(shù)量的子元件。一般而言，系統(tǒng)可以具有N個通道，CMUT陣列可以具有k×M×N個子元件，其中N和k是正整數(shù)，以及M是正奇數(shù)。

進一步，通過使用多路復用器108，圖1中的系統(tǒng)100可基于諸如橫向分辨率、垂直分辨率、穿透程度和視場之類的成像要求來選擇k×M個子元素的子集或全部以生成期望的圖像。系統(tǒng)100還可使用不同的濾波器來選擇在垂直維度中的不同的變跡分布，以改善成像性能，諸如以上關于圖15所討論的。

圖17是示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的示例過程的流程圖。該過程被示為邏輯流程圖中的塊的集合，表示操作的序列，其中的一些或全部可以硬件、軟件或其組合來實現(xiàn)。在軟件的情況下，塊可表示儲存在一個或多個計算機可讀介質(zhì)上的計算機可執(zhí)行指令，當被一個或多個處理器執(zhí)行時對處理器進行編程以執(zhí)行所列舉的操作。一般而言，計算機可執(zhí)行指令包括執(zhí)行特定功能或?qū)崿F(xiàn)特定數(shù)據(jù)類型的例程、程序、對象、部件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等。塊被描述的順序不應被解釋為限制。任何數(shù)量的所描述的塊可以以任何順序和/或并行地組合以實現(xiàn)該過程或替代過程，并且不是所有的塊都需要被執(zhí)行。為了討論的目的，參考本文的示例中描述的裝置、架構(gòu)和系統(tǒng)來描述該過程，但是可在各種各樣的其他裝置、架構(gòu)和系統(tǒng)中實現(xiàn)該過程。

圖17是示出了根據(jù)一些實現(xiàn)方式的示例過程1700的流程圖。

在1702處，CMUT陣列可以配置有多個元件，每個元件包括中心子元件、在中心子元件的第一側(cè)上的第一子元件、和在中心子元件的與第一側(cè)相對的第二側(cè)上的第二子元件。此外，在一些情況下，每個元件中可包括附加的子元件，諸如，對于每個元件，在第一子元件的與中心子元件相對的一側(cè)上的第三子元件，以及在第二子元件的與中心子元件相對的一側(cè)上的第四子元件。CMUT陣列中也可包括附加的子元件。

在1704處，CMUT陣列可連接至成像系統(tǒng)、濾波器組和/或多路復用器。在一些情況下，CMUT陣列可被包括在包括或連接至成像系統(tǒng)、濾波器組和/或多路復用器的探測器中。

在1706處，將CMUT陣列指向?qū)ο?。例如，對于醫(yī)學成像，CMUT陣列可指向人體組織。

在1708處，系統(tǒng)中的處理器可使多個元件中的每一個的中心、第一和第二子元件傳輸超聲能量，使得中心子元件以比第一子元件和第二子元件高的中心頻率傳輸。例如，中心頻率可在垂直方向上朝向陣列的邊緣減小。

在1710處，CMUT陣列可接收反射的超聲能量。例如，除了傳輸超聲信號之外，CMUT陣列還可用來接收超聲信號以用于成像。

在1712處，系統(tǒng)可以基于所接收的反射的超聲能量來呈現(xiàn)圖像。例如，系統(tǒng)可包括一個或多個處理器，其處理所接收的超聲能量并且基于對所接收的超聲信號的處理在顯示器上呈現(xiàn)圖像。

本文所描述的示例過程僅是為討論目的而提供的過程的示例。根據(jù)本文的公開內(nèi)容，許多其它變化對本領域技術人員將是顯而易見。此外，盡管本文的公開內(nèi)容闡述了用于執(zhí)行過程的合適的系統(tǒng)、架構(gòu)和裝置的若干示例，但是本文中的實現(xiàn)方式不限于所示和所討論的特定示例。而且，本公開提供了示例實現(xiàn)方式，如在附圖中所描述和所示出的。然而，本公開不限于本文所描述和所示出的實現(xiàn)方式，而是可擴展到將對本領域技術人員已知或?qū)⒆兊靡阎钠渌鼘崿F(xiàn)方式。

可在計算機可執(zhí)行指令的廣義情況下考慮本文所描述的各種指令、方法和技術，諸如存儲在計算機可讀介質(zhì)上并且由本文中的處理器執(zhí)行的程序模塊。一般而言，程序模塊包括用于執(zhí)行特定任務或?qū)崿F(xiàn)特定抽象數(shù)據(jù)類型的例程、程序、對象、部件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等。這些程序模塊等可被作為本機代碼來執(zhí)行，或者可以被下載和執(zhí)行，諸如在虛擬機或其他即時編譯執(zhí)行環(huán)境中。通常，在各種實現(xiàn)方式中，程序模塊的功能可按需組合或分配。這些模塊和技術的實現(xiàn)可被存儲計算機存儲介質(zhì)上或跨某種形式的通信介質(zhì)傳輸。

盡管用結(jié)構(gòu)特征和/或方法動作專用的語言描述了本主題，但可以理解，所附權利要求書中定義的主題不必限于所描述的具體特征或動作。相反，具體特征和動作是作為實現(xiàn)權利要求的示例形式而公開的。