用于過濾的系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型的一個實施例涉及用于過濾的系統(tǒng)，包括：流體源；半導體晶片制造工具；流體路徑，具有與流體源流體連通的第一末端以及與半導體晶片制造工具流體連通的第二末端，流體路徑被配置成從所述流體源向半導體晶片制造工具遞送流體；以及雙介質(zhì)過濾器，位于流體流動路徑中，并且具有殼體，殼體具有入口和出口，入口與流體源流體連通并且被配置成經(jīng)由流體路徑從流體源接收流體，出口與半導體晶片制造工具流體連通并且被配置成經(jīng)由流體路徑向半導體晶片制造工具提供流體，雙介質(zhì)過濾器包括位于殼體內(nèi)的離子交換介質(zhì)和顆粒過濾器介質(zhì)，離子交換介質(zhì)被配置成從流體去除離子，并且顆粒過濾器介質(zhì)被配置成從流體去除顆粒。
【專利說明】用于過濾的系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及用于在半導體處理期間使用的用于過濾流體的系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體制造工藝中減少或消除顆粒污染對于最大化產(chǎn)率和器件可靠性是重要的。就此而言，一般以最小化暴露于顆粒的方式處理半導體晶片。例如，通常在潔凈室制造晶片，該潔凈室使周圍環(huán)境中的顆粒數(shù)量最小化。類似地，用于處理半導體晶片的流體通常被過濾以在向處理工具提供流體之前從流體去除顆粒。
[0003]通常，在向處理工具提供流體時過濾流體。因此，過濾器的流通過能力是選擇過濾器時的重要因素。一般而言，半導體處理工具使用大量流體，并且因此需要能夠以適當速率進行過濾的過濾器。
[0004]此外，為了使晶片制造設施維持高生產(chǎn)能力，隨處理工具使用的過濾器優(yōu)選地是低成本的，并且無需通常引起處理延遲的頻繁維護。
[0005]鑒于上述需求，一般不使用用于過濾水的標準流體過濾器(諸如反滲透過濾器)，因為這些過濾器通常昂貴，具有低的流通過能力，并且需要頻繁維護。
實用新型內(nèi)容
[0006]鑒于上述問題，本實用新型的目的在于解決上述問題中至少一個或者至少一部分。
[0007]本公開涉及在半導體處理期間使用的流過濾系統(tǒng)。一個或多個實施例涉及用于在向諸如半導體晶片清潔工具之類的半導體晶片處理工具提供流體時從流體過濾離子和顆粒的流過濾系統(tǒng)和方法。
[0008]根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種用于過濾的系統(tǒng)，包括:流體源；半導體晶片制造工具；流體路徑，具有與所述流體源流體連通的第一末端以及與所述半導體晶片制造工具流體連通的第二末端，所述流體路徑被配置成從所述流體源向所述半導體晶片制造工具遞送流體；以及雙介質(zhì)過濾器，位于所述流體流動路徑中，并且具有殼體，所述殼體具有入口和出口，所述入口與所述流體源流體連通并且被配置成經(jīng)由所述流體路徑從所述流體源接收流體，所述出口與所述半導體晶片制造工具流體連通并且被配置成經(jīng)由所述流體路徑向所述半導體晶片制造工具提供流體，所述雙介質(zhì)過濾器包括位于所述殼體內(nèi)的離子交換介質(zhì)和顆粒過濾器介質(zhì)，所述離子交換介質(zhì)被配置成從所述流體去除離子，并且所述顆粒過濾器介質(zhì)被配置成從所述流體去除顆粒。
[0009]優(yōu)選地，所述離子交換介質(zhì)位于所述殼體中的鄰近所述入口的第一腔中。
[0010]優(yōu)選地，所述雙介質(zhì)過濾器的所述入口具有倒轉(zhuǎn)漏斗形狀。
[0011]優(yōu)選地，所述顆粒過濾器介質(zhì)位于所述殼體中的鄰近所述出口的第二腔中。
[0012]優(yōu)選地，所述流體路徑的所述第二末端與多個半導體晶片制造工具流體連通，并且其中所述雙介質(zhì)過濾器具有與所述多個半導體晶片制造工具流體連通的出口，所述出口被配置成經(jīng)由所述流體路徑向所述多個半導體制造工具提供流體。
[0013]優(yōu)選地，所述雙介質(zhì)過濾器的所述殼體是透明的。
[0014]優(yōu)選地，所述離子交換介質(zhì)為被配置成從所述流體去除正電荷離子的陽離子交換介質(zhì)。
[0015]優(yōu)選地，所述離子交換介質(zhì)是被配置成從所述流體去除負電荷離子的陰離子交換介質(zhì)。
[0016]優(yōu)選地，所述雙介質(zhì)過濾器是第一雙介質(zhì)過濾器并且所述離子交換介質(zhì)是陽離子交換介質(zhì)，所述系統(tǒng)還包括與所述第一雙介質(zhì)過濾器流體連通并且位于所述半導體晶片制造工具上游和所述第一雙介質(zhì)過濾器下游的第二雙介質(zhì)過濾器，所述第二雙介質(zhì)過濾器包括陰離子交換介質(zhì)和顆粒過濾器介質(zhì)。
[0017]根據(jù)本實用新型的另一方面，提供一種用于過濾的系統(tǒng)，包括:流體源；半導體晶片制造工具，被配置成接收流體；流體路徑，具有與所述流體源流體連通的第一末端和與所述半導體晶片制造工具流體連通的第二末端，所述流體路徑被配置成從所述流體源向所述半導體晶片制造工具遞送流體；第一雙介質(zhì)過濾器，位于所述半導體晶片制造工具上游和所述流體源下游的所述流體路徑中，所述第一雙介質(zhì)過濾器具有被配置成從所述流體源接收流體的入口，所述第一雙介質(zhì)過濾器包括被配置成從接收自所述流體源的所述流體去除離子的第一離子交換介質(zhì)和被配置成從接收自所述流體源的所述流體去除顆粒的第一顆粒過濾器介質(zhì)；以及第二雙介質(zhì)過濾器，位于所述半導體晶片制造工具上游和所述第一雙介質(zhì)過濾器下游的所述流體路徑中，所述雙介質(zhì)過濾器具有被配置成從所述第一雙介質(zhì)過濾器接收流體的入口，所述第二雙介質(zhì)過濾器包括被配置成從接收自所述第一雙介質(zhì)過濾器的所述流體去除離子的第二離子交換介質(zhì)和被配置成從接收自所述第一雙介質(zhì)過濾器的所述流體去除顆粒的第二顆粒過濾器介質(zhì)。
[0018]優(yōu)選地,所述流體源是液體。
[0019]優(yōu)選地，所述第一離子交換介質(zhì)是陽離子交換介質(zhì)，并且所述第二離子交換介質(zhì)是離子交換介質(zhì)。
[0020]優(yōu)選地，所述第一離子交換介質(zhì)是離子交換介質(zhì)，并且所述第二離子交換介質(zhì)是陽離子交換介質(zhì)。
[0021]通過使用根據(jù)本使用新型的實施例，可以獲得相應的技術(shù)效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是根據(jù)本公開的一個實施例的系統(tǒng)的框圖。
[0023]圖2是根據(jù)本公開的一個實施例的另一系統(tǒng)的局部示意圖。
[0024]圖3是根據(jù)本公開的一個實施例的示例過濾器的框圖。
[0025]圖4是根據(jù)本公開的一個實施例的另一示例過濾器的截面示意圖。
[0026]圖5是圖4中所示的過濾器的分解圖。
[0027]圖6是根據(jù)本公開的一個實施例的另一示例過濾器的截面示意圖。
【具體實施方式】
[0028]圖1是根據(jù)本公開的一個實施例的系統(tǒng)10的框圖。系統(tǒng)10包括經(jīng)由流體路徑16與半導體晶片制造工具14流體連通的流體源12。S卩，流體源12的出口提供沿著流體路徑16去往制造工具14的入口的流體。在流體源12的下游25并且在制造工具14的上游處的流體路徑16中，存在被配置成經(jīng)由入口從流體源12接收流體的過濾器18。
[0029]過濾器18從接收的流體去除顆粒和離子，諸如金屬離子，并且經(jīng)由出口向流體路徑19提供經(jīng)過濾的流體?？梢詮牧黧w去除的示例離子包括Cu、Fe、Na、Co、Ti和Ta。向過濾器18的出口提供經(jīng)過濾的流體，并且經(jīng)由流體路徑16向制造工具14的入口提供經(jīng)過濾的流體。
[0030]制造工具14可以是使用流體以處理半導體晶片的任何設備。示例制造工具包括水洗、濕法清潔、化學氣相沉積、反應離子蝕刻、光刻或任何其它制造工具。
[0031]流體可以是液體、氣體或其組合。在一些實施例中，流體是水或化學溶液，諸如表面活性劑。在其它一些實施例中，流體是氣體，諸如N2、氬氣、硅烷等。
[0032]流體路徑16和19可以是被配置成允許流體在其中流動的任何導管?？梢岳斫?，在一些實施例中，流體路徑19的一部分(諸如過濾器18的下游的部分)，或者整個流體路徑16和19可以是制造工具14的一部分。類似地，流體路徑19可以與多于一個的制造工具流體連通。
[0033]如上所述，之前已使用與半導體處理工具一起使用的、用于從流體去除顆粒的過濾器。然而，在開發(fā)用于對半導體器件進行微型化的處理步驟時，本發(fā)明人出人意料地識別出通過從流體進一步過濾金屬離子，晶片處理產(chǎn)率和可靠性顯著提升。此外，原位過濾尤其有利。具體而言，對微型化設備執(zhí)行的測試表現(xiàn)出指示在晶片的制造和清潔期間引入的金屬離子導致關(guān)于依賴于時間的電介質(zhì)擊穿的可靠性測試的失敗。
[0034]圖2示出了圖1中所示的系統(tǒng)20的一個示例。圖2的制造工具是清潔工具，該清潔工具被配置成在處理步驟之后(諸如在化學機械拋光之后)清潔晶片。清潔工具14包括4個級(stage):兆頻超聲槽30a、第一雙側(cè)刷39b、第二雙側(cè)刷30b以及旋轉(zhuǎn)清洗干燥器30d。清潔工具14的每個級30a-30d經(jīng)由流體路徑19與兩個流體源12流體連通。具體而言，兆頻超聲槽30a、第一雙側(cè)刷30b和第二雙側(cè)刷30c以及旋轉(zhuǎn)清洗干燥器30d均與水源12流體連通并且被配置成從水源12接收水。在一些實施例中，水源12是去離子化的水源。就此而言，水已被粗過濾器(course filter)首先過濾以去除大的顆粒和化學物,諸如氯。兆頻超聲槽30a與化學物I源12流體連通，并且被配置成接收化學物I。第一雙側(cè)刷30b和第二雙側(cè)刷30c與化學物2源12流體連通，并且被配置成接收化學物2。旋轉(zhuǎn)清洗干燥器30d與化學物3源12流體連通，并且被配置成接收化學物3。
[0035]位于流體源12和制造工具14的各個級30a_30d之間的是被配置成在向清潔工具12的各個級30a-30d提供流體時從流體過濾金屬離子和顆粒的過濾器18。如下文將說明的那樣，過濾器18可以是被配置成過濾金屬離子和顆粒的單個過濾器，或者可以是兩個單獨的過濾器。
[0036]在向工具提供流體時過濾器18在系統(tǒng)中原位工作。即，流體以與被遞送至相應半導體工具30a-30d大約相同的速率流經(jīng)過濾器18。這提供若干優(yōu)點。首先，不需要存儲經(jīng)過濾的流體。其次，經(jīng)過濾的流體沒有被再次污染的機會，而如果流體位于保持槽或是長的遞送管集合一段時間則有可能出現(xiàn)再次污染。流體線19可以被做得極其短(例如，在使用前嵌入半導體工具自身)，以減少在過濾器18清潔之后附加離子可以進入流體或在流體中產(chǎn)生的機會。
[0037]參見兆頻超聲槽30a，當清潔工具14在使用時，水和化學物I分別從水源12和化學物I源12經(jīng)由流體路徑16流向過濾器18的入口。過濾器18從水和化學物I去除顆粒和金屬離子，并且經(jīng)由過濾器18的出口向流體路徑19提供經(jīng)過濾的流體。兆頻超聲槽30a接收經(jīng)過濾的水和化學物I以用于在其中處理水?？梢岳斫?清潔工具14的其他級30b-30d以相同方式工作。
[0038]圖3示出了用于在圖1和圖2的系統(tǒng)中使用的過濾器18a的一個實施例。在該實施例中，過濾器18a包括彼此串聯(lián)流體連通的兩個過濾器。在示出的實施例中，過濾器18a包括離子交換過濾器32，其具有與顆粒過濾器34的入口流體連通的出口。離子交換過濾器32和顆粒過濾器34可以分別位于圖1和圖2的系統(tǒng)10和30中的流體源12和制造工具14之間的流體路徑16中。例如，離子交換過濾器32的入口可以與流體源12的出口流體連通，而顆粒過濾器34的出口可以與制作工具14的入口流體連通。
[0039]離子交換過濾器32包括常規(guī)離子交換介質(zhì)(諸如離子交換樹脂)并且被配置成從流體去除陰離子、陽離子或其組合。在一些實施例中，使用陽離子交換樹脂來以氫離子替換陽離子，并且使用陰離子交換樹脂來以氫氧根替換陰離子，從而從流體濾除離子。然而，在其它一些實施例中，可以進行其它交換。
[0040]顆粒過濾器34包括常規(guī)顆粒過濾器介質(zhì)(諸如顆粒薄膜)并且被配置成從流體去除顆粒。如果期望，則待去除的顆粒尺寸可以極其小，例如I微米或更小，這取決于流體以及半導體工具的需要。
[0041]參考在圖1的系統(tǒng)10中使用的圖3的過濾器18a，流體從流體源12向離子交換過濾器32流動，這從流體去除離子。繼而從離子交換過濾器32的出口向顆粒過濾器34提供經(jīng)過濾的流體，這從流體去除顆粒。從顆粒過濾器34的出口向制造工具14提供經(jīng)過濾的流體。
[0042]雖然圖3示出了離子交換過濾器32位于顆粒過濾器34上游，但是可以理解，可以將它們的定向逆轉(zhuǎn)。即，在一些實施例中，顆粒過濾器可以位于離子交換過濾器上游并且與其流體連通。就此而言，可以當在流體中去除離子之前從流體去除顆粒。
[0043]圖4示出了分別在圖1或圖2的系統(tǒng)10和20中使用的過濾器18b的另一實施例。在該實施例中，過濾器18b是雙介質(zhì)過濾器，其包括離子交換介質(zhì)36和顆粒介質(zhì)38。就此而言，過濾器18b被配置成從接收自流體源12的流體過濾離子和顆粒這兩者。在示出的實施例中，過濾器18b包括第一腔40和第二腔42，第一腔包括由樹脂支持網(wǎng)36固定就位的離子交換介質(zhì)35，離子交換介質(zhì)35被配置成從經(jīng)過第一腔40的流體過濾金屬離子，而第二腔包括由薄膜支持網(wǎng)38固定就位的常規(guī)顆粒過濾器介質(zhì)37，常規(guī)顆粒過濾器介質(zhì)37被配置成從經(jīng)過第二腔42的流體過濾顆粒。
[0044]參見圖4和圖5這兩者，過濾器18b具有殼體44，殼體44包括用于接收流體的入口 46和用于允許經(jīng)過濾的流體流出過濾器18b的出口 48。殼體44包括圓柱形形狀的主體50，主體50在具有倒轉(zhuǎn)漏斗形狀的入口部分52轉(zhuǎn)變?yōu)槿肟?46并且在具有漏斗形狀的出口部分54轉(zhuǎn)變?yōu)槌隹?48。就此而言，主體50具有比入口 46和出口 48大的內(nèi)徑。
[0045]如箭頭47所示，流體流入過濾器18b，以在入口 46處進入過濾器。流體連續(xù)流過過濾器介質(zhì)35和37，并且如箭頭49所示在出口 48處流出。流體是清潔的，適合于立即使用。過濾器介質(zhì)35和37的尺寸和結(jié)構(gòu)被選擇成以工具所需的流速提供流體。如果要求高的流速，則過濾器18的殼體44被制成在直徑上較大以具有較高的吞吐率；如果低流速可接受，則過濾器面積以及由此的過濾器18的殼體44的直徑可以較小。
[0046]如圖5最佳地示出，殼體44的主體50包括可移除地固定至彼此的頂部部分56和底部部分58。在示出的實施例中，頂部部分56包括與底部部分58的外螺紋配對的內(nèi)螺紋。就此而言，底部部分58具有比頂部部分56更小的直徑，從而使得底部部分58經(jīng)由配對螺紋適配頂部部分56并與其固定。頂部部分56包括環(huán)形元件60，環(huán)形元件60位于內(nèi)螺紋的一段距離之上以在其間創(chuàng)建間隙62。當?shù)撞坎糠?8位于頂部部分56內(nèi)時，密封環(huán)64位于間隙62中，從將第一腔40從第二腔42密封。
[0047]如圖示出，第一腔40包括常規(guī)離子過濾器介質(zhì)35 (諸如離子交換樹脂)，其被配置成過濾金屬離子。圖4中為了易于看見整個腔和內(nèi)部過濾器結(jié)構(gòu)而未示出過濾器介質(zhì)35和37，但是在圖5和圖6中示意地示出過濾器介質(zhì)35和37。離子交換樹脂可以由網(wǎng)36進一步支撐。離子過濾器介質(zhì)35位于殼體44的頂部部分56的環(huán)形元件60附近。在一些實施例中，例子過濾器介質(zhì)35填充第一腔40的周長。離子過濾器網(wǎng)36可以靠著環(huán)形元件60的表面安置，或者可以被固定至環(huán)形元件60或殼體44的頂部部分56。離子過濾器介質(zhì)35可以被配置成替換陰離子、陽離子或其組合?？梢曰诖龔牧黧w過濾的離子選擇用于離子過濾器介質(zhì)35的樹脂的屬性，諸如類型、尺寸、材料和形狀。如上所示，殼體44的入口 46具有倒轉(zhuǎn)的漏斗形狀。主體50中的、由倒轉(zhuǎn)的漏斗形狀創(chuàng)建的第一腔40中的附加截面面積增加其中離子過濾器介質(zhì)36可以過濾流體并且增加過濾器流速的面積。
[0048]如上所示，第二腔42包括被配置成過濾顆粒的顆粒過濾器介質(zhì)37，諸如顆粒薄膜。顆粒薄膜可以由網(wǎng)38支撐。顆粒過濾器介質(zhì)37位于殼體44的出口部分54的附近并被配置成從流體過濾顆粒。主體50的較大內(nèi)徑允許顆粒過濾器介質(zhì)38過濾比顆粒過濾器介質(zhì)38位于出口 48處時更大的面積?？梢曰诖龔牧黧w過濾的顆粒的尺寸選擇用于顆粒過濾器介質(zhì)38的薄膜的屬性，諸如類型、尺寸、材料和形狀。
[0049]可以理解，在其它一些實施例中，可以使第一腔40和第二腔42反向。S卩，第一腔40可以包括顆粒過濾器介質(zhì)37，而第二腔42可以包括離子過濾器介質(zhì)35。在又一實施例中，離子過濾器介質(zhì)37可以位于在三腔過濾器中的兩個顆粒過濾器介質(zhì)之間。第一過濾器是顆粒過濾器，之后是離子過濾器，之后是精細微粒過濾器，這三個過濾器在一個殼體中連
續(xù)布置。
[0050]在一個實施例中，殼體44透明以允許對顆粒過濾器介質(zhì)36和離子過濾器介質(zhì)38的視覺檢查。典型地，顆粒和離子過濾器介質(zhì)在視覺上改變，諸如通過改變顏色，從而指示介質(zhì)應該被替換和/或清潔。
[0051]圖6示出了分別在圖1和圖2的系統(tǒng)10和20中使用的過濾器18c的另一實施例。具體而言，圖6的過濾器12c包括彼此串聯(lián)流體連通的圖4的第一和第二雙介質(zhì)過濾器18b。然而，在該實施例中，第一雙介質(zhì)過濾器18b包括具有被配置成過濾陽離子的離子過濾器介質(zhì)36的第一腔40，而第二雙介質(zhì)過濾器18b包括具有被配置成過濾陰離子的離子過濾器介質(zhì)36的第一腔40。在使用時，第一雙介質(zhì)過濾器18b被配置成從流體源12經(jīng)由圖1和圖2中所示的流體路徑16接收流體，并且如上文參照圖4和圖5描述的那樣從流體去除陽離子和顆粒。第一雙介質(zhì)18b過濾器繼而提供流體給第二雙介質(zhì)過濾器18b。第二雙介質(zhì)過濾器如上文參照圖4和圖5描述的那樣從流體去除陰離子和顆粒，并且提供經(jīng)過濾的流體給流體路徑或給制造工具?？梢岳斫?，第一雙介質(zhì)過濾器和第二雙介質(zhì)過濾器的次序可以反向，從而使得在從流體過濾陽離子之前從流體過濾陰離子。
[0052]上面描述的各種實施例可以被組合以提供另外的實施例。參照上面的具體描述可以對實施例做出這些和其它一些改變。一般而言，在下面的權(quán)利要求書中，所使用的術(shù)語不應被解釋為將權(quán)利要求限制到在說明書中公開的具體實施例和權(quán)利要求書，而是應該解釋為包括所有可能的實施例以及這類權(quán)利要求所具有的等同物的整個范圍。因此，權(quán)利要求書不限于本公開。
【權(quán)利要求】
1.一種用于過濾的系統(tǒng)，其特征在于，包括: 流體源； 半導體晶片制造工具； 流體路徑，具有與所述流體源流體連通的第一末端以及與所述半導體晶片制造工具流體連通的第二末端，所述流體路徑被配置成從所述流體源向所述半導體晶片制造工具遞送流體；以及 雙介質(zhì)過濾器，位于所述流體流動路徑中，并且具有殼體，所述殼體具有入口和出口，所述入口與所述流體源流體連通并且被配置成經(jīng)由所述流體路徑從所述流體源接收流體，所述出口與所述半導體晶片制造工具流體連通并且被配置成經(jīng)由所述流體路徑向所述半導體晶片制造工具提供流體，所述雙介質(zhì)過濾器包括位于所述殼體內(nèi)的離子交換介質(zhì)和顆粒過濾器介質(zhì)，所述離子交換介質(zhì)被配置成從所述流體去除離子，并且所述顆粒過濾器介質(zhì)被配置成從所述流體去除顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述離子交換介質(zhì)位于所述殼體中的鄰近所述入口的第一腔中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述雙介質(zhì)過濾器的所述入口具有倒轉(zhuǎn)漏斗形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述顆粒過濾器介質(zhì)位于所述殼體中的鄰近所述出口的第二腔中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述流體路徑的所述第二末端與多個半導體晶片制造工具流體連通，并且其中所述雙介質(zhì)過濾器具有與所述多個半導體晶片制造工具流體連通的出口，所述出口被配置·成經(jīng)由所述流體路徑向所述多個半導體制造工具提供流體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述雙介質(zhì)過濾器的所述殼體是透明的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述離子交換介質(zhì)為被配置成從所述流體去除正電荷離子的陽離子交換介質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述離子交換介質(zhì)是被配置成從所述流體去除負電荷離子的陰離子交換介質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述雙介質(zhì)過濾器是第一雙介質(zhì)過濾器并且所述離子交換介質(zhì)是陽離子交換介質(zhì)，所述系統(tǒng)還包括與所述第一雙介質(zhì)過濾器流體連通并且位于所述半導體晶片制造工具上游和所述第一雙介質(zhì)過濾器下游的第二雙介質(zhì)過濾器，所述第二雙介質(zhì)過濾器包括陰離子交換介質(zhì)和顆粒過濾器介質(zhì)。
10.一種用于過濾的系統(tǒng)，其特征在于，包括: 流體源； 半導體晶片制造工具，被配置成接收流體； 流體路徑，具有與所述流體源流體連通的第一末端和與所述半導體晶片制造工具流體連通的第二末端，所述流體路徑被配置成從所述流體源向所述半導體晶片制造工具遞送流體； 第一雙介質(zhì)過濾器，位于所述半導體晶片制造工具上游和所述流體源下游的所述流體路徑中，所述第一雙介質(zhì)過濾器具有被配置成從所述流體源接收流體的入口，所述第一雙介質(zhì)過濾器包括被配置成從接收自所述流體源的所述流體去除離子的第一離子交換介質(zhì)和被配置成從接收自所述流體源的所述流體去除顆粒的第一顆粒過濾器介質(zhì)；以及 第二雙介質(zhì)過濾器，位于所述半導體晶片制造工具上游和所述第一雙介質(zhì)過濾器下游的所述流體路徑中，所述雙介質(zhì)過濾器具有被配置成從所述第一雙介質(zhì)過濾器接收流體的入口，所述第二雙介質(zhì)過濾器包括被配置成從接收自所述第一雙介質(zhì)過濾器的所述流體去除離子的第二離子交換介質(zhì)和被配置成從接收自所述第一雙介質(zhì)過濾器的所述流體去除顆粒的第二顆粒過濾器介質(zhì)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其特征在于，所述流體源是液體。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一離子交換介質(zhì)是陽離子交換介質(zhì)，并且所述第二離子交換介質(zhì)是離子交換介質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一離子交換介質(zhì)是離子交換介質(zhì)，并且所述第二離子交換介質(zhì)是陽離`子交換介質(zhì)。
【文檔編號】B01D50/00GK203379753SQ201320295322
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月23日
【發(fā)明者】J·H·張, L·?？浦Z米科斯, W-T·曾, A·蒂克納 申請人:意法半導體公司, 國際商業(yè)機器公司